JPS60161619A - 加熱装置 - Google Patents

加熱装置

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Publication number
JPS60161619A
JPS60161619A JP1522484A JP1522484A JPS60161619A JP S60161619 A JPS60161619 A JP S60161619A JP 1522484 A JP1522484 A JP 1522484A JP 1522484 A JP1522484 A JP 1522484A JP S60161619 A JPS60161619 A JP S60161619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating
heated
electromagnetic induction
wafer
heating body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1522484A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Iwama
悟 岩間
Fumio Nakayama
文雄 中山
Fumio Arai
新井 文雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1522484A priority Critical patent/JPS60161619A/ja
Publication of JPS60161619A publication Critical patent/JPS60161619A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は加熱技術、特に半導体ウェハやマスクのホトリ
ソグラフィ工程における乾燥に適用して効果のある技術
に関する。
〔背景技術〕
ホトリソグラフィ工程でウェハの製造用として使用され
る加熱ベーク炉においては、加熱体としてマイカヒータ
を密封したものを用いることが考えられる。この加熱体
はベース上に固定されており、着脱ができない上に、清
浄が困難で、製品の信頼性が低下する。また、一体構造
であるため、被加熱物であるウェハの径が変るたびに別
の加熱体を作り直さなければならない。
しかも、この加熱体が高温になると、熱伝導により加熱
体部の周囲も高温になってしまうため、周囲の機構部に
反りが生じたり、熱による安全性の低下を来たすという
問題もあることが本発明者によって見い出された。
〔発明の目的〕・一 本発明の目的は、形状、大きさ等の異なる仕様の被加熱
物を同一の装置を用いて加熱処理でき得る技術を提供す
るものである。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被加熱物を載置する加熱体と電磁誘導加熱源
を分離し、互いに着脱自在とすることにより、被加熱物
の形状、大きさが変動した場合にも容易に対応できるも
のである。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である加熱装置の部分平面図
、第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。
本実施例において、支持台1の上には、複数の支持ピン
2および支持板3を介して、電源(図示せず)に接続さ
れた電磁誘導加熱源である加熱コイル4(マイカヒータ
)が着脱自在に支持されている。
また、支持台1の上には、複数の支柱5を介してセラミ
ック等のベース6が加熱コイル4よりも上方に支持され
ている。このが−ス6と加熱コイル4との間には所定の
空間が形成されている。
さらに、前記ベース6の上には、略円形の加熱体8が複
数の支持ピン7を介して着脱自在に支持されている。こ
の加熱体8の上には、被加熱物であるウェハ9が載置さ
れる。そのため、加熱体8にはウェハ吸着固定用の真空
吸着孔10が形成されており、ポンプ等(図示せず)に
接続された排気管13を介して真空引きされる。
また、支持台1の上には、スタッド11を介してガラス
キャップ12が支持されている。
本実施例において、加熱体8は加熱コイル4との渦電流
による電磁誘導加熱作用によって発熱し、ウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
すなわち、加熱コイル4により、加熱体8が電磁誘導作
用を受けて発熱し、加熱体8に載置されたウェハ9を所
望温度に加熱することができる。
しかも、加熱体8にはウェハ9を均一に加熱するための
吸着加熱機構が設けられているので、ウェハ9の全体に
わたって均一に加熱することができる。
また、装置内が汚れた場合には、加熱体8、及び加熱コ
イル4を簡単に取り外して掃除できるので、清浄な装置
によってウェハ9を汚すことなく加熱することができる
〔効果〕
1、被加熱物を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を
分離し、互いに着脱自在としたことにより、形状、大き
さ等の異なる仕様の加熱物でも同一の装置を用いて加熱
処理することができる。
2、加熱体は、試料を吸着加熱し得る構造になっている
ため、試料全体にわたって均一に加熱処理できる。
3、加熱体を円形にすることにより、さらに試料全体に
わたって均一に加熱処理できる。
4、加熱体と電磁誘導源との間に、適当なすき間を設け
たことにより、加熱体周囲への熱伝導が少なくできるた
め熱による周辺機構部の反り等を防止できる。
5、被加熱物を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を
分離し、互いに着脱自在にしたことにより、装置の掃除
を簡単にできる。
6、装置の掃除を簡単に行なうことができるため、常に
清浄な装置によって試料を汚すことな(加熱処理できる
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、加熱体の形状、加熱体と加熱コイルとの距離
等、他の様々な変形が可能である。
〔利用分野〕
以上の説、明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるウェハの加熱に適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、ホトマスク等の他の被加熱物の加
熱に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である加熱装置の部分平面図
、 第2図はその一部を断面図で示す拡大側面図である。 1・・・支持台、2・・・支持ピン、3・・・支持板、
4・・・加熱コイル(電磁誘導加熱源)、訃・・支柱、
6・・・ベース(支持体)、7・・・支持ピン、8・・
・加熱体、9・・・ウェハ(被加熱物)、10・・・真
空吸着孔、11・・・スタッド、12・・・ガラスキャ
ップ、13・・・排気管。 代理人 弁理士 高 橋 明 失 策 1 図 第 2 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電磁誘導による加熱を行う装置において、被加熱物
    を載置する加熱体および電磁誘導加熱源を分離し、互い
    に着脱自在としたことを特徴とする加熱装置。 2、加熱体は、電磁誘導加熱源から離れて支持されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の加熱装
    置。
JP1522484A 1984-02-01 1984-02-01 加熱装置 Pending JPS60161619A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1522484A JPS60161619A (ja) 1984-02-01 1984-02-01 加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP1522484A JPS60161619A (ja) 1984-02-01 1984-02-01 加熱装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60161619A true JPS60161619A (ja) 1985-08-23

Family

ID=11882891

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1522484A Pending JPS60161619A (ja) 1984-02-01 1984-02-01 加熱装置

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JP (1) JPS60161619A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01307223A (ja) * 1988-06-06 1989-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジスト硬化用ホットプレート
DE10334434B4 (de) * 2002-12-17 2006-09-14 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Verfahren und Gerät zum Reinigen eines Halbleitersubstrats

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01307223A (ja) * 1988-06-06 1989-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd レジスト硬化用ホットプレート
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