JPS60162775A - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60162775A JPS60162775A JP1643684A JP1643684A JPS60162775A JP S60162775 A JPS60162775 A JP S60162775A JP 1643684 A JP1643684 A JP 1643684A JP 1643684 A JP1643684 A JP 1643684A JP S60162775 A JPS60162775 A JP S60162775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- stress
- silicon oxide
- oxide film
- sih4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野）
本発明は、高周波励起プラズマを用いた。シリコン酸化
膜の製造方法に関す為屯のである。
膜の製造方法に関す為屯のである。
（従来技術とその問題点）
半導体デバイスや、磁気パズルデバイスの眉間８４１１
１やパッジページ習ン膜トシて、シリコン酸化膜（８ｉ
０．膜）が使用されている。この４０８膜は、熱酸化法
や、真空蒸着法、ＲＦ−スパッタ法によ）形成されてい
る。これらの方法は、１ｏｏｏ℃以上の高温処理が必！
！（熱酸化法）３こと、段差のある部分でのステップ・
カバー性が悪いこと（真空蒸着法）、さらに基板に対し
てイオンダメージが発生する（ ＲＰ−スパッタ法）な
どの問題がある。こｋもの問題を軽減できる方法として
、高周波励起プラズマを用いた、プラズマＣＶＤ ８３
０．ＩＩ（Ｐ−８ｉＯ１膜）の製造方法が開発された。
１やパッジページ習ン膜トシて、シリコン酸化膜（８ｉ
０．膜）が使用されている。この４０８膜は、熱酸化法
や、真空蒸着法、ＲＦ−スパッタ法によ）形成されてい
る。これらの方法は、１ｏｏｏ℃以上の高温処理が必！
！（熱酸化法）３こと、段差のある部分でのステップ・
カバー性が悪いこと（真空蒸着法）、さらに基板に対し
てイオンダメージが発生する（ ＲＰ−スパッタ法）な
どの問題がある。こｋもの問題を軽減できる方法として
、高周波励起プラズマを用いた、プラズマＣＶＤ ８３
０．ＩＩ（Ｐ−８ｉＯ１膜）の製造方法が開発された。
仁の方法によれば、低温（３００〜４００℃）でステッ
プカバー性が良く、かつ絶縁性にすぐれたＳｔＯ，膜が
よって膜の性質が変化することが知られている。
プカバー性が良く、かつ絶縁性にすぐれたＳｔＯ，膜が
よって膜の性質が変化することが知られている。
（ニー・シーーアダムズ） （Ａ、 Ｃ，Ａｄａｍｓ
） 、（ジャーナル・オプーエレクトロケミカルソサエ
ティ誌） （Ｊ、 Ｅｌ＠ｃｔｒｏｃｈ＃＆Ｂｔｓｅ、
Ｙｏｕ、 １２Ｂ、 ｍＶ、 ＰＰ １５４５−１５
５１．１９８１ ）。特に従来の方法ではストレスが成
膜条件によって変化すると同時に、成膜後火気中に長時
間放置することにより、このストレスが変化する（スト
レスの経時変化）欠点がある。
） 、（ジャーナル・オプーエレクトロケミカルソサエ
ティ誌） （Ｊ、 Ｅｌ＠ｃｔｒｏｃｈ＃＆Ｂｔｓｅ、
Ｙｏｕ、 １２Ｂ、 ｍＶ、 ＰＰ １５４５−１５
５１．１９８１ ）。特に従来の方法ではストレスが成
膜条件によって変化すると同時に、成膜後火気中に長時
間放置することにより、このストレスが変化する（スト
レスの経時変化）欠点がある。
（発明の目的）
本発明は、成膜条件によるストレスの変化を小さくする
と同時に、ストレスの経時変化が非常に少ないシリコン
酸化膜の製造方法を提供するととＫある。
と同時に、ストレスの経時変化が非常に少ないシリコン
酸化膜の製造方法を提供するととＫある。
（発明の構成）
本発明によれば、プラズマＣＶＩ）、ＳｉＯ，膜の成膜
忙おいて、原料ガスであるモノシランガス（８ｉＨ４）
流量を、毎分６ＣＣ以下にすると同時に笑気ガス（Ｎ、
ＩＯ）とモノシランガス（ＳｉＨ，−）流量比を１０以
上にする。
忙おいて、原料ガスであるモノシランガス（８ｉＨ４）
流量を、毎分６ＣＣ以下にすると同時に笑気ガス（Ｎ、
ＩＯ）とモノシランガス（ＳｉＨ，−）流量比を１０以
上にする。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第一１図は、平行平板型高周波プラズマＣＶＤ装置
によってシランガス（８ｉＨ４） 流量と、笑気ガス（
Ｎ□０）流量とを変えた時に成膜された５ｉｎ２膜を大
気中に放置、あるいは高温アニール処理することによっ
て得られたストレスの値を示したものである。同一の原
料ガス条件で、ストレス値の幅が大きいもの程、経時変
化が大きい仁とを示している。例えば、Ｓ ｉＨ，＝
１８ ｓｅｃｍ 。
る。第一１図は、平行平板型高周波プラズマＣＶＤ装置
によってシランガス（８ｉＨ４） 流量と、笑気ガス（
Ｎ□０）流量とを変えた時に成膜された５ｉｎ２膜を大
気中に放置、あるいは高温アニール処理することによっ
て得られたストレスの値を示したものである。同一の原
料ガス条件で、ストレス値の幅が大きいもの程、経時変
化が大きい仁とを示している。例えば、Ｓ ｉＨ，＝
１８ ｓｅｃｍ 。
Ｎ、０＝３００ ｓｅｃｍの条件では、ストレスが一３
Ｘ１０’ｄｙｎ／ｃｆ／ｌから、４ Ｘ １０ ” ｄ
ｙｎ眉の間を変化することを示している。すなわち、た
て軸の幅が広い条件＃１ど、ストレスの経時変化が大き
いことＫなる。
Ｘ１０’ｄｙｎ／ｃｆ／ｌから、４ Ｘ １０ ” ｄ
ｙｎ眉の間を変化することを示している。すなわち、た
て軸の幅が広い条件＃１ど、ストレスの経時変化が大き
いことＫなる。
第１図よシ膜のストレス、ストレス経時変化の幅はｓ
ＳｉＨ４ガスとＮ、Ｏガスの各流量によって決められて
いる。このことから、ストレスの経時変化の少ない原料
ガスの条件は、 ８１Ｈ，ガス流量が毎分６Ｇε以下で
あると同時に、Ｎ、Ｏガス流量とＳｉＨ，ガス流量の比
（Ｎ、Ｏ／ＳｉＨ，）が１０以上にある。この条件で成
膜したＰ−８ｉＯオ膜のストレスはシリコン基板上で約
２〜５ Ｘ １ Ｇ” （ｄｙｎ／ａｉ）の圧縮ストレ
スになり、ストレス経時変化量は、成膜時の値のおよそ
±２０ （ｆｐ＞以下にすることが可能となる。上記の
ガス条件を用いるととｋよシ、成膜時の高周波パワーや
、基板温度を変えても、ストレス経時変化量は、上記値
に々る。なお、本実施例に用いた装置内の圧力は０．２
〜２ Ｔｏｒｒである。
ＳｉＨ４ガスとＮ、Ｏガスの各流量によって決められて
いる。このことから、ストレスの経時変化の少ない原料
ガスの条件は、 ８１Ｈ，ガス流量が毎分６Ｇε以下で
あると同時に、Ｎ、Ｏガス流量とＳｉＨ，ガス流量の比
（Ｎ、Ｏ／ＳｉＨ，）が１０以上にある。この条件で成
膜したＰ−８ｉＯオ膜のストレスはシリコン基板上で約
２〜５ Ｘ １ Ｇ” （ｄｙｎ／ａｉ）の圧縮ストレ
スになり、ストレス経時変化量は、成膜時の値のおよそ
±２０ （ｆｐ＞以下にすることが可能となる。上記の
ガス条件を用いるととｋよシ、成膜時の高周波パワーや
、基板温度を変えても、ストレス経時変化量は、上記値
に々る。なお、本実施例に用いた装置内の圧力は０．２
〜２ Ｔｏｒｒである。
（発明の効果）
以上述べた通シ、本発明の条件によれば、高周球プラズ
マＣＶＤ−８３０．膜形成法Ｋ＞いて、成膜されたｐ−
５ｔｏ 膜のストレス経時変化の小さいものが得られ、
各種デバイスに用いた時、ストレス変化の影響を小さく
することが可能となる。
マＣＶＤ−８３０．膜形成法Ｋ＞いて、成膜されたｐ−
５ｔｏ 膜のストレス経時変化の小さいものが得られ、
各種デバイスに用いた時、ストレス変化の影響を小さく
することが可能となる。
図は原料ガス（５ＩＨ４，Ｎ、Ｏ）流量条件とストレス
の関係を示した図である。 （ＳＣＣｍ）
の関係を示した図である。 （ＳＣＣｍ）
Claims (1)
- モノシラン（’８ｉＨ４）ガス、桑らびに笑気ガス（Ｎ
２０） を原料ガスとして使用する高周波プラズマを用
いたプラズマＣＶＤ法瞥よるシリコン酸化膜、製造方法
において原料ガ８で、あ今ゞ／ ＆ ９７（８１Ｈ４）
ガス流量が毎分６しε以下でかつ、笑気ガス（Ｎ、０
）とモノシランガス（８ｉＨ４）の混合比（Ｎ、０／５
ｉＨ４）が１０以上であ本ガスを使用することを特徴と
する。シリ＝ン酸化−のｉ遣方法。 □
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1643684A JPS60162775A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1643684A JPS60162775A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60162775A true JPS60162775A (ja) | 1985-08-24 |
Family
ID=11916179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1643684A Pending JPS60162775A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60162775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830786B2 (en) | 1997-05-21 | 2004-12-14 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5696704A (en) * | 1979-12-17 | 1981-08-05 | Hughes Aircraft Co | Oxide layer optical gas phase cladding method |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1643684A patent/JPS60162775A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5696704A (en) * | 1979-12-17 | 1981-08-05 | Hughes Aircraft Co | Oxide layer optical gas phase cladding method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830786B2 (en) | 1997-05-21 | 2004-12-14 | Nec Corporation | Silicon oxide film, method of forming the silicon oxide film, and apparatus for depositing the silicon oxide film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101208782B (zh) | 用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法 | |
| US4331709A (en) | Process of reducing density of fast surface states in MOS devices | |
| EP0010910B1 (en) | Method for forming an insulating film layer on a semiconductor substrate surface | |
| JP2003518781A (ja) | 絶縁薄膜を製造する方法 | |
| CN103681288A (zh) | 高可靠性的低温栅氧化层生长工艺 | |
| JP2002367990A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09199497A (ja) | ＳｉＣの熱酸化膜の改善方法 | |
| JPS60162775A (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| JPH09283373A (ja) | シリコン酸化膜エレクトレット | |
| JPH10270434A (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法及び酸化膜の形成方法 | |
| JPS59168643A (ja) | 酸化膜の緻密化処理法 | |
| JP2000150508A (ja) | 半導体素子の絶縁膜形成方法 | |
| JPS62261128A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6237937A (ja) | シリコン基板上への薄い酸化膜の形成方法 | |
| CN102543704B (zh) | 栅极氧化层的形成方法 | |
| JP2842088B2 (ja) | ゲート絶縁膜の製造方法 | |
| JP2012501557A (ja) | 多層金属薄膜製造方法及びその製造装置 | |
| JPH07221092A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03280471A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH021124A (ja) | 誘電体膜の製造方法 | |
| JPS62190760A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0215630A (ja) | 半導体装置の保護膜形成方法 | |
| JPS60229372A (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置及びその製造方法 | |
| TW550737B (en) | Method of forming ultrathin gate dielectric | |
| JPS60147124A (ja) | 半導体装置の製造方法 |