JPS60161619A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPS60161619A JPS60161619A JP1522484A JP1522484A JPS60161619A JP S60161619 A JPS60161619 A JP S60161619A JP 1522484 A JP1522484 A JP 1522484A JP 1522484 A JP1522484 A JP 1522484A JP S60161619 A JPS60161619 A JP S60161619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating
- heated
- electromagnetic induction
- wafer
- heating body
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010445 mica Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は加熱技術、特に半導体ウェハやマスクのホトリ
ソグラフィ工程における乾燥に適用して効果のある技術
に関する。
ソグラフィ工程における乾燥に適用して効果のある技術
に関する。
ホトリソグラフィ工程でウェハの製造用として使用され
る加熱ベーク炉においては、加熱体としてマイカヒータ
を密封したものを用いることが考えられる。この加熱体
はベース上に固定されており、着脱ができない上に、清
浄が困難で、製品の信頼性が低下する。また、一体構造
であるため、被加熱物であるウェハの径が変るたびに別
の加熱体を作り直さなければならない。
る加熱ベーク炉においては、加熱体としてマイカヒータ
を密封したものを用いることが考えられる。この加熱体
はベース上に固定されており、着脱ができない上に、清
浄が困難で、製品の信頼性が低下する。また、一体構造
であるため、被加熱物であるウェハの径が変るたびに別
の加熱体を作り直さなければならない。
しかも、この加熱体が高温になると、熱伝導により加熱
体部の周囲も高温になってしまうため、周囲の機構部に
反りが生じたり、熱による安全性の低下を来たすという
問題もあることが本発明者によって見い出された。
体部の周囲も高温になってしまうため、周囲の機構部に
反りが生じたり、熱による安全性の低下を来たすという
問題もあることが本発明者によって見い出された。
〔発明の目的〕・一
本発明の目的は、形状、大きさ等の異なる仕様の被加熱
物を同一の装置を用いて加熱処理でき得る技術を提供す
るものである。
物を同一の装置を用いて加熱処理でき得る技術を提供す
るものである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被加熱物を載置する加熱体と電磁誘導加熱源
を分離し、互いに着脱自在とすることにより、被加熱物
の形状、大きさが変動した場合にも容易に対応できるも
のである。
を分離し、互いに着脱自在とすることにより、被加熱物
の形状、大きさが変動した場合にも容易に対応できるも
のである。
第1図は本発明の一実施例である加熱装置の部分平面図
、第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。
、第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。
本実施例において、支持台1の上には、複数の支持ピン
2および支持板3を介して、電源(図示せず)に接続さ
れた電磁誘導加熱源である加熱コイル4(マイカヒータ
)が着脱自在に支持されている。
2および支持板3を介して、電源(図示せず)に接続さ
れた電磁誘導加熱源である加熱コイル4(マイカヒータ
)が着脱自在に支持されている。
また、支持台1の上には、複数の支柱5を介してセラミ
ック等のベース6が加熱コイル4よりも上方に支持され
ている。このが−ス6と加熱コイル4との間には所定の
空間が形成されている。
ック等のベース6が加熱コイル4よりも上方に支持され
ている。このが−ス6と加熱コイル4との間には所定の
空間が形成されている。
さらに、前記ベース6の上には、略円形の加熱体8が複
数の支持ピン7を介して着脱自在に支持されている。こ
の加熱体8の上には、被加熱物であるウェハ9が載置さ
れる。そのため、加熱体8にはウェハ吸着固定用の真空
吸着孔10が形成されており、ポンプ等(図示せず)に
接続された排気管13を介して真空引きされる。
数の支持ピン7を介して着脱自在に支持されている。こ
の加熱体8の上には、被加熱物であるウェハ9が載置さ
れる。そのため、加熱体8にはウェハ吸着固定用の真空
吸着孔10が形成されており、ポンプ等(図示せず)に
接続された排気管13を介して真空引きされる。
また、支持台1の上には、スタッド11を介してガラス
キャップ12が支持されている。
キャップ12が支持されている。
本実施例において、加熱体8は加熱コイル4との渦電流
による電磁誘導加熱作用によって発熱し、ウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
による電磁誘導加熱作用によって発熱し、ウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
すなわち、加熱コイル4により、加熱体8が電磁誘導作
用を受けて発熱し、加熱体8に載置されたウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
用を受けて発熱し、加熱体8に載置されたウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
しかも、加熱体8にはウェハ9を均一に加熱するための
吸着加熱機構が設けられているので、ウェハ9の全体に
わたって均一に加熱することができる。
吸着加熱機構が設けられているので、ウェハ9の全体に
わたって均一に加熱することができる。
また、装置内が汚れた場合には、加熱体8、及び加熱コ
イル4を簡単に取り外して掃除できるので、清浄な装置
によってウェハ9を汚すことなく加熱することができる
。
イル4を簡単に取り外して掃除できるので、清浄な装置
によってウェハ9を汚すことなく加熱することができる
。
1、被加熱物を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を
分離し、互いに着脱自在としたことにより、形状、大き
さ等の異なる仕様の加熱物でも同一の装置を用いて加熱
処理することができる。
分離し、互いに着脱自在としたことにより、形状、大き
さ等の異なる仕様の加熱物でも同一の装置を用いて加熱
処理することができる。
2、加熱体は、試料を吸着加熱し得る構造になっている
ため、試料全体にわたって均一に加熱処理できる。
ため、試料全体にわたって均一に加熱処理できる。
3、加熱体を円形にすることにより、さらに試料全体に
わたって均一に加熱処理できる。
わたって均一に加熱処理できる。
4、加熱体と電磁誘導源との間に、適当なすき間を設け
たことにより、加熱体周囲への熱伝導が少なくできるた
め熱による周辺機構部の反り等を防止できる。
たことにより、加熱体周囲への熱伝導が少なくできるた
め熱による周辺機構部の反り等を防止できる。
5、被加熱物を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を
分離し、互いに着脱自在にしたことにより、装置の掃除
を簡単にできる。
分離し、互いに着脱自在にしたことにより、装置の掃除
を簡単にできる。
6、装置の掃除を簡単に行なうことができるため、常に
清浄な装置によって試料を汚すことな(加熱処理できる
。
清浄な装置によって試料を汚すことな(加熱処理できる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、加熱体の形状、加熱体と加熱コイルとの距離
等、他の様々な変形が可能である。
等、他の様々な変形が可能である。
以上の説、明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるウェハの加熱に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、ホトマスク等の他の被加熱物の加
熱に広く適用できる。
明をその背景となった利用分野であるウェハの加熱に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、ホトマスク等の他の被加熱物の加
熱に広く適用できる。
第1図は本発明の一実施例である加熱装置の部分平面図
、 第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。 1・・・支持台、2・・・支持ピン、3・・・支持板、
4・・・加熱コイル(電磁誘導加熱源)、訃・・支柱、
6・・・ベース(支持体)、7・・・支持ピン、8・・
・加熱体、9・・・ウェハ(被加熱物)、10・・・真
空吸着孔、11・・・スタッド、12・・・ガラスキャ
ップ、13・・・排気管。 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 1 図 第 2 図
、 第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。 1・・・支持台、2・・・支持ピン、3・・・支持板、
4・・・加熱コイル(電磁誘導加熱源)、訃・・支柱、
6・・・ベース(支持体)、7・・・支持ピン、8・・
・加熱体、9・・・ウェハ(被加熱物)、10・・・真
空吸着孔、11・・・スタッド、12・・・ガラスキャ
ップ、13・・・排気管。 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電磁誘導による加熱を行う装置において、被加熱物
を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を分離し、互い
に着脱自在としたことを特徴とする加熱装置。 2、加熱体は、電磁誘導加熱源から離れて支持されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の加熱装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1522484A JPS60161619A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1522484A JPS60161619A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60161619A true JPS60161619A (ja) | 1985-08-23 |
Family
ID=11882891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1522484A Pending JPS60161619A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60161619A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
DE10334434B4 (de) * | 2002-12-17 | 2006-09-14 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren und Gerät zum Reinigen eines Halbleitersubstrats |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP1522484A patent/JPS60161619A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
DE10334434B4 (de) * | 2002-12-17 | 2006-09-14 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren und Gerät zum Reinigen eines Halbleitersubstrats |
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