JPS60730A - バブラ - Google Patents
バブラInfo
- Publication number
- JPS60730A JPS60730A JP10867483A JP10867483A JPS60730A JP S60730 A JPS60730 A JP S60730A JP 10867483 A JP10867483 A JP 10867483A JP 10867483 A JP10867483 A JP 10867483A JP S60730 A JPS60730 A JP S60730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier gas
- teg
- volatile substance
- bubbler
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体工業における気相成長技術に係り、具
体的には揮発性物質をキャリアガス中に気化させるバッ
ジに関する。
体的には揮発性物質をキャリアガス中に気化させるバッ
ジに関する。
半導体工業にお込ては揮発性物質が用いられる例が多い
。たとえば、シリコンの気相成長に用いるＳｉＣ／４．
シリコンへのＰの気相拡散に用いるＰＣｌ３．クロライ
ド法■−■半導体気相成長に用いられるＡｓＣＡ！ｘ、
ＰＣＡ！ａ、ＩＩＩ−Ｖ半導体のＭＯ−ＣＶＤに用い
られる■族元素の有機化合物がそれら揮発性物質である
。これらの揮発性物質は、Ｈ２等のキャリアガス中に気
化し、このキャリアガスによって反応炉内に導入され、
気相成長あるいは気相拡散の原料として用いられる。こ
の気化は、揮発性物質中でキャリアガスを気泡化させる
バッジと称される装置により行う。ところが、従来のバ
プラには、キャリアガス中に揮発性物質が飽和せず、そ
の揮発性物質の蒸気の輸送量が安定に制御できないとい
う欠点がある。
。たとえば、シリコンの気相成長に用いるＳｉＣ／４．
シリコンへのＰの気相拡散に用いるＰＣｌ３．クロライ
ド法■−■半導体気相成長に用いられるＡｓＣＡ！ｘ、
ＰＣＡ！ａ、ＩＩＩ−Ｖ半導体のＭＯ−ＣＶＤに用い
られる■族元素の有機化合物がそれら揮発性物質である
。これらの揮発性物質は、Ｈ２等のキャリアガス中に気
化し、このキャリアガスによって反応炉内に導入され、
気相成長あるいは気相拡散の原料として用いられる。こ
の気化は、揮発性物質中でキャリアガスを気泡化させる
バッジと称される装置により行う。ところが、従来のバ
プラには、キャリアガス中に揮発性物質が飽和せず、そ
の揮発性物質の蒸気の輸送量が安定に制御できないとい
う欠点がある。
従来のバッジのかかる欠点を説明する。第１図は従来の
バッジの一例を示す模式図である。キャリアガスｌはガ
ス導入管２によって揮発性物質３の中に導入され導入管
先端４で気泡となってキャリアガス出口５から揮発性物
質蒸気を含むキャリアガス６がバプラ外へ流れ出る。と
ころが、キャリアガス１の流量が多くなると揮発性物質
３はバプラ内で飛び散ハキャリアガスｌと揮発性物質３
との接触効率が低下しキャリアガス１中の揮発性物質蒸
気の飽和度が小さくなる。このため蒸気輸送量の制御性
が悪くなる。
バッジの一例を示す模式図である。キャリアガスｌはガ
ス導入管２によって揮発性物質３の中に導入され導入管
先端４で気泡となってキャリアガス出口５から揮発性物
質蒸気を含むキャリアガス６がバプラ外へ流れ出る。と
ころが、キャリアガス１の流量が多くなると揮発性物質
３はバプラ内で飛び散ハキャリアガスｌと揮発性物質３
との接触効率が低下しキャリアガス１中の揮発性物質蒸
気の飽和度が小さくなる。このため蒸気輸送量の制御性
が悪くなる。
第２図はこの点を改良した従来のバッジの模式図である
。キャリアガス１はガス導入管２２によって揮発性物質
３の中に導入され導入、管先端２４で気泡となってキャ
リアガス出口５から揮発性物質蒸気を含むキャリアガス
６がバプラ外へ流れ出る。改良型では先端部２４に複数
の小人があり気泡が大きくならないように工夫されてｂ
る。
。キャリアガス１はガス導入管２２によって揮発性物質
３の中に導入され導入、管先端２４で気泡となってキャ
リアガス出口５から揮発性物質蒸気を含むキャリアガス
６がバプラ外へ流れ出る。改良型では先端部２４に複数
の小人があり気泡が大きくならないように工夫されてｂ
る。
ところが、この場合でも、気泡が万遍なく揮発性物質３
を通過することはなく、中央部を気泡は上昇し、キャリ
アガス流量が多くなると揮発性物質３はパブ２内で飛び
散り、キャリアガス中の揮発性物質蒸気の飽和度が小さ
くなる。また、飛び散った揮発性物質３はバプラ上部の
温度制御がしてない部位に付着し、キャリアガス中の揮
発性物質の蒸気圧を不安定にする。従来のバプラは、揮
発性物質蒸気の飽和度及び蒸気圧が不安定で、その蒸気
の輸送量の制御性が悪かった。
を通過することはなく、中央部を気泡は上昇し、キャリ
アガス流量が多くなると揮発性物質３はパブ２内で飛び
散り、キャリアガス中の揮発性物質蒸気の飽和度が小さ
くなる。また、飛び散った揮発性物質３はバプラ上部の
温度制御がしてない部位に付着し、キャリアガス中の揮
発性物質の蒸気圧を不安定にする。従来のバプラは、揮
発性物質蒸気の飽和度及び蒸気圧が不安定で、その蒸気
の輸送量の制御性が悪かった。
本発明はこの点に鑑みなされたもので、その目的とする
ところは揮発性物質蒸気の輸送量の制御−性に優れたバ
プラの提供にある。
ところは揮発性物質蒸気の輸送量の制御−性に優れたバ
プラの提供にある。
本発明の構成は、揮発性物質の液体を収容する容器と、
前記液体にキャリアガスを導入しこのキャリアガスの気
泡を生じさせる手段とを備え、前記揮発性物質を前記キ
ャリアガス中に気化させるバプラにおいて、前記揮発性
物質に反応しない粒状の物質が前記液体に混ぜであるこ
とを特徴とする。
前記液体にキャリアガスを導入しこのキャリアガスの気
泡を生じさせる手段とを備え、前記揮発性物質を前記キ
ャリアガス中に気化させるバプラにおいて、前記揮発性
物質に反応しない粒状の物質が前記液体に混ぜであるこ
とを特徴とする。
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明゛の一実施例を示す模式図である。
ガス導入管２の先端４はステンレス粒群３３の中に開い
てｈる。このバフす内に揮発性物質であるＴＥＧ （）
リエテルガリウＡ、Ｇａ（ＣｚＨｓ）ａ）３４を２０．
９入れた。
てｈる。このバフす内に揮発性物質であるＴＥＧ （）
リエテルガリウＡ、Ｇａ（ＣｚＨｓ）ａ）３４を２０．
９入れた。
第４図の奨線は、この実施例におけるキャリアガスｌの
流量に対するキャリアガス出口５以降のキャリアガス中
のＴＥＧ分圧を示す曲線である。
流量に対するキャリアガス出口５以降のキャリアガス中
のＴＥＧ分圧を示す曲線である。
本図から５００８ＣＣＭの流量に対してもＴＥＧの分圧
はほとんど低下せず流量に対して一定の飽和度（はぼ１
００％）を示すことがわかった。飽和度が一定であるこ
とは輸送量の制御性を高める一因であり本発明の効果が
示された。比較のため。
はほとんど低下せず流量に対して一定の飽和度（はぼ１
００％）を示すことがわかった。飽和度が一定であるこ
とは輸送量の制御性を高める一因であり本発明の効果が
示された。比較のため。
第２図の従来のバプラにＴＥＧを２０．ｉ？入れ、キャ
リアガス流量に対するキャリアガス中のＴＥＧ分圧の関
係を調べ、第４図に破線で示した。従来のバプラでは２
００ＳＣＣＭの流量ですでに飽和度は９０チに低下して
いる。
リアガス流量に対するキャリアガス中のＴＥＧ分圧の関
係を調べ、第４図に破線で示した。従来のバプラでは２
００ＳＣＣＭの流量ですでに飽和度は９０チに低下して
いる。
なお本実施例ではキャリアガスとしてＨ２を用い友。Ｔ
ＥＧ分圧の測定は、第３図の容器３７の両端のバルブ３
８．３９をこの順に閉め、容器下端の冷却捕集用トラッ
プ４０を液体窒素で冷却しＴＥＧを捕集し、マノメータ
ーで圧力を測定し液体窒素で冷却したＨ２のみの場合の
圧力との差から、液体窒素温度部を含めた容器全体の室
温換算の容積増大分を補正して請求めた。
ＥＧ分圧の測定は、第３図の容器３７の両端のバルブ３
８．３９をこの順に閉め、容器下端の冷却捕集用トラッ
プ４０を液体窒素で冷却しＴＥＧを捕集し、マノメータ
ーで圧力を測定し液体窒素で冷却したＨ２のみの場合の
圧力との差から、液体窒素温度部を含めた容器全体の室
温換算の容積増大分を補正して請求めた。
ＴＥＧ分圧は次式でめられる。
ｐＴｌｌｏＣｌｏｒｒ）＝”Ｃｐｓ−ｐ２）ｉ
ｐｏ二大気圧に開かれた揮発性蒸気を含むＨ２ガスの圧
力（ｔｏｒｒ） ｐエ ：容器に閉じ込めたガスが’Ｈ２のみの場合に捕
集部を液体窒素温度で冷却したときの圧力（ｔｏｒｒ） ｐ２：揮発性蒸気を含むＨ２ガスを容器に閉じ込め捕集
部を液体窒素温度で冷却したときの圧力（ｔｏｒｒ ） この実施例では、ＴＥＧ３４内におけるキャリアガスの
気泡は小さく、ＴＥＧ３４の全域に万遍なく広がって上
昇するから、バブ２内におけるＴＥＧ３４の飛散は少な
く、温度制御されていないバプラ上部の部位にＴＥＧ３
４が付着することは少ない、従って、この実施例におけ
る蒸気圧は安定であり、この面からもＴＥＧ蒸気の輸送
量制御が安定に行える。
力（ｔｏｒｒ） ｐエ ：容器に閉じ込めたガスが’Ｈ２のみの場合に捕
集部を液体窒素温度で冷却したときの圧力（ｔｏｒｒ） ｐ２：揮発性蒸気を含むＨ２ガスを容器に閉じ込め捕集
部を液体窒素温度で冷却したときの圧力（ｔｏｒｒ ） この実施例では、ＴＥＧ３４内におけるキャリアガスの
気泡は小さく、ＴＥＧ３４の全域に万遍なく広がって上
昇するから、バブ２内におけるＴＥＧ３４の飛散は少な
く、温度制御されていないバプラ上部の部位にＴＥＧ３
４が付着することは少ない、従って、この実施例におけ
る蒸気圧は安定であり、この面からもＴＥＧ蒸気の輸送
量制御が安定に行える。
以上詳述したように、本発明によれば、揮発性物質蒸気
の輸送量の制御性に優れたバプラが提供できる。
の輸送量の制御性に優れたバプラが提供できる。
第１図は従来のバッジの模式図、第２図はこれを改善し
た従来のバッジの模式図、第３図は本発明の一実施例の
模式図、第４図はこの実施例及び第２図のバプラにおけ
るキャリアガス流量とＴＥＧ分圧との関係を示す図であ
る。 ｌ・・・・・・キャリアガス％ ２，２２・・・・・・
ガス導入管、３・・・・・・揮発性物質、４．２４・・
・・・・ガス導入管先端部、５・・・・・・キャリアガ
ス出口、６・・・・・・揮発性物質蒸気を含むキャリア
ガス、３３・・・・・・ステンレス粒群、３４・・・・
・・ＴＥＧ、３７・・・・・・容器、３８． ３９パル
プ、４０−・・・・・冷却捕集用トラップ。 ！区 、 （ 代理人 弁理士 内 原 日 １ 牛１剖 茅２回
た従来のバッジの模式図、第３図は本発明の一実施例の
模式図、第４図はこの実施例及び第２図のバプラにおけ
るキャリアガス流量とＴＥＧ分圧との関係を示す図であ
る。 ｌ・・・・・・キャリアガス％ ２，２２・・・・・・
ガス導入管、３・・・・・・揮発性物質、４．２４・・
・・・・ガス導入管先端部、５・・・・・・キャリアガ
ス出口、６・・・・・・揮発性物質蒸気を含むキャリア
ガス、３３・・・・・・ステンレス粒群、３４・・・・
・・ＴＥＧ、３７・・・・・・容器、３８． ３９パル
プ、４０−・・・・・冷却捕集用トラップ。 ！区 、 （ 代理人 弁理士 内 原 日 １ 牛１剖 茅２回
Claims (1)
- 揮発性物質の液体を収容する容器と、前記液体にキャリ
アガスを導入しこのキャリアガスの気泡を生じさせる手
段とを備え、前記揮発生物質を前記キャリアガス中に気
化させるバプラにおいて、前記揮発性物質に反応しない
粒状の物質が前記液体に混ぜであることを特徴とするバ
ッジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10867483A JPS60730A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | バブラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10867483A JPS60730A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | バブラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60730A true JPS60730A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14490793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10867483A Pending JPS60730A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | バブラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60730A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439721A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | Introduce method for impurity to semiconductor |
| JPH024295A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-01-09 | Toshiba Corp | 医用画像診断装置 |
| US4953952A (en) * | 1985-05-02 | 1990-09-04 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Color liquid crystal displaying panels |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10867483A patent/JPS60730A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4953952A (en) * | 1985-05-02 | 1990-09-04 | Sumitomo Chemical Company, Ltd. | Color liquid crystal displaying panels |
| JPS6439721A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | Fuji Electric Co Ltd | Introduce method for impurity to semiconductor |
| JPH024295A (ja) * | 1988-06-22 | 1990-01-09 | Toshiba Corp | 医用画像診断装置 |
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