JPS60154536A - 集積回路素子の配線方法 - Google Patents

集積回路素子の配線方法

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JPS60154536A
JPS60154536A JP59010635A JP1063584A JPS60154536A JP S60154536 A JPS60154536 A JP S60154536A JP 59010635 A JP59010635 A JP 59010635A JP 1063584 A JP1063584 A JP 1063584A JP S60154536 A JPS60154536 A JP S60154536A
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JP
Japan
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integrated circuit
conductor
circuit element
bumps
input
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JP59010635A
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English (en)
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Tamio Saito
斎藤 民雄
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H01L24/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、集積回路素子に対して外部の導体パターン
を配線する方法に係り、特に高さ方向の占有スペースが
小さい配線方法に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] モノリシック集積回路素子を基板上等に実装する場合に
、集積回路素子に対して外部の導体パターンを配線する
方法として従来、ワイヤボンディングが一般的に用いら
れている。ところが、ワイヤボンディングではワイヤの
高さ方向(占めるス程度あるため、素子とワイヤを含め
た全体の高さは素子の厚さの約2倍となる。この高さ方
向の占有スペースは一般には問題とならないが、特に薄
型であることを要求されるようなデバイス、例えば集積
回路素子をカード状の基体に組込んで従来の磁気カード
を発展させたような情報処理・記憶機能を持たせたIC
カードあるいはメモリカードと称されるものでは、全体
形状を薄くする上で大きな障害となる。
一方、集積回路素子上に導体バンプを形成し、これに導
体パターン(リード)を接続する方法も知られている。
ここで、導体バンプはアルミパッド上に金をメッキによ
り10〜30μm被着したもので、これに金メッキされ
たリードを熱圧着するか、またはSnメッキされたリー
ドを圧接し共晶により接着することによって配線がなさ
れる。この方法は集積回路素子上に導体バンプを形成す
る工程が通常のアルミパッド形成工程に追加された工程
となるため、素子の価格上昇をもたらすという欠点があ
り、あまり用いられていない。すなわち、このような導
体バンプを備えた集積回路素子は一般に高価であり、ま
た品種も少ないので、既存の任意の素子を入手して前述
のようなICカード等を安価に製作することは困難であ
った。
また、前記のようなICカード等を構成する場合を考え
ると、集積回路素子上の入出力パッドの間隔は一般に数
10μm程度と極めて高密度になるが、その場合絶縁性
フィルム上の導体パターンの間隔もそれに伴い高密度に
なる。しかしながら、導体パターンの間隔をこのような
高密度に安定に保持することは非常に困難であり、また
導体バター、ンを集積回路素子上の入出力パッドに接続
した後の状態においても、導体パターンの導体バンプよ
り先端側の部分が不安定なため、隣接するものどうし接
触して配線の短絡を生じ易い。
[発明の目的] この発明の目的は、高さ方向の占有スペースが小さく、
また作業性に優れ、信頼性の高い配線を 1可能とした
集積回路素子の配線方法を提供することにある。
[発明の概要] この発明は、開口部を有する絶縁性フィルム上に先端部
がこの開口部を跨ぐように導体パターンを被着し、この
導体パターン上の前記開口部に対向する位置に導体バン
プを形成した絶縁性フィルムを用意し、導体バンプを集
積回路素子上の入出力パッドに当接するとともに、前記
開口部を通して導体パターンの導体バンプ形成部を加圧
または加熱することにより、導体バンプと入出力パッド
とを接合せしめることを特徴としている。
[発明の効果] この発明によれば、集積回路素子に配線されるべき外部
の導体パターンが絶縁性フィルム上に形成されているた
め、配線のための高さ方向における占有スペースが減少
し、ICカード等を構成する場合に全体形状を薄くする
上で極めて有効であり、また集積回路素子上の入出力パ
ッドと導体パターンとを接続するための導体バンプが導
体パターン上に形成されていることから、集積回路素子
としては単にアルミパッド等を有するものであればよく
特殊なものを必要しない。
さらに、この発明では特に絶縁性フィルムに開口部を形
成し、この開口部を先端部が跨ぐように導体パターンを
絶縁性フィルム上に被着させているため、導体パターン
の間隔が数10μにイ程度と高密度になってもその間隔
を容易に均一にでき、配線作業中および配線終了後にお
いてもその状態を保持することが可能である。従って配
線作業が容易となり、また導体パターン相互の短絡のお
それがなく、配線の信頼性を著しく高めることができる
[発明の実施例] この発明の一実施例を第1図〜第3図を参照して説明す
る。図において、11はモノリシックの集積回路素子で
あり、例えばcpu、メモリ等の機能を持たせたもので
ある。この集積回路素子11はアルミ等からなる入出力
パッド12を周辺部に配列形成した通常のものであり、
金メッキ等からなる導体バンプを有しないものとする。
一方、13は有機フィルムからなる絶縁性フィルムであ
り、この絶縁性フィルム13上に集積回路素子11の入
出力パッド12に接続されるべき導体パターン14が被
着形成されている。導体パターン12は例えば銅により
形成されるものとする。絶縁性フィルム13は第3図に
示Jように、集積回路素子11の入出力パッド12に対
向する位置に長孔状の開口部13aを有するものである
すなわち、開口部13aは同一直線上に位置する入出力
パッド12に対応する開口が連続的に形成されることに
より、全体として長孔状の形状をなしている。そして、
導体パターン14の絶縁性フィルム13と反対側の面上
の開口部13aに対向する位置に、アルミまたは金から
なる導体バンプ15が付着されている。
集積回路素子11の入出力パッド12を導体パターン1
4に接続するに際しては、第4図に示すように導体パタ
ーン14上に付着させた導体バンプ15を集積回路素子
11の入出力パッド12に突き合せ、その状態でツール
16を間口部13aから挿入して導体バンプ15と入出
力パッド12との接触部を加圧または加熱する。これに
よって、導体バンプ15と入出力パッド12とは、共晶
反応または接合部分の合金化により強固に接合される。
こうして集積回路素子11に対する導体パターン14の
配線が終了する。
この場合、導体パターン14は絶縁性フィルム13上に
開口部13aを跨ぐように被着されていることから先端
部が不安定になることがなく、所要の間隔を安定に保持
している。従って配線工程において、集積回路素子11
上の入出力パッド12と導体パターン14上の導体バン
プ15との位置合せを容易に行なうことができる。また
、導体パターン14の先端部が触合って短絡事故が生じ
るおそれもなくなる。
第4図は、この発明で使用する絶縁性フィルム13の製
造工程の一例を示すものである。すなわち、第4図(a
)は厚さが20〜100μm程度 1の例えばポリイミ
ドからなるエツチング可能な絶縁性フィルム13であり
、このフィルム13の一方の面に第4図(b)に示すご
とく例えば無電解メッキにより厚さが5〜15μm程度
の銅フィルム14′を形成する。なお、銅フィルムを予
め作成しておき、それを接着剤でフィルム13上に貼付
けてもよい。このような銅フィルム14′を例えは10
96過硫酸アンモニウムまたは塩化第2鉄等の水溶液で
エツチングすることにより、第4図(、C)に示1よう
に、第3図に示した形状の導体パターン14を形成する
。次に、この導体パターン14面上にさらにレジスI−
178を塗布し、バンプ15を形成する領域を選択的に
露光した後、この露光領域を除去して開口17bを形成
し、導体パターン14の面14aを露出させる。この状
態を第4図(d)に示す。次に、この導体パターン14
の露出面14aに第4図(e)に示すように、無電解メ
ッキまたは電解メッキにより導体バンプ15を形成する
。導体バンプ15の具体例としては、例えばAu、Cu
−Au、N i −Au。
Cu−N1−ALl等が挙げられる。次に、絶縁性フィ
ルム13の導体パターン14が形成された面と反対側の
面上にレジスト18を塗布した後、導体バンプ15が形
成された部分に対応する部分を露光する。このとき露光
部分の幅は導体バンプ15の幅より少し狭めになるよう
に露光する。そして、第4図(f)に示すように、この
露光部分のレジスト18を除去して絶縁性フィルム13
の面13bを露出させる。この露出した面13bを例え
ばヒドラジンの水溶液等でエツチングして、絶縁性フィ
ルム13に加熱または加圧のための開口部13aを形成
する。この間口部13aはエツチング液に浸されてその
幅が導体バンプ15と同じか、または多少広めとのもの
なる。そして、レジスト18を除去して第4図(Q)に
示すような、この発明で用いられる開口部13aを跨ぐ
導体パターン14が形成された絶縁性フィルム13が得
られる。なお、この例では第4図(Q)の工程でレジス
ト18を除去したが、必ずしも除去する必要はない。
第5図はこの発明の他の実施例を示すもので、絶縁性フ
ィルム13の導体パターン14が被着された面と反対側
の面上に透明ガラス板21を配置し、このガラス板21
を押圧することにより導体パターン14上の導体バンブ
15を集積回路素子11上の入出力パッド12に当接し
た状態で、レーザビーム22をガラス板21および絶縁
性フィルム13の間口部13.aを通して導体バンプ1
5と入出力パッド13との接触部分に照射してこの部分
を局部的に加熱し合金化させることにより、両者を接合
させるようにしたものである。この場合、透明ガラス板
21および開口部13aを通して導体パターン14の位
置を確認できるので、導体バンブ15と入出力パッド1
2との位置合せは容易である。この実施例においても先
の実施例と同様に導体パターン14を先端部が開口部1
3aを跨ぐように絶縁性フィルム13上に被着すること
によって、集積回路素子11に対する導体パターン14
の配線の作業性と信頼性の向上を図ることができる。
なお、この発明は要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施
が可能であり、例えば上記実施例では絶縁性フィルム1
3上の開口部13aを長孔状に形成したが、第6図に示
すように集積回路素子11上の各入出力パッド12に対
応する開口を独立させて形成してもよいことは勿論であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の集積回路素子の配線方法
を説明するための展開斜視図、第2図は同実施例におけ
る絶縁性フィルムの構成を詳細に示す平面図、第3図は
同実施例における配線工程を示す断面図、第4図は同実
施例における絶縁性フィルムの製造工程の一例を説明す
るための図、第5図はこの発明の他の実施例を説明する
ための配線工程における断面図、第6図はこの発明にお
ける絶縁性フィルムの他の例を示す平面図である。 11・・・集積回路素子、12・・・入出力パッド、1
3・・・絶縁性フィルム、14・・・導体パターン、1
5・・・導体バンプ、16・・・ツール、21・・・ガ
ラス板、22・・・レーザビーム。 イ 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 ff16図 2

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)集積回路素子に対し外部の導体パターンを配線す
    るに際し、前記集積回路素子の入出力パッドに対向する
    部分が開口し、この開口部を跨ぐように前記導体パター
    ンの先端部が被着され、この導体パターンが被着される
    面と□反対側の面上の前記開口部に対応づる部位に導体
    バンプが形成された絶縁性フィルムを前記導体バンプが
    前記集積回路素子上の入出力パッドに当接されるように
    配設するとともに、前記開口部を通して露出した前記導
    体パターン面から前記導体バンプに加圧または加熱を行
    なうことにより、前記導体バンプと前記パッドとを接合
    せしめることを特徴とする集積回路素子の配線方法。
  2. (2)絶縁性フィルムを導体パターンが被着された面と
    反対の面側から透明ガラス板によって押圧集積回路素子
    上の入出力パッドに当接することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の集積回路素子の配線方法。
  3. (3)開口部は集積回路素子上の同一直線上に位置する
    入出力パッドに対応する開口を連続させて長孔状に形成
    されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の集積回路素子の配線方法。
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