JPS6016486A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6016486A JPS6016486A JP58125002A JP12500283A JPS6016486A JP S6016486 A JPS6016486 A JP S6016486A JP 58125002 A JP58125002 A JP 58125002A JP 12500283 A JP12500283 A JP 12500283A JP S6016486 A JPS6016486 A JP S6016486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- wave guide
- layer
- emitting part
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導波路一体化型半導体レーザの新規な構造に
関するものである０ 従来例の構成とその問題点 近年、光集積回路用の光源として導波路一体化型半導体
レーザが広く研究開発されている。半導体レーザと先導
波路を光学的に結合する方法としては、端面接続型、積
層導波路型、テーパ結合型等があるが、結合効率を容易
に高め得るのは端面接続によるものである。
関するものである０ 従来例の構成とその問題点 近年、光集積回路用の光源として導波路一体化型半導体
レーザが広く研究開発されている。半導体レーザと先導
波路を光学的に結合する方法としては、端面接続型、積
層導波路型、テーパ結合型等があるが、結合効率を容易
に高め得るのは端面接続によるものである。
この端面接続法を用いた導波路一体化型半導体レーザの
従来例を第１図に示す。この場合、ｎ型ＩｎＰ基板１上
にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、Ｐ型１ｎＰ閉込め層３、Ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層４より成る発光部分と、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光導波路層ｓ、ＩｎＰ閉込め層６より成る
導波部分が設けられているが、両者はともに、Ｐ型Ｉｎ
Ｐ電流遮断層７およびｎ型ＩｎＰ埋込み層８によって埋
込み構造となっている。なお、ＩｎＰ閉込め層６および
ｎ型ＩｎＰ埋込み層８には、ＤＢＲ構造とするためのグ
レーティング９が切られており、Ｐ型電極形成部１ｏ以
外の結晶成長層表面は絶縁膜１１で被われている。
従来例を第１図に示す。この場合、ｎ型ＩｎＰ基板１上
にＩｎＧａＡｓＰ活性層２、Ｐ型１ｎＰ閉込め層３、Ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層４より成る発光部分と、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光導波路層ｓ、ＩｎＰ閉込め層６より成る
導波部分が設けられているが、両者はともに、Ｐ型Ｉｎ
Ｐ電流遮断層７およびｎ型ＩｎＰ埋込み層８によって埋
込み構造となっている。なお、ＩｎＰ閉込め層６および
ｎ型ＩｎＰ埋込み層８には、ＤＢＲ構造とするためのグ
レーティング９が切られており、Ｐ型電極形成部１ｏ以
外の結晶成長層表面は絶縁膜１１で被われている。
このような構造を採用した場合には、発光部分および光
導波部分を形成するだめの２回の結晶成長の他に、両者
を埋込み構造とするための結晶成長が必要となる。また
、本構造で設けられた光導波路は、半導体レーザの共振
器長方向に共振器と同じ幅で直線的に伸びており、光集
積回路中の光導波路としては、その利用範囲が限られて
いる。
導波部分を形成するだめの２回の結晶成長の他に、両者
を埋込み構造とするための結晶成長が必要となる。また
、本構造で設けられた光導波路は、半導体レーザの共振
器長方向に共振器と同じ幅で直線的に伸びており、光集
積回路中の光導波路としては、その利用範囲が限られて
いる。
発明の目的
本発明は、上記従来の欠点を改善するもので、発光部分
および導波部分の結晶成長以外の結晶成長を必要とせず
、また、光集積回路中の光導波路層として種々の応用が
可能な平面型光導波路を一体化した半導体レニザの構造
を提供しようとするものである。
および導波部分の結晶成長以外の結晶成長を必要とせず
、また、光集積回路中の光導波路層として種々の応用が
可能な平面型光導波路を一体化した半導体レニザの構造
を提供しようとするものである。
発明の構成
本発明の半導体レーザは、化合物半導体基板上に活性層
を含む帯状の発光部分を設け、との長辺に沿った両側も
しくは片側に発光部分に接するように光導波路層を含む
導波部分を設けた後、帯状発光部分の一部を帯の全幅に
わたって除去してストライプ状の発光部分を形成したも
のであり、発光部分、導波部分の結晶成長以外の結晶成
長を必要としない、平面状の光導波路層が得られるとい
う特徴を有する。また、その構造上、任意のストライプ
幅の発光部分を任意の間隔で複数個集積することが容易
である。
を含む帯状の発光部分を設け、との長辺に沿った両側も
しくは片側に発光部分に接するように光導波路層を含む
導波部分を設けた後、帯状発光部分の一部を帯の全幅に
わたって除去してストライプ状の発光部分を形成したも
のであり、発光部分、導波部分の結晶成長以外の結晶成
長を必要としない、平面状の光導波路層が得られるとい
う特徴を有する。また、その構造上、任意のストライプ
幅の発光部分を任意の間隔で複数個集積することが容易
である。
実施例の説明
以下本発明の具体的な実施例を図面を用いて説明する。
第２図は本発明の一実施例の分布帰還型半導体レーザと
光導波路との組合せ一体構造の斜視図、第３図はその平
面図である。
光導波路との組合せ一体構造の斜視図、第３図はその平
面図である。
第２図において、ｎ”−ＩｎＰ基板１２上にグレーティ
ングを切った上に、内部導波路１３（ｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、ｘネルギー・ギャップＥｇ１）、活性層１４ （ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ、ｘネルギー・ギ−１”／プＥｑ２
＜ ＥＣ１１）、Ｐ型閉込め層１５ （Ｐ −、ＩｎＰ
）、キＡ”／ブ層１６ （ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰ）を設
けた構造で分布帰還型半導体レーザの発光部分１７が構
成されている。この発光部分１７の両側には光導波路層
１ Ｂ （Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、 エネルギー・ギャッ
プ” ｑ３ ＞ ｈ ’Ｊ２ ）およびｎ型閉込め層１
９ （ｎ＝ＩｎＰ）よ構成る導波部分２０が設けられて
いる。発光部分１７は導波部分２０によって支持されて
いるので、第３図に示す発光部分の一部分２１をエツチ
ングによって除去し、ストライプ状の発光部分２２を残
しても、本構造の機械的強度はさほど減少しない。また
、従来例のようにストライプ状の発光部分２２を改めて
結晶成長によって埋込むという操作を行わないので、ス
トライプ幅はエツチングの精度の範囲で細くすることが
可能である。ｐ型電極２３はストライプ状発光部分２２
上から導波部分２０上へ引き出した後、ボンディング・
パッドを設ける。なお、発光部分１７上に先にストライ
プ状電極を設けた後、この電極をマスクとするセルフ・
アライン方式で発光部分をエンチングして、ストライプ
状発光部分を形成することも可能である。
ングを切った上に、内部導波路１３（ｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、ｘネルギー・ギャップＥｇ１）、活性層１４ （ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ、ｘネルギー・ギ−１”／プＥｑ２
＜ ＥＣ１１）、Ｐ型閉込め層１５ （Ｐ −、ＩｎＰ
）、キＡ”／ブ層１６ （ｐ”−ＩｎＧａＡｓＰ）を設
けた構造で分布帰還型半導体レーザの発光部分１７が構
成されている。この発光部分１７の両側には光導波路層
１ Ｂ （Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ、 エネルギー・ギャッ
プ” ｑ３ ＞ ｈ ’Ｊ２ ）およびｎ型閉込め層１
９ （ｎ＝ＩｎＰ）よ構成る導波部分２０が設けられて
いる。発光部分１７は導波部分２０によって支持されて
いるので、第３図に示す発光部分の一部分２１をエツチ
ングによって除去し、ストライプ状の発光部分２２を残
しても、本構造の機械的強度はさほど減少しない。また
、従来例のようにストライプ状の発光部分２２を改めて
結晶成長によって埋込むという操作を行わないので、ス
トライプ幅はエツチングの精度の範囲で細くすることが
可能である。ｐ型電極２３はストライプ状発光部分２２
上から導波部分２０上へ引き出した後、ボンディング・
パッドを設ける。なお、発光部分１７上に先にストライ
プ状電極を設けた後、この電極をマスクとするセルフ・
アライン方式で発光部分をエンチングして、ストライプ
状発光部分を形成することも可能である。
次に、本発明の他の実施例を第４図に示す。第４図は基
本的には第３図と同様の構成となっており、発光部分１
７の両側に導波部分２０が設けられている。ただし、こ
の場合、エツチングにより除去する部分２１を３か所以
上とすることでストライプ状発光部分２２が複数個集積
された形となっている。各ストライプ状発光部分からの
発光は、導波部分をエツチングして溝２４を設は光導波
路層を分割すれば分離可能である。なお、ストライプ状
発光部分の幅ならびに間隔は、エツチングの精度の範囲
で任意に選ぶことが可能である。
本的には第３図と同様の構成となっており、発光部分１
７の両側に導波部分２０が設けられている。ただし、こ
の場合、エツチングにより除去する部分２１を３か所以
上とすることでストライプ状発光部分２２が複数個集積
された形となっている。各ストライプ状発光部分からの
発光は、導波部分をエツチングして溝２４を設は光導波
路層を分割すれば分離可能である。なお、ストライプ状
発光部分の幅ならびに間隔は、エツチングの精度の範囲
で任意に選ぶことが可能である。
なお、導波部分２０は発光部の両側でなく片側のみでも
よい。
よい。
発明の効果
以上のように、本発明は発光部分と導波部分の２回の結
晶成長で構成可能な導波路一体化型半導体レーザの構造
を提供するものである。また、本構造においては、光導
波層が平面状に存在するので光集積回路用光源としての
応用範囲が広い。さらに、−発光部分のストライプ幅を
狭くすることが容易であり、複数個のストライプ状発光
部分を任意の幅、間隔で集積化することも可能である。
晶成長で構成可能な導波路一体化型半導体レーザの構造
を提供するものである。また、本構造においては、光導
波層が平面状に存在するので光集積回路用光源としての
応用範囲が広い。さらに、−発光部分のストライプ幅を
狭くすることが容易であり、複数個のストライプ状発光
部分を任意の幅、間隔で集積化することも可能である。
第１図は従来の導波路一体化型半導体レーザの要部斜視
図、第２図は本発明の一実施例の導波路一体型半導体レ
ーザのＲ視図、第３図は第２図のレーザの平面図、第４
図は本発明の他の実施例の半導体レーザの平面図である
。 １・・・・・・化合物半導体基板、２・川・・活性層、
５・・・・・光導波路層、１４・・・・・・活性層、１
７・川・・発光部分、１８・・・・・・光導波路層、２
０・・・・・・導波部分、２２・・・・・・ストライプ
状発光部分。
図、第２図は本発明の一実施例の導波路一体型半導体レ
ーザのＲ視図、第３図は第２図のレーザの平面図、第４
図は本発明の他の実施例の半導体レーザの平面図である
。 １・・・・・・化合物半導体基板、２・川・・活性層、
５・・・・・光導波路層、１４・・・・・・活性層、１
７・川・・発光部分、１８・・・・・・光導波路層、２
０・・・・・・導波部分、２２・・・・・・ストライプ
状発光部分。
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に活性層を含む帯状の発光部
分を設け、前記発光部分の長辺に沿った両側もしくは片
側に発光部分に接するように光導波路層を含む導波部分
を設け、帯状発光部分の一部を帯の４幅にわたって除宍
してストライプ状の発光部分を形成したことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - （２） ストライプ状発光部分を２個以上集積したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125002A JPS6016486A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125002A JPS6016486A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016486A true JPS6016486A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14899444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125002A Pending JPS6016486A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016486A (ja) |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58125002A patent/JPS6016486A/ja active Pending
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