JPS6016058A

JPS6016058A - 光ビ−ム走査装置

Info

Publication number: JPS6016058A
Application number: JP58123374A
Authority: JP
Inventors: Jinichi Hongo; 本郷　仁一; Yoshifumi Honma; 本間　芳文; Shoichi Ito; 伊東　正一; Kimio Tateno; 立野　公男
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-07-08
Filing date: 1983-07-08
Publication date: 1985-01-26
Also published as: EP0134472A3; EP0134472A2; DE3483384D1; EP0134472B1; KR850001424A; US4612555A; KR930005973B1; JPH0475702B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、記録装置や読み取シ装置等に使用する光ビー
ム走査装置に関するものである。

〔発明の背景〕

光ビーム走査装置を用いた記録装置として、特公昭５５
−７１０６０号公報に示されているような電子写真方式
のレーザービームプリンタがある。

このレーザービームプリンタで正規現像方式を用いると
、画像の白い部分に微細な黒い線（以下ひけという）が
発生したシ、文字組シ文字太シ現象が発生することがわ
かった。発明者は、これらの現象が以下に述べる事が原
因となっている事を解明した。

を子写真方式のレーザーと一ムプリンタで正規現像方式
を用いたものの画像記録は、次のように行なわれる。す
なわち、感光ドラムを一様に帯電し、Ｗｉ電された感光
ドラムの表面にレーザービームを照射して形成したスポ
ットで走査露光して電荷潜像を形成する。その後、この
電荷潜像の電荷が残っている領域にトナーを付着させて
画像を印字するものである。このよう外電子写真方式の
レーザーと一ムプリンタにおける反射ビーム光によって
感光ドラムの表面に形成される光ビームスポットのうち
で感光ドラムを感光し得る領域のサイズ、すなわち有効
スポットサイズと印字品質の関係を第１図を用いて説明
する。

第１図囚は感光ドラム１の被走査面上に結像した光ビー
ムスポットの光強度分布を示す。通常、レーザー光の光
量分布け、ガウス分布に従う。光ビームスポットサイズ
は一定にされているので光強度分布は光ビームの総光量
に比例して変動する。

第１図（ト）のＩは光強度強、■は光強度中、■は光強
度器の場合を示し、Ｔ　Ｌは感光体の感光レベルを示す
。

第１図（Ｂ）は、感光体が感光する有効スポットサイズ
を表わし、Ａ−１は光強度が１強」の時の有効スポット
サイズを表わし、Ａ−２は光強度が「中」の時の有効ス
ポットサイズ、Ａ−３は光強度が「弱」の時の有効スポ
ットサイズである。

従って第１図（Ａ＞、（Ｂ）かられかるように感光体の
感光レベルＴＬが一定であるならば、印字に有効なスポ
ットサイズは、第１図（Ｂ）に示すように光強度の強弱
に比例して変化する。

その関係は光強度を１、有効スポットサイズをｄとすれ
ば、光強度変化量Δ■に対し、有効スポットサイズ変化
量Δｄは、大略、Δｄｏｃｉ丁の関係にある。従って、
例えば光強度が９チ変化することにより印字に有効なス
ポットサイズは３％変化することに々る。

次に走査光学系を用いて印字する際の適切な有効スポッ
トサイズについて％第１図０〜■を用いて説明する。第
１回走査を（イ）とする。第１図（０ではＣ−イ、第１
図の）では、Ｄ−イ、第１図■ではＥ−イとする。同様
にして第２回走査を（ロ）、第３回走査を（ハ）、第４
回走査をに）とする。

正規現像方式の電子写真記録の場合、感光ドラム上に光
を照射した部分（図でＯＮで表示の領域）が白に々す、
非照射部分（図でＯＦＦで表示の領域）が黒になる。

光強度が「強」の場合は、第１図０に示すように、有効
スポットサイズ（Ｃ３）が走査線ピッチ（Ｃ１）よシも
大きくカリ、黒線部の幅（Ｃ２）（斜線領域Ｃ２＝２０
１−Ｃ３）は細くなってしまう。この為、文字組シ減少
が生じてしまう。

光強度が「中」、つｔ、！ｌ）光強度が適度な場合、第
１図の）に示すように、有効スポットサイズ（Ｄ３）と
走査線ピッチ（Ｄｌ）が等しくなる。

従って文字細り及び後述する文字太シ現象やひげの発生
はない。

光強度が「弱」の場合は、第２図［Ｆ］に示すように有
効スポットサイズ（Ｅ３）が走査線ピッチ（Ｅｌ）よシ
小さくなって黒線部分の幅（Ｅ２）（斜線領域Ｅ２＝２
Ｅ１−Ｅ３１が太くなったり走査線間にひげ（Ｅ４＝Ｅ
２−Ｅｌ　）が発生する。

このよう外事から光強度が変化して有効スポットサイズ
が変化すると文字組シ、文字太シ現象や、ひげが生じ印
字品質が劣化する。

このような現象は、読み取シ装置の場合には、読み取シ
走査領域が一部重複して読み取シ過多とかったシ、ある
いは読み取シ領域にすきまができて読み取シネ足となっ
て、書画を正確に読み取れないことを意味する。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、走査面上を一定強度の光ビームで正確
に走査できる光ビーム走査装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、レーザー光源への駆動電流を、偏向器への光
ビームの入射角変化に応じて変化する反射ビーム光量を
補償するように、偏向器への光ビームの入射角に応じて
制御する構成としたものである。とのようにして偏向器
を高反射率を有する領域で使用することを可能にすると
同時に走査面に一定強度の光ビームスポットを得られる
ようにした。

〔発明の実施例〕

以下本発明の一実施例を第２図〜第６図を用いて説明す
る。

第２図は、レーザービームプリンタの概略構成を示す斜
視図である。第２図において、最初に結像光学系の説明
をする。第２図において、１１は光源とガるレーザーダ
イオードユニットである。

このレーザーダイオードユニット１１から得られる光出
力の強度は、変調器１００によってレーザーダイオード
に流す駆動電流の大きさで制御する。

レーザーダイオードユニット１１から射出されたレーザ
ー光は、コリメータレンズ１３によって平行なレーザー
ビームとなり、光整形器群１５によって所定の断面形状
に整形される。

次に整形後のレーザービームは、回転多面鏡５０で偏向
される。本実施例では、偏向器に回転多面鏡を用いたが
、ガルバノミラ−でも実施できる。

そして、レーザービームは、Ｆθレンズ１７によって絞
られ、シリンドリカルレンズ１９により面倒れ補正をさ
れ、感光ドラム１上に微小な光ビームスポットを形成す
る。レーザービーム偏向状態は、回転多面鏡５０がスキ
ャナモータ６０によって矢印９１の方向に回転させられ
るのに対応して変化し、光ビームスポットは感光ドラム
１上を矢印９３の方向に動く。

可視画像記録系として、次のようなものを設置する。矢
印９５の方向に回転する感光ドラム１の周囲に電子写真
プロセスに必要な帯電器３、現像器５、転写器７等を配
置し、帯電→露光（静電潜像形成）→現像（トナーによ
る潜像の可視化）→転写のプロセスを経て、記録紙９上
に可視像を記録する。

さらに制御系として、回転多面鏡５０と変調器１００の
同期をとるために、ビーム位置検出用反射鏡２００、光
検出器３００、同期信号発生器４００、印字信号制御器
５００、スキャナモータ制御器６００を設ける。スキャ
ナモータ制御器６００はスキャナモータ５１を定速回転
させてレーザービームをくり返し偏向する。反射鏡２０
０はレーザービームが偏向開始基準位ｆｌＫ達したとき
にこのレーザービームを光検出器３００に反射する。同
期信号発生器４００はレーザービームが光検出器３００
に入射されたときに同期信号を発生する。印字信号制御
器５００は同期信号に基づいて記録情報信号を変調器１
００に与える。

回転多面鏡５０の回転によってレーザービーム（９）スポットで１本の走査線を記録する場合の偏向走査挙動
について第３図を用い説明する。第３図囚は走査開始位
置にあるときの回転多面鏡５０によるレーザービーム偏
向状態を示す。第３図ＣＢ）は走査終了位置での回転多
面鏡５０によるレーザービーム偏向状態を示す。

即ち回転多面鏡５０が１面で１本の走査線を記録するよ
うにレーザービームを偏向走査する場合、偏向走査の中
心軸Ｚに対して偏向走査角度はθ。

〜θ１であシ、その場合回転多面鏡５０に対する光ビー
ムの入射角は、反射面に垂直な面に対しψｏ’＝９’ｏ
’まで変化する。例えば、回転多面鏡５０を８面体、そ
の内接円径を６０目、入射するレーザービーム径を５Ｍ
とした場合、θ０＝θτ中３０°、ψｏ＝３００．ψｏ
’＝６０°程度となる。即ち、回転多面鏡５０に対する
レーザービームの入射角度は３０°〜６０°まで連続的
に変化する。

ところで、回転多面鏡５０の反射率は、反射面例対する
レーザービームの入射角によって変動す（１０）る。つ１す、走査位置に応じて反射率が変化するので、
第１図で述べた光強度が変化し、有効スポットサイズも
それに応じて変化することに７Ｂ、印字品質に悪影咎を
与える。

以下第３図（０及び第４図によって反射率変化の内容を
記述する。回転多面鏡５０は、基材５３そのものを鏡面
化し、あるいは基材上に鏡面体を設け、更にその上を保
護膜５１で覆ったものである。

本実施例ではｈｔ基材を鏡面加工し、作２護膜としてＳ
　Ｉ　０２を用いた回転多面鏡５０について述べる。第
３図（Ｑは、基材５３と保護膜５１を拡大して、レーザ
ービームに対する反射率を解析するものである。

空気１０００と保護膜５１の境界面に空気中から入射角
ψ０で入射されたレーザービームは、ψ１に屈折される
。しかし、レーザービームは完全には屈折されず、その
一部は境界面で反射される。

これによシレーザービームの光強度は落ちる。境界面で
の反射率は、入射角ψ０によシ変化する。

保護膜５１と基材５３の境界面に、保護膜５１（１１）から入射角ψ笈で入射されたレーザービームは、反射角
ψ亘で反射される。しかし、レーザービームは、完全に
反射されるのではない。レーザービームの一部は、境界
面を通過して基材５３内に入射される。これによシレー
ザービームの光強度は更に落ちる。この境界面での反射
率も入射角に応じて変化する。

保護膜５１と空気１０００の境界面に、保護膜５１から
入射角ψＩで入射されたレーザービームは、屈折角ψ２
に屈折される。レーザービームの一部は、この境界面で
も反射され、レーザービームの光強度は更に減少する。

この反射率も入射角に応じて変化する。

上述のように、回転多面鏡５０によるレーザービームの
反射率は、入射角によ）変化する。保護膜５１の屈折率
を０１、基材の屈折率をｎ２、保護膜の厚さをｄｌとす
ると、回転多面鏡の反射率Ｒは、Ｒ＝ｆ（口１＋　ｎ２
　、ψｏ、ｄｔ）となる。

ｎ、、ｎ、は、使用する材質によシ決るので、反射率Ｒ
１は、入射角ψ、と保護膜厚さｄｌの関数と（１２）なる。これを第４図に示す。

第４図は、保護膜材質を５ｔＯ２，基材材質をｋｌ、と
し、５ｉ０２の屈折率を１．４６、Ａ７の屈折率を１．
ｏｓ　＝５．ｏｓ、レーザー波長λを７８００人、５ｉ
０２の透過率を１．０、入射角を３０°、４５°、６０
°と変化させた場合の例でおる。

第４図によれば、 ψ０の変化に伴う反射率の変化も極太値をとる。

（２）ψ。の変化による反射率Ｒの変化は、ｄ＋＝２１
００λ近傍で極小値をとるが、ｄｔの変化による反射率
の変化は、この近傍でかなシ大きいことが分かる。

従って入射角の変化に伴う反射率の変化による有効スポ
ットサイズの変化を極小にして印字品質を保つには、ｄ
ｌ＝２１．０ＯＡの膜厚を選べば良い。

しかし、その場合、回転多面鏡５０の反射率Ｒは、極大
値をとれず、伺かつ製作誤差による保護膜ｄ。

の不均一によって反射率が大きく変化するという問題が
ある。

（１３）（１）回転多面鏡５０の反射率が高い点、（２）回転多
面鏡５０の保護膜厚ｄ！の変動に対して反射率の変化が
／ＪＸさい点、（３）回転多面鏡５０に対するレーザービームの入射角
の変化に関係なく反射率が一致する点、があれば、入射
角に関わらず走査方向の各位置において均一な有効スポ
ットサイズを得ることができ、また、回転多面鏡５０を
高反射率で使用することができる光ビーム走査装置を提
供することができる。

膜厚ｄ、を２１００人にすると、比較的高い反射率で、
しかも入射角の変化に対する反射率の差を最小にするこ
とができる。しかし、前述のように膜厚変化に伴う回転
多面鏡５０の反射率の変化が大き過ぎる。この為との膜
厚で使用することは、保護膜を形成する際に誤差が生じ
た場合、影響が大き過ぎる為好ましくない。

そこで本実施例では、保護膜形成時に厚さの誤差があっ
ても、回転多面鏡５０の反射率Ｒが安定し、しかも反射
率が高い最初の極大点付近の膜厚（１４）を用いるようにする。本実施例では、３０００人程度０
膜厚にする。極太点は、他にも何箇所かあるが、第４図
のように膜厚がレーザー波長λに対し、が共通している
極大点を見つける事は困難である。

又、実際には８１０２の保護膜５１の透過率は１．０と
はならガいので、保護膜５１内を通過中にレーザービー
ムは減衰する。このため反射率は膜厚ｄ、が増すにつれ
て徐々に低くなると考えられる。これらの理由により１
．膜厚ｄ、は最初の極大点となる３０００人程度０膜る
のが望ましい。

そして回転多面鏡５０に対するレーザービームの入射角
ψ０が変化することによって反射率Ｒが変化することに
より、レーザービームの光強度が減衰する量が変化する
のを補償するために、変調器１００によって半導体レー
ザーダイオードに流す駆動電流、すガわち光出力を補正
制御する。

変調器１００の構成及びその動作特性を第５図及び第６
図を用いて説明する。

第５図は変調器１００のブロック図、第６図は（１５）変調に関る信号を示したものである。

バイアス電流制御回路１０１は、バイアス用電流源１０
３の電流容量を制御してバイアス電流１、を適正値に制
御する。この適正値制御は、回転多面鏡５０に対するレ
ーザービームの入射角変化に応じて変化する感光ドラム
上の有効スポットサイズの変化を補償するように半導体
レーザーダイオードＬＤへのバイアス電流Ｉｆを制御す
るものである。

光出力制御回路１０５は、受光素子ＰＤによって光電変
換される半導体レーザーダイオードＬＤの発光量を検出
し、この発光量に基づき、定電流源１０７の定電流源電
流Ｉ２を制御して発光時の半導体レーザーダイオードＬ
Ｄの光出力を一定値に保持する機能を持つ。

スイッチングトランジスタ１０９，１１１は、半導体レ
ーザーダイオードＬＤの駆動電流を記録情報信号に従い
パルス変調する為に設けられる。

両トランジスタは差動的にオン・オフし、トランジスタ
１０９がオンのときトランジスタ１１１は（１６）オフとなる。記録情報信号は、トナーを付着させる位置
では、トランジスタ１１１をオフして半導体レーザーダ
イオードＴ、　Ｄの発光を停止する。トナーを利殖させ
ガい位置では、スイッチングトランジスタ１１１がオン
する。このときにスイッチングトランジスタ１１１に流
れる電流■、は、光出力制御回路１０５によって定電流
源１０７に設定された値となる。

従って半導体レーザーダイオードＬＤには、電流１１＋
　、Ｉ２が重畳した駆動電流が流れ、これによシ半導体
レーザーダイオードＬＤの発光は、パルス変調と強度補
正制御される。

この駆動電流を制御する上記回路は、以下に述べる事か
ら、バイアス制御回路１０１と光出力制御回路１０５に
分けてそれぞれの電流Ｌ　、Ｉ２を独立に制御すること
ができる。

半導体レーザーダイオードＬＤの発光強度は、駆動電流
に比例するが、ある駆動電流（スレッショルド電流）以
下では発光しかい。半導体レーザーダイオードＬＤのこ
のスレッショルド電流ハ、（１７）４０〜１００ｍＡ程度である。これに対し、ノくイアス
ミ流Ｉ＋の最大値を■Ｂｍａｘ＝　１０ｍＡ程度に設定
するとその範囲内で３０％以上の光出力補正を得ること
ができる。これにより駆動電流をバイアス電流■！とパ
ルス変調電流■２とに分けて無関係に流したとしても、
バイアス電流工！は、スレッショルド電流以下ですむか
ら光出力のノくルス変調には悪影響を与えない。従って
半導体レーザーダイオードＬＤの光出力補正のための駆
動電流制御は、バイアス電流工！とパルス変調電流工２
を独立に制御することができる。

第６図に示すように一走査周期はＴであシ、この間にお
いて回転多面鏡５０によるレーザービーム反射率は８６
％から９３％まで変化する。

半導体レーザーダイオードＬＤを駆動するバイアス電流
Ｉ！を適正値に制御する為に、バイアス電流制御回路１
０１の出力回路にバイアス用電流源１０３が接続される
。

このバイアス電流制御回路１０１はプリセッタプルアッ
プダウンカウンタとＤ／Ａ変換器を備え、（１８）印字信号発生器５００からのリセット信号により、バイ
アス電流ＩＩが基準値になるようにこのアップダウンカ
ウンタがリセットされる。レーザー変調信号Ｓ！のビー
ム位置検出用レーザ一点灯期間をτＢとすると、とのτ
馳の開始時と同時に、前記リセット信号が入る。そして
、同期信号Ｓ２が入るまでバイアス電流１１は、基準値
に保たれる。

同期信号Ｓ２が入ると同時に、アップダウンカウンタは
ダウンモードとして減算を開始する。このカウンタの値
をＤ／Ａ変換器でアナログ量に変換してバイアス電流用
電流源１０３の電流容量を制御し、バイアスを流■１を
制御する。バイアス電流Ｉｔは、本実施例では第６図に
示すように、反射ビームの光の有効スポットサイズの変
化に対応して三角波で近似して制御される。高精度を要
する時は、反射ビーム光の有効スポットサイズ変化に、
よシ精確に対応させてバイアス電流■１を制御すれば良
い。

光出力制御回路１０５は、コンパレータとアップダウン
カウンタと増幅器とＤ／Ａ変換器を内蔵（１９）している。半導体レーザーダイオードＬＤの光出力は、
受光素子ＰＤによシ検出され、増幅器によシ増幅され、
コンパレータで基準値と比較される。

その結果、光出力が不足であればアップダウンカウンタ
をアップモードとして加算し、逆に出力オーバーであれ
ばダウンモードとして減算する。このカウンタの値をＤ
／Ａ変換器でアナログ量に変換して定電流源１０７の電
流容量を制御し、定電流源電流■２を制御する。この制
御はビーム位置検出用レーザ一点灯期間τＢと同時に開
始され、同期信号発生器４００からの同期信号Ｓ２が入
ると同時にそのときの内容が保持される。

同期信号発生器４００は、光検出器３００からの信号を
とシこみ、同期信号Ｓ２をバイアス電流制御回路１０１
と印字信号発生器５００に送る。

印字信号発生器５００は、同期信号発生器４００からの
同期信号Ｓ２をもとに、その後の時間管理によって、記
録期間τＤの間レーザー変調信号ＳＬをスイッチングト
ランジスタ１０９に送）、また、期間τＢの開始と同時
にバイアス電流制御（２０）回路１０１に前述のリセット信号を送る。

以上を総合すると本実施例の動作は、次のようになる。

光ビーム位置検出用レーザ一点灯期間τ３の開始と同時
にバイアス電流工、は、最大値に設定される。この状態
で半導体レーザーダイオードＬＤの光出力が所定値とな
るように、定電流源１０７が、受光素子ＰＤと光出力制
御回路１０５によってフィードバック制御される。

そしてレーザービームが、光検出器３００に入力される
と同期信号Ｓ２が発生し、これによって前記定電流源１
０７のフィードバック制御による定電流源電流■２が固
定される。このとき回転多面鏡５０に対する光ビームの
入射角ψ０は３０゜であシ、反射率Ｒは、８６チである
。これと同時に、バイアス制御回路１０５のカラ／り減
算を開始するので、バイアス電流１１は、次第に減少し
、これに伴って半導体レーザーダイオードＬＤの光出力
も減少する。しかし、これに反して回転多面鏡５０に対
する光ビームの入射角ψ０が大きくなって反射率Ｒが大
きく々るので、回転多面鏡５０（２１）から反射されるレーザービームの光強度は変化しない。

従って感光ドラム１の表面に形成される光ビームスポッ
トの有効スポットサイズは、走査位置によって変化し々
い。

期間τＤ中、半導体レーザーダイオードＬＤの駆動電流
となる■２は、スイッチングトランジスタ１１１によっ
て情報記録信号に従ってオン・オフされるが、オフの時
に、駆動電流として流れるバイアス電流ＩＩは、前述の
ようにスレッショルド電流以下であるので、画像記録の
為の光出力のオン、オフに影響はない。

以上のように本実施例によれば、走査位置に関係なく均
一な有効スポットサイズで走査露光を行なうことができ
、印字品質が向上する。しかも半導体レーザーダイオー
ドへの駆動電流を制御する制御回路を１発光強度補正用
のバイアス電流を流すバイアス制御回路と印字用の信号
電流を流す光出力制御回路とに分けて独立に電流を制御
するようにしたので、お互いに影響される事なくバイア
ス電流制御と印字信号電流を自由に制御する事が（２２
）　・できる。

そして回転多面鏡５０を最も反射率の高い領域で用いる
ことができるため、レーザービーム光量の減少が少なく
、半導体レーザーダイオードの負担が軽減する。

また１回転多面鏡５０が極大反射率を得られる保護膜厚
の近吋では、保護膜厚変化による反射率変化が緩やかで
、多面鏡の製作の際、品質管理が容易と力る。

本実施例では、レーザービームの反射率変化の補償を三
角波のバイアス電流で近似的に行なったが、よシ高い精
度が要求される場合には、バイアス電流波形の近似をよ
シ精確に行うことによシ、より良い印字品質を得ること
ができる。

上記実施例は、走査形の記録装置であるが、本発明の光
ビーム走査装置は走査形の画像読み取シ装置にも適用で
きる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、偏向器への光ビームの入射角度に関ら
ず走査面上に均一な光強度の光ビームス（２３）ポットを得ることができるため、走査精度の高い光ビー
ム走査装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図い）、（Ｂ）は、光強度と有効スポットの関係を
示すもので、（Ａ）は被走査面上に結像した光ビームス
ポットの光強度分布、（Ｂ）は感光体が感光する有効ス
ポット形状の平面図である。第１図０〜（ト）は、有効
スポットサイズと走査線ピッチと印字状態の関係を示す
もので、（０は光強度が「強」の場合、（至）は光強度
が「中」の場合、（ト）は光強度が「弱」の場合を示す
。第２図は、レーザービームプリンタの概略構成を示す斜
視図である。第３図は、回転多面鏡５０による偏向走査挙動を示すも
ので、（５）は走査開始位置での回転多面鏡５０による
光ビーム偏向状態を示し、（Ｂ）は走査終了位置での回
転多面鏡による光ビーム偏光状態を示し、（Ｑはレーザ
ービームの、保護膜と基材に対する入反射状態を示す。第４図は、保護膜ｄ１と反射率Ｈの関係を入射（２４）角毎に示す特性図である。第５図は変調器１００のブロック図、第６図は変調に関
る信号を示すタイミングチャートである。１１・・・レーザーダイオードユニット、ＬＤ・・・半
導体レーザーダイオード、５０・・・回転多面鏡、１０
０・・・変調器、１０１・・・バイアス電流制御回路、
１０３・・・バイアス電流用電流源、１０５・・・光出
力制御回路、１０７・・・定電流源。代理人　弁理士　高橋明夫（２５）

Claims

【特許請求の範囲】１、　レーザー光源と、レーザー光源への供給電流を制御し光出力を制御する電
流制御回路と、レーザー光源から出力された光ビームを偏向させる偏向
器と、走査面上に光ビームスポットを形成させる結像光学系と
、を備えた光ビーム走査装置において、前記電流制御回路は、偏向器への光ビームの入射角変化
に応じて変化する反射ビーム光量を補償するようにレー
ザー光源への駆動電流を偏向器への光ビームの入射角に
対応して制御する制御回路を備えることを特徴とする光
ビーム走査装置。２、特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、鏡面体を備え、その鏡面体には反射率が
極大値付近となるような厚さの保護膜を形成したことを
特徴とする光ビーム走査装量。３、特許請求の範囲第１項において、前記電流制御回路は、レーザー光源に反射ビーム光量の
変化を補償するだめのバイアス電流を流すバイアス制御
回路と印字信号電流を流す光出力制御回路を備え、前記
バイアス制御回路と光出力制御回路は、独立に前記電流
を制御することを特徴とする光ビーム走査装置。４、特許請求の範囲第３項において、前記バイアス制御回路は、バイアス電流を三角波で近似
して反射ビーム光量の変化を補償することを特徴とする
光ビーム走査装置。５、特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、回転多面鏡からなることを特徴とする光
ビーム走査装置。６、特許請求の範囲第１項において、前記偏向器は、ガルバノミラ−からなることを特徴とす
る光ビーム走査装置。