JPS60154531A - 半導体基板の乾燥方法 - Google Patents
半導体基板の乾燥方法Info
- Publication number
- JPS60154531A JPS60154531A JP1117684A JP1117684A JPS60154531A JP S60154531 A JPS60154531 A JP S60154531A JP 1117684 A JP1117684 A JP 1117684A JP 1117684 A JP1117684 A JP 1117684A JP S60154531 A JPS60154531 A JP S60154531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- belt
- drying
- substrate
- constitution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の乾燥方法に関するものである。
半導体のＬＳＩ製造において年々その基板の口径は大口
径化に向いつつある。しかるにこれに対応した個別プロ
セスの装置が種々開発されているが、水切り乾燥装置と
しては遠心分離法、蒸気乾燥法、熱風乾燥法等が知られ
ている。しかしながら前記の遠心乾燥法では基板を高速
で回転するために基板とキャリヤが衝突しウニ八周辺部
が破砕されスクラッチを生じ、ゴミの主因となりＬＳＩ
の歩留シ低下をもたらす。さらに大口径になるにつれて
ウェハ総重量が増大するために処理量が減る。一方蒸気
乾燥では有機溶剤に含まれる炭化物、その他の不純物が
基板表面に残留し易く、清浄度及び量産性の点で遠心乾
燥法に劣る。有機溶剤の価格も高く経済性の点で問題と
なる。さらに熱風乾燥方式は不活性ガスを強く直接ウェ
ハ表面に当てるため、ガスに含まれるゴミが付着し易い
等清浄度に難がある。
径化に向いつつある。しかるにこれに対応した個別プロ
セスの装置が種々開発されているが、水切り乾燥装置と
しては遠心分離法、蒸気乾燥法、熱風乾燥法等が知られ
ている。しかしながら前記の遠心乾燥法では基板を高速
で回転するために基板とキャリヤが衝突しウニ八周辺部
が破砕されスクラッチを生じ、ゴミの主因となりＬＳＩ
の歩留シ低下をもたらす。さらに大口径になるにつれて
ウェハ総重量が増大するために処理量が減る。一方蒸気
乾燥では有機溶剤に含まれる炭化物、その他の不純物が
基板表面に残留し易く、清浄度及び量産性の点で遠心乾
燥法に劣る。有機溶剤の価格も高く経済性の点で問題と
なる。さらに熱風乾燥方式は不活性ガスを強く直接ウェ
ハ表面に当てるため、ガスに含まれるゴミが付着し易い
等清浄度に難がある。
以上のように従来技術の乾燥法では、その清浄度及び量
産性の点で問題があった。
産性の点で問題があった。
本発明の乾燥方法は赤外線を用いることを特徴とする新
規な水切シ乾燥法を提供することにある。
規な水切シ乾燥法を提供することにある。
本発明の原理は赤外線を熱源としてウェハ表面の水分を
１００Ｃ以上にして蒸発させようとするものである。こ
の赤外線加熱法は基板自体を短時間に熱することができ
瞬時に水分を蒸発させウェハー表面は充分清浄度が保た
れる。
１００Ｃ以上にして蒸発させようとするものである。こ
の赤外線加熱法は基板自体を短時間に熱することができ
瞬時に水分を蒸発させウェハー表面は充分清浄度が保た
れる。
次に本発明の実施例について模式図である第１図を用い
て説明する。
て説明する。
通常、洗浄工程が終了したウェハはテラロンキャリｙに
収納され純水プール槽にストックされる。
収納され純水プール槽にストックされる。
これを自動又は手動で１００のようにキャリヤー１のウ
ェハ２が水平になるようにする。このウェハ２をベルト
搬送によシ赤外線乾燥２００に送る、３は透明石英トン
ネル、４．４’はそれぞれ上部。
ェハ２が水平になるようにする。このウェハ２をベルト
搬送によシ赤外線乾燥２００に送る、３は透明石英トン
ネル、４．４’はそれぞれ上部。
下部赤外線ランプモジュール、５はテフロン製ベルト、
６は三角形々る凸起。ウェハ２′は凸起７〜８間に載せ
られる。このときベルト５は下部赤外線をじゃへいしな
い様に三角形の凸起（棒状）の両端をささえている、こ
の為ウェハの上側と下側から加熱をすることができ、そ
の乾燥効果は大きい。このときｉｏ、ｉｏ’よシ補助的
に乾燥空気又は窒素ガスを導入すれば一層乾燥が効果的
に行われる。９，９′は回転軸。赤外線トンネルの長さ
は〜１．５ Ｍで良く、赤外線の容置は上部１０Ｖ１下
部１０ＫＷとし、処理温度は１００〜１２０Ｃとする。
６は三角形々る凸起。ウェハ２′は凸起７〜８間に載せ
られる。このときベルト５は下部赤外線をじゃへいしな
い様に三角形の凸起（棒状）の両端をささえている、こ
の為ウェハの上側と下側から加熱をすることができ、そ
の乾燥効果は大きい。このときｉｏ、ｉｏ’よシ補助的
に乾燥空気又は窒素ガスを導入すれば一層乾燥が効果的
に行われる。９，９′は回転軸。赤外線トンネルの長さ
は〜１．５ Ｍで良く、赤外線の容置は上部１０Ｖ１下
部１０ＫＷとし、処理温度は１００〜１２０Ｃとする。
ベルトの送シ速度は〜５０ｃｒｎ／分として、そのウェ
ハ表面が疎水性の場合も、親水性の場合も〜３分／枚で
完全に水切シを出光ることが分った。処理後はベルト搬
送により３００の位置にロードすれば良い。
ハ表面が疎水性の場合も、親水性の場合も〜３分／枚で
完全に水切シを出光ることが分った。処理後はベルト搬
送により３００の位置にロードすれば良い。
本発明の乾燥法による清浄度と従来技術の遠心乾燥法と
で、レーザー法によるゴミ検査器で測定評価したところ
５＃φウエハ上のゴミ粒子は従来法で平均１０ケ／ウエ
ハであったが、本発明の乾燥法では平均１ケ／ウニ八以
下であった。
で、レーザー法によるゴミ検査器で測定評価したところ
５＃φウエハ上のゴミ粒子は従来法で平均１０ケ／ウエ
ハであったが、本発明の乾燥法では平均１ケ／ウニ八以
下であった。
以上のように本発明の乾燥法は大口径ウェハの清浄度向
上と量産化におけるスループットも従来法に比べ向上し
、すぐれた半導体の乾燥法を提供し歩留シ向上に寄与で
きる。
上と量産化におけるスループットも従来法に比べ向上し
、すぐれた半導体の乾燥法を提供し歩留シ向上に寄与で
きる。
第１図は本発明の乾燥法を示す模式図である。
１００はウェハロード状態、２００は赤外乾燥“：ｔ／
４１に、 ３００ｕ７７０− ）”ｍｌ、”′ｉ“″・
１２はウェハ、３は透明石英トンネル、４．４”は赤
外線モジュール、５はテフロンベルト、６．７゜８は石
英製凸起（棒状）、９，９′は回転軸、１０゜１０’は
乾燥ガス敗入口。
４１に、 ３００ｕ７７０− ）”ｍｌ、”′ｉ“″・
１２はウェハ、３は透明石英トンネル、４．４”は赤
外線モジュール、５はテフロンベルト、６．７゜８は石
英製凸起（棒状）、９，９′は回転軸、１０゜１０’は
乾燥ガス敗入口。
Claims (1)
- 半導体基板の水洗浄工程後の水切り方法として赤外線加
熱によシ乾燥することを特徴とする半導体基板の乾燥方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117684A JPS60154531A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体基板の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117684A JPS60154531A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体基板の乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154531A true JPS60154531A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11770744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1117684A Pending JPS60154531A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 半導体基板の乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059017A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Appareil de fabrication de tranches semi-conductrices |
| WO2009001379A1 (en) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Afco C.V. | Drying apparatus and method for silicon-based electronic circuits |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP1117684A patent/JPS60154531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059017A1 (fr) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Appareil de fabrication de tranches semi-conductrices |
| US6578589B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-06-17 | Super Silicon Crystal Research Institute Corp. | Apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| WO2009001379A1 (en) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Afco C.V. | Drying apparatus and method for silicon-based electronic circuits |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4350562A (en) | Method for etching semiconductor wafers on one side | |
| JPH04305929A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JPS60154531A (ja) | 半導体基板の乾燥方法 | |
| JP3167765B2 (ja) | 自動洗浄装置 | |
| KR20090030204A (ko) | 반도체 웨이퍼의 세척 방법 | |
| JP3552401B2 (ja) | ルツボの洗浄方法 | |
| JPS63107131A (ja) | 処理装置 | |
| JPH07211681A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JPS60160127A (ja) | 半導体基板の乾燥方法 | |
| JPH04335986A (ja) | 乾燥装置 | |
| JPH11307507A (ja) | ウエハ乾燥装置 | |
| JPH06252115A (ja) | 被洗浄物の洗浄方法 | |
| JPS60164329A (ja) | 半導体基板の乾燥方法 | |
| JP2002231688A (ja) | 基板の乾燥方法 | |
| JPS61121337A (ja) | ウエハの処理方法 | |
| JPH09129580A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2756777B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3009006B2 (ja) | 半導体基板の乾燥装置 | |
| JPH0210831A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JPH0210832A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH07297165A (ja) | 半導体基板の洗浄液乾燥方法 | |
| JPH11297658A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH02142129A (ja) | ウエハの前処理方法 | |
| JPH0697147A (ja) | 乾燥装置 | |
| JPS63228623A (ja) | 乾燥方法 |