JPS60155502A - 弗素の電解製造法及びそのための新規電解槽 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は比較的大きい経済性と効率で以て機能する弗素
電解製造用の電解セルと電解方法の改良に関するもので
ある。

（発明の背景） 弗化物混合物の電解による弗素の製造はよく知られてお
り、弗素は例えばアルカリ金属弗化物と弗化水素の混合
物から誘導される。この種類の系は例えば米国特許３，
７７３，６４４号明細書および４．１３９，４４７号明
細書と英国特許８５２，３６９号明細書に開示されてい
る。このような方法においてはまた、炭素または黒鉛の
アメＴ）″をもつセルを使用することも知られており、
カソード９は電解液の作用に対して抵抗性のある軟鋼ま
たはその他の金属でできている。水素はカソード９にお
いて発生し、弗素は酸素およびその他の不純物の恐らく
は変動する量と一緒にアノードにおいて発生する。また
水素と弗素の混合物ははげしい爆発をおこすので、この
種の弗素セルは慣習的には隔膜または隔壁をもち、これ
はまた二つの電極において発生するガスの混合を防ぐよ
・う設計され「スカート」とも呼ばれる。あるセルにお
いては、この隔膜または隔壁は電極間間隔の中で下向き
に、電極の下向きのひろがり距離と等しいかあるいはさ
らには太きい距離まで延びている。他の弗素セルにおい
ては、例えば、そして、英国特許８５２，３６９号明細
書に開示のとおり、ガスを透過させない障壁が下向ぎに
短かい距離だけ電極間間隔の中へのびている。

従来法の系においては、電極間の間隔が大きいほど、適
用電圧が大きくなければならずかつ一定量の物質を電解
するのに消費されるエネルギーが大きくなければならな
いことが認識されている。

それゆえ、電極間空間は安全性に適合するかぎり電極間
間隔を減らすことが望ましい。けれども、一般には（多
孔質あるいはガス透過性炭素電極をもつある種のセルを
除いて）、アノードとカソードとの間の距離（以後は電
極分離（ｅｌｅｃ　ｔｒｏｄｅｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）
とよぶ）あるいはアノ−Ｐとガス障壁との間の距離（以
後はアノードギャップとよぶ）をある制限値以下へ安全
に減らすことが可能ではなかった。英国特許ｓ　５２，
３６９勇細書において例　゛えば述べているとおり、電
極がガス障壁の底の下方で電解液中へさらに下向ぎにの
びているとぎには、電極間隔は増さねばならない。電極
がガス障壁の下方８インチへひろがるときには、電極分
離２％インチ（６，６５ｃｒｒＬ）以下であるべきでは
な（、またアノードギャップも１インチ（２，５４ｃＩ
ＩＬ）以下であってはならないような、一つの最低値が
安定作業のために規定される。電極が障壁の下方３６イ
ンチ（９１ｃＩｒＬ）へひろがるときの相当する値は４
％インチ（１２ｃｒｒＬ）と１％インチ（４，３ｃ＋ａ
）である。

しかし、もし特別のルーバー状カソードを用いる場合に
は、８インチ（２０，３ｃｍ）と３６インチ（９１ｃｍ
　）のこれらの深さに対して適切である電極分離用の数
字は２３Ａインチ（５，７ｍ）と３％インチ（１０ｃｍ
）へそれぞれ減らすことができる。しかし、上述のとお
り、これらはアノード９電流密度が０．１５λｈ２をこ
えない場合の制限最小値として規定される。

ガスの流れのための通路が設けられている本発明のアノ
ード９の使用により、高電流密度が可能である。このよ
うな電流密度は米国特許４，３１２，７１８において「
臨界電流密度」として開示されているものよりもさらに
高い密度である。

電流密度はカッ−ｒと直接的に相対しているアノード表
部の部分に関して決定される。

弗素製造用の従来法電解セルの非効率性には数多くの理
由が存在する。一つの理由は例えば、低生産性であり、
これは低いアノード電流密度と比較的短かいアノード長
および／またはアノードとカンート９０間の望ましくな
く大きい距離に基因する。また、低いアノード９電流密
度のために、これらの従来法セルは高い設備コストと高
い投資コストの支出を必要とする。

このように、弗素電解製造用の経済性並びに効率を増す
改善されたセル構造をめる二一ヅが存在することは明ら
かである。

（発明の概要） 本発明によると、弗素製造用の新規のセルが提供される
。弗化水素とアルカリおよび／またはアンモニウム弗化
物との液体混合物の電解による弗素の製造は、高電流密
度において、小さいアノード−カソードギャップと非常
に増大したアノードとカソードの長さとをもち、かつカ
ソードと対面するアノード集成体の垂直炭素表面におい
て自由気泡として弗素と発生させることなくかつ水素と
弗素の爆発性混合物を形成することなしに機能する、セ
ルの中で実施することができる。

本発明による弗素の製造方法はアルカリ金属の弗化物お
よび／またはアンモニウム弗化物の少くとも一つと弗化
水素との液状混合物を電解することから成る。８０−１
１０℃の程度の温度においては、ＫＦ、１．８ＨＦから
ＫＦ、２，２ＨＦに実質上近似する組成をもつ弗化カリ
ウムと弗化水素との溶融状の実質上乾燥した混合物を用
いることができる。本発明はセグメント化デノービをア
ノード集成体の上部を全体的にとりかこむガス不透過性
障壁と一緒に使用する。あるいはまた、セグメント化ア
ノードを実際にシミュレートする溝を中にもつ炭素ブロ
ックから成るアノードな用いることができる。

このような装置はルーバー状カソードと一緒に使用され
る。

本発明の目的は前記種類の方法とそれの装置を提供する
ことであり、前記種類のセルを著しく高い負荷で作動さ
せてプラントの単位あたりでより大きい弗素の生産させ
その上同−セル電圧あるいはさらに低いセル電圧を維持
することを可能にするものである。

セグメントアノード集成体は中央の導電体へとりつけた
炭素アノード板の積重ねから成り、この導電体はセルの
外部からセル内炭素アノード板へ電流を導くのに役立つ
。好ましくは炭素は２５％以下の気孔率をもつ。アノー
ド集成体の上部の金属導体と炭素板間の導体との腐蝕を
防ぐために、マグネシウムのチューブとリングを使用し
てこれらの領域を保護する。

正常の電解中、炭素の濡れ性のない表面のために、弗素
は垂直電極表面をはい上がり、炭素板の肩の周りを移動
し、内部の弗素通路孔を通って出る。生成されるときに
炭素電極をこわす気泡を形成する塩素とちがって、弗素
は電極の表面へへばりつきその表面で上方へ動く。この
ことは炭素表面上の弗素層の厚さを減らし、それは弗素
が内部的に排出されて電気活性表面領域の上に出ないか
らである。各アノード板は弗素ガス用のそれ自体の出口
をもつので、どの極板の上にも弗素の大量蓄積はおこら
ない。各アノード板はその極板によって生成される弗素
によってマスクされるだけであって、その下方の他のア
ノード板からの弗素によってマスクされることがない。

その結果、アノード上の弗素層に基づく電圧降下は慣用
的配置の垂直アノードの場合よりも小さい。この新規の
設計のために、このアノード集成体の作業面はカン−ｒ
に相対する表面だけでなく、各極板の上面と底、内部弗
素通路を形成する孔の内側、およびアノード間の溝の内
側、から成る。

積重炭素板のアノードは、水素の大部分が電極間の帯域
から排出されることを可能にするルーバー状カソードと
一緒に用いられる。これは、電流が電極間でそれを通し
て流れる電解液の中で、水素気泡の量を著しく減らし、
オーミックの電圧損失を減少させる。上記カソードは、
ルーバー状である以外に、エキスバンド金属であること
ができ、あるいは孔開はシートまたはガーゼから成るも
のであることができる。平板シートカッ−Ｐを使用する
場合には、アノーｒ−カソービの間隔を増すことが必要
である。明らかに、この間隔が不十分である場合には、
高電流密度を採用するとき、特に活発な水素発生をおこ
してこの空間内で水素気泡の混雑をひきおこし、従って
水素がアノード室の中へ逃げ道を見出す危険を増す、と
いう可能性が存在する。アノーｒ、カソード、および障
壁は形状が円筒であってよく、ただし、例えば矩形、。

正方形、三角形、六角形、六角形などの断面をもつ任意
の他の適当形状も必要ならば使用してよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によってつくられた弗素セルの断面立面
図である。 第２図はルーバー状カソード９をもつアノード９集成体
を一部断面で描いてい六。 第３図は内部通路を示すアノービプレードの一つの上面
図である。 第３ａ図は第３図の直線３ａ−３ａに沿ってとった断面
である。 第４図は面取り周縁を示し、同時に内部通路を示す別の
アノードブレードの上面図である。 第４ａ図は第４図の直線４ａ−４ａに沿ってとった断面
図である。 第５図はアノードの作業表面から各種の距離で多数の通
路をもつブレードを示し、かつ同時に、アノード表面か
ら弗素を除去するための交叉通路を示す、別の態様の上
面図である。 第５ａ図は第５図の直線５ａ−５ａに沿ってとった断面
図である。 第６図は長くのびた交叉通路を示すさらＫもう一つのア
ノードブレードの上面図である。 第６ａ図は第６図の直線６　ａ　−６ａに沿ってとった
断面図である。 第７図は第７図のスライスからとったセグメントの透視
図である。 第８図は試験セル中で使用したアノードを示している。 第９図は交叉溝によって二つのブレードへ有効に転換さ
れたもう一つのアノードセグメントを描〜１てＸ、〜る
。 第１０図は第９図のアノードセグメントを用いる試験セ
ルを断面で描いている。 第１１図は矩形のアノーＰ幾例形へ適用した本発明の設
計を示すもう−っのアノードである。 （好ましい態様の説明） 本発明によれば、弗素製造方法は少くとも一つのアルカ
リ金属弗化物および／または弗化アンモニウムおよび／
または弗化水素の液状混合物を電解することからなる。 本発明を実施するのに適するセルは第１図に、縮尺どお
りではないが、示されている。図面を参照すると、２１
は軟鋼または他の適当な抵抗性金属の容器であり、蓋２
２が備えられており、２３はルーパー状カソードであっ
て、それは軟鋼、銅あるいは電解液および電解生成物に
対して実質的に抵抗性のある他の物質でつくられていて
よい。カソードは電気伝導性の円筒状部材２４によって
支持され、この部材はそれが貫通するセルの蓋から（２
４ａにおいて）絶縁されている。電解液２６の中へ浸漬
しているアノード集成体２５の上部をとりかこんでスカ
ートあるいは障壁２７がある。パイプ２８と２９はそれ
ぞれ水素と弗素の除去に役立つ〇 この設計におこるアノード集成体２５は中心導電体３１
へとりつけた円形炭素アノード板の積重ねであることが
でき、この中心導電体３１はセルの外部からセル内部の
炭素アノード板３０へ電流を導くのに役立つ。それは無
垢の金属棒またはツクイブであって３１ａにおいて絶縁
されている銅または他の適当な金属でできている。アノ
ード集成体の上部の銅導電体および極板間の銅導電体の
腐蝕を防ぐために、マグネシウム・チューブ３３または
マグネシウム・リング３４がこれらの領域を保護する。 マグネシウムはアノード電位において不働態化する。 その他の適当な抵抗性物質をこの目的に対して使用でき
る。 第２図に示す態様は全規模の無垢の炭素アノード集成体
を示し、無垢炭素塊から切り出された多数個の炭素板３
０ａから成り、内部の弗素通路として役立つ通路３２ａ
をもっている。カソードは２３ａにおいて示されるルー
パー構造体から成りルーパー状カン−ｒａ気液接触２４
ａ備えられている。アノード３゜ａの上面に弗素ガス通
路３２ａが見えている。アノードは導電体３１ａを通じ
て電気的に連結される。 弗素ガスを捕集するスカートまたは障壁２７ａは通路３
２ａ中を上昇する弗素をとぢこめるよう適当に配置され
る。 各炭素アノード板は円形断面をもち、導電体用の中心孔
と内部弗素通路として役立つ他の孔３２をもっている。 単独の炭素アノード板３ｏの側面図と上面図はそれぞれ
第３ａ図と第３図に示されている。導電体３１は中心孔
４１の中に挿入され、一方、弗素ガスは内部弗素通路と
して役立つ孔３２から逃げる。 炭素板の緑５３はカソードから斜めに遠ざかるように面
取りすることができ（第４および第４ａ図）、あるいは
アノード上面の縁５４がテーパ一つきにあるいは丸くな
っていることかできる（第５および第５ｕ図）。極板３
０の底！ＳＯは、それがアノードの底で発生する弗素を
第（５ａ）図と第（６ａ）図に示すとおり内部弗素通路
３２の方へ中心へ向けるようにつくることかできる。炭
素板３０は１列または数列４６の内部弗素通路３２をも
っていてよい。アー）′３０はまた溝４７をもち、これ
はアノードを二つまたは二つより多くのプレーＰに割っ
ている。このように、溝４７は内部弗素通路３２ヘアノ
一ド表面を連絡する。（第５ａ図および第６ａ図）。 正常の電解中に炭素の濡れない表面のために、弗素は垂
直電極表面をはい上がり、炭素板の肩の周りを移動し、
その上のブレードの内部弗素通路３２の中を通って出る
。このことはアノードの炭素表面上の弗素層の厚さを減
らす。弗素が内部的に出口をめ電気活性表面領域上に出
ない。各アノード板は主としてその極板から生成する弗
素によってマスクされるだけであってそれより方向の他
のアノード板から上昇する弗素によってはマスクされな
い。その結果、アノード上の弗素層に基因する電圧降下
は慣習的配列の垂直アノードの場合より小さい。 この設計に基づくと、アノード集成体の作業表面はカソ
ードに面する円筒状アノードの垂直表面より数倍大ぎい
。それは、弗素の発生がカッ−Ｆに面する表面上だけで
なく、各極板の頂面および底面上並びに内部弗素通路を
形成する孔の内側でおこるからである。本発明によって
提供され゛る種類の配置は、本発明のアノード系が弗素
がアノード面から形成されるときにそれを除去するので
、慣用的な系より高いアノード電流密度における操作を
可能にする。弗素を内部的に除去する能力をもち慣用的
アノードよりもはるかに大きい作業表面をもつアノード
９のこの基本概念は第１１図において示すとおり別の方
式で施行することができる。 アノードは別々の板で構成されるのではなく、無垢の矩
形ブロック６０であることができ、弗素をアノード内部
の中へ向ける表面溝６１を備えている。 アノードを効果的にセグメントに分けるこれらの溝６１
から、弗素は縦方向に堀った内部弗素通路として役立つ
孔６２を通って外に出ることができる。 電気的接触の配置は示されていない。このアノード９設
計は第１図に関して述べたアノード設計と同じ利点をも
つ。 ルーバー状カソードは水素の大部分を電極間帯域から排
出させる。このことは、電流がなかを通って電極間を通
る電解液中の水素気泡量を著しく減らしてオーミック電
圧損失を減らす。上記電極は、ルーバー状の代りに、エ
キスバンド金属、あるいは孔開きシートまたはガーゼか
ら成るものであることができる。平板のシート状電極を
使用する場合には、アノード−カソードの分離を増すこ
とが必要であるかもしれない。明らかに、この間隔が不
適切である場合には、高電流密度を採用するとき、水素
の活発な発生がおこりこの空間内の水素気泡の混雑をき
たし、従って水素がアノード。 室の中へ入り込む危険が増す可能性が存在する。 アノード、カソードおよび障壁はその形態は円筒状であ
ることかできるが、ただし、その他の幾何形状、例えば
、矩形、四角形、さらには六角形の断面のもの叡、希望
の場合に使用してよい。各種の金属がカソード作製に使
用できる。このように、例えば軟鋼のほかに、ニッケル
または銅またはそれらの合金例えばモネル、なども使用
できる。 セグメント化アノード設計とガス方向付与性のルーバー
状またはエキスパンデッド金属カンート９０組合せは、
事実上同じ電解条件がアノードとカッ−Ｐのすべての部
分において存在するので、弗素製造用の独得のセルをつ
くり出す。アノードとカン−Ｆの長さを数倍増加しかつ
アノード−カッーＶ間距離を例えば５１＋ｌＩｎへ著し
く減らすことが可能である。同時に、ぎわめで大きいア
ノード表面電流密度例えば１．２　Ａ／ｃｒｔｔ２で以
て低い作業セル電圧を保ちながら、水素と弗素との爆発
性混合物を形成することなくかつ９０％より良好な電７
流効率を保ちながら、セルを作動させることが可能であ
る。 本発明の炭素アノードを作製する際に各種の形態の炭素
例えば等方性、異方性、密質、多孔質（あるいはガス透
過性）の炭素を使用できることは明らかである。しかし
、多孔質またはガス透過性炭素の利点が多くの関連特許
に記載されているけれども、この種のアノードはまた多
くの欠Ａをもっている。例えば、短かい寿命、高コスト
、弗素による燃焼、有効なアノード導電体の接触をつく
る際の極度の困難さ、である。本発明のセル設計は多孔
質炭素−弗素ガスの内部的ガス抜ぎという利点、高表面
積−ただしこの設計の場合には密な炭素を使用できるの
で多孔質炭素に関連する欠点をもたない、という利点、
をもっている。また、密な炭素は導電体へ取付けが容易
であり、長い寿命をもち、かつより安価である。中心導
電体以外の各種の他の形態のアノード９接触を用いるこ
とができることは理解される。例えば、多重導電体、非
中心型、外部導電体、などである。 本発明のアノード９設計における一つの特徴は、この設
計がアノード９上の弗素層の厚さを減らしこれがより低
い電圧を可能にするという事にある。 弗素はアノードを内部的に出てゆくので自由気泡として
しばしばアノードから脱出することがない。 従って、極間ギャップはその長さを減らすことができて
さらにセル電圧とエネルギーコストを下げるＯ もう一つの利点は、各々のアノードブレードあるいはア
ノードセグメントにおいて同じ電解条件が存在するので
アノード９の高さは慣用セルの場合のような制約がもは
や存在しないということにある。従って、工場において
より少ない床面積で以てより大きい生産を達成すること
ができる。 本発明はさらに以下の特定例を引用してさらに記述する
。しかし、詳細がここに示されているけれども、それら
は主として解説の目的のために与えられており、本発明
はそのより広い観点においてそれらに制限されるもので
ないことが理解される。 実施例１ 本実施例において使用し第１０図において示されるセル
は第１図に関して上述したフルサイズ・セルの上部の断
面を実際に再生するものである。セル本体は二つの異な
る材料で製作されている。セルフ０の底７１と二つの壁
７２は軟鋼である。残りの二つの側面すなわち、セルの
正面と背面はＫＦ・２ＫＦに対して抵抗性のある透明プ
ラスチックであるポリメチルはンテンでつくられて、セ
ル内のガスおよび溶融物の循環の観察を可能にする。セ
ルには７／−）′ｒ４と軟鋼製ルーバー状カソード７５
が取付けられている。アノード集成体の上部を取かこん
でスカートまたは障壁７７があり、電解液７６の中へ浸
っている。スカート７７並びにセルフ０の頂部または蓋
７７ａはマグネシウム、モネルメタルなどのような弗素
に対して抵抗性がある適当な金属で形成されている。こ
れらの部品とセルのプラスチック壁との間の間隙はアノ
ードの側面および背面への電流通路を妨げかつ溶融物が
電極の縁を通って循環するのを妨げるために、最小に惺
たれる。このようにして、電流分布と質量輸送はこの設
計のより大きいセルのそれと同じである。アノードとカ
ソード°の翼前線の間の距離は５闘である。 第７図と第７ａ図を参照すると、アノ−）−４７４は全
規模炭素板の一部、すなわち、切片を表わしている。全
規模炭素板は実験室的アノード集成体の炭素部分が第７
図に示す全規模炭素板の切片（第７ａ図）を表わすよう
に切られた。全規模炭素板内側に位置する炭素実験室ア
ノードの主つの側面はＵ字型マグネシウム板で以て蔽わ
れてこれらの領域上で電解を妨げられ、このことは作業
表面積はカソードに面するアノード１表面、アノードの
非榊覆頂部と底部、および溝および内部弗素通路の内側
の領域であることを意味する。 第８図と第９図は実験室的アノード集成体を示している
。第８図はテストアノード８４を示し、これは第７ａに
関して言及したアノードのセグメントを使用しており、
アノード８５を貫通する銅導電体８１から成る。導電体
８１はマグネシウムナツト８２の複数個およびマグネシ
ウム・キャップナツト８３を通してねぢが切られ、これ
らは電解液の影響から銅導電体８１の腐蝕を防ぐのに役
立つ。Ｕ字型マグネシウム鞘８４はアノードの側面と背
面上での電解を妨げるのに役立つ。通路部はアノードの
底から抜出される弗素をそれを通して除くのに役立つ。 第９図を参照すると、参照番号８１は銅導電体の腐蝕を
妨げるのに役立つマグネシウム・ナツト８２およびマグ
ネシウム・キャップナツト８３の内部に含まれる銅導電
体であり、Ｕ字型マグネシウム鞘８４はアノード羽の側
面と背面上での電解を妨げるのに役立つ。溝８６は４５
°の角度で切られ内部弗素通路用の孔８７へ連がる。内
部弗素通路用の追加の孔８８はアノードの底から弗素を
除去する。 次の表は上述の３０７ンはアの実験室セルで以て得られ
る電流密度とセル電圧の間の関係を描いている。電流密
度はカソードと直接に相対している識別された垂直アノ
ード９表面に関して測定される〇との表面は幅２．５　
ａｎ　（カソードに面するアノード集成体の炭素部分と
同じ幅）で長さが１０ｃｒＩＬであり、これは「全」規
模アノード集体の二つの隣り合う炭素板の底の縁の間の
垂直距離を表わすと思われるＯ 運転条件は次の通り： １、温度　９５−１００℃ ２、電解液は４０−４１％のＨＦを含んでいた。 ３、電流効率〉９０％ セル運転中において、アノードの下部からの弗素が溝を
通って内部弗素通路孔の中へ出るのが観察された。垂直
炭素表面での自由気泡としての弗素の発生は観察されな
かった。 １．７５　０．０７　５．２−５．４ ３．７５　０．１５　６．１−６．３ １５　０．６　８−８．５ ３０　１．２　１０−１１ ※　温度およびＨＦ濃度の変動に基づく変動を含む・ 本発明の範囲から外れることなく各種の変更をなし得る
ことは明らかである。例証的に開示したいくつかの詳細
は特許請求の範囲に記載されている以外に本発明に対し
て制約を加えるものと考えるべきではない。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明によってつくった弗素セルの断面立面図
であり、第２図はアノード集成体を一部断面でルーバー
状カソードと一緒に示している。 第３図は内部通路を示すアノードブレードの一つの上面
図であり、第３ａ図は第３図の線３ａ−３ａに沿って取
った断面図であり、第４図は面取り周縁を示しかつ同時
に内部通路を示しているもう一つのアノードブレードの
上面図であり、第４ａ図は第４図の線４　ａ　−４ａに
沿って取った断面図である。第５図はアノードの作業表
面からの各種の距離における多数の通路をもつプレード
を示し、かつ同時にアノード表面から弗素を除く交叉通
路を示すもう一つの態様の上面図であり、第５ａ図は第
５図の５ｓａ−ｓａに沿って取った断面図であり、第６
図は延長した交叉通路を示すさらにもう一つのアノード
の上面図であり、第６ａ図は第６図の線６ａ−６ａに沿
って取った断面図である。 第７図はテスト目的用にブレーＶの切片の採取を示す。 第７ａ図は第７図の切片からとったセグメントの遺視図
であり、第８図はテストセル中で使用したアノ−）４を
示しており、第９図は交叉溝によって二つのブレードへ
有効に変換された別のアノードセグメントを示しており
、第１０図は第９図のアノードセグメントを使用するテ
ストセルな断面で示しており、第１１図は矩形のアノー
Ｐ幾何形へ応用される本発明の設計を示す別のアノード
である。 特許出願人　アライド・コーポレーションＦＩＧ、１ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、　５　ＦＩＧ、　６ ＦＩＧ、１０ ８４ ＦＩＧ、９ 第１頁の続き ０発　明　者　リチャード・マイタ　アメル・ブラン　
ベラ Ｏ発明者　ユン・テーク・キム　アメ ル。 ［相］発明者　リン・ニドワード・マ　アメツ力す−　
ドヘ リカ合衆国ニューヨーク州１４２２７．チークトワガ、
イト拳ドライブ　銘 リカ合衆国ニューヨーク州１４２２１．ウィリアムスビ
ロビンヒル・ドライブ　３０１ リカ合衆国ニューヨーク州１４０７５．ハンバーク、ウ
ップン・サークル　３６９０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アノードとカソードとをもつセルを使用して弗素を
   電解により製造する方法であって；　アノードの本体が
   その中に形成された通路を有することを特徴としている
   炭素アノードを備え、弗素ガスをセル中で発生させ、そ
   して、アノード８表面において形成される弗素のアノー
   ド表面からの除去をアノード９内の上記通路を通して抜
   出すことによって行なわせる、ことから成る方法。 ２、弗素の発生中に形成される水素をアノードとカソー
   ドとの間の帯域から排気を、ルーツミー状カソーピを設
   けることによって行わせる、特許請求の範囲第１項に記
   載の方法。 ３、（ａ）　電解液用の容器： ｆｂ）　アノード表面上で形成される弗素の流れに適合
   するなかを通る内部通路をもったセグメント化炭素構造
   体から成るアノード鵞 （Ｃ）　アノ−１とカソードの間の帯域からの水素の排
   出を促進するためのルーバー状陽極；（ａ）　セル中の
   作業可能温度を維持する手段；（ｅ）　発生弗素ガスを
   分離するためのセル内の隔壁； から成る、弗素製造用電解セル。 ４、アノードが複数個の積重ねた炭素板から成る、特許
   請求の範囲第３項に記載のセル。 ５、上記の板が円形である、特許請求の範囲第４項に記
   載のセル。 ６、上記のアノード９が内部で形成される弗素を導く内
   部通路を備えた一体的炭素塊である、特許請求の範囲第
   ３項に記載のセル。 ７．７ノ一ド構遺体を形成する炭素が２５％より少ない
   気孔率をもつ、特許請求の範囲第３項に記載のセル。