JPS60167013A - 充放電クランプ回路 - Google Patents
充放電クランプ回路Info
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- JPS60167013A JPS60167013A JP2231684A JP2231684A JPS60167013A JP S60167013 A JPS60167013 A JP S60167013A JP 2231684 A JP2231684 A JP 2231684A JP 2231684 A JP2231684 A JP 2231684A JP S60167013 A JPS60167013 A JP S60167013A
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- JP
- Japan
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- transistor
- circuit
- voltage
- charging
- capacitor
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、充放電電圧を所定の値にクランプするクラン
プ回路に関する。
プ回路に関する。
第１図は従来例の充放電クランプ回路図である。
第１図において、符号Ｑｌ、Ｑ２はカレントミラー回路
１を構成する第１１第２トランジスタである。第１トラ
ンジスタＱ１のコレクタ側には第１定電流源■１が接続
されるとともに、この第１トランジスタＱ１のコレクタ
・エミッタ間に充放電操作用のスイッチ回路ＳＷが挿入
される。第２トランジスタＱ２のコレクタ・エミッタ間
に、充放電されるコンデンサＣが接続される。この充放
電用コンデンサＣには並列にダイオードＤが接続される
。Ｔ２は第２定電流源である。ここで、１１＝２・Ｉ２
である。このような充放電クランプ回路では、時刻ｔｏ
でスイッチ回路ＳＷが閉じるとき、第１定電流源１１か
らの定電流がこのスイッチ回路ＳＷに流れるのでカレン
トミラー回路１の第１トランノスタＱ１には電流が流れ
ず、このため第２トランジスタＱ２にも電流が流れない
。したがって、コンデンサＣは第２図の時刻１０から時
刻ｔ１＊での間は第２定電流源■２がらの定電流で直線
的な勾配で充電される。そして、時刻Ｌ１でその充電電
圧がダイオードＤの順方向電圧に達すると、その電圧に
クランプされて時刻１１から時刻Ｌ２までの間に示され
るよろな充電電圧に維持される。次に、時刻ｔ２でスイ
ッチ回路ＳＷが開にされると、カレントミラー回路１の
第１゜トランジスタＱ１には第１定電流源１１からの定
電流が流れ、これにより第２トランジスタＱ２には第１
．第２定電流源Ｉ １．Ｉ ２それぞれからの定電流を
合計した大きさの定電流が流れる。このため、コンデン
サＣは充電時と同じ大トさの電流で放電され、これによ
り第２図の時刻し２から時刻ｔ３＊での間に示す勾配で
充電電圧の大きさが減少する。このような動作でコンデ
ンサＣでの充電電圧が変化するクランプ回路は各種の回
路に広く使用されている。ところが、このようなりラン
プ回路では、コンデンサＣでの充電電圧のローレベルと
ハイレベルとが初期に設定値に固定されており、その充
電電圧を自由に可変することができないものである。
１を構成する第１１第２トランジスタである。第１トラ
ンジスタＱ１のコレクタ側には第１定電流源■１が接続
されるとともに、この第１トランジスタＱ１のコレクタ
・エミッタ間に充放電操作用のスイッチ回路ＳＷが挿入
される。第２トランジスタＱ２のコレクタ・エミッタ間
に、充放電されるコンデンサＣが接続される。この充放
電用コンデンサＣには並列にダイオードＤが接続される
。Ｔ２は第２定電流源である。ここで、１１＝２・Ｉ２
である。このような充放電クランプ回路では、時刻ｔｏ
でスイッチ回路ＳＷが閉じるとき、第１定電流源１１か
らの定電流がこのスイッチ回路ＳＷに流れるのでカレン
トミラー回路１の第１トランノスタＱ１には電流が流れ
ず、このため第２トランジスタＱ２にも電流が流れない
。したがって、コンデンサＣは第２図の時刻１０から時
刻ｔ１＊での間は第２定電流源■２がらの定電流で直線
的な勾配で充電される。そして、時刻Ｌ１でその充電電
圧がダイオードＤの順方向電圧に達すると、その電圧に
クランプされて時刻１１から時刻Ｌ２までの間に示され
るよろな充電電圧に維持される。次に、時刻ｔ２でスイ
ッチ回路ＳＷが開にされると、カレントミラー回路１の
第１゜トランジスタＱ１には第１定電流源１１からの定
電流が流れ、これにより第２トランジスタＱ２には第１
．第２定電流源Ｉ １．Ｉ ２それぞれからの定電流を
合計した大きさの定電流が流れる。このため、コンデン
サＣは充電時と同じ大トさの電流で放電され、これによ
り第２図の時刻し２から時刻ｔ３＊での間に示す勾配で
充電電圧の大きさが減少する。このような動作でコンデ
ンサＣでの充電電圧が変化するクランプ回路は各種の回
路に広く使用されている。ところが、このようなりラン
プ回路では、コンデンサＣでの充電電圧のローレベルと
ハイレベルとが初期に設定値に固定されており、その充
電電圧を自由に可変することができないものである。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであって、
コンデンサでの充電電圧のクランプの大きさを自由に可
変できるようにすることを目的とする。
コンデンサでの充電電圧のクランプの大きさを自由に可
変できるようにすることを目的とする。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第３図は、この実施例の回路図であり、第１図と
対応する部分には同一の符号を付す。第３図において、
符号１は第１．第２トランジスタＱ１．Ｑ２で構成され
るカレントミラー回路である。第１トランジスタＱ１の
コレクタには第１定電流源１１が接続される。また、こ
の第１トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間に充放
電操作用のスイッチ回路ＳＷが挿入される。第２トラン
ジスタＱ２のコレクタ・エミッタ間に、充放電用のコン
デンサＣが接続される。
する。第３図は、この実施例の回路図であり、第１図と
対応する部分には同一の符号を付す。第３図において、
符号１は第１．第２トランジスタＱ１．Ｑ２で構成され
るカレントミラー回路である。第１トランジスタＱ１の
コレクタには第１定電流源１１が接続される。また、こ
の第１トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ間に充放
電操作用のスイッチ回路ＳＷが挿入される。第２トラン
ジスタＱ２のコレクタ・エミッタ間に、充放電用のコン
デンサＣが接続される。
第２トランジスタＱ２と前記コンデンサＣとの接続点２
にハイレベル側の第１充電電圧レベル設定回路３がまた
、その接続点２にローレベル側の第２充電電圧レベル設
定回路４が共通に接続される。両充電馬圧レベル設定回
路３，４はそれぞれ前記接続点２にそのエミッタが接続
された第３゜第４レベル設定用トランジスタＱ３．Ｑ４
と、該レベル設定用トランジスタＱ３．Ｑ４のべ一人に
接続されてそのＦランジスタＱ３．Ｑ４の導通時の順方
向バイアス電圧Ｖｂｅを設定する／＜イア六回路として
の第３．第４定電流源Ｉ３．Ｉ４と抵抗Ｒ１、Ｒ２とを
含む。
にハイレベル側の第１充電電圧レベル設定回路３がまた
、その接続点２にローレベル側の第２充電電圧レベル設
定回路４が共通に接続される。両充電馬圧レベル設定回
路３，４はそれぞれ前記接続点２にそのエミッタが接続
された第３゜第４レベル設定用トランジスタＱ３．Ｑ４
と、該レベル設定用トランジスタＱ３．Ｑ４のべ一人に
接続されてそのＦランジスタＱ３．Ｑ４の導通時の順方
向バイアス電圧Ｖｂｅを設定する／＜イア六回路として
の第３．第４定電流源Ｉ３．Ｉ４と抵抗Ｒ１、Ｒ２とを
含む。
このように構成することにより、この実施例のクランプ
回路によれば、時刻１０でスイッチ回路ＳＷが閉じてい
るときは、カレントミラー回路１の第１．ｔＩｓ２）ラ
ンジスタＱｌ、Ｑ２には電流が流れないので、コンデン
サＣは第２定電流源■２からの定電流により第４図の時
刻ｔｏから時刻ｔ１の間に示すような勾配で充電される
。時刻ｔ１でコンデンサＣでの充電電圧の値がｖ２に達
する。ここで、充電電圧値ｖ２は第１充電電圧レベンレ
設定回路３の抵抗Ｒ１での電圧降下値と第３）ランジス
タＱ３のベース・エミッタ間の順方向電圧降下ｖｂｅと
の合計値であ“る。コンデンサＣにはこの充電電圧値■
２以上には充電されず、その値にクランプされる。次に
、時刻ｔ２でスイ・ンチ回路ＳＷが開にされると、カレ
ントミラー回路１の第１トランジスタＱ１には第１定電
流源１１からの定電流が流れる（Ｌ”２Ｉ２）。これに
より、第２トランジスタＱ２にはそれと同じ大きさの電
流が流れる。そ）すると、コンデンサＣは第４図の時刻
ｔ２から時刻ｔ３主での間に示す勾配で放電して（１き
、そして時刻ｔ３では第２充電電圧レベル設定回路４の
抵抗Ｒ２の両端の電圧降下から第４トランジスタＱ４の
ベース・エミ・フタ間の順方向電圧降下Ｖｂｅを引いた
値の電圧にクランプされる。
回路によれば、時刻１０でスイッチ回路ＳＷが閉じてい
るときは、カレントミラー回路１の第１．ｔＩｓ２）ラ
ンジスタＱｌ、Ｑ２には電流が流れないので、コンデン
サＣは第２定電流源■２からの定電流により第４図の時
刻ｔｏから時刻ｔ１の間に示すような勾配で充電される
。時刻ｔ１でコンデンサＣでの充電電圧の値がｖ２に達
する。ここで、充電電圧値ｖ２は第１充電電圧レベンレ
設定回路３の抵抗Ｒ１での電圧降下値と第３）ランジス
タＱ３のベース・エミッタ間の順方向電圧降下ｖｂｅと
の合計値であ“る。コンデンサＣにはこの充電電圧値■
２以上には充電されず、その値にクランプされる。次に
、時刻ｔ２でスイ・ンチ回路ＳＷが開にされると、カレ
ントミラー回路１の第１トランジスタＱ１には第１定電
流源１１からの定電流が流れる（Ｌ”２Ｉ２）。これに
より、第２トランジスタＱ２にはそれと同じ大きさの電
流が流れる。そ）すると、コンデンサＣは第４図の時刻
ｔ２から時刻ｔ３主での間に示す勾配で放電して（１き
、そして時刻ｔ３では第２充電電圧レベル設定回路４の
抵抗Ｒ２の両端の電圧降下から第４トランジスタＱ４の
ベース・エミ・フタ間の順方向電圧降下Ｖｂｅを引いた
値の電圧にクランプされる。
このように゛して、この実施例のクランプ回路では第３
．第４定電流￥ｉｔ！Ｉ ３．Ｉ ４の定電流の値によ
りクランプされた電圧値でコンデンサＣを充電させるこ
とがで終る。この場合、第３．第４定電流源Ｔ３．Ｉ４
を第５図に示すように複数の定電流源ｌ３１（１４１）
、ｌ３２（Ｉ４２）、ｌ３３（Ｉ４３）、・・・と各定
電流源に直列にχイツチ回路ＳＷ３１（ＳＷ４１）、Ｓ
Ｗ３２（ＳＷ４２）、ＳＷ３３（ＳＷ４３）をそれぞれ
接続したものにしてもよい。
．第４定電流￥ｉｔ！Ｉ ３．Ｉ ４の定電流の値によ
りクランプされた電圧値でコンデンサＣを充電させるこ
とがで終る。この場合、第３．第４定電流源Ｔ３．Ｉ４
を第５図に示すように複数の定電流源ｌ３１（１４１）
、ｌ３２（Ｉ４２）、ｌ３３（Ｉ４３）、・・・と各定
電流源に直列にχイツチ回路ＳＷ３１（ＳＷ４１）、Ｓ
Ｗ３２（ＳＷ４２）、ＳＷ３３（ＳＷ４３）をそれぞれ
接続したものにしてもよい。
このようにすることにより、コンデンサＣでの充電電圧
のレベルを段階的に変化させることができる。
のレベルを段階的に変化させることができる。
以上のように、本発明によれば、第１．第２）ランジス
タで構成されるカレントミラー回路を備え、第１トラン
ジスタに定電流源を接続するとともに、この第１トラン
ジスタのフレフタ・エミッタ間に充放電操作用のスイッ
チ回路を挿入し、第２トランジスタのフレフタ・エミッ
タ間に、充放電されるコンデンサを接続してなる充放電
クランプ回路において、第２）ランジ入りと前記コンデ
ンサとの接続点にハイレベル側のＩＪＩ＆１充電電圧レ
ベル設定回路をまた、その接続点にローレベル側の第２
充電電圧レベル設定回路を共通に接続してなるので、前
記コンデンサでの充電電圧のローレベルとハイレベルと
が初期の設定値に固定されることはなく、その充電電圧
を自由に可変することができる。
タで構成されるカレントミラー回路を備え、第１トラン
ジスタに定電流源を接続するとともに、この第１トラン
ジスタのフレフタ・エミッタ間に充放電操作用のスイッ
チ回路を挿入し、第２トランジスタのフレフタ・エミッ
タ間に、充放電されるコンデンサを接続してなる充放電
クランプ回路において、第２）ランジ入りと前記コンデ
ンサとの接続点にハイレベル側のＩＪＩ＆１充電電圧レ
ベル設定回路をまた、その接続点にローレベル側の第２
充電電圧レベル設定回路を共通に接続してなるので、前
記コンデンサでの充電電圧のローレベルとハイレベルと
が初期の設定値に固定されることはなく、その充電電圧
を自由に可変することができる。
第１図は、従来例の回路図、第２図は従来例の動作説明
に供する充電電圧波形図、第３図は本発明の実施例の回
路図、第４図は実施例の動作説明に供する充電電圧波形
図、第５図は充電電圧レベル設定回路図である。 １はカレン）ミラー回路、２は接続点、３，４は第１１
第２充電電圧レベル設定回路。 出願人ローム株式会社 代理人 弁理士 岡 １）和 秀 ＊２＄４１）貝″
に供する充電電圧波形図、第３図は本発明の実施例の回
路図、第４図は実施例の動作説明に供する充電電圧波形
図、第５図は充電電圧レベル設定回路図である。 １はカレン）ミラー回路、２は接続点、３，４は第１１
第２充電電圧レベル設定回路。 出願人ローム株式会社 代理人 弁理士 岡 １）和 秀 ＊２＄４１）貝″
Claims (3)
- （１）第１．第２トランジスタで構成されるカレントミ
ラー回路を備え、第１トランジスタに定電流源を接続す
るとともに、この第１トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間に充放電繰作用のスイッチ回路を挿入し、第２トラ
ンジスタのコレクタ・エミッタ間に、充放電されるコン
デンサを接続してなる充放電クランプ回路において、第
２トランジスタと前記コンデンサとの接続点にハイレベ
ル側の第１充電電圧レベル設定回路をまた、その接続点
にローレベル側の第２充電電圧レベル設定回路を共通に
接続してなる充放電クランプ回路。 - （２）前記特許請求の範囲第１項に記載の充放電クラン
プ回路において、前記両光電電圧レベル設定回路は、前
記接続点にそのコレクタまたはエミッタが接続されるレ
ベル設定用トランジスタと、該レベル設定用トランジス
タのベースに接続されてそのトランジスタの導通時の順
方向バイアス電圧を設定するバイアス回路を接続してな
る充放電クランプ回路。 - （３）前記特許請求の範囲第２項に記載の充放電クラン
プ回路において、前記バイアス回路は定電流源と抵抗と
を含む充放電クランプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022316A JPH06100938B2 (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 充放電クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022316A JPH06100938B2 (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 充放電クランプ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167013A true JPS60167013A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH06100938B2 JPH06100938B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=12079322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022316A Expired - Fee Related JPH06100938B2 (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 充放電クランプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100938B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745921A1 (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Transistor current generator stage for integrated analog circuits |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6679992B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2020-04-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154683A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Hitachi Ltd | Time constant circuit |
| JPS56129423A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Sony Corp | Triangle wave generating circuit |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59022316A patent/JPH06100938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52154683A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-22 | Hitachi Ltd | Time constant circuit |
| JPS56129423A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Sony Corp | Triangle wave generating circuit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0745921A1 (en) * | 1995-05-31 | 1996-12-04 | STMicroelectronics S.r.l. | Transistor current generator stage for integrated analog circuits |
| US5805015A (en) * | 1995-05-31 | 1998-09-08 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Current generator stage used with integrated analog circuits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100938B2 (ja) | 1994-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |