JPH07221092A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07221092A JPH07221092A JP6014734A JP1473494A JPH07221092A JP H07221092 A JPH07221092 A JP H07221092A JP 6014734 A JP6014734 A JP 6014734A JP 1473494 A JP1473494 A JP 1473494A JP H07221092 A JPH07221092 A JP H07221092A
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- film
- oxynitride layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳｉＯX ＮY からなる絶縁膜の形成方法に関
し，絶縁膜の低温処理，高窒素濃度化，窒素濃度分布の
制御及び欠陥の減少を目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ
2 層２を形成した後，ＳｉＯ2 層２を窒化してシリコン
オキシナイトライド層２ａに変換する。また，Ｓｉ基板
表面に窒化シリコン層を形成したのち，酸素と窒素の混
合ガス又はＮＯ若しくはＮ2 Ｏとの混合ガス中で熱処理
して，その窒化シリコン層をシリコンオキシナイトライ
ド層に変換する工程とを有するように構成する。
し，絶縁膜の低温処理，高窒素濃度化，窒素濃度分布の
制御及び欠陥の減少を目的とする。 【構成】 Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ
2 層２を形成した後，ＳｉＯ2 層２を窒化してシリコン
オキシナイトライド層２ａに変換する。また，Ｓｉ基板
表面に窒化シリコン層を形成したのち，酸素と窒素の混
合ガス又はＮＯ若しくはＮ2 Ｏとの混合ガス中で熱処理
して，その窒化シリコン層をシリコンオキシナイトライ
ド層に変換する工程とを有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し，特にシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
X ＮY ）からなる絶縁膜，例えばゲート絶縁膜の形成方
法に関する。
関し，特にシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯ
X ＮY ）からなる絶縁膜，例えばゲート絶縁膜の形成方
法に関する。
【０００２】薄いゲート絶縁膜を有する微細なＭＯＳト
ランジスタにおいては，ゲート電極の不純物がゲート絶
縁膜を通過してチャネルに拡散したり，又は，ゲート絶
縁膜の耐圧の不足から絶縁破壊を起こして動作不良を生
ずることがある。
ランジスタにおいては，ゲート電極の不純物がゲート絶
縁膜を通過してチャネルに拡散したり，又は，ゲート絶
縁膜の耐圧の不足から絶縁破壊を起こして動作不良を生
ずることがある。
【０００３】このため，ＳｉＯ2 に較べて不純物の拡散
定数が小さく又耐圧が高いシリコンオキシナイトライド
を，熱酸化ＳｉＯ2 膜に代わるゲート絶縁膜材料として
用いる試みがなされている。
定数が小さく又耐圧が高いシリコンオキシナイトライド
を，熱酸化ＳｉＯ2 膜に代わるゲート絶縁膜材料として
用いる試みがなされている。
【０００４】
【従来の技術】従来のシリコンオキシナイトライドのゲ
ート絶縁膜は，熱酸化により形成したＳｉＯ2 膜を窒化
することで形成されていた。以下，その形成工程につい
て説明する。
ート絶縁膜は，熱酸化により形成したＳｉＯ2 膜を窒化
することで形成されていた。以下，その形成工程につい
て説明する。
【０００５】図５は従来例断面工程図であり，シリコン
オキシナイトライド薄膜の形成工程を表している。先
ず，図５（ａ）を参照して，Ｓｉ基板１表面を熱酸化し
て表面にＳｉＯ2 層２を形成する。
オキシナイトライド薄膜の形成工程を表している。先
ず，図５（ａ）を参照して，Ｓｉ基板１表面を熱酸化し
て表面にＳｉＯ2 層２を形成する。
【０００６】次いで，図５（ｂ）を参照して，ＮＨ3 雰
囲気中で熱処理して，ＳｉＯ2 層２表面からＳｉＯ2 層
２を窒化し，ＳｉＯ2 層２表面をシリコンオキシナイト
ライド層２ａに変換する。
囲気中で熱処理して，ＳｉＯ2 層２表面からＳｉＯ2 層
２を窒化し，ＳｉＯ2 層２表面をシリコンオキシナイト
ライド層２ａに変換する。
【０００７】さらに窒化を進め，図５（ｃ）を参照し
て，ＳｉＯ2 層２全体をシリコンオキシナイトライド層
２ａに変換する。次いで，図５（ｄ）を参照して，酸素
雰囲気中で熱処理する再酸化処理により，シリコンオキ
シナイトライド層２ａ中に含まれる水素（Ｈ）を外拡散
させて除去し，シリコンオキシナイトライドからなるゲ
ート絶縁膜を形成する。
て，ＳｉＯ2 層２全体をシリコンオキシナイトライド層
２ａに変換する。次いで，図５（ｄ）を参照して，酸素
雰囲気中で熱処理する再酸化処理により，シリコンオキ
シナイトライド層２ａ中に含まれる水素（Ｈ）を外拡散
させて除去し，シリコンオキシナイトライドからなるゲ
ート絶縁膜を形成する。
【０００８】上記のシリコンオキシナイトライドの形成
工程において，ＳｉＯ2 層２を窒化するには１０５０℃
以上の高温処理を必要とする。また，ＳｉＯ2 層２を窒
化して形成されたシリコンオキシナイトライド層２ａ
は，その中に多量の水素が含まれており，その水素を除
去するために１０５０℃以上の高温処理を必要とする。
しかし，この窒化又は水素除去のための高温熱処理は，
浅くかつ急峻な接合を必要とする微細な素子の製造を難
しくする。
工程において，ＳｉＯ2 層２を窒化するには１０５０℃
以上の高温処理を必要とする。また，ＳｉＯ2 層２を窒
化して形成されたシリコンオキシナイトライド層２ａ
は，その中に多量の水素が含まれており，その水素を除
去するために１０５０℃以上の高温処理を必要とする。
しかし，この窒化又は水素除去のための高温熱処理は，
浅くかつ急峻な接合を必要とする微細な素子の製造を難
しくする。
【０００９】さらに，ＳｉＯ2 層２の窒化及び再酸化処
理を経へ形成されたシリコンオキシナイトライド層２ａ
の窒素含有量を高くすることが難しい。このため，不純
物拡散定数が十分小さく，耐圧の高いゲート絶縁膜を形
成することができない。
理を経へ形成されたシリコンオキシナイトライド層２ａ
の窒素含有量を高くすることが難しい。このため，不純
物拡散定数が十分小さく，耐圧の高いゲート絶縁膜を形
成することができない。
【００１０】さらにまた，再酸化処理を行うことから，
常に表面で窒素濃度が低く，チャネル領域との界面近傍
で窒素濃度が高いゲート絶縁膜が形成される。このた
め，ｎ型ＭＯＳトランジスタの電子易動度が低下し，ト
ランジスタ特性が劣化する。
常に表面で窒素濃度が低く，チャネル領域との界面近傍
で窒素濃度が高いゲート絶縁膜が形成される。このた
め，ｎ型ＭＯＳトランジスタの電子易動度が低下し，ト
ランジスタ特性が劣化する。
【００１１】この不都合はＣＶＤ法によるシリコンオキ
シナイトライド層の堆積により回避される。しかし，Ｃ
ＶＤ法により堆積されたシリコンオキシナイトライド層
は，ウイークスポット等の欠陥を有し，ゲート絶縁膜と
しての使用に耐えない。
シナイトライド層の堆積により回避される。しかし，Ｃ
ＶＤ法により堆積されたシリコンオキシナイトライド層
は，ウイークスポット等の欠陥を有し，ゲート絶縁膜と
しての使用に耐えない。
【００１２】この他，ＳｉＯ2 層の酸化及び脱水素処理
のための高温処理を避けるために，Ｓｉ基板表面を直接
に窒化して，Ｓｉ基板表面に窒化シリコン膜を形成し，
次いで，この窒化シリコン膜を酸素中で酸化してシリコ
ンオキシナイトライド層とするゲート絶縁膜の形成方法
が考案された。
のための高温処理を避けるために，Ｓｉ基板表面を直接
に窒化して，Ｓｉ基板表面に窒化シリコン膜を形成し，
次いで，この窒化シリコン膜を酸素中で酸化してシリコ
ンオキシナイトライド層とするゲート絶縁膜の形成方法
が考案された。
【００１３】しかし，この窒化シリコン膜を酸素中で酸
化する方法では，窒化シリコン膜の僅かな膜厚変動によ
り適切な酸化時間が大きく変動する。このため，酸化時
間によるゲート絶縁膜の制御が困難となり，その結果，
安定した特性のトランジスタを製造することが難しい。
化する方法では，窒化シリコン膜の僅かな膜厚変動によ
り適切な酸化時間が大きく変動する。このため，酸化時
間によるゲート絶縁膜の制御が困難となり，その結果，
安定した特性のトランジスタを製造することが難しい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように，従来
の半導体装置の製造方法では，シリコンオキシナイトラ
イドからなるゲート絶縁膜は，Ｓｉ基板表面に形成され
たＳｉＯ2 層を窒化することで形成されていたので，高
温熱処理を避けることができない，及びゲート絶縁膜の
表面の窒素濃度が低いという問題があった。
の半導体装置の製造方法では，シリコンオキシナイトラ
イドからなるゲート絶縁膜は，Ｓｉ基板表面に形成され
たＳｉＯ2 層を窒化することで形成されていたので，高
温熱処理を避けることができない，及びゲート絶縁膜の
表面の窒素濃度が低いという問題があった。
【００１５】また，窒素濃度分布の制御ができるＣＶＤ
法により堆積したシリコンオキシナイトライド層は，欠
陥が多いという欠点がある。さらに，Ｓｉ基板表面に窒
化膜を形成し，この窒化膜を酸素中で酸化してシリコン
オキシナイトライド層とする方法は，ゲート絶縁膜の膜
厚を精密に制御するすることができないという欠点があ
る。
法により堆積したシリコンオキシナイトライド層は，欠
陥が多いという欠点がある。さらに，Ｓｉ基板表面に窒
化膜を形成し，この窒化膜を酸素中で酸化してシリコン
オキシナイトライド層とする方法は，ゲート絶縁膜の膜
厚を精密に制御するすることができないという欠点があ
る。
【００１６】本発明は，ハロゲンを含むＳｉＯ2 層を窒
化することで，シリコンオキシナイトライド層の低温で
の形成を可能とし，また，ＳｉＯ2 熱酸化膜上に窒化シ
リコンＣＶＤ膜を堆積して熱処理することで，欠陥が少
なくかつ制御された窒素濃度分布を有するシリコンオキ
シナイトライド層を形成し，さらに，窒化シリコン膜を
酸素と窒素の混合ガス中で酸化することにより，精密な
厚さのシリコンオキシナイトライド層を形成すること
で，絶縁膜としての優れた特性を有するシリコンオキシ
ナイトライド層を有する電子デバイスの製造方法を提供
することを目的とする。
化することで，シリコンオキシナイトライド層の低温で
の形成を可能とし，また，ＳｉＯ2 熱酸化膜上に窒化シ
リコンＣＶＤ膜を堆積して熱処理することで，欠陥が少
なくかつ制御された窒素濃度分布を有するシリコンオキ
シナイトライド層を形成し，さらに，窒化シリコン膜を
酸素と窒素の混合ガス中で酸化することにより，精密な
厚さのシリコンオキシナイトライド層を形成すること
で，絶縁膜としての優れた特性を有するシリコンオキシ
ナイトライド層を有する電子デバイスの製造方法を提供
することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の第一実施
例断面工程図，図２は本発明の第二実施例断面工程図，
図４は本発明の第三実施例断面工程図であり，それぞれ
シリコンオキシナイトライド層の形成工程におけるＳｉ
基板断面を表している。
例断面工程図，図２は本発明の第二実施例断面工程図，
図４は本発明の第三実施例断面工程図であり，それぞれ
シリコンオキシナイトライド層の形成工程におけるＳｉ
基板断面を表している。
【００１８】上記課題を解決するための本発明の第一の
構成は，図１を参照して，シリコンオキシナイトライド
層２ａを絶縁膜として有する半導体装置の製造方法にお
いて，Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を形成する工程と，該ハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を窒化して該シリコンオキシナイトライド層２ａに変
換する工程とを有することを特徴として構成し，及び，
第二の構成は，図１を参照して，第一の構成の半導体装
置の製造方法において，該ハロゲンを含有するＳｉＯ2
層２を，該Ｓｉ基板１表面に形成されたＳｉＯ 2 層２へ
ハロゲンをイオン注入して形成することを特徴として構
成し，及び，本発明の第三の構成は，図２を参照して，
シリコンオキシナイトライド層２ａを絶縁膜として有す
る半導体装置の製造方法において，Ｓｉ基板１表面に窒
化シリコン層６を形成する工程と，酸素及び窒素を含む
混合ガス中で熱処理して，該窒化シリコン層６を該シリ
コンオキシナイトライド層２ａに変換する工程とを有す
ることを特徴として構成し，及び，本発明の第四の構成
は，第三の構成の半導体装置の製造方法において，該混
合ガスに代えて，ＮＯ及びＮ2 Ｏのうちの少なくとも一
つのガス及び窒素を含む混合ガスとすることを特徴とし
て構成し，及び，本発明の第五の構成は，図４を参照し
て，シリコンオキシナイトライド層２ａをゲート絶縁膜
とする電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造
方法において，Ｓｉ基板１表面を熱酸化して該Ｓｉ基板
１表面にＳｉＯ2 からなる熱酸化膜４を形成する工程
と，ＣＶＤ（化学気相堆積）法により該熱酸化膜４の表
面にシリコンオキシナイトライドからなるＣＶＤ膜５を
堆積する工程と，次いで，該ＣＶＤ膜５から該熱酸化膜
４へ酸素を拡散させる拡散熱処理により，該熱酸化膜４
のうち少なくとも該ＣＶＤ膜５と接する表層を該拡散熱
処理後の該ＣＶＤ膜５よりも窒素濃度が低い低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａに変換し，該低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａ及び該ＣＶＤ膜５からな
る該シリコンオキシナイトライド層２ａを形成する工程
とを有することを特徴として構成する。
構成は，図１を参照して，シリコンオキシナイトライド
層２ａを絶縁膜として有する半導体装置の製造方法にお
いて，Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を形成する工程と，該ハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を窒化して該シリコンオキシナイトライド層２ａに変
換する工程とを有することを特徴として構成し，及び，
第二の構成は，図１を参照して，第一の構成の半導体装
置の製造方法において，該ハロゲンを含有するＳｉＯ2
層２を，該Ｓｉ基板１表面に形成されたＳｉＯ 2 層２へ
ハロゲンをイオン注入して形成することを特徴として構
成し，及び，本発明の第三の構成は，図２を参照して，
シリコンオキシナイトライド層２ａを絶縁膜として有す
る半導体装置の製造方法において，Ｓｉ基板１表面に窒
化シリコン層６を形成する工程と，酸素及び窒素を含む
混合ガス中で熱処理して，該窒化シリコン層６を該シリ
コンオキシナイトライド層２ａに変換する工程とを有す
ることを特徴として構成し，及び，本発明の第四の構成
は，第三の構成の半導体装置の製造方法において，該混
合ガスに代えて，ＮＯ及びＮ2 Ｏのうちの少なくとも一
つのガス及び窒素を含む混合ガスとすることを特徴とし
て構成し，及び，本発明の第五の構成は，図４を参照し
て，シリコンオキシナイトライド層２ａをゲート絶縁膜
とする電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造
方法において，Ｓｉ基板１表面を熱酸化して該Ｓｉ基板
１表面にＳｉＯ2 からなる熱酸化膜４を形成する工程
と，ＣＶＤ（化学気相堆積）法により該熱酸化膜４の表
面にシリコンオキシナイトライドからなるＣＶＤ膜５を
堆積する工程と，次いで，該ＣＶＤ膜５から該熱酸化膜
４へ酸素を拡散させる拡散熱処理により，該熱酸化膜４
のうち少なくとも該ＣＶＤ膜５と接する表層を該拡散熱
処理後の該ＣＶＤ膜５よりも窒素濃度が低い低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａに変換し，該低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａ及び該ＣＶＤ膜５からな
る該シリコンオキシナイトライド層２ａを形成する工程
とを有することを特徴として構成する。
【００１９】
【作用】本発明の第一及び第二の構成では，図１を参照
して，Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を，このハロゲンを含有するＳｉＯ2 層２を窒化して
シリコンオキシナイトライド層２ａを形成する。かかる
ハロゲンを含有するＳｉＯ2 層２は，例えばＳｉＯ2 層
２へのイオン注入により形成される。
して，Ｓｉ基板１表面にハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
２を，このハロゲンを含有するＳｉＯ2 層２を窒化して
シリコンオキシナイトライド層２ａを形成する。かかる
ハロゲンを含有するＳｉＯ2 層２は，例えばＳｉＯ2 層
２へのイオン注入により形成される。
【００２０】ＳｉＯ2 中に含有されるハロゲン，例えば
弗素は，ＳｉとＯとの結合を弱めるため，ＳｉＯ2 中で
の窒素又はアンモニアの拡散定数を大きくする。このた
め，低温においても，実用上妥当な時間でＳｉＯ2 層２
全体を窒化することができる。従って，実用的な厚さ及
び品質のシリコンオキシナイトライド層を低温の熱処理
により形成することができる。
弗素は，ＳｉとＯとの結合を弱めるため，ＳｉＯ2 中で
の窒素又はアンモニアの拡散定数を大きくする。このた
め，低温においても，実用上妥当な時間でＳｉＯ2 層２
全体を窒化することができる。従って，実用的な厚さ及
び品質のシリコンオキシナイトライド層を低温の熱処理
により形成することができる。
【００２１】本発明の第三の構成では，図２を参照し
て，窒化シリコン層６を，酸素と窒素の混合ガス，又は
その希釈ガス中で熱処理して酸化し，シリコンオキシナ
イトライド層２ａに変換する。
て，窒化シリコン層６を，酸素と窒素の混合ガス，又は
その希釈ガス中で熱処理して酸化し，シリコンオキシナ
イトライド層２ａに変換する。
【００２２】かかる混合ガス中での熱酸化では，シリコ
ンオキシナイトライド層２ａを精密に制御することがで
きる。次にその原理を説明する。図３はシリコンオキシ
ナイトライド層膜厚の窒化シリコン層酸化時間依存性を
表す図であり，Ｓｉ基板表面を直接窒化してＳｉ基板表
面に形成された窒化シリコン層を酸化熱処理したとき形
成されるシリコンオキシナイトライド層の膜厚を表して
いる。図３中のＡ' 及びＢ' は，それぞれＡ及びＢで示
された膜厚を有する窒化シリコン層を，本構成に係る酸
素と窒素の混合ガス中で９００℃の熱処理により酸化し
たときに形成されたシリコンオキシナイトライド層の膜
厚を示している。また，図３中のＡ" 及びＢ" は，同様
に，それぞれＡ及びＢで示された膜厚を有する窒化シリ
コン層を，従来の酸素雰囲気中で１０５０℃の熱処理を
したものを示している。
ンオキシナイトライド層２ａを精密に制御することがで
きる。次にその原理を説明する。図３はシリコンオキシ
ナイトライド層膜厚の窒化シリコン層酸化時間依存性を
表す図であり，Ｓｉ基板表面を直接窒化してＳｉ基板表
面に形成された窒化シリコン層を酸化熱処理したとき形
成されるシリコンオキシナイトライド層の膜厚を表して
いる。図３中のＡ' 及びＢ' は，それぞれＡ及びＢで示
された膜厚を有する窒化シリコン層を，本構成に係る酸
素と窒素の混合ガス中で９００℃の熱処理により酸化し
たときに形成されたシリコンオキシナイトライド層の膜
厚を示している。また，図３中のＡ" 及びＢ" は，同様
に，それぞれＡ及びＢで示された膜厚を有する窒化シリ
コン層を，従来の酸素雰囲気中で１０５０℃の熱処理を
したものを示している。
【００２３】Ａ" 及びＢ" を参照して，従来の酸素雰囲
気中でする窒化シリコン層の酸化では，窒化シリコン層
の酸化が実質的に終了した後，急速にシリコンオキシナ
イトライド層の膜厚が厚くなる。このため，シリコンオ
キシナイトライド層の膜厚を精密に形成するには，窒化
シリコン層の酸化終了後，直ちに酸化を終了する必要が
ある。他方，窒化シリコン層の当初膜厚（Ａ及びＢで示
されている。）の僅かな相違に起因して，酸化終了時は
大きく変化する。従って，酸化時間を制御することでシ
リコンオキシナイトライド層の膜厚を制御する場合，精
密な膜厚制御を行うには窒化シリコン層を極めて精密な
厚さで形成しなければならず，実際上困難であった。
気中でする窒化シリコン層の酸化では，窒化シリコン層
の酸化が実質的に終了した後，急速にシリコンオキシナ
イトライド層の膜厚が厚くなる。このため，シリコンオ
キシナイトライド層の膜厚を精密に形成するには，窒化
シリコン層の酸化終了後，直ちに酸化を終了する必要が
ある。他方，窒化シリコン層の当初膜厚（Ａ及びＢで示
されている。）の僅かな相違に起因して，酸化終了時は
大きく変化する。従って，酸化時間を制御することでシ
リコンオキシナイトライド層の膜厚を制御する場合，精
密な膜厚制御を行うには窒化シリコン層を極めて精密な
厚さで形成しなければならず，実際上困難であった。
【００２４】これに対し，本構成に係る窒化シリコン層
の酸化熱処理では，Ａ' 及びＢ' を参照して，窒化シリ
コン層の酸化終了後もシリコンオキシナイトライド層の
膜厚の増加速度は余り変化しない。このため，窒化シリ
コン層の当初膜厚のばらつくため酸化終了時が変化して
も，それによるシリコンオキシナイトライド層の膜厚の
ばらつきは非常に小さい。従って，酸化時間の制御のみ
で容易に精密な膜厚のシリコンオキシナイトライド層を
成形することができる。
の酸化熱処理では，Ａ' 及びＢ' を参照して，窒化シリ
コン層の酸化終了後もシリコンオキシナイトライド層の
膜厚の増加速度は余り変化しない。このため，窒化シリ
コン層の当初膜厚のばらつくため酸化終了時が変化して
も，それによるシリコンオキシナイトライド層の膜厚の
ばらつきは非常に小さい。従って，酸化時間の制御のみ
で容易に精密な膜厚のシリコンオキシナイトライド層を
成形することができる。
【００２５】上述のように，酸素と窒素との混合ガス中
での酸化では，シリコンオキシナイトライド層の形成速
度が窒化シリコン層の酸化終了後も殆ど変化しない。本
発明の発明者は，これは熱処理雰囲気中の酸素分圧が低
いためであると考えている。従って，低い酸素分圧を生
ずるガス中で酸化することにより同様の効果を得ること
ができる。例えばＮＯ又はＮ2 Ｏ，又はそれらと窒素と
の混合ガス，さらにはＮＯ又はＮ2 Ｏを含む不活性ガス
を雰囲気とすることができる。この例示するＮＯ又はＮ
2 Ｏは，分解して発生基の酸素及び窒素を生じ，低温で
の酸化を容易にすると同時に，窒化を促進し，形成され
るシリコンオキシナイトライド層の窒素濃度を高く維持
する。又，雰囲気中の窒素は，窒素の外方拡散を防止し
シリコンオキシナイトライド層の窒素濃度維持に寄与す
る。
での酸化では，シリコンオキシナイトライド層の形成速
度が窒化シリコン層の酸化終了後も殆ど変化しない。本
発明の発明者は，これは熱処理雰囲気中の酸素分圧が低
いためであると考えている。従って，低い酸素分圧を生
ずるガス中で酸化することにより同様の効果を得ること
ができる。例えばＮＯ又はＮ2 Ｏ，又はそれらと窒素と
の混合ガス，さらにはＮＯ又はＮ2 Ｏを含む不活性ガス
を雰囲気とすることができる。この例示するＮＯ又はＮ
2 Ｏは，分解して発生基の酸素及び窒素を生じ，低温で
の酸化を容易にすると同時に，窒化を促進し，形成され
るシリコンオキシナイトライド層の窒素濃度を高く維持
する。又，雰囲気中の窒素は，窒素の外方拡散を防止し
シリコンオキシナイトライド層の窒素濃度維持に寄与す
る。
【００２６】従って，本構成により，窒化シリコン層を
低温で酸化でき，かつ精密な膜厚と高い窒素濃度を有す
るシリコンオキシナイトライド層を容易に形成すること
ができる。なお，本構成では，窒化シリコンを酸化して
シリコンオキシナイトライドを形成するから，ＳｉＯ2
を窒化する従来法より窒素濃度の高いシリコンオキシナ
イトライド層を形成することができる。
低温で酸化でき，かつ精密な膜厚と高い窒素濃度を有す
るシリコンオキシナイトライド層を容易に形成すること
ができる。なお，本構成では，窒化シリコンを酸化して
シリコンオキシナイトライドを形成するから，ＳｉＯ2
を窒化する従来法より窒素濃度の高いシリコンオキシナ
イトライド層を形成することができる。
【００２７】本発明の第五の構成では，図４（ａ）を参
照して，Ｓｉ基板１表面に形成された熱酸化膜４（Ｓｉ
Ｏ2 ）上にＣＶＤ法により窒素ドープＣＶＤ膜５（Ｓｉ
Ｏ2）を堆積し，これを拡散熱処理してシリコンオキシ
ナイトライド層２ａを形成する。
照して，Ｓｉ基板１表面に形成された熱酸化膜４（Ｓｉ
Ｏ2 ）上にＣＶＤ法により窒素ドープＣＶＤ膜５（Ｓｉ
Ｏ2）を堆積し，これを拡散熱処理してシリコンオキシ
ナイトライド層２ａを形成する。
【００２８】即ち，本構成では，熱酸化膜４上に窒素ド
ープＣＶＤ膜５を重畳し，熱処理によりＣＶＤ膜５から
熱酸化膜４中へ窒素を拡散させることで熱酸化膜４をシ
リコンオキシナイドライドに変換する。従って，図４
（ｂ）を参照して，シリコンオキシナイトライド層２ａ
は，ＣＶＤ膜５であった層からなる窒素濃度が高い高窒
化シリコンオキシナイトライド層５ａの上層部分と，熱
酸化膜４であった層からなる窒素濃度が低い低シリコン
オキシナイトライド層４ａの下層部分との二層からな
る。このため，これをゲート絶縁膜とする本構成に係る
電界効果トランジスタでは，チャネルに接するゲート絶
縁層下層の窒素濃度が低く大きな電子易動度を生ずるの
で，優れた高周波特性を有する。一方，ゲート絶縁膜の
上層部分には高窒素濃度の高窒化シリコンオキシナイト
ライド層５ａがあるため，ゲート絶縁膜上に形成された
ゲート電極からチャネル領域への不純物拡散は有効に阻
止される。従って，薄いゲート絶縁膜でも安定に微細な
トランジスタを製造できる。
ープＣＶＤ膜５を重畳し，熱処理によりＣＶＤ膜５から
熱酸化膜４中へ窒素を拡散させることで熱酸化膜４をシ
リコンオキシナイドライドに変換する。従って，図４
（ｂ）を参照して，シリコンオキシナイトライド層２ａ
は，ＣＶＤ膜５であった層からなる窒素濃度が高い高窒
化シリコンオキシナイトライド層５ａの上層部分と，熱
酸化膜４であった層からなる窒素濃度が低い低シリコン
オキシナイトライド層４ａの下層部分との二層からな
る。このため，これをゲート絶縁膜とする本構成に係る
電界効果トランジスタでは，チャネルに接するゲート絶
縁層下層の窒素濃度が低く大きな電子易動度を生ずるの
で，優れた高周波特性を有する。一方，ゲート絶縁膜の
上層部分には高窒素濃度の高窒化シリコンオキシナイト
ライド層５ａがあるため，ゲート絶縁膜上に形成された
ゲート電極からチャネル領域への不純物拡散は有効に阻
止される。従って，薄いゲート絶縁膜でも安定に微細な
トランジスタを製造できる。
【００２９】さらに，本構成にかかるシリコンオキシナ
イトライド層２ａでは，ＣＶＤ法で堆積して形成された
シリコンオキシナイトライド層に見られるウイークポイ
ントと呼ばれる絶縁耐圧の小さな点状領域の発生が少な
い。従って，製造歩留りを向上することができる。ま
た，ＣＶＤ法では，ＳｉＯ2 を窒化するより高窒素濃度
のシリコンオキシナイトライドを堆積できるから，熱酸
化膜４を薄くすることで高窒素濃度のゲート絶縁膜を形
成することができる。
イトライド層２ａでは，ＣＶＤ法で堆積して形成された
シリコンオキシナイトライド層に見られるウイークポイ
ントと呼ばれる絶縁耐圧の小さな点状領域の発生が少な
い。従って，製造歩留りを向上することができる。ま
た，ＣＶＤ法では，ＳｉＯ2 を窒化するより高窒素濃度
のシリコンオキシナイトライドを堆積できるから，熱酸
化膜４を薄くすることで高窒素濃度のゲート絶縁膜を形
成することができる。
【００３０】なお，この拡散熱処理は，例えば１０５０
℃，２０秒間という短時間でなされるから，この熱処理
が微細素子の製造に与える悪影響は問題とされない程小
さい。
℃，２０秒間という短時間でなされるから，この熱処理
が微細素子の製造に与える悪影響は問題とされない程小
さい。
【００３１】また，本構成では，熱酸化膜４の一部の
層，即ちＣＶＤ膜との界面近傍の表層部分のみを窒化
し，熱酸化膜４の下層部分をＳｉＯ2 のままとすること
もできる。これにより，チャネルの電子易動度を高くす
ることができる。さらに，ＣＶＤ膜の堆積前に熱酸化膜
４中にハロゲンを含有させることで，拡散熱処理温度を
低くすることもできる。
層，即ちＣＶＤ膜との界面近傍の表層部分のみを窒化
し，熱酸化膜４の下層部分をＳｉＯ2 のままとすること
もできる。これにより，チャネルの電子易動度を高くす
ることができる。さらに，ＣＶＤ膜の堆積前に熱酸化膜
４中にハロゲンを含有させることで，拡散熱処理温度を
低くすることもできる。
【００３２】
【実施例】本発明を実施例を参照して説明する。本発明
の第一実施例は，ＳｉＯ2 を酸化することで，Ｓｉ基板
表面にゲート絶縁膜としてシリコンオキシナイトライド
層を形成する電子デバイスの製造に関する。
の第一実施例は，ＳｉＯ2 を酸化することで，Ｓｉ基板
表面にゲート絶縁膜としてシリコンオキシナイトライド
層を形成する電子デバイスの製造に関する。
【００３３】先ず，図１（ａ）を参照して，Ｓｉ基板１
表面に熱酸化により厚さ４nmＳｉＯ 2 層２を形成した。
なお，ＳｉＯ2 層２は他の方法，例えばＣＶＤ法により
形成することもできる。
表面に熱酸化により厚さ４nmＳｉＯ 2 層２を形成した。
なお，ＳｉＯ2 層２は他の方法，例えばＣＶＤ法により
形成することもできる。
【００３４】次いで，図１（ｂ）を参照して，イオン注
入によりＳｉＯ2 層２中にＦイオンを注入した。注入条
件は，加速エネルギーを５KeV ，ドーズ量を５×１０15
/cm2とした。なお，イオン注入に代えて，弗素を含むガ
ス，例えばＦ2 ，ＨＦ又はＨＦ3 中で又はその希釈ガス
中で熱処理することにより，ＳｉＯ2 層２中にＦを含有
させることができる。具体的には，１％のＦを含むＡｒ
ガス中で，９００℃，１分間の熱処理をすることで，厚
さ４nmのＳｉＯ2 層２に弗素を含有させることができ
る。
入によりＳｉＯ2 層２中にＦイオンを注入した。注入条
件は，加速エネルギーを５KeV ，ドーズ量を５×１０15
/cm2とした。なお，イオン注入に代えて，弗素を含むガ
ス，例えばＦ2 ，ＨＦ又はＨＦ3 中で又はその希釈ガス
中で熱処理することにより，ＳｉＯ2 層２中にＦを含有
させることができる。具体的には，１％のＦを含むＡｒ
ガス中で，９００℃，１分間の熱処理をすることで，厚
さ４nmのＳｉＯ2 層２に弗素を含有させることができ
る。
【００３５】次いで，５％のアンモニアを含む窒素ガス
を２SLM 流した中で熱処理し，ＳｉＯ2 層２を窒化し
た。この窒化は，雰囲気圧力を１００Torrとし，１００
０℃，１０分の熱処理により行った。この工程におい
て，図１（ｃ）を参照して，ＳｉＯ2 層２は表面から窒
化が進行しシリコンオキシナイトライド層２ａが形成さ
れる。さらに，窒化が進むと，図１（ｄ）を参照して，
ＳｉＯ2 層２全体がシリコンオキシナイトライド層２ａ
となる。
を２SLM 流した中で熱処理し，ＳｉＯ2 層２を窒化し
た。この窒化は，雰囲気圧力を１００Torrとし，１００
０℃，１０分の熱処理により行った。この工程におい
て，図１（ｃ）を参照して，ＳｉＯ2 層２は表面から窒
化が進行しシリコンオキシナイトライド層２ａが形成さ
れる。さらに，窒化が進むと，図１（ｄ）を参照して，
ＳｉＯ2 層２全体がシリコンオキシナイトライド層２ａ
となる。
【００３６】以上の工程によりゲート絶縁膜となるべき
シリコンオキシナイトライド層２ａが形成される。以
下，通常の電界効果トランジスタの製造工程により電子
デバイスを製造する。
シリコンオキシナイトライド層２ａが形成される。以
下，通常の電界効果トランジスタの製造工程により電子
デバイスを製造する。
【００３７】本実施例によれば，低温熱処理でシリコン
オキシナイトライド層を形成でき，さらにシリコンオキ
シナイトライド層の脱水素熱処理が不要であるから，熱
処理による電子デバイス製造への影響を小さくすること
ができる。
オキシナイトライド層を形成でき，さらにシリコンオキ
シナイトライド層の脱水素熱処理が不要であるから，熱
処理による電子デバイス製造への影響を小さくすること
ができる。
【００３８】本発明の第二実施例は，窒化シリコン層を
酸化してシリコンオキシナイトライド層を成形する電子
デバイスの製造に関する。図２（ａ）を参照して，先
ず，Ｓｉ基板１表面に厚さ４nmの窒化シリコン層６を形
成する。窒化シリコン層６は，５％のアンモニアを含む
窒素の圧力１００Torrの雰囲気中で，５５０℃，１０分
間の熱処理によりＳｉ基板１表面を窒化して形成した。
他に，通常用いられる窒化シリコン層の形成方法，例え
ばＣＶＤ法によることもできる。
酸化してシリコンオキシナイトライド層を成形する電子
デバイスの製造に関する。図２（ａ）を参照して，先
ず，Ｓｉ基板１表面に厚さ４nmの窒化シリコン層６を形
成する。窒化シリコン層６は，５％のアンモニアを含む
窒素の圧力１００Torrの雰囲気中で，５５０℃，１０分
間の熱処理によりＳｉ基板１表面を窒化して形成した。
他に，通常用いられる窒化シリコン層の形成方法，例え
ばＣＶＤ法によることもできる。
【００３９】次いで，図２（ｂ）を参照して，１０％の
酸素を含む圧力１００Torrの窒素中で熱処理して，窒化
シリコン層６を表層から酸化し，シリコンオキシナイト
ライド層を形成する。１０００℃，６０分間の熱処理に
より，図２（ｃ）を参照して，４nmの厚さの窒化シリコ
ン層６をシリコンナイトライド層２ａにすることができ
た。この６０分間の熱処理時間は，十分なオーバアニー
ルを考慮したもので，確実に窒化シリコン層６を酸化で
きる時間である。他方，このオーバアニールにより生ず
るシリコンナイトライド層２ａの膜厚のばらつきは０．
１nm以内に抑えられている。
酸素を含む圧力１００Torrの窒素中で熱処理して，窒化
シリコン層６を表層から酸化し，シリコンオキシナイト
ライド層を形成する。１０００℃，６０分間の熱処理に
より，図２（ｃ）を参照して，４nmの厚さの窒化シリコ
ン層６をシリコンナイトライド層２ａにすることができ
た。この６０分間の熱処理時間は，十分なオーバアニー
ルを考慮したもので，確実に窒化シリコン層６を酸化で
きる時間である。他方，このオーバアニールにより生ず
るシリコンナイトライド層２ａの膜厚のばらつきは０．
１nm以内に抑えられている。
【００４０】なお，この酸化の熱処理温度は８００〜９
００℃とすることができる。これにより，より低温で製
造ができるようになり，また膜厚制御もより精密にでき
るようになる。かかる低温で形成されたシリコンナイト
ライド層２ａは，絶縁膜としての品質を向上するために
高温で短時間の熱処理，例えば１０５０℃，２０秒間の
熱処理をすることが望ましい。既述のように，この短時
間の熱処理は素子の製造において何ら問題にはならな
い。
００℃とすることができる。これにより，より低温で製
造ができるようになり，また膜厚制御もより精密にでき
るようになる。かかる低温で形成されたシリコンナイト
ライド層２ａは，絶縁膜としての品質を向上するために
高温で短時間の熱処理，例えば１０５０℃，２０秒間の
熱処理をすることが望ましい。既述のように，この短時
間の熱処理は素子の製造において何ら問題にはならな
い。
【００４１】本実施例により形成されたシリコンオキシ
ナイトライド層２ａの窒素含有量は５〜６％であり，従
来の方法により形成した場合の３〜４％に比べて略５０
％高濃度であった。
ナイトライド層２ａの窒素含有量は５〜６％であり，従
来の方法により形成した場合の３〜４％に比べて略５０
％高濃度であった。
【００４２】本実施例において，窒化シリコン層の酸化
を，ＮＯ若しくはＮ2 Ｏ中で, 又はそれらと窒素との混
合ガスとすることで, より高窒素濃度のシリコンオキシ
ナイトライド層を形成することができる。例えば，１０
０％のＮ2 Ｏ中で酸化することにより，本実施例よりも
窒素含有量が１０％高いシリコンオキシナイトライド層
が形成された。また，シリコンオキシナイトライド層表
面の窒素濃度の低下が抑制された。
を，ＮＯ若しくはＮ2 Ｏ中で, 又はそれらと窒素との混
合ガスとすることで, より高窒素濃度のシリコンオキシ
ナイトライド層を形成することができる。例えば，１０
０％のＮ2 Ｏ中で酸化することにより，本実施例よりも
窒素含有量が１０％高いシリコンオキシナイトライド層
が形成された。また，シリコンオキシナイトライド層表
面の窒素濃度の低下が抑制された。
【００４３】次いで，通常の電界効果トランジスタの製
造工程に従い電子デバイスを製造した。本発明の第三実
施例は，ＣＶＤ膜を用いてシリコンオキシナイトライド
層を形成する方法に関する。
造工程に従い電子デバイスを製造した。本発明の第三実
施例は，ＣＶＤ膜を用いてシリコンオキシナイトライド
層を形成する方法に関する。
【００４４】図４（ａ）を参照して，Ｓｉ基板１表面に
酸素中，８００℃の熱処理により厚さ２nmのＳｉＯ2 か
らなる熱酸化膜４を形成する。次いで，熱酸化膜４上
に，厚さ３nmのシリコンオキシナイトライドからなるＣ
ＶＤ膜５を堆積する。ＣＶＤ膜５の堆積条件は，例えば
流量１０SCCMのジクロロシラン, 流量８００SCCMのアン
モニア及び流量SCCMの５Ｎ2 Ｏからなる圧力１０Torrの
雰囲気中で，８００℃，１０分間とする。なお，堆積中
にアンモニア流量を０から８００SCCMまで連続的に変え
ることにより，表面での窒素濃度を大きくしてもよい。
酸素中，８００℃の熱処理により厚さ２nmのＳｉＯ2 か
らなる熱酸化膜４を形成する。次いで，熱酸化膜４上
に，厚さ３nmのシリコンオキシナイトライドからなるＣ
ＶＤ膜５を堆積する。ＣＶＤ膜５の堆積条件は，例えば
流量１０SCCMのジクロロシラン, 流量８００SCCMのアン
モニア及び流量SCCMの５Ｎ2 Ｏからなる圧力１０Torrの
雰囲気中で，８００℃，１０分間とする。なお，堆積中
にアンモニア流量を０から８００SCCMまで連続的に変え
ることにより，表面での窒素濃度を大きくしてもよい。
【００４５】次いで，１０５０℃，２０秒間の拡散熱処
理により，図４（ｂ）を参照して，熱酸化膜４をＣＶＤ
膜５から拡散した窒素により窒化し，低窒化シリコンオ
キシナイトライド層４ａに変換した。これにより，上層
が従来法より１０％窒素濃度が高い高窒化シリコンオキ
シナイトライド層５ａからなり，下層が高窒化シリコン
オキシナイトライド層５ａより低窒素濃度の低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａからなるシリコンオキシ
ナイトライド層が形成される。
理により，図４（ｂ）を参照して，熱酸化膜４をＣＶＤ
膜５から拡散した窒素により窒化し，低窒化シリコンオ
キシナイトライド層４ａに変換した。これにより，上層
が従来法より１０％窒素濃度が高い高窒化シリコンオキ
シナイトライド層５ａからなり，下層が高窒化シリコン
オキシナイトライド層５ａより低窒素濃度の低窒化シリ
コンオキシナイトライド層４ａからなるシリコンオキシ
ナイトライド層が形成される。
【００４６】以下，通常の電界効果トランジスタの製造
工程に従って電子デバイスを製造する。
工程に従って電子デバイスを製造する。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば，ＳｉＯ2 層を低温で熱
処理することよりシリコンオキシナイトライド層とする
ことができから，容易に微細な電子デバイスを製造する
ことができる。
処理することよりシリコンオキシナイトライド層とする
ことができから，容易に微細な電子デバイスを製造する
ことができる。
【００４８】また，窒化シリコン層を酸化して，精密な
膜厚を有しかつ高窒素濃度のシリコンオキシナイトライ
ド層を形成することができる。さらに，欠陥が少なく，
かつゲート電極側で窒素濃度が高くチャネル側で窒素濃
度が低いゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタを
容易に製造できる。
膜厚を有しかつ高窒素濃度のシリコンオキシナイトライ
ド層を形成することができる。さらに，欠陥が少なく，
かつゲート電極側で窒素濃度が高くチャネル側で窒素濃
度が低いゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタを
容易に製造できる。
【００４９】従って，絶縁膜として優れた特性のシリコ
ンオキシナイトライド層を有する電子デバイスを製造す
ることができるので，電子デバイスの特性向上に寄与す
るところが大きい。
ンオキシナイトライド層を有する電子デバイスを製造す
ることができるので，電子デバイスの特性向上に寄与す
るところが大きい。
【図１】 本発明の第一実施例断面工程図
【図２】 本発明の第二実施例断面工程図
【図３】 シリコンオキシナイトライド層膜厚の窒化シ
リコン層酸化時間依存性を表す図
リコン層酸化時間依存性を表す図
【図４】 本発明の第三実施例断面工程図
【図５】 従来例断面工程図
１ Ｓｉ基板 ２ ＳｉＯ2 層 ２ａ シリコンオキシナイトライド層 ３ Ｆイオン ４ 熱酸化膜 ４ａ 低窒化シリコンオキシナイトライド層 ５ ＣＶＤ膜 ５ａ 高窒化シリコンオキシナイトライド層 ６ 窒化シリコン層
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコンオキシナイトライド層（２ａ）
を絶縁膜として有する半導体装置の製造方法において，
Ｓｉ基板（１）表面にハロゲンを含有するＳｉＯ2 層
（２）を形成する工程と，該ハロゲンを含有するＳｉＯ
2 層（２）を窒化して該シリコンオキシナイトライド層
（２ａ）に変換する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて，該ハロゲンを含有するＳｉＯ2 層（２）を，該
Ｓｉ基板（１）表面に形成されたＳｉＯ2 層（２）へハ
ロゲンをイオン注入して形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 シリコンオキシナイトライド層（２ａ）
を絶縁膜として有する半導体装置の製造方法において，
Ｓｉ基板（１）表面に窒化シリコン層（６）を形成する
工程と，酸素及び窒素を含む混合ガス中で熱処理して，
該窒化シリコン層（６）を該シリコンオキシナイトライ
ド層（２ａ）に変換する工程とを有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて，該混合ガスに代えて，ＮＯ及びＮ2 Ｏのうちの
少なくとも一つのガス及び窒素を含む混合ガスとするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 シリコンオキシナイトライド層（２ａ）
をゲート絶縁膜とする電界効果トランジスタを有する半
導体装置の製造方法において，Ｓｉ基板（１）表面を熱
酸化して該Ｓｉ基板（１）表面にＳｉＯ2 からなる熱酸
化膜（４）を形成する工程と，ＣＶＤ（化学気相堆積）
法により該熱酸化膜（４）の表面にシリコンオキシナイ
トライドからなるＣＶＤ膜（５）を堆積する工程と，次
いで，該ＣＶＤ膜（５）から該熱酸化膜（４）へ酸素を
拡散させる拡散熱処理により，該熱酸化膜（４）のうち
少なくとも該ＣＶＤ膜（５）と接する表層を該拡散熱処
理後の該ＣＶＤ膜（５）よりも窒素濃度が低い低窒化シ
リコンオキシナイトライド層（４ａ）に変換し，該低窒
化シリコンオキシナイトライド層（４ａ）及び該ＣＶＤ
膜（５）からなる該シリコンオキシナイトライド層（２
ａ）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014734A JPH07221092A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6014734A JPH07221092A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221092A true JPH07221092A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11869362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014734A Pending JPH07221092A (ja) | 1994-02-09 | 1994-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221092A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027977A (en) * | 1997-05-14 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device with MIS structure |
| JP2006339624A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-14 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
| WO2007139141A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| JP2013521653A (ja) * | 2010-03-02 | 2013-06-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 単一ステップによる選択的窒化の方法および装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4978483A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 | ||
| JPH01134936A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH05145069A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05251439A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の絶縁膜形成方法 |
-
1994
- 1994-02-09 JP JP6014734A patent/JPH07221092A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4978483A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 | ||
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| WO2007139141A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Limited | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2007139141A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
| US7960293B2 (en) | 2006-05-31 | 2011-06-14 | Tokyo Electron Limited | Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2013521653A (ja) * | 2010-03-02 | 2013-06-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 単一ステップによる選択的窒化の方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030107 |