JPS60159852A - フオト・マスク - Google Patents
フオト・マスクInfo
- Publication number
- JPS60159852A JPS60159852A JP59015613A JP1561384A JPS60159852A JP S60159852 A JPS60159852 A JP S60159852A JP 59015613 A JP59015613 A JP 59015613A JP 1561384 A JP1561384 A JP 1561384A JP S60159852 A JPS60159852 A JP S60159852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- photomask
- base
- substrate
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）０発明の技術分野
半導体装置等の製造におけるリソグラフィ工程に用いら
れるフォト・マスクに関する。
れるフォト・マスクに関する。
（ｂ）、技術の背景
−フォト・マスクの完全性は半導体装置生産の歩留りを
左右する重要な因子の１つである。リソグラフィ工程中
にマスク面に着く塵埃は露光時マスクあるいは半導体ウ
ェハに焼付られ、それらの欠陥密度を上げ、歩留りを低
下させる。従って上記工程はクリーンルーム中で行われ
、極力塵埃の付着を防止しているが、これだけでは十分
とはいえない。そのため従来の接触露光に用いるワーキ
ング・マスクは定期的に洗：浄を行って使用する。さら
に集積回路の高集積化により投影露光装置が多用される
ようになったが、これに装着するレティクル（回路パタ
ーンをプリントした拡大原板）やマスクも、焼き付けら
れたウェハあるいはマスクのパターンの欠陥検査に異常
があれば洗浄して使用する。洗浄は熱濃硫酸、クロム酸
処理等により行うが、完全に塵埃を除去することは困難
である。
左右する重要な因子の１つである。リソグラフィ工程中
にマスク面に着く塵埃は露光時マスクあるいは半導体ウ
ェハに焼付られ、それらの欠陥密度を上げ、歩留りを低
下させる。従って上記工程はクリーンルーム中で行われ
、極力塵埃の付着を防止しているが、これだけでは十分
とはいえない。そのため従来の接触露光に用いるワーキ
ング・マスクは定期的に洗：浄を行って使用する。さら
に集積回路の高集積化により投影露光装置が多用される
ようになったが、これに装着するレティクル（回路パタ
ーンをプリントした拡大原板）やマスクも、焼き付けら
れたウェハあるいはマスクのパターンの欠陥検査に異常
があれば洗浄して使用する。洗浄は熱濃硫酸、クロム酸
処理等により行うが、完全に塵埃を除去することは困難
である。
そのため多少の塵埃がマスク面に付着しても影響のない
方法が望まれる。
方法が望まれる。
（Ｃ）、従来技術と問題点
従来は多少の塵埃がマスク面に付着しても影響のない方
法として、投影露光装置または縮小投影露光装置に装着
するマスクまたはレティクル上にペリクルを載せて露光
を行っている。
法として、投影露光装置または縮小投影露光装置に装着
するマスクまたはレティクル上にペリクルを載せて露光
を行っている。
第１図にペリクルを載せたレティクルの断面を示す。図
において１．２はレティクル、１はガラス基板、２は遮
光膜、３．４はべりタル、３はセロファンにトロセルロ
ーズ） Ｈ’Ａ、 ４ ハ金ｉ枠ヲ示す。図示されるよ
うにペリクルは金属枠４に透明セロファン膜４を張って
取りつけたもので、露光中はこれを露光装置に装着され
たマスクまたはレティクル上に載せて露光を行っている
。この場合ペリクル上に新たに付着した塵埃は投影露光
装置の光学系の焦点から外れ、露光しようとする基板上
には焼付られない。しかしこのペリクルは非常に高価で
あり、且つ使い捨てしているため半導体装置の生産原価
の増加を来すことになる。
において１．２はレティクル、１はガラス基板、２は遮
光膜、３．４はべりタル、３はセロファンにトロセルロ
ーズ） Ｈ’Ａ、 ４ ハ金ｉ枠ヲ示す。図示されるよ
うにペリクルは金属枠４に透明セロファン膜４を張って
取りつけたもので、露光中はこれを露光装置に装着され
たマスクまたはレティクル上に載せて露光を行っている
。この場合ペリクル上に新たに付着した塵埃は投影露光
装置の光学系の焦点から外れ、露光しようとする基板上
には焼付られない。しかしこのペリクルは非常に高価で
あり、且つ使い捨てしているため半導体装置の生産原価
の増加を来すことになる。
（ｄ）０発明の目的
本発明の目的は従来技術の有する上記の欠点を除去し、
洗浄が簡単で、反復使用が可能で、表面に着く塵埃の影
響を受けないフォト・マスクを提供することにある。
洗浄が簡単で、反復使用が可能で、表面に着く塵埃の影
響を受けないフォト・マスクを提供することにある。
（ｅ）０発明の構成
上記の目的は本発明によれば、遮光膜を被着した基板と
、該遮光膜を被覆する透明板とを有し、且つ該透明板に
着←塵埃の像を露光しようとする基板上に結ばせないよ
うにガラス基板の外周部を厚くしたことを特徴とするフ
ォト・マスクを提供することによって達成される。
、該遮光膜を被覆する透明板とを有し、且つ該透明板に
着←塵埃の像を露光しようとする基板上に結ばせないよ
うにガラス基板の外周部を厚くしたことを特徴とするフ
ォト・マスクを提供することによって達成される。
前記ペリクルに使用されるセロファン等のフィルムは、
帯電しやすく、従って吸着した塵埃は除去し難く、また
フィルムを張りつけた際内面に付着していた塵埃がレテ
ィクル上に落下して、露光時これが焼付られて欠陥とな
る。本発明は、ペリクル使用と同等以上の防塵効果をも
ち、しかも上記の欠点を除去した、取扱、洗浄が容易な
、帯電し難い透明板を有するフォト・マスクの構造に関
するものである。
帯電しやすく、従って吸着した塵埃は除去し難く、また
フィルムを張りつけた際内面に付着していた塵埃がレテ
ィクル上に落下して、露光時これが焼付られて欠陥とな
る。本発明は、ペリクル使用と同等以上の防塵効果をも
ち、しかも上記の欠点を除去した、取扱、洗浄が容易な
、帯電し難い透明板を有するフォト・マスクの構造に関
するものである。
（ｆ）０発明の実施例
第２図は本発明の実施例を示すレティクルの断面を示す
。図において２１は基板、２２は遮光膜、２３は透明膜
を示す。
。図において２１は基板、２２は遮光膜、２３は透明膜
を示す。
基板２１はガラスまたは石英よりなり、遮光膜２２はク
ロムまたは酸化クロム等よりなり露光しようとする回路
パターンがプリントされている。
ロムまたは酸化クロム等よりなり露光しようとする回路
パターンがプリントされている。
図示された実施例では、基板の厚さはその周囲を、内側
より３〜５ｍｍ厚くする。厚さの増加はパターン領域の
外側で、遮光膜と同じ側において行う。
より３〜５ｍｍ厚くする。厚さの増加はパターン領域の
外側で、遮光膜と同じ側において行う。
このような断面形状の基板は、一体構造でもよいが加工
が困難であり、材料取りの無駄が多いため、厚さを増し
た部分のガラスまたは石英を接着剤で貼付けて構成する
。つぎにガラスよ、りなる透明板２３を図示のように載
せた状態で露光装置に装着する。
が困難であり、材料取りの無駄が多いため、厚さを増し
た部分のガラスまたは石英を接着剤で貼付けて構成する
。つぎにガラスよ、りなる透明板２３を図示のように載
せた状態で露光装置に装着する。
実施例では基板の厚さの増加は遮光膜と同じ側において
行ったが、反対側にお′いて行っても発明の要旨は変わ
らない。
行ったが、反対側にお′いて行っても発明の要旨は変わ
らない。
（ｇ）０発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、洗浄が簡単
で、反復使用が可能で、表面に着く塵埃の影響を受けな
いフォト・マスクを提供することができる。
で、反復使用が可能で、表面に着く塵埃の影響を受けな
いフォト・マスクを提供することができる。
透明板の下側に付着した塵埃がレティクル上に落ちるこ
とによる障害は、透明板をガラスを用いて帯電を防止し
たことと、洗浄を容易にしたことにより大幅に除去され
、使い捨てのペリクルを使用しないで、ペリクル以上の
防塵効果のあるフォト・マスクが得られ、半導体装置の
生産原価切り下げに極めて有効である。
とによる障害は、透明板をガラスを用いて帯電を防止し
たことと、洗浄を容易にしたことにより大幅に除去され
、使い捨てのペリクルを使用しないで、ペリクル以上の
防塵効果のあるフォト・マスクが得られ、半導体装置の
生産原価切り下げに極めて有効である。
第１図にペリクルを載せたレティクルの断面、第２図は
本発明の実施例を示すレティクルの断面を示す。 ゛ 図において１．２はレティクル、１はガラス基板、２は
遮光膜、３，４はペリクル、３はセロファンにトロセル
ローズ）膜、４は金属枠、２１は基板、２２は遮光膜、
２３は透明膜を示す。 隼／［ｇ
本発明の実施例を示すレティクルの断面を示す。 ゛ 図において１．２はレティクル、１はガラス基板、２は
遮光膜、３，４はペリクル、３はセロファンにトロセル
ローズ）膜、４は金属枠、２１は基板、２２は遮光膜、
２３は透明膜を示す。 隼／［ｇ
Claims (1)
- 遮光膜を被着した基板と、該遮光膜を被覆する透明板と
を有し、且つ該透明板に着く塵埃の像を露光しようとす
る基板上に結ばせないようにガラス基板の外周部を厚く
したことを特徴とするフォト・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015613A JPS60159852A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | フオト・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015613A JPS60159852A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | フオト・マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159852A true JPS60159852A (ja) | 1985-08-21 |
Family
ID=11893551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015613A Pending JPS60159852A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | フオト・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60159852A (ja) |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59015613A patent/JPS60159852A/ja active Pending
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