JPS60159170A - 蒸着材料ガス化装置 - Google Patents
蒸着材料ガス化装置Info
- Publication number
- JPS60159170A JPS60159170A JP1287284A JP1287284A JPS60159170A JP S60159170 A JPS60159170 A JP S60159170A JP 1287284 A JP1287284 A JP 1287284A JP 1287284 A JP1287284 A JP 1287284A JP S60159170 A JPS60159170 A JP S60159170A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- pressure
- gas
- conduit
- valve
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、モリブデン、タングステン、チタン等の金
属化合物等の蒸着材料のガス化装置、例えば半導体素子
をＣＶＤ方法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
。
属化合物等の蒸着材料のガス化装置、例えば半導体素子
をＣＶＤ方法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐ
。
５ｉＬｉｏｎ、化学的気相成長？γ−によ−り製造する
際における蒸発ガス発生装置として好適な蒸着材料ガス
化装置に関する。
際における蒸発ガス発生装置として好適な蒸着材料ガス
化装置に関する。
従来のこの種装置は、発生した蒸着材料の蒸発ガス（な
お、この明細書において蒸発とは昇華も含む。）をキャ
リヤガスによって搬送するものであったため、キャリヤ
ガスの流量変化に伴って蒸発ガスの質量流量（ｍａｓｓ
ｆｌｏｗ）や蒸着材料の蒸発速度が変化し、その結果
蒸着材料の堆債量が時間の経過に伴って変化して同一厚
の成形膜を痔ることが困難であるという欠点があった。
お、この明細書において蒸発とは昇華も含む。）をキャ
リヤガスによって搬送するものであったため、キャリヤ
ガスの流量変化に伴って蒸発ガスの質量流量（ｍａｓｓ
ｆｌｏｗ）や蒸着材料の蒸発速度が変化し、その結果
蒸着材料の堆債量が時間の経過に伴って変化して同一厚
の成形膜を痔ることが困難であるという欠点があった。
また、キャリヤガスに含まれる不純物が成形膜の品質に
塵影響を及ぼすという欠点があった。
塵影響を及ぼすという欠点があった。
この発明は、上記欠点を解消するためになされたもので
ある。
ある。
以下にこの発明を図面に示す実施例に晶づいて説明する
。
。
温度により蒸発圧力が一義的に定まる公知の蒸着材料Ｗ
を入れる密閉容器１は、本体２と蓋俸３とよりなり、両
者はボルト、ナツト４等の公知の連結手段により、餉合
９分離自在となされている。
を入れる密閉容器１は、本体２と蓋俸３とよりなり、両
者はボルト、ナツト４等の公知の連結手段により、餉合
９分離自在となされている。
容器本体２には、その内部の温度及び圧力を検知する温
度計５及び圧力計６が接続されている。
度計５及び圧力計６が接続されている。
容器本体２の出（−］７には途中にキャピラリ（毛細管
）８及び開閉弁９を有する主４ ｆｔ’ １０が接続さ
れ、この主導管１０の端に半導体素子を製造するための
ＣＶ Ｄ （ｃｂｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓ山ｏｎ ）装ば等の蒸着装置（’ｃ’４示略）が接続
されるようになされていて、この主導管１０を通して蒸
発ガスか蒸着材料Ｗの蒸発によって生じる圧力によって
蒸着装置Ｎに流入するようになされている。容器本体２
の透孔１１には、前記キャピラリ８に比較して流通抵抗
の大きなキャピラリ１２及び開閉弁１３ヲ途中に有する
導・ｄ１４が接続され、この導管１４に給閉容器１内を
所定の読圧状態とするための真空ポンプ１５が接続され
ている。この真空ポンプト５としては、密閉容器１内を
主導管１０に接、読される蒸着装置の７嘔圧度に対応し
た瀘、圧度にすることが出来る能力のものが霞択される
。餌閉谷器１のεフ２透孔１６には導管１７の一す′係
１が接続され、その他端は真空ポンプ１５の入［１より
上流において導管１４に接梃、されている。導管１７の
途中には前記キャピラリ８と同一特性のキャビ９１月８
及び開閉弁１９が介在されると共に、質量流量計量用の
蒸発ガス冷却器、２０が着脱自在に取付けられている。
）８及び開閉弁９を有する主４ ｆｔ’ １０が接続さ
れ、この主導管１０の端に半導体素子を製造するための
ＣＶ Ｄ （ｃｂｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏ
ｓ山ｏｎ ）装ば等の蒸着装置（’ｃ’４示略）が接続
されるようになされていて、この主導管１０を通して蒸
発ガスか蒸着材料Ｗの蒸発によって生じる圧力によって
蒸着装置Ｎに流入するようになされている。容器本体２
の透孔１１には、前記キャピラリ８に比較して流通抵抗
の大きなキャピラリ１２及び開閉弁１３ヲ途中に有する
導・ｄ１４が接続され、この導管１４に給閉容器１内を
所定の読圧状態とするための真空ポンプ１５が接続され
ている。この真空ポンプト５としては、密閉容器１内を
主導管１０に接、読される蒸着装置の７嘔圧度に対応し
た瀘、圧度にすることが出来る能力のものが霞択される
。餌閉谷器１のεフ２透孔１６には導管１７の一す′係
１が接続され、その他端は真空ポンプ１５の入［１より
上流において導管１４に接梃、されている。導管１７の
途中には前記キャピラリ８と同一特性のキャビ９１月８
及び開閉弁１９が介在されると共に、質量流量計量用の
蒸発ガス冷却器、２０が着脱自在に取付けられている。
また、蒸発ガス冷却鉤出口側の導管１７にも開閉弁２２
が設けられている。
が設けられている。
合閉容器１．主導管１０及び密閉容器１から蒸発ガス冷
却器２０の入口側部分を含むこの装置のほぼ全体が加熱
器２１内に収められ、装置のほぼ全体が同一温度雰囲気
となるようになされている。
却器２０の入口側部分を含むこの装置のほぼ全体が加熱
器２１内に収められ、装置のほぼ全体が同一温度雰囲気
となるようになされている。
なお、加熱器２１．真空ポンプ１５．開閉弁１３等は、
圧力計６からの庫力変化に対応した信号や温匣計５から
の温度変化に対応した信号により自動制御されるように
なされている。
圧力計６からの庫力変化に対応した信号や温匣計５から
の温度変化に対応した信号により自動制御されるように
なされている。
次に上記装置の使用方法を、その１例を参照しつつ説明
する。
する。
ま１主導管１０にＣＶ Ｉ）装置等の蒸着装置を接続す
る。然る後、密閉容器１内に蒸着材料（例えば五塩化モ
リブデン）Ｗを入れ、次いで開閉弁９を閉じ、開閉弁１
９．２２．１３ を開いた状態で真空ボン状態に保つよ
うに作動し続ける。然る後、開閉弁１９．１８を閉じて
加熱器２１により占閉容器１等を加熱すると、蒸着材料
Ｗの蒸発力司ｉ始され、その塞発ガスは密閉容器１内の
圧力を自ら商め、その圧力は所定時１ｍｌ後加熱温度に
よって定まる一定の圧力Ｐ１まで」二昇する。圧力Ｐ１
が安定した後、蒸発ガスの質量流量を測定するため開閉
弁１９ケ開く。それに伴って、蒸発ガスは導管１７を通
じて蒸発ガス冷却器２０に至るため、そ閉容器１内の圧
力は蒸発ガスの質（〒；流量と蒸篭材料Ｗの蒸発速度と
の関係により圧力Ｉ〕１よりやや低い設定圧力■）２ま
で低下して安定する。そして、所定時間開閉弁１９．２
２を開いたままとした後、それらを閉じると共に蒸発ガ
ス冷却器２０を導管１７より取り外し、それに付着した
蒸着膜を秤量し、単位時間当りの質量流量を算出する。
る。然る後、密閉容器１内に蒸着材料（例えば五塩化モ
リブデン）Ｗを入れ、次いで開閉弁９を閉じ、開閉弁１
９．２２．１３ を開いた状態で真空ボン状態に保つよ
うに作動し続ける。然る後、開閉弁１９．１８を閉じて
加熱器２１により占閉容器１等を加熱すると、蒸着材料
Ｗの蒸発力司ｉ始され、その塞発ガスは密閉容器１内の
圧力を自ら商め、その圧力は所定時１ｍｌ後加熱温度に
よって定まる一定の圧力Ｐ１まで」二昇する。圧力Ｐ１
が安定した後、蒸発ガスの質量流量を測定するため開閉
弁１９ケ開く。それに伴って、蒸発ガスは導管１７を通
じて蒸発ガス冷却器２０に至るため、そ閉容器１内の圧
力は蒸発ガスの質（〒；流量と蒸篭材料Ｗの蒸発速度と
の関係により圧力Ｉ〕１よりやや低い設定圧力■）２ま
で低下して安定する。そして、所定時間開閉弁１９．２
２を開いたままとした後、それらを閉じると共に蒸発ガ
ス冷却器２０を導管１７より取り外し、それに付着した
蒸着膜を秤量し、単位時間当りの質量流量を算出する。
このようにして、密閉容器１内の圧力に対応した質量流
星を知ることが出来る。なお、質量流量の算出が完了す
れば一旦真空ポンプ１５を停Ｌｌ二させてもよく、また
そのように駿なくてもよい。
星を知ることが出来る。なお、質量流量の算出が完了す
れば一旦真空ポンプ１５を停Ｌｌ二させてもよく、また
そのように駿なくてもよい。
このようにして質量流量の測定を繰り返しつつ加熱器２
１の温度等を調節して、質量流星を設定値にした後、開
閉弁１９が閉じているのを確認して開閉弁９を開けば、
設定量の蒸発ガスを主導管１０を通じて蒸着装置に供給
することが出来る。なお、必要に応じてその間も蒸繻ガ
スの質量流量を測定するようにしてもよい。
１の温度等を調節して、質量流星を設定値にした後、開
閉弁１９が閉じているのを確認して開閉弁９を開けば、
設定量の蒸発ガスを主導管１０を通じて蒸着装置に供給
することが出来る。なお、必要に応じてその間も蒸繻ガ
スの質量流量を測定するようにしてもよい。
圧力計６や温度計５により密閉容器１山の圧力。
温度を検知し、それらが設定値を外れた場合は、加熱器
２１又は真空ポンプ１５及び開閉弁１３を制御すること
により、設定状６に戻すことが出来る。
２１又は真空ポンプ１５及び開閉弁１３を制御すること
により、設定状６に戻すことが出来る。
以１の次第でこの発明によれば、密閉容器１を減圧して
加熱し、蒸発ガスの自己圧力により蒸発ガスを流出させ
るものであって、従来装置のようにキャリヤガスを利用
するものでないから、キャリヤガスの流量変化に伴って
蒸発ガスの質量流量が変化するということもないので、
同一厚の成形１丙を得ることが容易である。また、従来
装置と相違してキャリヤガスに含まれる不純物が成形膜
に混入するということもない。更に、主導管１０と別佃
の導管１７に蒸′、′トガス冷却器２０が設けられてい
るので、必要なときに蒸発ガスの質量流量を測定するこ
とが出来ると共に、主導管１０に不純物等が混入するの
を防［卜することが出来る。
加熱し、蒸発ガスの自己圧力により蒸発ガスを流出させ
るものであって、従来装置のようにキャリヤガスを利用
するものでないから、キャリヤガスの流量変化に伴って
蒸発ガスの質量流量が変化するということもないので、
同一厚の成形１丙を得ることが容易である。また、従来
装置と相違してキャリヤガスに含まれる不純物が成形膜
に混入するということもない。更に、主導管１０と別佃
の導管１７に蒸′、′トガス冷却器２０が設けられてい
るので、必要なときに蒸発ガスの質量流量を測定するこ
とが出来ると共に、主導管１０に不純物等が混入するの
を防［卜することが出来る。
紀１図はこの発明の実施例を示す系統図である。
Ｗ・蒸着材料、１・蕾閉容器、］０・・主導管、１４・
・・々木冑・、１５・・真空ポンプ、１７・・７導汀、
２０・・−蒸発ガス冷却器、２１・加熱器。 特許出願人 法式会社 ヤナコ計測 代ル１人 弁理士大西哲夫 第１図
・・々木冑・、１５・・真空ポンプ、１７・・７導汀、
２０・・−蒸発ガス冷却器、２１・加熱器。 特許出願人 法式会社 ヤナコ計測 代ル１人 弁理士大西哲夫 第１図
Claims (1)
- １、蒸着材料（ロ）を入れる密閉容器（１）と、この密
閉容器（１）に導管Ｑ４１を介して接続された真空ポン
プ０９と、密閉容器（１）に接続された主導管ｕＯと、
入口が割閉容器（１）に、出口が真空ポンプａｅの入口
側に接続された質量流量計量用の蒸発ガス冷却器（４）
と、少なくとも密閉容器（１）、主導管ＯＱ及び密閉容
器（１）から蒸発ガス冷却器（ホ）の入口に至るまでの
導管Ｑ７）を同一温度雰囲気とする加勢器ｃ！１）とを
有する蒸着材料ガス化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287284A JPS60159170A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 蒸着材料ガス化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287284A JPS60159170A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 蒸着材料ガス化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159170A true JPS60159170A (ja) | 1985-08-20 |
Family
ID=11817509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1287284A Pending JPS60159170A (ja) | 1984-01-26 | 1984-01-26 | 蒸着材料ガス化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60159170A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831027A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-24 |
-
1984
- 1984-01-26 JP JP1287284A patent/JPS60159170A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831027A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-24 |
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