JPS60167349U - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS60167349U JPS60167349U JP5570884U JP5570884U JPS60167349U JP S60167349 U JPS60167349 U JP S60167349U JP 5570884 U JP5570884 U JP 5570884U JP 5570884 U JP5570884 U JP 5570884U JP S60167349 U JPS60167349 U JP S60167349U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- metal layers
- semiconductor substrate
- electrode layer
- laminated metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のプレーナ型ダイオードチップの断面図、
第2図は本考案の一実施例のプレーナ型ダイオードチッ
プの断面図、第3図は第2図のチップを用いて組み立て
られたダイオード素子の要部断面図である。 1・・・・・・N+半導体層、2・・・N半導体層、3
・・・・・・P半導体層、6・・・・・・Ni膜、7・
・品・Au膜、8・・・・・・N膜、9・・・・・・は
んだ、10・・・・・・上部接続導体、11・・・・・
・底板。
第2図は本考案の一実施例のプレーナ型ダイオードチッ
プの断面図、第3図は第2図のチップを用いて組み立て
られたダイオード素子の要部断面図である。 1・・・・・・N+半導体層、2・・・N半導体層、3
・・・・・・P半導体層、6・・・・・・Ni膜、7・
・品・Au膜、8・・・・・・N膜、9・・・・・・は
んだ、10・・・・・・上部接続導体、11・・・・・
・底板。
Claims (1)
- 半導体基体に被着する電極層が積層された金属層からな
り、該電極層に接続導体が接合されるものにおいて、積
層金属層のうち半導体基体に隣接する層が1〜5μmの
アルミニウム膜からなることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5570884U JPS60167349U (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5570884U JPS60167349U (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60167349U true JPS60167349U (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=30578634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5570884U Pending JPS60167349U (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60167349U (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347313A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9287271B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-03-15 | Micron Technology, Inc. | Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP5570884U patent/JPS60167349U/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005347313A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4501533B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2010-07-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US9287271B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-03-15 | Micron Technology, Inc. | Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices |
US9401363B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-07-26 | Micron Technology, Inc. | Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices |
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