JPS60166683A - 新規なβ−ラクタム化合物及びその製造法 - Google Patents

新規なβ−ラクタム化合物及びその製造法

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JPS60166683A
JPS60166683A JP59023497A JP2349784A JPS60166683A JP S60166683 A JPS60166683 A JP S60166683A JP 59023497 A JP59023497 A JP 59023497A JP 2349784 A JP2349784 A JP 2349784A JP S60166683 A JPS60166683 A JP S60166683A
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nitrobenzyloxycarbonyl
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JP59023497A
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English (en)
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Jun Sunakawa
洵 砂川
Haruki Matsumura
松村 春記
Takaaki Inoue
井上 孝明
Masatomo Fukazawa
深澤 万左友
Masuhiro Kato
益弘 加藤
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式CI’) 〔式中、R1は水素原子または水酸基の保護基を、R2
は水素原子またはアミノ基の保護基を、R8およびR4
は各々独立して水素原子またはカルボキシル基の保護基
を示す。〕 で表わされる新規なβ−ラクタム化合物およびその薬理
学上許容される塩並びにその製造方法に関する。
本発明化合物のうちで、R1,R2およびR8で示され
る基がいずれも水素原子であり、R4で示されろ基が水
素原子または低級アルキル基であるβ−ラクタム化合物
は抗菌活性を有し、その他の本発明化合物はそのような
抗菌活性を有する化合物の製造中間体として有用である
前記一般式[1)中、R1,R2およびR8における保
護基とは、本発明化合物の製造時において各官能基への
アシル化あるいはアルキル化等の副反応をさける為に用
いられる保護基である。
R4における保護基も同様に副反応をさける目的で用い
られるが、これが低級アルキル基である場合には、上述
の抗真菌活性を有するβ−ラクタム化合物における置換
基でもある。以下に各保護基を、より具体的な例をあげ
て説明する。
R1における水酸基の保護基またはR2におけるアミノ
基の保護基としては、好適には例えば(5) tert −ブチルオキシカルボニルのような低級アル
コキシカルボニル基、例えば2−ヨウ化エチルオキシカ
ルボニル、2.2.2−トリクロロエチルオキシカルボ
ニルのようなハロゲノアルコキシカルボニル基、例えば
ベンジルオキシカルボニル、p−メトキシベンジルオキ
シカルボニル、O−ニトロベンジルオキシカルボニル、
p−ニトロベンジルオキシカルボニルのヨウナアラルキ
ルオキシカルボニル基、例えばトリメチルシリル、te
rt−ブチルジメチルシリルのようなトリアルキルシリ
ル基等をあげることができる。
Ra カこはR4におけるカルボキシル基の保護基とし
ては、好適には例えばメチル、エチル、イソプロピル、
tert−ブチルのような直鎖状若しくは分枝鎖状の炭
素数1〜4の低級アルキル基、例えば2−ヨウ化エチル
、2.2.2−トリクロロエチルのようなハロゲノ低級
アルキル基、例工ばメトキシメチル、エトキシメチル、
イソブトキシメチルのような低級アルコキシメ(6) %JL4、例えばアセトキシメチル、プロピオニルオキ
シメチル、ブチリルオキシメチル、ピバロイルオキシメ
チルのような低級脂肪族アシルオキシメチル基、例えば
1−メトキシカルボニルオキシエチル、1−エトキシカ
ルボニルオキシエチルのような1−低級アルコキシカル
ボニルオキシエチル基、例えばベンジル、p−メトキシ
ベンジル、0−ニトロベンジル、p−ニトロベンジルの
ようなアラルキル基、ベンズヒドリル基またはフタリジ
ル基等をあげることができる。
前記一般式rI)においてR8および/またはR4が水
素原子であるカルボン酸化合物は必要に応じて薬理学上
、許容される塩の形にすることができる。そのような塩
としてはリチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム
、マグネシウムのような無機金属の塩あるいはアンモニ
ウム、シクロヘキシルアンモニウム、ジイソプロピルト
リウム塩およびカリウム塩である。
チェナマイシンをはじめとするカルバペネム化合物がす
ぐれた抗菌作用を示すことから多くの研究グループで、
その研究がなされ、数多くのカルバペネム誘導体が報告
されている。
本発明者らも抗菌剤としてすぐれたカルバペネム化合物
を目標に鋭意研究を重ねた結果、一般式〔1〕で表わさ
れる化合物が強力な抗菌作用を有すか、あるいはその前
駆体となりうることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、一般式〔I〕で表わされる本発明β−ラクタ
ム化合物はカルバペネム(1−アザビシクロr8,2.
O〕ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボン酸)誘
導体に属し、その8位に一般式 で示される置換ピロリジン−4−イルチオ基を有し、6
位に〇−置換もしくは非置換の2−ヒドロキシエチル基
を有する新規な化合物であり、これらの化合物は強力な
抗菌活性を有する医薬として有用な化合物であるか、ま
たは抗菌活性を表わす化合物の重要中間体である。
以下に本発明化合物の製造方法について詳細に説明する
一般式[) 〔式中、R5は水酸基の保護基をR6はカルボキシル基
の保護基を示す。〕 で表わされるアルコールの反応性エステルと一般式〔■
〕 〔式吊、R2は前述と同じ意味を有し、R7はカルボキ
シル基の保護基を示す。〕 で表わされるメルカプタンとを塩基の存在下に不活性溶
媒中で反応させることにより一般式〔■〕〔式中、R2
、R5、ReおよびR7は前述と同じ意味を有する。〕 で表わされるβ−ラクタム化合物を製造することができ
る。
ここで、アルコールの反応性エステルとしては、例えば
アルコール〔■〕の置換もしくは無置換アリールスルホ
ン酸エステル、低級アルカンスルホン酸エステル、ハロ
ゲノ低級アルカンスルホン酸エステル、およびジアリー
ルホスホリックアシッドエステル、ならびにハロゲン化
水(10) 素とのエステルであるハロゲン化物等をあげることがで
きる。さらに、置換もしくは無置換アリールスルホノ酸
エステルとしては、例えばベンゼンスルホン酸エステル
、p−トルエンスルホン酸エステル、p−ニトロベンゼ
ンスルホン酸エステル、p−ブロモベンゼンスルホン酸
エステルなどを、低級アルカンスルホン酸エステルとし
ては、例えばメタンスルホン酸エステル、エタンスルホ
ン酸エステルナトヲ、ハロケノ低級アルカンスルホン酸
エステルとしては、例えハトリフルオロメタンスルホン
酸エステルナトを、ジアリールホスホリックアシヮドエ
ステルとしては、例えばジフェニルホスホリックアシッ
ドエステルなどを、またハロゲン化物としては、例えば
塩素、臭素、ヨウ素化物などを挙げることができる。こ
のようなアルコールの反応性エステルの中で好適なもの
としては、p−トルエンスルホン酸エステル、メタンス
ルホン酸エステル、ジフェニルホスホリックアシッドエ
ステルを挙げることができる。
R5における水酸基の保護基およびR6またはR7にお
けるカルボキシル基の保護基は、各々前記R+およびR
8またはR4における各保護基に対応し、好適な保護基
としても同様の例を挙げることができる。
本反応で用いられる不活性溶媒としてはジオキサン、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニ
トリル、ヘキサメチルホスホラミド等を挙げることがで
き、塩基としては炭酸カリウム、炭素水素ナトリウム、
トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等ヲ挙
げることができる。
原料メルカプタン〔■〕は反応が十分進行するだけの量
が必要であり、大過剰量を用いることができるが、アル
コール〔■〕の反応性エステルに対して通常1〜1.5
当量を用いて行うことができる。
反応温度は一78°C〜60°Cの範囲で行われるが、
−40’C〜40゛Cの範囲が好適である。
なお、反応終了後は通常の有機化学的手法によって成績
体をとり出すことができる。
次に、このようなして得られた一般式(IV)で表わさ
れる化合物からは、公知の方法に従って、a)カルボキ
シル基の保護基R6および/またはR7の除去方応 b)水酸基の保護基R5の除去反応 c) Rgにおけるアミノ基の保護基の除去反応を、必
要に応じて、任意の順序で適宜組合せた処理を行うこと
により、一般式〔rlで表わされるβ−ラクタム化合物
においてR1,Rg 、 RsおよびR4で示される基
のいずれか1つ以上が水素原子である化合物を製造する
ことができる。
なお、R8およびR4で示される基が共に水素原子であ
る本発明化合物を所望する場合には、R6およびR7の
保護基として同一の保護基を用いてこれらを同時に除去
してもよく、またR6およびRγの保護基として互いに
異なる保護基を用いて、各々に対応する除去反応を行っ
てもよい。
さらに、R8およびR4で示される基の一方が(18) 水素原子であり、他方がカルボキシル基の保護基である
本発明化合物を所望する場合には、R6およびR7の保
護基として互いに異なる保護基を用い、一方のみ除去で
きる反応に付することにより目的化合物を製造すること
ができる。特に、前記一般式〔I〕においてR4で示さ
れる基が低級アルキル基である本発明化合物を所望する
場合には、保護基R6として、低級アルコキシカルボニ
ル基が加水分解を受けない反応(例えば後述の還元的方
法)によって除去される保護基を用いることができる。
保護基の除去方法はその種類により異なるが、一般に知
られている方法によって除去される。
例えば前記一般式CIV)において水酸基の保護基R5
および/またはR2におけるアミノ基の保護基がハロゲ
ノアルコキシカルボニル基またはアラルキルオキシカル
ボニル基である化合物、カルボキシル基の保護基R6ま
たは/およびR7がハロゲノアルキル基、アラルキル基
マたはベンズヒドリル基である化合物は適当な還元反応
(14) に付することによって保護基を除去することができる。
そのような還元反応としては保護基がハロゲノアルコキ
シカルボニル基ヤハロゲノアルキル基である場合には酢
酸、テトラヒドロフラン、メタノール等の有機容媒と亜
鉛による還元が好適であり、保護基がアラルキルオキシ
カルボニル基、アラルキル基、ベンズヒドリル基である
場合には白金あるいはパラジウム−炭素のような触媒を
用いる接触還元反応が好適である。この接触還元反応で
使用される溶媒としてはメタノール、エタノールのよう
す低級アルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン
のようなエーテル類もしくは酢酸またはこれらの有機溶
媒と、水あるいはリン酸、モルホリノプロパンスルホン
酸等の緩衝液との混合溶剤が好適である。反応温度とし
てはθ℃〜100’Cの範囲で行われるがθ℃〜40°
Cの範囲が好適である。また水素圧は常圧あるいは加圧
下で行うこトカできる。特に0−ベンジル基、0−ベン
ジルオキシカルボニル基の場合には光反応によっても除
くことができる。
なお反応終了後は通常の有機化学的手法によって成績体
をとり出すことができる。
前記一般式CI)で示される化合物は5位、6位および
8位の不斉炭素に基く光学異性体および立体異性体が存
在し、これらの異性体が便宜上すべて単一の式で示され
ているが、これによって本発明の記載の範囲は限定され
るものではない。しかしながら、好適には、5位の炭素
原子がR配位な有する(5R,6S)配位、(6R,(
iR)配位の化合物を挙げることができる。
8位については、好適なものとしてR配位を有する化合
物を選択することができる。
このような配位を有する異性体を製造する場合には、原
料化合物〔■〕において各々対応する異性体を使用する
ことができる。
さらに2′−置換ビロリジン−4′イルチオ基について
もC2’8 、4’S ’]配位、C2’5 、4’R
)配位、C2’R、4′s 〕配位、(: 2’R、4
’R’)配位の4種の異性体があり、一般式〔I’l1
等の一般式では単一の式で表わされているがそれらによ
ってなんら限定されるものではない。それらのうちで好
適な立体配位としては〔2′S、4′S〕配位、C2’
R、4’R)配位の化合物を挙げることができる。
本発明によって得られる前記一般式〔■〕を有する化合
物としては、例えば以下に記載する化合物を挙げること
ができる。
(1)13−[2−メトキシカルボニルピロリジン−4
−イルチオ)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−ア
ザビシクロ(8,2,01−ヘプト−2−エン−7−オ
ン−2−カルボン酸 (2)8−(1−エトキシカIレボニルピロリジン−4
−イルチオ〕−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−7
ザビシクロCB、2.0)−ヘプト−2−二ンー7−オ
ンー2−カルボン酸 (8) 8− (2−n−プロビルオキシカルポニルビ
ロリジン−4−イルチオ)−6−(1−ヒ(17) ドロキシエチル)−1−アザビシクロ〔8゜2.0〕−
ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボン酸 (4)8−C2−イソプロビルオキシカルポニルビロリ
ジン−4−イルチオ)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−1−アザビシクロ〔8I2.0〕−ヘプト−2−エン
−7−オン−2−カルボン酸 (5) 8− (2−n−ブトキシカルボニルピロリジ
ン−4−イルチオ’)−6−(1−ヒドロキシエチル)
−1−アザビシクロ〔8,2,0]−ヘプト−2−エン
−7−オン−2−カルボン酸 (6)8−C2−カルボキシピロリジン−4−イルチオ
’)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシク
ロCB、2.0)−ヘプト−2−エン−7−オン−2−
カルボン酸 本例示化合物においては前述したように立体異性体が存
在し、単一の名称であげたが、それによって何ら限定さ
れるものではない。
しかしながら好適なものとして、カルバペネム骨格とし
ては(5R,6S 、8R)、(5R。
6R、8R)配位を有するものを挙げることができる。
また8位置換基であるピロリジニルチオ基については好
適なものとして(2’3 、4’SL(2’R,4’R
)配位を有するものを挙げることができる。
原料化合物である化合物〔■〕は既に報告されている種
々の方法によって製造することができる。例えば次に示
4゛まうな文献等により化合物自体が公知であるか、ま
たはそれらに記載の方法に準じて化合物〔■〕を得るこ
とができる。
(1)特開昭55−27169号公報 (21ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティ(J 、Am、Chem、Soc )第108巻
、第6765〜6767頁(1981年)(8) ジャ
ーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ・パーキンI (
J 、Am、Chem、Soc、Perkin I )
第964〜968頁(1981年) マタテトラヘトロンーレターズ(Tetrahedro
n■一番番一へX#0〇八o へnone百/IQOQ
年)に記載されている方法あるいは特開昭58−960
60号公報に記載の方法で得られる一般式(a) 〔式中、R5は前述と同じ意味を示し、Acはア士チル
基を示す3.〕 で表わされる化合物を原料として、上記文献等(1)〜
(8)に記載の方法に準じて化合物rn)を合成するこ
とができる。
さらにまた、特開昭58−96060号公報に記載の方
法にて得られる一般式(b)ODAM C式中、DAMはジ−p−アユシルメチル基しette
rsノl1lSZZljJ)−44jO,IQuAEP
O&(19) を示す。〕 で表わされる化合物をアルント・アインスタート(Ar
ndt −Einstert) 反応等の増炭反応に付
し、次いでオキシマーキュレーション反応等によりエチ
ニル基を1−ヒドロキシエチル基に変換し、必要に応じ
てカルボキシル基の保護、脱保護反応及び水酸基の保護
反応を組合わせることによって得られる一般式(C) 〔式中、R6およびDAMは前述のとおり。〕で表わさ
れる化合物より、特開昭57−167964号公報に記
載の方法に準じて化合物〔■〕を得ることができる。
原料化合物〔■〕の反応性エステルの製造方法の一例を
以トのスキームにて示し、各工程について説明する。
C21) (20) (C)1 〔式中、R5、ReおよびDAMは前述と同じ意味を有
する。〕 化合物とはβ−ラクタム誘導体(C)を特願昭56−1
95470号明細書に記載の方法、すなわちアルント、
アインスタート反応によって増炭し次いで、例えばアル
キルハライドあるいはアラルキルハライド類と塩基の存
在下で反応させてカルボキシル基を保護した後、オキシ
マキュレーション反応によってエチニル基を水酸基に変
換することによって得られる。
化合物2は通常の水酸基の保護反応によって得られ、例
えば各種のアシル化剤あるいはシリル化剤と反応させる
ことによって達成される。
化合物3はアルカリ加水分解、トリフルオロ酢酸等の酸
による加溶媒反応、または接触還元等の通常用いられる
カルボン酸の脱保護反応によって得ることができる。
化合物見は化合物見より特開昭57−167964号公
報に記i1の反応あるいはへテロサイクルズ(Hete
rocycles)第14巻、第1805〜1806頁
(1980年)に記載の反応を利用して得ることができ
る。
さらに化合物見は化合物見を、テトラヘドロン・レター
ズ第31〜84頁(1980年)に記載されているごと
く、例えばカルボキシベンゼンスルホンアジド等のジア
ゾ化剤と塩基の存在下で反応させることによって得るこ
とができる。
以上のようにして得た化合物見は不活性溶媒中硝酸第二
セリウムアンモニウム(Ceric Amm−oniu
m n1trate )を用いDAM基の酸化的除去反
応に付すことによって化合物見へ導くことができる。
さらに化合物りは化合物見をテトラキスア士テートジロ
ジウム等の金属塩触媒の存在下、または光反応によって
閉環反応に付すことによって得られる。
最後に一般式(”I[al で表わされる原料化合物は
化合物ヱを不活性溶媒中、塩基の存在下でジフェニルホ
スホリルクロリドと反応させることによって得ることが
できる。
通常カルバペネム誘導体の製造にあたっては化合物りよ
り原料化合物(Tia〕 を製造し、その(25) まま単離することなく各種のメルカプタン類と反応させ
ることによって得ることができるが原料化合物〔IIa
’) を一度単離し、その後メルカプタン誘導体〔■〕
との反応を行い一般式(−TV’)で表わされる化合物
を得ることもできる。
光学活性な反応性エステル、例えば(’IIa〕 を所
望する場合には、原料となるβ−ラクタム誘導体(C)
において対応する立体配位を有する異性体を用いること
により、上記反応と同様にして得ることができる。
一方、原料メルカプタン〔■〕は各種の方法によって製
造することが可能であるが、例えば以下に示す方法によ
って、トランス−4−ヒドロキシ−し−プロリン8を原
料化合物として2′S配位を有するメルカプタン〔■a
〕、〔■b〕、〔■c〕を製造することができる。
(1) R9養9 1 911 S 9 〔ma〕 (2) 1 R9H I3 〜 18 〔式中、R7は前述と同じ意味を有する。
R8はチオール基の保護基を示し、Rg はアミノ基の
保護基を示す。〕 A工程 一般によく用いられる各種公知のアミノ酸のア
ミノ基の保護反応によって容易に達成することができ、
例えば塩基の存在下でア(29) リールメチルオキシカルボニルクロリド等と反応させる
方法、あるいはS−アシル−4゜6−シメチルー2−メ
ルカプトピリミジン等を用いる方法等を挙げることがで
きる。
B工程 カルボキシル基を保護する各種の公知の方法が
可能であるが、例えば塩基の存在ドでカルボン酸9を各
種のアルキルハライドあるいはアラルキルハライド等と
反応させることにより達成することができる。
C工程 水酸基を保護されたチオール基に変換する各種
の公知方法が可能であるが、たとえば水酸基の活性エス
テル体に誘導後、チオ酢酸、チオ安息香酸、トリチルメ
ルカプタン等の各種のチオ化試薬と塩基存在下で反応さ
せで゛ ること憎達成することができる。
また本工程はアルコール誘導体をトリフェニルホスフィ
ン、ジエチルアゾジカルボキシレートの存在下に、テト
ラヒドロフラン等の不活性溶媒中、チオ酢酸等のチオ化
試薬と反応させても得ることができる。
(80) D工程 各種公知のチオール保護基の脱保護法が可能で
あるが、例えばチオール保護基がアシル基である場合、
アルカリ加水分解等の方法によって除去することが可能
である。
E工程 水酸基をカルボニル基に変換する各種公知の酸
化反応が可能であるがたとえばアセトン中クロム酸−硫
酸等の酸化反応によって達成することができる。
F工程 カルボニル基を水酸基に変換する各種公知の還
元反応が可能であるが、たとえば水素化ホウ素ナトリウ
ム等で処理することにより化合物10と10の水酸基の
立体が異なる化合物15の混合物を得ろことができる。
なお、10と15の生成比は条件によって異なるが、そ
れぞれの化合物は再結晶、クロマトグラフィー等の精製
により単一化合物として得ることができる。
4位水酸基の異性化は上記EおよびF工程を経て達成す
ることができるが、次に述べるGおよびH工程を経る方
法によっても達成することができる。
G−H工程 アルコール誘導体をトリフェニルホスフィ
ン、ジエチルアゾジカルボキシレートの存在下に、テト
ラヒドロフラン等の不活性溶媒中でギ酸と反応させホル
ミルオキシ誘導体17 とした後、アルカリ加水分解等
の方法によりホルミル基を除去することによって達成す
ることができる。
■工程−各種公知のアミノ基の脱保護法が可能であるが
、例えばトリフルオロ酢酸や臭化水素酸等の酸を用いる
方法、亜鉛を用いる還元的方法によって行うことができ
る。
また2′R体のメルカプタン〔■〕の製造にあたっては
原料化合物としてシス−4−ヒドロキシ−D−プロリン
を用い前述の2’S体(7)製造法に準じて、すなイ〕
ち、2’S体の製造で述べた諸反応を組合せることによ
って製造することができる。
本発明の前記一般式〔I〕で表わされる新規なβ−ラク
タム化合物のうちR+ 、 R2およびR8力水素原子
である化合物は、スタフィロコッカス・オウレウス・ス
タフィロコッカス・エビデルミゾイス、ストレプトコッ
カス・パイロジェンス、ストレプトコッカス・フェヵー
リスナトのダラム陽性菌、エシェリキア・コリ、プロテ
ウス・ミラビリス、セラシア・マルセッセンス、シュー
ドモナス・エルギノーザなどのグラム陰性菌を包含する
広範囲な病原菌に対し、すぐれた抗菌活性を有し、抗菌
剤として有用な化合物である。さらに、β−ラクタメー
ス産生菌に対してもすぐれた抗菌活性を有する特徴のあ
る化合物である。
また本発明化合物は、各々の化合物によって異なるが、
一般的に物理化学的安定性も高く、水への溶解性にもす
ぐれているということも特徴として挙げることができる
本発明化合物を細菌感染症を治療する抗菌剤として用い
るための投与形態としては、例えば錠剤、カブ士ル剤、
散剤、シロ・ツブ剤等による縫目投与あるいは静脈内注
射、節肉内注射、直(8B) 腸投与などによる非経口投与があげられる。
投与量は症状、年令、体重、投与形態、投与回数等によ
って異なるが、通常は成人に対し1日約200〜800
0iwを1回または数回に分けて投与する。必要に応じ
て減量あるいは増量することができる。
また、本発明化合物は必要に応じてZ−7−(L−アビ
ノー2−カルボキシエチルチオ)−2−(2,2−ジメ
チルシクロプロパンカルボキサミド)−2−へブテノイ
ン酸ナトリウム等のジペプチダーゼ阻害剤(特開昭56
−81518号公報記載の化合物群)と組合せて投与す
ることができる。
次に実施例、参考例をあげて本発明をさらに具体的に説
明するが、本発明はもちろんこれらによって何ら限定さ
れるものではない。
なお以下の実施例および参考例で用いた略号の意味は次
のとおりである。
PNZ 、P−ニトロベンジルオキシカルボニル基PM
Z : P−メトキシベンジルオキシカルボニル基(8
4) PMB : P−メトキシベンジル基 PNB : P−ニトロベンジル基 Ph : フェニル基 AC: アセチル基 MS : メタンスルホニル基 tBu : t−ブチル基 Me:メチル基 Et:エチル基 実施例1 a)(5R,6S、8R) p−=トoベンジルー8−
(ジフェニルスルホリルオキシ)−6−(1−1)−ニ
トロベンジルオキシカルボニルオキシエチル) −1−
アザビシクロCB、2.0’)−ヘプト−2−エン−7
−オン−2−カルボキシレート(86岬)を乾燥アセト
コ1〜リル(8,1ml’)にとかし、窒素気流中、水
冷下にジイソプロピルエチルアミン(29wq)の乾燥
アセトニトリル(0,5mt)の溶液を加え、次いでr
2s、4s〕−1−(p−二トロペンジルオキシカルボ
ニル)−2−メトキシカルボ−Iレー4−メルカプトピ
ロリジン(57■)の乾燥アセトニトリル(0,5ml
>(D溶液を加え、そのまま1時間攪拌した。
反応液を酢酸エチルで希釈し水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥し溶媒留去した。残渣をシリカゲル薄層クロマト
グラフィーにより精製しく5R,6S、8R,2・S、
4・5)−p−ニトロベンジル−8−C4−(1−p−
ニトロベンジルオキシカルボニル−2−メトキシカルボ
ニル)ピロリジニルチオ〕−6−(1−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−アザビシク
ロCB 、2.0 )ヘプト−2−エン−7−オン−2
−カルボキシレートを得た。
IRvCHC” (m ’) : L’187.175
B 。
ax 1716 、1614 、1580 、14B1 。
1410 、1B55 、1268 、1188 。
116 NMRa(CDCza) :1.48(8H,d、J=
6Hz)。
1.88〜2.42 (LH、m) 、 2.50−8
.02(IH,m)8.17〜4.58 (8H、m)
 。
8.70および8.78(8H,s)。
5.02〜5.28(2H,m) 、 5.27(4H
,8) 。
5.47(IH,d、J=14Hz) 、7.58(4
H,d。
J=9Hz) 、 7.68(2H,d、J−9Hz)
 。
8.21(6H,d 、J=9Hz) b)(5R,6S、8R,2・s、4′5)−p−二ト
ロベンジル−8−C4−(1−p−0QX ニトロベンジルオキシカルボニル−2−メトキシカルボ
ニル)ピロリジニルチオ〕−6−(1−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−アザビシク
ロ〔8,2,O〕ヘプト−2−エン−7−オン−2−カ
ルボキシレート(97−y)をテ)・ラヒドロフラン(
’1.2mA)とエタノ−tIi (1,2ml )に
とかし、モルホリノプロパンスルホン酸緩衝液(pH=
7.0.7.2mL )及び常温常圧で1時間水素気流
下で活性化した10%パラジウム−炭g(116■)を
加え、常圧の水素圧下4時間水素添加した。触媒を沖過
した後減圧下テトラヒドロフラン及びエタノールを留去
し、残液を酢酸エチルにより洗浄し、水層を再度減圧ド
で有機溶媒を留去し、残渣をポリマークロマトグラフィ
ー(CHP−20P)に付すと、水で溶出される部分か
ら(5R9es、sR,2′s、4′s) −8−C4
−(2−メトキシカルボニル)ビロリジニルチ(88) オ)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシク
ロ〔8,2,01ヘプト−2−エンー7−オン−2−カ
ルボン酸を得た。
実施例2 a)(5R,6S、8R)−p−ニトロベンジル−8−
(ジフェニルホスホリルオキシ)−6−(1−p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1アザビ
レクロ(’8.2.0)ヘプト−2−エン−7−オ(8
9) ノー2−カルボキシレー)(174!lv)を乾燥アセ
トニトリル(7,6mt)にとかし、窒素気流中、水冷
下にジイソプロピルエチルアミン(5911v)の乾燥
アセトニトリル(1mt )の溶液を加え、次いで〔2
S。
4S〕−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)
−2−エトキシカルボニル−4−メルカプトピロリジン
(120v)の乾燥アセトニトリル(1mt )のm液
’z加え、そのまま1時間攪拌した。反応液を酢酸エチ
ルで希釈し、水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒留
去した。残渣をシリカゲル薄層クロマトグラフィーによ
り精製し、(5R,6S、8R,2’S、4’5)−p
−ニトロベンジル−8−C4−(1−p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル−2−エトキシカルボニル)ピロリ
ジニルチオ〕−6−(1−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルオキシエチル)−1−アザビシクロ〔8゜2.
0〕ヘプト−2−エン−7−オン−2(40) 一カルボキシレートを得た。
1608.1524.14B2.1404.1878゜
184g、1265.1197.1112.1118N
MRJ(CDCl2) : 1.18−1.86(8H
,m)。
1.48(8H,d 、 J=6Hz ) 、 1.8
8−2.86(IH,m) 。
2.56〜8.06 (IH、m) 、 8.19−4
.59(IOH,m)。
4.89〜5.86(2H、m) 、 5.27(4H
、s ’) 。
5.47(LH,d 、J=14Hz ) 、 7.5
4(4’H,d 。
J=8.5Hz)、7.68(2H,d、J=8.5H
z’) 。
8.20(6H,d、J=8.5Hz)b)(5R,6
S、8R,2″S、4’5)−p−ニトロベンジル−8
−〔4−(1−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
2−エトキシカルボニル)ピロリジニルチオ〕−6−(
1−1)−二トロベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ル)−1−アザビシクロCB 、2.0’:lヘプト−
2−エン−7−オン−2−カルボキシレート(117岬
)を(41) テトラヒドロフラン(9ml )とエタノール(L4m
L)にとかし、モルホリノプロパンスルホン酸緩衝液(
I)H=7.0 、9??L4)及び常温常圧で1時間
水素気流下で活性化した10%パラジウム−カーボン(
141〜)を加え、常圧の水素圧下6時間水素添加した
。触媒を沖過した後、減圧下テトラヒドロフラン及びエ
タノールを留去し、残液を酢酸エチルにより洗浄し、水
層を再度減圧上有機溶媒を留去し、残液をポリマークロ
マトグラフィー(CHP−20P)に付すと5%メタノ
ール水溶液で溶出される部分から、(5R,6S、8R
,2’S。
4’S ) −8−C4−(2−エトキシカルボニル)
ピロリジニルチオ〕−6−(1−1ニトロキシエチル)
−1−アザビシクロ〔8゜2.0〕ヘプト−2−エン−
7−オン−2−カルボン酸を得た。
(42) 実施例3 a)(5R,6S 、8R) p =トoベンジルー8
−(ジフェニルホスホリルオキシ)−6−(1−1)−
二トロペンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−
アザビシクロCB 、2.01ヘプト−2−エン−7−
オン−2−カルボキシレート(76N)を乾燥アセトニ
トリルCB、8m1)にとかし、窒素気流中、水冷下に
〔2S、4S〕−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−2−p−ニトロベンジルオキシカルボニル−
4−メルカプトピロリジン(47q)の乾燥アセトニト
リル(1ml )溶液を加え、約1時間攪拌した。反応
液を酢酸エチルで希釈し、水洗後、硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒留去した。残渣をシリカゲル、薄層クロマ
トグラフィーに付し、(5R16s、8R,2’8.4
’5)−1−二トロベンジル−8−(4−(1−1−二
トロペンジルオキシカルボニル−2−p−二トロペンジ
ルオキシカルボニル)ピロリジニルチオ’)−6−(1
−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)
−1−アザビシクロCB、2.0〕ヘプト−2−エン−
7−オン−2−カルボキシレート(2ON9)を得た。
IRνneath(cnr ’ ) : 1775(8
h) 、 1750 。
ax 1710.1520.1850.1265NMRδ(C
DCza) : 1.48(8H,d、J=6−5Hz
) 。
4.70(IH,dd、J=6およヒ8.5Hz ) 
5.25(4H,s)。
5.46(IH,d、J=14Hz)。
7.58(4H,d、J=8.5Hz)。
7.62(4H,d、J=8.5Hz)。
8.18(4H,d、J=8.5Hz)。
8.21(4H,d、J=8.5Hz)b) (5R,
6S、8R,2’S、4’S )−p−ニトロベンジル
−8−C4−(1−1) −ニトロベンジルオキシカル
ボニル−2−I)−二トロベンジルオキシカルボニル)
ピロリジニルチオ〕−6−(1−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルオキシエチル)−1−アザビシクロ〔8
,2,0)−ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボ
キシレート(2oq)をテトラヒドロフラン (B、LmL)に溶かしこれに、0.01モル−モルホ
リノプロパンスルホン酸緩衝、液(1)H7,0、2,
1ml )と酸化白金(10W)を加え、8.8気圧の
水素圧下室温で(45) 7.5時間反応させた後触媒を炉別し加液を酢酸エチル
により洗浄し、水層を減圧下テトラヒドロフラン及び酢
酸エチルを留去し残液をCHP−20pポリマークロマ
トグラフィーに付し、水で溶出するフラクションより(
5R,6S、8R,2’S、4’5)−ill−(2−
カルボキシピロジニルチオ)−6−(1−ヒドロキシエ
チル)−1−アザビシクロ〔8,2,(1−ヘプト−2
−エン−7−オン−2−カルボン酸を得た。
実施例1および2で述べた方法と同様にして以下の化合
物を合成することができる。
(1) (5R,6S、8R,2’S、4・R)−8−
C4−(2−メトキシカルボニル)ピロリジニルチオ’
)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロ
CB 、2.0’)ヘプト−2−エン−7−オン−2−
カルボン酸 (2) (5R,6S、8R,2’5.4’R)−8−
(46) C4−(2−エトキシカルボニルピロリジニルチオ〕6
 (1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロCB、
2.0〕ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボン酸 (8) (5R,6S、8R,2’R,4・R)−8−
C4−(2−メトキシカルボニル)ピロリジニルチオ’
)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロ
〔8,2,0’l)ヘプト−2−エン−7−オン−2−
カルボン酸 (41(5R,6S、8R,2’R,4’R’)−8−
14−(2−エトキシカルボニル)ピロリジニルチオ’
)−6−(1−ヒドロキシエチル)−1−アザビシクロ
r8.2.0’)ヘプト−2−エン−7−オン−2−カ
ルボン酸 参考例1−1 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
カルボキシ−2−アゼチジノン(7f)を乾燥塩化メチ
レン(50mL’)にとかし、ジメチルホルムアミド(
0,8ml’)を加えた後、水冷下オキザリルクロリド
(2ml )を滴下し、室温で2時間攪拌した。
反応液を減圧下、濃縮し、濃縮液に乾燥塩化メチレン(
50ml )を加えて、再び減圧上濃縮。残渣を真空下
で乾燥した後、乾燥エーテル(LOOmL )に溶解し
、これをジアゾメタン−エーテル(0,17M”l溶液
(120mL )にトリエチルアミン(4mt)を加え
たものに水冷下で滴ド、そのまま1.5時間攪拌した後
、酢酸エチルで希釈し、I N −HCL、水で順次洗
浄、隻硝乾燥後、溶媒留去。油吠の残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィーにより 1−(ジ−p−アユシルメチ
ル)−8−エテニル−4−ジアゾアセチル−2−アゼチ
ジノンを得た。
(47) IRfilm(z ’) : 2110.1755.1
640゜ax 1612.1505.1240.1177.1080゜
28 NMRa(CDCts) : 18(6H,s)、5.
00(IH,s)。
5.80(IH,s)、6.84(4H,d、J=8.
5Hz )参考例1−2 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
ジアゾアセチル−2−アゼチジノン(0,7f)を塩化
メチレン(800mL)に溶解し、水(1mt )を加
え、水冷下、脱酸素をしながら、高圧水銀灯の光を1時
間照射後、lN−NaOH水で抽出した。水層を塩酸酸
性にもどし、酢酸エチルで抽出。水洗、芒硝乾燥後、溶
媒留去により1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エ
チニル−4−カル(49) (48) ボキシメチルー2−アゼチジノンを得た。
IR”m(cm ’ ) ニーJ000.1700.1
612゜ax 1610.1800.1180.1080.82ONM
Ra(CDCts) : 2.85(2ILd 、 J
=6Hz ) 。
8.78(6H,s) 、5.80(IH,s)。
6.78 (4H、d 、 J=9.0Hz ) 。
7.08 (4H、d 、 J=9.0Hz )参考例
1−8 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
カルボキシメチル−2−アゼチジノン(2,8g)を乾
燥ジメチルホルムアミド(50mL )にとかし、トリ
エチルアミン(1,5mt)を加え、次にp−メトキシ
ベンジルクロリド(1,8f)を滴下し、70℃で8時
間攪拌後、酢酸エチルとエーテルで希釈(50) し、希塩酸、水で順次洗浄、芒硝乾燥、溶媒留去、シリ
カゲルクロマトにより、1−(ジ−p−アユシルメチル
)−8−エチニル−4−p−メトキシベンジルオキシカ
ルボニルメチル−2−アゼチジノンを得た。
1250.1175.1010 88N a(CDCLB ) 二 2.86(2H,d
 J=6.5Hz ’) 。
8.72(6H,s)、8.75(8H,s)。
4.88(2H,s)、5.78(LH,s)参考例1
−4 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
1−メトキシベンジルオキシカルボニルメチル−2−ア
ゼチジノン(2,85g)をテトラヒドロフラン(14
ml)に溶解し、水(’Imt)と、酢酸第二水銀(2
,Of)を加え、85′Cで5時間攪拌した。 lN−
NaOH水(12mt )を0°Cで加え、水素化ホウ
素ナトリウム(0,251)をlN−NaOH水(1m
t )に溶解した液を滴ドし、同温度で15分間攪拌後
、2N−塩酸で中和し、エーテルを加えてセライト瀘過
した。エーテル抽出、飽和食塩水洗浄、芒硝乾燥、溶媒
w去、シリカゲルクロマトにより、1−(ジ−p−アユ
シルメチル)−8−(1−ヒドロキシエチル)−4−p
−メトキシベンジルオキシカルボニルメチル−2−アゼ
チジノン(2,8g’)を得た。
1510.1247.1178.10B0.82ONM
Ra(CDCta) : 1.2B(8H,d、J=6
.5Hz) 。
2.42(2H,d、J=7Hz)、8.77(9H,
[1)。
4.95(2H,s)、5.78(IH,in参考例1
−5 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒドロキ
シエチル)−4−p−メトキシベンジルオキシカルボニ
ルメチル−2−アゼチジノン(2,6g)を乾燥塩化メ
チレン(1,5mL)にとかし、4−ジメチルアミノピ
リジン(1,22N)を加え、水冷下、p−二トロペン
ジルク口ロホーメート(1,8N)の乾燥塩化メチレン
(7mL )溶液を滴下し、室温で1時間攪拌後、塩化
メチレンと水を加え、塩化メチレン層をIN−塩酸、水
、5%重1水、水で順次洗浄、芒硝乾燥、溶媒留去し、
シリカゲルクロマトにより、1−(ジ−p−アユシルメ
チル)−8−(1−I)−二トロペンジルオキシカルボ
ニルオキシエチル)(58) −4−p−メトキシベンジルオキシカルボニルメチル−
2−アゼチジノン(2,2g)を得た。
1B50.1245.1175.108ONMRa(C
108ON: 1.85(8H,dJ=6.5Hz )
2.40 (2H、d 、 J=6.5Hz ) 。
8.09(LH,dd、J=2.5および6Hz)。
8.78r6H,s) 、8−77(8H,8) 。
4.91(2H,s) 、5.18(2H,s) 。
5.71(IH,s) 参考例1−6 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキ(54) ジエチル)−4−p−メトキシベンジルオキシカルボニ
ルメチル−2−アゼチジノン(2,2fl)を乾燥塩化
メチレン(20mL )にとかし、m−ジメトキシベン
ゼン(0,88g)、トリフルオロ酢酸(2,5m1)
を加え、室温で4時間攪拌、溶媒留去し、油状の残渣を
シリカゲルクロマトに付し、1−(ジ−p−アユシルメ
チル)−8−(1−1)−二トロペンジルオキシカルボ
ニルオキシエチル)−4−カルボキシメチル−2−アゼ
チジノン(1,75g ) を得すこ 。
1510.1250.1180.1085NMRI(C
1085N :1.85(8H,dJ=6.5Hz)。
2.85 (2H、d 、 J”’6.5Hz ) 。
8.10(IH,m) 、8.78(6H,s) 。
5.16(2H,s) 、5.75(IH,s) 。
6.78(4H、d 、 J=9Hz ) 。
7.46(2H,d、J=9Hz)。
8.10(2H,d、J=9Hz) 参考例1−7 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−1)−ニ
トロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−カ
ルボキシメチル−2−アゼチジノン(0,8g)を乾燥
塩化メチレン(20ml’)に溶解し、これにN−メチ
ルモルホリン(0,17mt )を加える。次に−10
℃以下に冷却し、クロルギ酸エチル(0,15mt )
を滴下し、80分攪拌した。
一方、t−ブチル−(p−ニトロペンジル)マロネート
(0,81&)を乾燥テトラヒドロフラン(15mL 
)に溶解し、水冷、窒素気流下に水素化ナトリウム(5
0%純度)(0,14II )を加え、そのまま80分
攪拌した。この溶液を先に調製した混合酸無水物の溶液
に一10°C以下で滴ドし、1時間攪拌。
室温まで昇温し、反応液を減圧ドに濃縮し、濃縮液を冷
水および酢酸エチルで希釈し、IN−塩酸、水で洗浄し
、芒硝乾燥。溶媒留去し、残渣をシリカゲルクロマトグ
ラフィーにて精製し、1−(:j−p−アニシルメチi
し)−8−(1−1)−二トロペンジルオキシカルボニ
ルオキシエチ11/)−4−(8−t−ブトキシカルボ
ニル−8−(1)−二トロペンジルオキシカルボニル)
−2−オキソプロピル〕−2−アゼチジノンを得た。
1845.125O NMRδ(CDCts) :1.88(9H,s)、8
.75(6H,s)。
5.17(4H,8)、5.77(IH,br、s)。
6.77(4H,d、J=8.5Hz)。
7.45(4H,d 、 J=9Hz ’) 。
8.15 (4H、d 、 J=9Hz )(57) 参考例1−8 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−(B
−t−ブトキシカルボニル−8−(p−ニトロベンジル
オキシカルボニル)−2−オキソプロピル〕−2−アゼ
チジノン(2,8g)を乾燥塩化メチレン(120mL
’)に溶解し、トリフロロ酢酸(lOrnt )を加え
、室温で1時間攪拌した。
反応液を重曹水、水で洗浄した後、芒硝乾燥し溶媒留去
。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにTi1lll
t、、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−1
)−二トロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−
4−CB−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
B−オキソプロピル−2−アゼチジノンを得tこ、1 1510.1845゜125O NMRa(CDCts): 1.41(8H,d、J=
6.5Hz )。
2.61(2H,d、J=6.5Hz)。
8.27(2H,s)、8.76(6H,s)。
5.77(IH,s)、6.82(4H,d、J=9H
z)。
7.47(2H,d、J=9Hz)。
7.58(2H,d 、J=9Hz )。
8.20(4H,d 、J=9Hz )参考例1−9 1−(ジ−p−アユシルメチル)−3−(1−p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−〔8
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−オキ
ソプロ(59) ビル〕−2−アゼチジノン(1,9N)、T) −カル
ボキシベンゼンスルホニルアジド(660IIII+)
を乾燥ア士トニトリル(50ml)にとかし、窒素気流
中、水冷下にトリエチルアミン(1,4ynL)を滴下
し、そのまま15分間攪拌、酢酸エチルで希釈し、生じ
た沈澱を炉別し、炉液な減圧下濃縮17、油状の残渣を
シリカゲルクロマトグラフィーに付し、1−(ジ−p−
アユシルメチル)−8−(1−T)−ニトロベンジルオ
キシカルボニルオキシエチル)−4−CB−4p−二ト
ロベンジルオキシカルボニル)−2−オキソ−8−シア
゛ゾプロビル〕−2−アゼチジノンを得た。
1650.1510.1250.185ONMRa(C
DCzg): 1.88(8H,d、J=5.5Hz)
2.95(2H,d 、J=6.5Hz) 。
8.78(6H,S)、 5.17(2H,s’)。
5.24(2H,s)、5.74(IH,s)。
6.71(2H,d、J=9Hz) 6.76(2H,d、J=9Hz)。
7.08(2H,d、J=9H2)。
7.14(2H,d、J=9HzL 7.42(4H,d、J=9Hz’)。
8.11(2H,d、J=9Hz)。
8.16 (2H、d 、 J=9Hz )参考例1−
10 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−p−ニト
ロベンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−〔8
−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−オキ
ソ−8=ジアゾプロピル〕−2−アゼチジノン(L27
f)を10%H20−7(! ト= ト+) 11/(
50ml)に溶解し、セリツク、アンモニi ムtイト
L/イl−(ceric ammoniumnitra
te。
(61) 2、TI)を氷冷ド一度に加え、激しく攪拌後更に室温
にて30分間攪拌した。冷水を加え酢酸エチル抽出、水
洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルクロマトによりa
−(i−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエ
チル)−4−C8−(p−ニトロベンジルオキシカIt
/ 7にニル)−2−オキソ−8−ジアゾプロピルシー
2−アゼチジノンを得た。
1650.1520.1845.126ONMRa(C
DC1a): 1.45(8H,d 、J=6.5Hz
)。
8.01(IH,dd、J=9#よヒl 8H2)。
8.29(IH,dd 、J=4.5および18H2)
4.00(IH,m)、5.24(2H,s)。
5.86r2)f、s)、6.12(IH,8)。
7.55(4H,d、J=8.5Hz)。
8.21(2H,d、J=8.5Hz) 。
8.25(2H,d 、 J=8.5Hz )(62) 参考例1−11 a)8−(1−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオ
キシエチル)−4−CB−p−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル)−2−オキソ−8−ジアゾプロピル〕−2−
アゼチジノン(0,55N)を脱気した乾燥ベンゼン(
25mL )にとかし、触媒ltのロジウム(6)アセ
テートを加え、約8分間窒素ガスを吹込んだ後、20分
間還流した。次に反応液を冷却し、触媒を加削、ベンゼ
ンで触媒を洗浄しt液、洗液を減圧ド濃縮してp−ニト
ロベンジル−6−(1−p−二トロペンジルオキシカル
ボニルオキシエチル)−1−アザビシクロ〔8,2,0
1へブタン−8,7−シオンー2−カルボキシレートを
得た。
1850.126O NMRa(CDCza ): 1.50(8)(、d 
、J=6.5Hz )。
2.50(IH,dd 、J=8.0およヒl 8H2
) 。
2.89(IH,dd 、J=’1.0および18Hz
)。
8.89(IH,dd、J=2.(mよU8.OHz 
)。
4.14 (IH、d t 、 J=2.0オよび7.
6Hz)。
4.77(IH,8)、5.26(4H,8)。
7.52(4H,d 、J=8.5Hz ) 。
8.21 (4H、d 、 J=8.5Hz )b)上
記で得られたケトエステル誘導体を乾燥アセトニトリル
(25mt )にとかし水冷下、ジイソプロピルエチル
アミン(195−t’)を加え、次にジフェニルクロロ
ホスフェート(800+v’)の乾燥アセトニトリル(
2mA )溶液を滴7”L1時間攪拌、酢酸エチルで希
釈し、水洗、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒留
去p−ニトロベンジル−5,6−トランス−8−(ジフ
ェニルホスホリル)−6−(1−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルオキシエチル)=1−アザビシクロ〔8
,2,0)ヘプト−2−エン−7−オン−2−カルボキ
シレートを得た。
1517.1480.1845.11!5.1255゜
1180.1158. 965 NMRa(CDCta) :1.46(8H,d、J=
6.5Hz)。
8.24(2H,br 、d 、J=8.5Hz ) 
8.40 (IH、dd 、 J=8.0および8.5
Hz)。
5.24(2H,s )。
5.82(2H,ABq、J=18Hz)。
7.28(lOH,s) 7.58(4H,d、J=8.5Hz )。
8.14(2H,d、J=8.5Hz)。
8.231 (2H、d 、 J =8.5Hz )ま
た( 8R,4S )−1−(ジ−p−アユシルメチル
)−8−エチニル−4−カルボキシー2−アゼチジノン
〔比旋光度Cα〕D =+68.8°、(c = 0.
12 、 CHCza)’) ヲ用イることにより、(
5R,6S、8R)−p−ニトロベンジル−8−(ジフ
ェニルホスホリルオ* シ) −6(1−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシエチル)−1−アザビシ
クロ〔8,2,0〕−ヘプト−2−エン−7−オン−2
−カルボキシレートを得た。
参考例2−1 HOHO (66) トランス−4−ヒドロキシ−し−プロリン(6,559
)、トリエチルアミン(7,5ml )を水(15ml
 )に溶解させ、これに室温で5−p−ニトロベンジル
オキシカルボニル−4,6−シメチルー2−メルカプト
ピリミジン(15,95N’)のジオキサン(85mA
)溶液を滴下し、そのまま室温で1.5時間攪拌し、−
夜装置した。反応液に水冷下2N−水酸化ナトリウム(
80ml)を加えエーテルで抽出、エーテル層をIN−
水酸化ナトリウム(20ml’)で洗浄後アルカリ水層
を合わせ、2N−塩酸水(100mt )を用いて塩酸
酸性とし、これを酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層
を2N−塩酸水で順次洗浄し、芒硝乾燥、溶媒留去し、
得られる粗結晶を酢酸エチルでリパルプ精製してトラン
ス1−(p−二トロペンジルオキシカルボニル)−4−
ヒドロキシ−L−プロリンを得た。
m、p、184.8〜185.5°C 1660,1605,1520,1B40.1205 
1172.1070. 965 参考例2−2 トランス−1=(p−二トロペンジルオキシカルボニル
)−4−ヒドロキシ−し−プロリン(15,Of’)ト
リエチルアミン(18,5ml )を乾燥ジメチルホル
ムアミド(15゜fnt)に溶解させ、窒素気流下、p
−メトキシベンジルクロリド(12,66mt )を滴
ドし、70°Cで10時間攪拌した。反応液を酢酸エチ
ル(500ml)で希釈し、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去
し残渣をエーテルから結晶化し、トランス−1−(p−
ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ−
し−プロリンーp−メトキシベンジルエステルを得た。
m、p、88〜85℃ 1510.1B40.1245.1160参考例2−8 トランス−1−(p−二トロベンジルオキシカルボニル
)−4−ヒドロキシ−L−プロリン−p−メトキシベン
ジルエステル(8,6g)、トリフェニルホスフィン(
7,86fl )を乾燥テトラヒドロフラン(20mL
)に溶解し、水冷、窒素気流下、ジエチルアゾジカーボ
ネー)(5,22g)の乾燥テトラヒドロフラン(5m
L)溶液を滴下しそのまま80分間攪拌した後、チオ酢
酸(2,28g)を滴(69) 下し、水冷下1時間、その後室温で3時間攪拌し、反応
液を濃縮。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
に対シ、シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリン−p−メトキ
シベンジルエステルを得り。
1520.1405.1848.112ONMRa (
CDCza): 2.81 (8H,a ) 、8.7
9(8H,s)。
5.10(2H,s)、5.24(2H,s)。
7.49 (2H,d 、J=9.0Hz ) 。
8.18(2H,d、J=9.0Hz)参考例2−4 (70) シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−アセチルチオ−L−−/ロリンーシーメトキシベン
ジルエステル(9,761)、アニソール(4,82f
/)をトリフロロ酢酸(85ml)とともに80分室温
で攪拌。
減圧F濃縮し残渣をうり力ゲルカラムクロマトグラフィ
ーに付し、シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−4−アセチルチオ−L−プロリンを得た。
m、p、107〜109°C 1B4O,1180,1110 参考例2−5 シス−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−アヤチルチオーL−プロリン(862−stt )
をメタノール(1mL)及びエーテル(5mL )に溶
かし、0℃で過剰量のジアゾメタンのエーテル溶液を加
え、同温度で1時間攪拌し、反応液を減圧ト溶媒留去し
、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、
(25,45)−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−2−メトキシカルボニル−4−アセチルチオ
ピロリジンを得た。
m、p、92〜9B、5°C 152B、1441.1852.1226.1170 
114 参考例2−6 シスー1−Cp−ニトロベンジルオキシカルボニル)−
4−アセチルチオ−L−プ0+)ン(862+v ’)
を乾燥テトラヒドロフラン(2,8ml’)に溶かし、
乾燥エタノール(49岬)とジシクロへキシルカルボジ
イミド(227−v)と4−ジメチルアミノピリジン(
8〜)を加え、室温で一夜放置後、反応液を沖過し、炉
液を溶媒留去、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに
より精製し、(28゜4s)−1−(p−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル)−2−エトキシカルボニル−4−
アセチルチオピロリジンを得た。
mI)、80−81.5°C 1524,1440,1848,1228,1200参
考例2−7 (78) (2S、4S)−1−(p−ニトロベンジルオキシカル
ボニル)−2−メトキシカルボニ・1ノー4−アセチル
チオピロリジン(94−v)をメタノール(B−9mt
)にとかし、lN−NaOH(0,25ml )を室温
15分間攪拌した。その後I N −HCL (0,2
5ml )を加え、減圧ド濃縮、濃縮液を酢酸エチルで
希釈し、水洗、芒硝乾燥後、溶媒留去しく2S、4S)
−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)−2−
メトキシカルボニル−4−メルカプトピロリジンを得た
1520.14B0.1400.1B45.1205 
1167.1110 参考例2−8 轟NZ 1りNZ (74) (2S 、4S )−1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−2−エトキシカルボニル−4−アセチル
チオピロリジン(185MP)を参考例2−6と同様の
方法により(2S 、4s )−1−(p−二トロペン
ジルオキシカルボニル)−2−エトキシカルボニル−4
−メルカプトピロリジンを得た。
14B0.1402.1B42.1200.1170゜
110 参考例8−1 オキザリルクロリド(0,2m1)の乾燥塩化メチレン
(5ml )溶液に−60〜−7゜°Cでジメチルスル
ホキシド(0,85mA )の乾燥塩化メチレン溶液(
1mt )を滴下し、10分後、トランス−1−(p−
ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ−
L−フロリン°p−メトキシベンジlレエステIL/ 
(860q)の乾燥塩化メチレン溶i (10ml )
を−50°C以下で滴ドし、15分間攪拌した。次にト
リエチルアミン(1,01g”1を滴下し、室温まで加
温、塩化メチレンで希釈し、希塩酸水で洗浄し、芒硝乾
燥、溶媒留去、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーに付シ、1−(1)−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−オキソ−し−プロリン。
p−メトキシベンジルエステル%/ηし01512.1
B45.1245.1155NMRδ(CDC48) 
:13.78(8H,s)、8.95(2H,s)。
5.08(2H,8)、6.85(2H,d、J=9H
z)。
8.12 (2H、d 、 J=9Hz )参考例8−
2 べ NZ 1−(1)−二トロベンジルオキシカルボニル)−4−
オキソ−L−プロリン・p−メトキシベンジルエステル
(650q)をエタノール(45mL )にとかし、室
温で、水素化ホウ素ナトリウム(86gw)を2回にわ
けて加える。80分後、808C以下で減圧濃縮し、濃
縮液を酢酸エチルで希釈し、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去
後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し
、シス−1−(p−(77) ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−ヒドロキシ−
し−プロリン・p−メトキシベンジルエステルとトラン
ス−1−(p−二トロベンジルオキシヵルボニル)−4
−ヒドロキシ−L−プロリン−p−メトキシベンジルエ
ステルを得た。
トランス体: IR,NMRは参考例1−2の化合物の
スペクトルデータと一 致した。
1725.1fS15.1405.185(1,125
0。
1170.112O NMRδ(CDCts ):8.78(8H,s>。
5.08(2H,s ) 、6.82(2H,d 、J
39HzL8.12(2H,d 、J=9Hz) 参考例8−8 シス−1−(1)−二トロベンジルオキシカ11/ ホ
= ル) 4−ヒドロキシ−L−プロリンp−ノルキシ
ベンジルエステル(61011F)を用いて、参考例1
−8及び1−4と同様の方法によりトランス−1−(p
−ニトロベンジルオキシカルボニル)−4−アセチルチ
オ−L−プロリンを得た。
14B0.1400.1B45,1205.1165N
I’viRδ(CDCts): 2.82(8H,s 
)。
5.20 (2H、br 、 s )、 7.42(2
H,d、J=911z )、8.12(24Ld 、J
−9klz)参考例8−4 (2S 、4R)−1−(I)−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−2−メトキシカルボニル−4−メルカプ
トピロリジン及び(2S。
4R)−1−(p−ニトロベンジルオキシカルボニル)
−2−エトキシカルボニル−4−メルカプトビロリジン
はトランス−1−(1)−二トロベンジルオキシカルボ
ニル)−4−アセチルチオ−L−プロリンより参考例2
−5と2−7.2−6と2−8と同様の方法により得る
ことができる、 参考例4−1 NZ シス−4−ヒドロキシ−D−プロリンより参考例1−1
および1−2と同様の方法によす得タシスー1−p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル−4−ヒドロキシ−D−
プロリン・p−メトキシベンジルエステル(166−9
)と、トリフェニルホスフィン(202wv)を乾燥テ
トラヒドロフラン(L5ml)にとかし、次にギ酸(2
7Ilv)を加える。さらにジエチルアゾジカーボネー
ト(1B4−v)を室温窒素気流下で加え、80分攪拌
後、溶媒留去。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで
精製し、トランス−1−1)−二トロペンジルオキシカ
ルボニル−4−ホルミルオキシ−D−プロリン p−メ
トキシベンジルエステルを得た。
1B42.1245.1165.112ONMRδ(C
DCLB): 8.76 (8H、s ) 。
4.50(2H,t、J=8Hz)、5.08(2H,
s)。
5.15 (2H,A8qJ=16Hz ) 。
5.41(IH,m)、7.97(IH,5)(81) 参考例4−2 トランス−1−p−二l−ロベンジルオキシカルボニル
−4−ホルεルオキシーD−プロリン・p−メトキシベ
ンジルエステル(215岬)をテトラヒドロフラン(1
,1m1)にとかし、I N −NaOH水0.98m
t を加、j、i。
分攪拌後、酢酸エチルで希釈し、飽和食塩水で洗浄。芒
硝乾燥後溶媒留去。残渣を薄層クロマトグラフィーで精
製し、トランス−1−p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニル−4−ヒトロキシーD−プロリン・p−メトキシベ
ンジルエステルを得た。
1705.1510.1400.1B40.1240゜
162 NMRa (CDCts): 2.8a(2H,m)。
8.58(2H,d 、J=8.5Hz)。
8.78(8H,sL5.0B(2H,s)。
5.07(2H,ABq 、J=18Hz )。
6.78(2H,d、J=9Hz’)。
6.77 (2H、d 、 J =9Hz ) 。
8.00(2H,dJ=8.5Hz )。
8.07 (2H、d 、 J=8.5Hz ’)参考
例4−8 (2R,4R’) −1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−2−メトキシカルボニル−4−メルカプ
トピロリジンはトランス−1−(p−ニトロベンジルオ
キシカルボニル)−4−ヒドロキシ−D−プロリン−p
−メトキシベンジルエステルより参考例2− a、2−
4.2−5及び2−7と同様の方法により得ることがで
きる。
また(2R,4R1−1−(p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル)−2−エトキシカルボニル−4−メルカプ
トピロリジンはトランス−1−(p−ニトロベンジルオ
キシカルボニル)−4−ヒドロキシ−D−プロリン−p
−メトキシベンジルエステルより参考例2−8.2−4
.2−6及び2−7と同様の方法により得ることができ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 一般式 〔式中、R1は水素原子または水酸基の保護基を、R2
    は水素原子またはアミノ基の保護基を、R8およびR4
    は水素原子またはカルボキシル基の保護基を示す。〕 で表わされるβ−ラクタム化合物またはその薬理学上許
    容される塩。 (2) R1、R2およびR8が水素原子であり、R4
    が水素原子または低級アルキル基である特許請求の範囲
    第1項記載のβ−ラクタム化合物またはその薬理学上許
    容される塩。 (1) (8) 一般式CI〕 C式中、R1は水素原子または水酸基の保護基を、R2
    は水素原子またはアミノ基の保護基を、R8およびR4
    は水素原子またはカルボキシル基の保護基を示す。〕 で表わされるβ−ラクタム化合物を製造するにあたり、
    一般式〔n’1 C式中、R6は水酸基の保護基を、R6はカルボキシル
    基の保護基を示す。〕 で表わされるアルコールの反応性エステルと/9 ) 一般式Cm) 〔式中、R2は前述と同じ意味を有し、R7はカルボキ
    シル基の保護基を示す。〕 で表わされるメルカプタンを塩基の存在下に反応させて
    一般式白V〕 C式中、Rg 、 R5、R6およびR7は前述と同じ
    意味を有する。〕 で表わされるβ−ラクタム化合物を製造し、前記一般式
    C−I)で表わされるβ−ラクタム化合物においてR1
    ,R2、RaおよびR4で示される基のいずれか1つ以
    上が水素原子である化合物を所望する場合には、次いで a)カルボキシル基の保護基R6および/またはR7の
    除去反応 b)水酸基の保護基R5の除去反応 c) R2におけるアミノ基の保護基の除去反応を、必
    要に応じて、任意の順序で適宜組合せた反応に付するこ
    とを特徴とする前記一般式日〕で表わされるβ−ラクタ
    ム化合物またはその薬理学上許容される塩の製造法。
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