JPS60167349U - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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JPS60167349U
JPS60167349U JP5570884U JP5570884U JPS60167349U JP S60167349 U JPS60167349 U JP S60167349U JP 5570884 U JP5570884 U JP 5570884U JP 5570884 U JP5570884 U JP 5570884U JP S60167349 U JPS60167349 U JP S60167349U
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JP
Japan
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semiconductor element
metal layers
semiconductor substrate
electrode layer
laminated metal
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Pending
Application number
JP5570884U
Other languages
English (en)
Inventor
津田　茂
Original Assignee
富士電機株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP5570884U priority Critical patent/JPS60167349U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプレーナ型ダイオードチップの断面図、
第２図は本考案の一実施例のプレーナ型ダイオードチッ
プの断面図、第３図は第２図のチップを用いて組み立て
られたダイオード素子の要部断面図である。 １・・・・・・Ｎ＋半導体層、２・・・Ｎ半導体層、３
・・・・・・Ｐ半導体層、６・・・・・・Ｎｉ膜、７・
・品・Ａｕ膜、８・・・・・・Ｎ膜、９・・・・・・は
んだ、１０・・・・・・上部接続導体、１１・・・・・
・底板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基体に被着する電極層が積層された金属層からな
    り、該電極層に接続導体が接合されるものにおいて、積
    層金属層のうち半導体基体に隣接する層が１〜５μｍの
    アルミニウム膜からなることを特徴とする半導体素子。
JP5570884U 1984-04-16 1984-04-16 半導体素子 Pending JPS60167349U (ja)

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JP5570884U JPS60167349U (ja) 1984-04-16 1984-04-16 半導体素子

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JP5570884U JPS60167349U (ja) 1984-04-16 1984-04-16 半導体素子

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JPS60167349U true JPS60167349U (ja) 1985-11-06

Family

ID=30578634

Family Applications (1)

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JP5570884U Pending JPS60167349U (ja) 1984-04-16 1984-04-16 半導体素子

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005347313A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Denso Corp 半導体装置の製造方法
US9287271B2 (en) 2011-08-23 2016-03-15 Micron Technology, Inc. Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices

Cited By (4)

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US9401363B2 (en) 2011-08-23 2016-07-26 Micron Technology, Inc. Vertical transistor devices, memory arrays, and methods of forming vertical transistor devices

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