JPS60263488A - 光集積回路装置 - Google Patents
光集積回路装置Info
- Publication number
- JPS60263488A JPS60263488A JP11905284A JP11905284A JPS60263488A JP S60263488 A JPS60263488 A JP S60263488A JP 11905284 A JP11905284 A JP 11905284A JP 11905284 A JP11905284 A JP 11905284A JP S60263488 A JPS60263488 A JP S60263488A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- integrated circuit
- type
- optical integrated
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光デバイスを同一基板上に構成し、機能させる
ために不可欠となる光集積回路装置に関するものである
。
ために不可欠となる光集積回路装置に関するものである
。
（従来例の構成とその問題点）
近年、半導体レーザをはじめ様々な光デバイスがシステ
ムに取り入れられ、実用化が進んでいる。
ムに取り入れられ、実用化が進んでいる。
これに関連して、光デバイスの集積化が非常に望まれて
いる。この光集積回路を構成するに当り半導体レーザと
光導波路の結合は重要な課題である。
いる。この光集積回路を構成するに当り半導体レーザと
光導波路の結合は重要な課題である。
半導体レーザと光導波路の結合法はこれまでにも研究さ
れており、代表的なものとして、回折格子１− を用いる分布帰還型レーザ、光導波路をレーザの活性層
に近接させて結合させる方法およびレーザ端面での直接
結合がある。これらを第１図から第３図に示す。
れており、代表的なものとして、回折格子１− を用いる分布帰還型レーザ、光導波路をレーザの活性層
に近接させて結合させる方法およびレーザ端面での直接
結合がある。これらを第１図から第３図に示す。
第１図は分布帰還型レーザを示し、１はＧａＡｓ基板、
２はＧａ１−Ｘｉ、Ａｓクラッド層、３はＧａ□−、Ａ
Ｎ、Ａｓ活性層、４はＧａｚＡ１！、−、Ａｓガイド層
、５はＧａＸ−ＡＮ、−，４ｓクラッド層、６はＧａＡ
ｓ層、７，８はオーミック電極である。
２はＧａ１−Ｘｉ、Ａｓクラッド層、３はＧａ□−、Ａ
Ｎ、Ａｓ活性層、４はＧａｚＡ１！、−、Ａｓガイド層
、５はＧａＸ−ＡＮ、−，４ｓクラッド層、６はＧａＡ
ｓ層、７，８はオーミック電極である。
第２図はレーザの活性層に先導波路を近接させて結合さ
せる方法を示し、９はＧａＡｓ基板、】０はＧａ、 Ａ
９１−ＸＡｓクラッド層、１１はＧａｚＡｉ！１４Ａｓ
ガイド層、１２はＧａＸ−ＡＮ、−、□Ａｓクラッド層
、１３はＧａ、ＡＮｌ−、Ａｓ活性層、１４はＧａＸ−
１，−、−Ａｓクラッド層、１５はＧａＡｓ層、１６．
１７はオーミック電極である。
せる方法を示し、９はＧａＡｓ基板、】０はＧａ、 Ａ
９１−ＸＡｓクラッド層、１１はＧａｚＡｉ！１４Ａｓ
ガイド層、１２はＧａＸ−ＡＮ、−、□Ａｓクラッド層
、１３はＧａ、ＡＮｌ−、Ａｓ活性層、１４はＧａＸ−
１，−、−Ａｓクラッド層、１５はＧａＡｓ層、１６．
１７はオーミック電極である。
第３図はレーザ端面での直接結合を示し、１８はＧａＡ
ｓ基板、１９はＧａｘＡＩｌｌ−ＸＡｓクラッド層、２
０はＧａ、ＡＮ、−、Ａｓ活性層、２１はＧａｚ−Ａｌ
ｘ −ｚ ・Ａｓクラッド層、２２はＧａＡｓ層、２３
，２４はオーミック電極、２６はガイド層である。
ｓ基板、１９はＧａｘＡＩｌｌ−ＸＡｓクラッド層、２
０はＧａ、ＡＮ、−、Ａｓ活性層、２１はＧａｚ−Ａｌ
ｘ −ｚ ・Ａｓクラッド層、２２はＧａＡｓ層、２３
，２４はオーミック電極、２６はガイド層である。
９−
しかし、上述した分布帰還型レーザでは回折格子の作製
が非常に困難であり、また、その他の方法でも多層成長
、多段成長が必要であるという欠点があった。
が非常に困難であり、また、その他の方法でも多層成長
、多段成長が必要であるという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑み、容易に光導波路を半導体レー
ザに結合することのできる光集積回路装置を提供するも
のである。
ザに結合することのできる光集積回路装置を提供するも
のである。
（発明の構成）
この目的を達成するために本発明の光集積回路は１分岐
をもつリッジ状ストライプを有する半導体基板を用いる
ことにより構成される。この構成によって半導体レーザ
キャビティー内の光の一部をガイド層に取り出すことが
できる。
をもつリッジ状ストライプを有する半導体基板を用いる
ことにより構成される。この構成によって半導体レーザ
キャビティー内の光の一部をガイド層に取り出すことが
できる。
（実施例の説明）
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
１ 第４図（°）・（゛川水発明０−実施合！Ｉ ｉ、
−ｓ ｉｔ ′″３″集積回路装置を作製するための基
板および完成図である。第４図において２７はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２８は３− リッジ部、２９はｎ型ＧａＸＡＱ、−ｘＡｓクラッド層
、３０はＧａ、ＡＮｉ−、Ａｓ活性層、３１はｐ型Ｇａ
Ｘ−１，−Ｘ−Ａｓクラッド層、３２はｎ型ＧａＡｓ層
、３３はＺｎ拡散部、３４ 、３５はオーミック電極、
３６はガイド層である。
−ｓ ｉｔ ′″３″集積回路装置を作製するための基
板および完成図である。第４図において２７はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２８は３− リッジ部、２９はｎ型ＧａＸＡＱ、−ｘＡｓクラッド層
、３０はＧａ、ＡＮｉ−、Ａｓ活性層、３１はｐ型Ｇａ
Ｘ−１，−Ｘ−Ａｓクラッド層、３２はｎ型ＧａＡｓ層
、３３はＺｎ拡散部、３４ 、３５はオーミック電極、
３６はガイド層である。
以上のように構成された光集積回路で半導体レーザ部３
７を動作させるとそのキャビティ一端面間を光は往復伝
播し、増幅されるが、この間、分岐部３８で光の一部が
ガイド層に取り出されることになる。
７を動作させるとそのキャビティ一端面間を光は往復伝
播し、増幅されるが、この間、分岐部３８で光の一部が
ガイド層に取り出されることになる。
また、本発明の光集積回路装置は、第５図に示すように
ガイド部を半導体レーザ部と異なった構造に作製するこ
とも可能である。
ガイド部を半導体レーザ部と異なった構造に作製するこ
とも可能である。
なお、本実施例では基板をｎ型としたが、Ｐ型を使用し
てもよい。また、ＧａＡｓ −ＧａＡｇＡｓ系によって
構成したが、ＩｎＰ系をはじめ、その他のすべての化合
物半導体の系を使用することもできる。先導波路部を形
成するリッジ型ストライプの形状は円形、直線形をはじ
め様々なものが採用できる。
てもよい。また、ＧａＡｓ −ＧａＡｇＡｓ系によって
構成したが、ＩｎＰ系をはじめ、その他のすべての化合
物半導体の系を使用することもできる。先導波路部を形
成するリッジ型ストライプの形状は円形、直線形をはじ
め様々なものが採用できる。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、分岐したリッジ４−
状ストライブを有する半導体基板を用いることにより、
半導体レーザと先導波路を容易に結合することができる
。
半導体レーザと先導波路を容易に結合することができる
。
第１図は分布帰還型レーザの断面図、第２図は断面図、
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の基板、
および構造図、第５図は本発明の他の実施例の構造図で
ある。 １ 、９ 、１８．２７− ＧａＡｓ基板、２，１０，
１９，２９−・・ＧａｘＡｌｌ、−ｘＡｓ層、３ 、１
３，２０．３０− Ｇａ、ＡＮ、−、Ａｓ活性層、４
、１１− Ｇａ、Ａｌ１１−、Ａｓ層、５ 、１２，２
１．３１−−− Ｑａｘ−ＡＱ□−８−Ａｓ層、 ６
、１５，２２．３２− ＧａＡｓ層、１４ ・＝ Ｇａ
ｘ−ＡＩ！１−ｘ−Ａｓ層、 ７ 、８ 、１６，１７
，２３，２４゜３４ 、３５・・・オーミック電極、２
５・・・ＳｉＯ□膜、２６．３６・・・ガイド層、２８
・・・ リッジ部、３３・・・Ｚｎ拡散部、３７・・・
半導体レーザ部、３８・・・分岐部。 （ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ 、 ｘ ’ ）第２図 ６ げ Ｃ４」 第４図 第５図
第４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の基板、
および構造図、第５図は本発明の他の実施例の構造図で
ある。 １ 、９ 、１８．２７− ＧａＡｓ基板、２，１０，
１９，２９−・・ＧａｘＡｌｌ、−ｘＡｓ層、３ 、１
３，２０．３０− Ｇａ、ＡＮ、−、Ａｓ活性層、４
、１１− Ｇａ、Ａｌ１１−、Ａｓ層、５ 、１２，２
１．３１−−− Ｑａｘ−ＡＱ□−８−Ａｓ層、 ６
、１５，２２．３２− ＧａＡｓ層、１４ ・＝ Ｇａ
ｘ−ＡＩ！１−ｘ−Ａｓ層、 ７ 、８ 、１６，１７
，２３，２４゜３４ 、３５・・・オーミック電極、２
５・・・ＳｉＯ□膜、２６．３６・・・ガイド層、２８
・・・ リッジ部、３３・・・Ｚｎ拡散部、３７・・・
半導体レーザ部、３８・・・分岐部。 （ｙ ＜ ｚ ＜ ｘ 、 ｘ ’ ）第２図 ６ げ Ｃ４」 第４図 第５図
Claims (1)
- 分岐したりッジ状ストライプを有する半導体基板と活性
層を含むダブルへテロ接合からなることを特徴とする光
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905284A JPS60263488A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905284A JPS60263488A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263488A true JPS60263488A (ja) | 1985-12-26 |
Family
ID=14751711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11905284A Pending JPS60263488A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688069A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Interferometrischer Halbleiterlaser mit Verlustarmer Lichtauskopplung und Anordnung mit einem solchen Laser |
| JP2016152253A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP11905284A patent/JPS60263488A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688069A1 (de) * | 1994-06-17 | 1995-12-20 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Interferometrischer Halbleiterlaser mit Verlustarmer Lichtauskopplung und Anordnung mit einem solchen Laser |
| US5995530A (en) * | 1994-06-17 | 1999-11-30 | Alcatel N.V. | Interferometric semiconductor laser with low-loss coupling of light therefrom and an arrangement with such a laser |
| JP2016152253A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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