JPS6016727A - Mosトランジスタ回路 - Google Patents

Mosトランジスタ回路

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Publication number
JPS6016727A
JPS6016727A JP59116518A JP11651884A JPS6016727A JP S6016727 A JPS6016727 A JP S6016727A JP 59116518 A JP59116518 A JP 59116518A JP 11651884 A JP11651884 A JP 11651884A JP S6016727 A JPS6016727 A JP S6016727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
inverter
channel
flip
flop
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59116518A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Sasaki
敏夫 佐々木
Osamu Minato
湊 修
Toshiaki Masuhara
増原 利明
Kazuo Yoshizaki
吉崎 和夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59116518A priority Critical patent/JPS6016727A/ja
Publication of JPS6016727A publication Critical patent/JPS6016727A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356Bistable circuits
    • H03K3/356104Bistable circuits using complementary field-effect transistors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はMOS l−ランジスタ回路、特にスタティッ
ク型MO3、・ソファ回路に関する。
〔発明の背景〕
従来、第1図に示すような人力1の信号に対する出力信
けを出力端子2て、その反転信けを出ソJ端r;3で取
り出すI・・ソファ回路ん(ま、第2 +g+ +こ示
すようなインバータA2〜A6で構成されており、その
出カフは、A2 + A 3 + A 4 + A 5
を介し、また反転出力8は、A2 、 A3. At、
を介して?1)られていた。
一般にバッファ回路の出カフ、8の波形は、次段の回路
、例えばデコーダ回路などに接続されるため、横軸に時
間を縦軸に電圧レベルをとって同一グラフに画いたとき
、出力レベルの中間値でクロスすることが望ましい。し
かし、第2図に示す(i6来の方式では、出カフの系統
のインバータ数が出力8の系統に比べ1段多く、その分
だけ信号遅延が生ずるという欠点があった。したがって
、出力レベルをクロスさせるために、第2図のA6を構
成するMO3素子のW/L(チャネル幅/チャネル長)
比を小さくし、結果として出カフ、8のクロス・ポイン
トをA5の遅い波形に合わせていた。さらに、出力のク
ロス・ポイントを中間値に持っていくように設計するこ
とは容易ではなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、したがって、上記従来技術の欠点を克
服し、波形の整った高速の出力を6するバッファ回路を
提供することである。
〔グこ明の概要〕
−1−記目的を達成するために、本発明によるMOSト
う//スタ回路は、バッファ回路の出力段イノハークが
第1導電型チャネルMO3素子をドライバMO8素r、
第2導電型チャネルMO3素子を負荷MO3素子とする
フリップ・フロップ回路からなり、第1導電型チャネル
MO3素子か負荷MOS素r−に並列に接続されている
ことを要旨とする。
すなわち、第2図を参照すれば、バッファ回路の出力段
インバータA5. A6をnチャネルM OS素子をド
ライバーMO3,pチャネルMO3素子を負荷MO3と
するフリップ・フロップ回路で溝成し、さらに負荷MO
3にnチャネル間O8素子を並列に接続するものである
〔発明の実施例〕
以下に実施例を用いて本発明によるMOS +−ラ/ジ
スタ回路を一層詳しく説明する。
第3図は本発明によるバッファ回路の構成図を示す。同
図において、Q、、Q、はpチャネルMO5素子、Q2
. Qs、 Qs、 Q、はn −f−ヤネルMO8素
子テある。ここてインバータA3の出力5は、Q2.Q
4およびQ6に接続され、その反転出力であるインバー
タA4の出力6は、Q、、QsおよびQsに接続されフ
リップ・フ1コツプを構成する。その出力は9および1
0である。
つぎに本回路の動作を説明する。第3図において、A2
の入力1に第4図(a)に示すようなLow状態からH
igh状態へ変化する入力信号を印加した場合を考える
。この状態ではA2の出力4は、High状態からLo
w状態((b)図)、A3の出力5はLow状態からH
igh状態((C)図)、さらにA4の出力6はHig
h状態からLow状態へ((d)図)、と逐次各インバ
ータの遅れ時間で出力か変化する。このとき、A4の出
力6が、Low状態となる前に、A3の出ノJ5はHi
gh状態となるため、フリップ・フロップ構成のnチャ
ネルMO5素子Q2.、 Q6はON状態、pチャネル
MO5素子Q4はOFF状態となって、出力9のLow
レベルはわずかに持ち上がり、かつ出力10の高レベル
は低下する(第4図telのA)。
その後、A4の出力6がLow状態となるやいなや、n
 チャt、 71/ MO5素子Q2. Qs、 Qs
、 Q6テ構成されるフリップ・フロップに正帰還かか
がり、pチャfルMO8素子Q1かON状態となるため
、出力9゜10は高速に反転することになる。第4図(
e)において、実線は出力9における電圧波形を、破線
は出力10における電圧波形を示す。
さらに、出力の立上り波形を高速化するためには、第3
図のnチャネルMO3素子Q2.Qsのゲート・チャネ
ル寸法比W/LをpチャネルMO5素子Q、、Q4のW
/I−より大きくする方が有利である。
例えば、1例として、Q2 + Qs (’) W/L
ヲ20− Q + +Q4のW/Lを15にすることに
よって適正に動作する。この場合、Qs、Q6のW/L
を30とした。
本発明の回路構成ては、A4の出力6の立上り、立下り
で出力9,10の立上り、立下りが制御されるから、出
力レベルのクロス・ポイントを中間値に持って行くこと
が容易になる。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば従来技術のバッファ
回路に比べ、出力波形の良く整った設削−が容易で、か
つ高速のバフフッ回路が実現できる。
なお本発明では、Q、、Q4をpチャネルMO5素子、
Q2. Qs、 Qs、 Q6 ’i: n −f ヤ
ネルMos 素子トして使用したが、Q、、Q4をnチ
ャネルMO3素子、Q2. Qs、 Qs、 Q6ヲI
) チャネルMO3素子トシ”C1nチャネルMO3素
子とpチャネルMO3素子の電位関係をすべて逆にする
ことにより、同様の動作が可能であることはもちろんで
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はバッファ回路の一般的なブロック図、第2図は
従来技術によるバッファ回路の回路図、第3図は本発明
によるバッファ回路の回路図、第4図は第3図に示す回
路のいろいろな点における電圧レベルの変化を示す波形
図である。 ■・・・入力 2.3・・・出力端子 4、5.6.7.8・・・インバータの出ノJ9.10
・・・フリップフロップの出力A、 、、、バッファ回
路 A2・〜A6・・インバータ Q、、Q4・・pチャネルMO5素子 Q2. Q、、 Q6. Q6・・・1]チャネルMO
3素子代理人弁理士 中村純之助 十1 図 A+ 矛2四 オ・3■1 才4し

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. バッファ回路の出力段インノく一夕か、第1導電型チャ
    ネルMO3累子をトライバMO5素子、第2導電型チャ
    ネルMO3素子を負荷MO3素子とするフリップ・フロ
    ップ回路からなり、第1導電型チャネルMO5素子が負
    荷MO3素子に並列に接続されていることを特徴とする
    MOSトランジスタ回路。
JP59116518A 1984-06-08 1984-06-08 Mosトランジスタ回路 Pending JPS6016727A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59116518A JPS6016727A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 Mosトランジスタ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59116518A JPS6016727A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 Mosトランジスタ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6016727A true JPS6016727A (ja) 1985-01-28

Family

ID=14689123

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59116518A Pending JPS6016727A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 Mosトランジスタ回路

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JP (1) JPS6016727A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442949A (en) * 1977-09-10 1979-04-05 Toshiba Corp Ternary converter circuit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442949A (en) * 1977-09-10 1979-04-05 Toshiba Corp Ternary converter circuit

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