JPS60153632A - 多素子型セラミツクフイルタ - Google Patents
多素子型セラミツクフイルタInfo
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- JPS60153632A JPS60153632A JP1062184A JP1062184A JPS60153632A JP S60153632 A JPS60153632 A JP S60153632A JP 1062184 A JP1062184 A JP 1062184A JP 1062184 A JP1062184 A JP 1062184A JP S60153632 A JPS60153632 A JP S60153632A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/542—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
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- H03H9/581—Multiple crystal filters comprising ceramic piezoelectric layers
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多素子型セラミックフィルタに関する。多素
子型セラミックフィルタは、メカニカルＱの高いフィル
タとして、例えばＡＭもしくはＦＭ用フィルタ、テレビ
用フィルタ、通信機器フィルタ等に広く利用されている
。
子型セラミックフィルタは、メカニカルＱの高いフィル
タとして、例えばＡＭもしくはＦＭ用フィルタ、テレビ
用フィルタ、通信機器フィルタ等に広く利用されている
。
従来技術
この種の多素子型セラミックフィルタとしては、第１図
に示すような３素子型のものと、第２図に示すような４
素子型のものが良く知られている。第１図及び第２図に
おいて、ｌ及び２は入力端子、３及び４は出力端子であ
る。５〜８はフィルタ素子、９〜１１はコンデンサ素子
である。フィルタ素子５〜８の各々は、片面に設けた共
通電極５１〜８１のそれぞれを共通に接続すると共に、
反対側の面に互いに独立して設けた分割電極（５２，５
３）〜（８２，８３）を、入出力端子１−３間で直列に
接続することにより、縦続接続した回路構成となってい
る。
に示すような３素子型のものと、第２図に示すような４
素子型のものが良く知られている。第１図及び第２図に
おいて、ｌ及び２は入力端子、３及び４は出力端子であ
る。５〜８はフィルタ素子、９〜１１はコンデンサ素子
である。フィルタ素子５〜８の各々は、片面に設けた共
通電極５１〜８１のそれぞれを共通に接続すると共に、
反対側の面に互いに独立して設けた分割電極（５２，５
３）〜（８２，８３）を、入出力端子１−３間で直列に
接続することにより、縦続接続した回路構成となってい
る。
第３図及び第４図は第１図に示した３素子型セラミツク
フイルタの具体的な構造を示す図で、分極処理した平板
状の圧電磁器基板１２の一面に、間隔ｄ１をおいて、共
通電極５１〜７１をおいて形成すると共に、反対側の他
面上の、前記共通電極５１〜７１の配設位置と対向する
位置に、分割電極（５２，５３）〜（７２，７３）を形
成した構造となっている。
フイルタの具体的な構造を示す図で、分極処理した平板
状の圧電磁器基板１２の一面に、間隔ｄ１をおいて、共
通電極５１〜７１をおいて形成すると共に、反対側の他
面上の、前記共通電極５１〜７１の配設位置と対向する
位置に、分割電極（５２，５３）〜（７２，７３）を形
成した構造となっている。
分割電極５２−５３．８２−８３及び７２−７３は、そ
れぞれ、ギャップＧ１、Ｇ２及びＧ３を介して対向して
いる。９１及び９２はコンデンサ素子９を構成する電極
、１０１及び１０２はコンデンサ素子１０を構成する電
極である。
れぞれ、ギャップＧ１、Ｇ２及びＧ３を介して対向して
いる。９１及び９２はコンデンサ素子９を構成する電極
、１０１及び１０２はコンデンサ素子１０を構成する電
極である。
前記共通電極５１〜８１及び分割電極（５２，５３）〜
（７２，７３）は、各フィルタ素子５〜７が同−周波数
特性及び帯域幅を持つように同一パターンとなるように
形成しである。即ち、共通電極５１〜７１は電極幅Ｗ１
、長さ文１が互いに等しく、また分割電極（５２，５３
）〜（７２，７３）は電極幅ｗ２、長さ立２が略等しく
、かつギャップＧｌ、Ｇ２及びＧ３も略等しくなるよう
に形成しである。
（７２，７３）は、各フィルタ素子５〜７が同−周波数
特性及び帯域幅を持つように同一パターンとなるように
形成しである。即ち、共通電極５１〜７１は電極幅Ｗ１
、長さ文１が互いに等しく、また分割電極（５２，５３
）〜（７２，７３）は電極幅ｗ２、長さ立２が略等しく
、かつギャップＧｌ、Ｇ２及びＧ３も略等しくなるよう
に形成しである。
従来技術の欠点
しかしながら、各フィルタ素子を、同一の周波数特性及
び帯域幅を持つように形成した場合、第７図に示すよう
に、振幅特性Ａに歪ａを生じたり群遅延特性Ｂにリップ
ルｂを生じてしまうと言う難点がある。第７図の特性を
得るに当って、３つフィルタ素子５〜７の３ｄＢ帯域幅
は全て３３０ ＫＨｚとし、また、コンデンサ素子９．
１ｏの容量は４７ＰＦとした。
び帯域幅を持つように形成した場合、第７図に示すよう
に、振幅特性Ａに歪ａを生じたり群遅延特性Ｂにリップ
ルｂを生じてしまうと言う難点がある。第７図の特性を
得るに当って、３つフィルタ素子５〜７の３ｄＢ帯域幅
は全て３３０ ＫＨｚとし、また、コンデンサ素子９．
１ｏの容量は４７ＰＦとした。
上述の問題を解決する従来技術としては、実公昭５７’
−１００９２号公報に開示される如く、一端の素子の
中心周波数を他の３素子の中心周波数のほぼ平均値より
最大周波数差値以上に低くした４素子型セラミツクフイ
ルタが知られている。しかし、同一基板上で中心周波数
のみを変えることは技術的な困難性を伴い、また中心周
波数の調整のためのレジスト塗布等による工程の増加、
生産性の低下、コストアップ等を招く。
−１００９２号公報に開示される如く、一端の素子の
中心周波数を他の３素子の中心周波数のほぼ平均値より
最大周波数差値以上に低くした４素子型セラミツクフイ
ルタが知られている。しかし、同一基板上で中心周波数
のみを変えることは技術的な困難性を伴い、また中心周
波数の調整のためのレジスト塗布等による工程の増加、
生産性の低下、コストアップ等を招く。
本発明の目的
本発明は上述する問題点を解決し、歪、リップルのない
振幅特性及び群遅延特性が得られ、しかも、製造が容易
で、量産性に富む安価な多素子型セラミックフィルタを
提供することを目的とする。
振幅特性及び群遅延特性が得られ、しかも、製造が容易
で、量産性に富む安価な多素子型セラミックフィルタを
提供することを目的とする。
本発明の構成
ＪＺ記目的を達成するため、本発明は、同一基板上で少
なくとも３つのフィルタ素子を縦続接続して構成された
多素子型セラミックフィルタにおいて、中間部に位置す
るフィルタ素子の帯域幅を、両端側に位置するフィルタ
素子の帯域幅と異ならせたことを特徴とする。
なくとも３つのフィルタ素子を縦続接続して構成された
多素子型セラミックフィルタにおいて、中間部に位置す
るフィルタ素子の帯域幅を、両端側に位置するフィルタ
素子の帯域幅と異ならせたことを特徴とする。
実施例
第５図は本発明に係る多素子型セラミックフィルタの平
面図、第６図は同じくその底面図である。図において、
第１図及び第２図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、３素子型セラミツク
ウイルタを示し、中間部のフィルタ素子６の帯域幅を、
両側のフィルタ素子５．７の帯域幅より狭くしである。
面図、第６図は同じくその底面図である。図において、
第１図及び第２図と同一の参照符号は同一性ある構成部
分を示している。この実施例では、３素子型セラミツク
ウイルタを示し、中間部のフィルタ素子６の帯域幅を、
両側のフィルタ素子５．７の帯域幅より狭くしである。
フィルタ素子６の帯域幅を狭くするだめの具体的な手段
として、この実施例では、フィルタ素子６を構成する分
割電極６２−６３間のギャップＧ２を、両側のフィルタ
素子５．７を構成する分割電極５２−５３間のギャップ
Ｇ１及び分割電極７２−７３間のギャップＧ３より大き
くしである。ただし、中心周波数が各フィルタ素子５〜
７で略等しくなるように、電極幅Ｗ１、Ｗ２及び長さ文
１１文２Ｆ；：を調整する。
として、この実施例では、フィルタ素子６を構成する分
割電極６２−６３間のギャップＧ２を、両側のフィルタ
素子５．７を構成する分割電極５２−５３間のギャップ
Ｇ１及び分割電極７２−７３間のギャップＧ３より大き
くしである。ただし、中心周波数が各フィルタ素子５〜
７で略等しくなるように、電極幅Ｗ１、Ｗ２及び長さ文
１１文２Ｆ；：を調整する。
上述の如く、中間部のフィルタ素子６の帯域幅を、その
両側のフィルタ素子５．７の帯域幅より狭くすると、リ
ップルのない振幅特性及び群遅延特性が得られることが
解った。この狭帯域化による効果は、中間部のフィルタ
素子６の帯域幅を、両側のフィルタ素子５．７の帯域幅
の０．８倍以下に設定することにより得られることが、
実験によって確かめられた。
両側のフィルタ素子５．７の帯域幅より狭くすると、リ
ップルのない振幅特性及び群遅延特性が得られることが
解った。この狭帯域化による効果は、中間部のフィルタ
素子６の帯域幅を、両側のフィルタ素子５．７の帯域幅
の０．８倍以下に設定することにより得られることが、
実験によって確かめられた。
第８図は本発明に係る３素子型セラミツクフイルタの実
測による周波数−利得比特性図である。
測による周波数−利得比特性図である。
この特性を得るに当っては、ギャップ０１〜Ｇ３の寸法
をＧ ｉ 、 Ｇ ３ ＝０．３０ｍｍ、 Ｇ ２ ＝
０．４５ｍｍとした。
をＧ ｉ 、 Ｇ ３ ＝０．３０ｍｍ、 Ｇ ２ ＝
０．４５ｍｍとした。
フィルタ素子５．７ （７） ３ ｄＢ帯域幅は３３０
ＫＨｚ、フィルタ素子６の３ｄＢ帯域弧は２４０ Ｋ
Ｈｚであった。
ＫＨｚ、フィルタ素子６の３ｄＢ帯域弧は２４０ Ｋ
Ｈｚであった。
また、電極８１．８２によって構成されるコンデンサ素
子９及び電極１０１ 、１０２によって構成されるコン
デンサ素子１０の容量は、４？ＰＦとした。
子９及び電極１０１ 、１０２によって構成されるコン
デンサ素子１０の容量は、４？ＰＦとした。
第８図に示すように、本発明によれば、歪、リップルの
ない逆Ｕ字型の振幅特性Ａ及びＵ字型の群遅延特性Ｂが
得られる。しかも、周波数を同一としたままで、電極間
ギャップを調整する等の簡単な操作で帯域幅を狭くする
だけで良いので、製造が容易で、量産性に富む安価な多
素子型セラミックフィルタが得られる。
ない逆Ｕ字型の振幅特性Ａ及びＵ字型の群遅延特性Ｂが
得られる。しかも、周波数を同一としたままで、電極間
ギャップを調整する等の簡単な操作で帯域幅を狭くする
だけで良いので、製造が容易で、量産性に富む安価な多
素子型セラミックフィルタが得られる。
以上、３素子型セラミツクフイルタを例にとって説明し
たが、第２図に示した４素子型等、更に多段の多素子型
セラミックフィルタにおいても同様に適用が可能である
。４素子型セラミツクフイルタにおいては、中間部の２
つのフィルタ素子６．７の帯域幅を、その両端側のフィ
ルタ素子５．８の帯域幅より狭くすればよい。
たが、第２図に示した４素子型等、更に多段の多素子型
セラミックフィルタにおいても同様に適用が可能である
。４素子型セラミツクフイルタにおいては、中間部の２
つのフィルタ素子６．７の帯域幅を、その両端側のフィ
ルタ素子５．８の帯域幅より狭くすればよい。
本発明の効果
以上述べたように、本発明は、同一基板上に少なくとも
３つのフィルタ素子を縦続接続して構成された多素子型
セラミックフィルタにおいて、中間部に位置するフィル
タ素子の帯域幅を、両端側に位置するフィルタ素子の帯
域幅と異ならせたことを特徴とするから、振幅特性及び
群遅延特性の歪、リップルが小さく、しかも、製造が容
易で、量産性に富む安価な多素子型セラミックフィルタ
を提供することができる。
３つのフィルタ素子を縦続接続して構成された多素子型
セラミックフィルタにおいて、中間部に位置するフィル
タ素子の帯域幅を、両端側に位置するフィルタ素子の帯
域幅と異ならせたことを特徴とするから、振幅特性及び
群遅延特性の歪、リップルが小さく、しかも、製造が容
易で、量産性に富む安価な多素子型セラミックフィルタ
を提供することができる。
第１図は３素子型セラミ・ンクフィルタの電気的等価回
路図、第４図は４素子型セラミツクフイルタの電気的等
価回路図、第３図は第１図に示した３素子型セラミツク
フイルタの具体的な構造を示す平面図、第４図は同じく
その底面図、第５図は本発明に係る３素子型セラミツク
フイルタの平面図、第６図は同じくその底面図、第７図
は第１図及び第３図に示した従来の３素子型セラミツク
フイルタの周波数−利得比特性図、第８図は本発明に係
る多素子型セラミックフィルタの周波数−利得比特性図
である。 ５．６．７．８Φ・晦フィルタ素子 ９．１０．１］−Φ・コンデンサ素子 １２・・・基板 ５１、８１．７１．８１・・ｅ共通電極５２．５３．６
２．６３．７２．７３．８２．８３・・・分割電極Ｇ１
．Ｇ２、Ｇ３・・・キャップ 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 用液敷 第８図 側破駁 手続補正書 昭和５９年５月８日 昭和５９年 特許願 第１０６２１号 ２、発明の名称 多素子型セラミックフィルタ 住所 東京都葛飾区鰺口丁目３７番２号５、補正命令の
日付 昭和５９年４月４日６、補正により増加する発明
の数 ０ ７、補 正 の 対 象 明細書の図面の簡単な説明の
梱８、補 正 の 内 容 明細書第８頁第１９行から
同頁第２０行に、「第４図は・・・拳拳電気的等価回路
図、」とあるのを、「第２図は４素子型セラミツクフイ
ルタの電気的等価回路図、」と補正する。
路図、第４図は４素子型セラミツクフイルタの電気的等
価回路図、第３図は第１図に示した３素子型セラミツク
フイルタの具体的な構造を示す平面図、第４図は同じく
その底面図、第５図は本発明に係る３素子型セラミツク
フイルタの平面図、第６図は同じくその底面図、第７図
は第１図及び第３図に示した従来の３素子型セラミツク
フイルタの周波数−利得比特性図、第８図は本発明に係
る多素子型セラミックフィルタの周波数−利得比特性図
である。 ５．６．７．８Φ・晦フィルタ素子 ９．１０．１］−Φ・コンデンサ素子 １２・・・基板 ５１、８１．７１．８１・・ｅ共通電極５２．５３．６
２．６３．７２．７３．８２．８３・・・分割電極Ｇ１
．Ｇ２、Ｇ３・・・キャップ 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 用液敷 第８図 側破駁 手続補正書 昭和５９年５月８日 昭和５９年 特許願 第１０６２１号 ２、発明の名称 多素子型セラミックフィルタ 住所 東京都葛飾区鰺口丁目３７番２号５、補正命令の
日付 昭和５９年４月４日６、補正により増加する発明
の数 ０ ７、補 正 の 対 象 明細書の図面の簡単な説明の
梱８、補 正 の 内 容 明細書第８頁第１９行から
同頁第２０行に、「第４図は・・・拳拳電気的等価回路
図、」とあるのを、「第２図は４素子型セラミツクフイ
ルタの電気的等価回路図、」と補正する。
Claims (4)
- （１） 同一基板上に少なくとも３つのフィルタ素子を
縦続接続して構成された多素子型セラミックフィルタに
おいて、中間部に位置するフィルタ素子の帯域幅を、両
端側に位置するフィルタ素子の帯域幅と異ならせたこと
を特徴とする多素子型セラミックフィルタ。 - （２） 中間部に位置するフィルタ素子の帯域幅を、両
端（ｌｌｉに位置するフィルタ素子の帯域幅より狭くし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多素
子型セラミックフィルタ。 - （３） 前記フィルタ素子のそれぞれは、前記基板の一
面上でギャップを介して対向する一対の電極と、前記基
板の他面側で該一対の電極に対して共通に対向する電極
とを備えて構成されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の多素子型セラミックフィル
タ。 - （４） 中間部に位置する前記フィルタ素子の前記ギャ
ップを、両端側に位置するフィルタ素子のギャップより
大きくしたことを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
載の多素子型セラミックフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062184A JPH0626293B2 (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多素子型セラミツクフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1062184A JPH0626293B2 (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多素子型セラミツクフイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153632A true JPS60153632A (ja) | 1985-08-13 |
| JPH0626293B2 JPH0626293B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=11755292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1062184A Expired - Lifetime JPH0626293B2 (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 多素子型セラミツクフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626293B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471033U (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-23 | ||
| US5572082A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Sokol; Thomas J. | Monolithic crystal strip filter |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180084410A (ko) * | 2017-01-17 | 2018-07-25 | (주)제이엠씨 | 비정질과 나노결정질 연자성 리본 코어 |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP1062184A patent/JPH0626293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471033U (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-23 | ||
| US5572082A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Sokol; Thomas J. | Monolithic crystal strip filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626293B2 (ja) | 1994-04-06 |
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