JPS60151210A - 結晶性シリカの製造方法 - Google Patents
結晶性シリカの製造方法Info
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- JPS60151210A JPS60151210A JP59263077A JP26307784A JPS60151210A JP S60151210 A JPS60151210 A JP S60151210A JP 59263077 A JP59263077 A JP 59263077A JP 26307784 A JP26307784 A JP 26307784A JP S60151210 A JPS60151210 A JP S60151210A
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S423/00—Chemistry of inorganic compounds
- Y10S423/22—MFI, e.g. ZSM-5. silicalite, LZ-241
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶性シリカ、より特に単斜晶対称性の構造を
イ１する結晶性シリカ、の製造方法に関するものである
。
イ１する結晶性シリカ、の製造方法に関するものである
。
本発明の方法に従って製造される結晶性シリカは、例え
ばアルキル化および異性化の如、ぎ形状選択性を必要と
する反応分野において分子ふるい性および触媒性を示す
。
ばアルキル化および異性化の如、ぎ形状選択性を必要と
する反応分野において分子ふるい性および触媒性を示す
。
岐近の１０年間に、ゼオライト分野または結晶性シリカ
分野において、新型の触媒類を見出すために多くの努力
がなされてきている。
分野において、新型の触媒類を見出すために多くの努力
がなされてきている。
ゼオライト型触媒に関する一つの問題点は、それらが少
量の水の存在下でさえ急速に脱活性化されるということ
である。脱活性化とは、反応物から生成物への高い転化
率が長期間にわたって維持されずその結果費用のかかる
触媒の交換または再生工程が必要であることを意味し、
それは全体的な工程効率を大きく減少させる。
量の水の存在下でさえ急速に脱活性化されるということ
である。脱活性化とは、反応物から生成物への高い転化
率が長期間にわたって維持されずその結果費用のかかる
触媒の交換または再生工程が必要であることを意味し、
それは全体的な工程効率を大きく減少させる。
最近では、米国特許４，０６１，７２４中で製造された
ようなシリカライト（ｓｉｌｉｃａｌ−ｔｔｅ）型の結
晶性シリカはオルト斜方晶形対称を有しそして水蒸気安
定性を有することが認識されている。
ようなシリカライト（ｓｉｌｉｃａｌ−ｔｔｅ）型の結
晶性シリカはオルト斜方晶形対称を有しそして水蒸気安
定性を有することが認識されている。
シリカライト型結晶性シリカが水蒸気中である程度の形
状選択性を示すことも報告されている。
状選択性を示すことも報告されている。
そのようなこれまでに存在している物質類を用いて得ら
れるものより大きい形状選択性が望まれている。
れるものより大きい形状選択性が望まれている。
本出願人は同時出願中の出願の中で、単斜晶対称性を有
する結晶性シリカが興味ある形状選択性を有することを
開示している。
する結晶性シリカが興味ある形状選択性を有することを
開示している。
従って、単斜晶対称性を有する結晶性シリカ触媒の製造
方法がめられている。
方法がめられている。
本発明の一目的は従って１単斜晶対称性を有する結晶性
シリカ触媒を特に製造するための新規な方法を提供する
ことである。
シリカ触媒を特に製造するための新規な方法を提供する
ことである。
本発明の他の目的は、形状選択性を必要とする反応にお
いて、特にバラアルキル化反応において、優れた触媒活
性を有する単斜晶対称性の結晶性シリカ触媒を製造する
方法を提供することである。
いて、特にバラアルキル化反応において、優れた触媒活
性を有する単斜晶対称性の結晶性シリカ触媒を製造する
方法を提供することである。
本発明の他の目的は、優れた触媒活性を有するだけでな
く優れた水蒸気安定性も示す単斜晶対称性を有する結晶
性シリカ触媒の製造方法を提供することである。
く優れた水蒸気安定性も示す単斜晶対称性を有する結晶
性シリカ触媒の製造方法を提供することである。
単斜晶対称性を有する結晶性シリカを製造するだめの本
発明に従う方法は、約８０以上のシリカ対アルミナ原子
比を有するシリカライト型の結晶性シリカを空気中で少
なくとも５００℃の温度において少なくとも３時間にわ
たってか焼する段階を包含している。
発明に従う方法は、約８０以上のシリカ対アルミナ原子
比を有するシリカライト型の結晶性シリカを空気中で少
なくとも５００℃の温度において少なくとも３時間にわ
たってか焼する段階を包含している。
単斜晶対称性を有する結晶性シリカという語は１本発り
１で使用するときには１本発明に従うか焼後に特別なＸ
線回折パターンを有する結晶性シリカを意味する。その
ようなＸ線回折パターンを表１に示す。
１で使用するときには１本発明に従うか焼後に特別なＸ
線回折パターンを有する結晶性シリカを意味する。その
ようなＸ線回折パターンを表１に示す。
１・面間間隔ｄ（オンゲストロー１、） 相対的強度１
１．３３ ＋００ １０．１８ ５２ ９．８！３ ２２ Ｂ、７Ｂ ＩＯ ２，４１１６ ８、０５２０ ５−７４１１ ５Ｊｌ １４ ５．１７ ３ ５、０６ ？ ５．０１ ８ ４．６４ ７ ４．３８ ９ ４．２８ １！ ４、１０ ５ ４．０３ ７ ３．８７ ８２ ３．８３ ４２ ３．７？ ２２ ：ｌｌ？３ ４８ ３．６７ １５ ３．６４ １５ ３．６１ ４ ３−５０ ５ ３．４８ ７ ３．４１ ４ ３．３７ ？ ３．３３ ７ ３．３２ １＋ ３．２７ ５ ３．１５ ３ ３、０Ｂ ６ ３．０５ Ｒ ３，００１５ ２，８５７ ２，７４４ ２，６９３ ２，８０３ ２，５２４ ２，４９５ ２，４２４ ２，０２１０ ２，００９ １，８８３ 本発明の結晶性シリカのＸ線回折パターンの最も重要な
特徴の−・つは、約ｄ＝３．６５±０．０２人の平面間
間隔におけるピークの分裂である。
１．３３ ＋００ １０．１８ ５２ ９．８！３ ２２ Ｂ、７Ｂ ＩＯ ２，４１１６ ８、０５２０ ５−７４１１ ５Ｊｌ １４ ５．１７ ３ ５、０６ ？ ５．０１ ８ ４．６４ ７ ４．３８ ９ ４．２８ １！ ４、１０ ５ ４．０３ ７ ３．８７ ８２ ３．８３ ４２ ３．７？ ２２ ：ｌｌ？３ ４８ ３．６７ １５ ３．６４ １５ ３．６１ ４ ３−５０ ５ ３．４８ ７ ３．４１ ４ ３．３７ ？ ３．３３ ７ ３．３２ １＋ ３．２７ ５ ３．１５ ３ ３、０Ｂ ６ ３．０５ Ｒ ３，００１５ ２，８５７ ２，７４４ ２，６９３ ２，８０３ ２，５２４ ２，４９５ ２，４２４ ２，０２１０ ２，００９ １，８８３ 本発明の結晶性シリカのＸ線回折パターンの最も重要な
特徴の−・つは、約ｄ＝３．６５±０．０２人の平面間
間隔におけるピークの分裂である。
単斜晶対称性を有する結晶性ソリ力を他のものと匿別す
るために使用できるＸ線回折パターンの他の特徴は、約
ｄ＝３．０５〜３．０６人の平面間間隔における二重線
の出現であり、一方−重線のピークは約ｄ＝：１００±
０．０２への平面間間隔において出現する。
るために使用できるＸ線回折パターンの他の特徴は、約
ｄ＝３．０５〜３．０６人の平面間間隔における二重線
の出現であり、一方−重線のピークは約ｄ＝：１００±
０．０２への平面間間隔において出現する。
本発明の単斜晶対称性の触媒を製造するために使用すべ
きシリカライト型の結晶性シリカは、水、シリカ源、ア
ルカリ金属酸化物および式（ｉ）を有する第四級アンモ
ニルム塩または式（ＴＩ ）を有する第四級ホスホニウ
ム塩（ ［式中、 Ｒ＋ 、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はアルキル法であり、そ
して ＸはＯＨまたは１価の酸の基である］ を含有している反応混合物を７〜１４の間のＰＨにおい
て水熱結晶化して含水結晶性先駆体を生成することによ
り製造できる。
きシリカライト型の結晶性シリカは、水、シリカ源、ア
ルカリ金属酸化物および式（ｉ）を有する第四級アンモ
ニルム塩または式（ＴＩ ）を有する第四級ホスホニウ
ム塩（ ［式中、 Ｒ＋ 、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はアルキル法であり、そ
して ＸはＯＨまたは１価の酸の基である］ を含有している反応混合物を７〜１４の間のＰＨにおい
て水熱結晶化して含水結晶性先駆体を生成することによ
り製造できる。
反応ｎ合物中のシリカ源は一般にアルカリ金属珪酸塩、
発煙シリカ、シリカゾルおよびシリカゲルから選択され
る。
発煙シリカ、シリカゾルおよびシリカゲルから選択され
る。
これらのシリカ源は常に少量のアルミナを含有している
ことに注意すべきである。
ことに注意すべきである。
本発明に従うと、結晶性シリカ中に存在できるアルミナ
の砥はシリカ−アルミナ原子比が８０以」二であるよう
にずべきである。好適にはシリカ−アルミナ原子比は１
２０より高くすべきであり、２００以Ｊ二もしくは２０
００以１−の比も見られる。
の砥はシリカ−アルミナ原子比が８０以」二であるよう
にずべきである。好適にはシリカ−アルミナ原子比は１
２０より高くすべきであり、２００以Ｊ二もしくは２０
００以１−の比も見られる。
非常に高いシリカ対アルミナ原子比の場合には、珪酸テ
トラエチルの調節しながらの加水分解によりゲルを製造
することにより、使用されるシリカ源が得られる。
トラエチルの調節しながらの加水分解によりゲルを製造
することにより、使用されるシリカ源が得られる。
結晶性シリカの製造においてｉ５慮すべき他の化合物は
第四級アンモニウム塩であり、それは一般に臭化もしく
は水酸化テトラプロピルアンモニウムおよび臭化もしく
は水酸化テトラエチルアンモニウムから選択され、臭化
テトラプロピルアンモニウムが好適である。
第四級アンモニウム塩であり、それは一般に臭化もしく
は水酸化テトラプロピルアンモニウムおよび臭化もしく
は水酸化テトラエチルアンモニウムから選択され、臭化
テトラプロピルアンモニウムが好適である。
従って、結晶性シリカの製造においては、１モル−イオ
ンの第四級カチオン当たり１５０〜７００モルのＨ２Ｏ
，１３〜５０モルのシリカおよびｏ、ｉ〜６．５モルの
Ｍ２Ｏ（ここでＭはアルカリ金属である）を含有してい
る少なくとも１０のｐＨを有する反応混合物が製造され
る。反応混合物は、一般に約５０〜１５０時間後にシリ
カの結晶が生成するまで、約１００〜２５０℃の温度に
自生圧力下で保たれるウシリカライト型の結晶性シリカ
である得られた生成物を水で洗浄し、そして空気中で約
１１０℃において乾燥する。
ンの第四級カチオン当たり１５０〜７００モルのＨ２Ｏ
，１３〜５０モルのシリカおよびｏ、ｉ〜６．５モルの
Ｍ２Ｏ（ここでＭはアルカリ金属である）を含有してい
る少なくとも１０のｐＨを有する反応混合物が製造され
る。反応混合物は、一般に約５０〜１５０時間後にシリ
カの結晶が生成するまで、約１００〜２５０℃の温度に
自生圧力下で保たれるウシリカライト型の結晶性シリカ
である得られた生成物を水で洗浄し、そして空気中で約
１１０℃において乾燥する。
単斜晶対称性の結晶性シリカ触媒を特別に製造するため
の方法は１．Ｉ：記で製造された生成物を空気中で少な
くとも３時間の期間にわたって少なくとも約５００℃の
温度にか焼する段階を包含している。
の方法は１．Ｉ：記で製造された生成物を空気中で少な
くとも３時間の期間にわたって少なくとも約５００℃の
温度にか焼する段階を包含している。
出願人は、シリカライト型の結晶性シリカを約３時間よ
り短い時間だけか焼する場合には約８５０℃を越える温
度でも適当な触媒を生じないということを見出した。一
方、５５０〜６５０℃の間の温度に１６８時間程度の期
間にわたりか焼した約６０以下のシリカ対アルミナ原子
比を４するシリカライト型の結晶性シリカも単斜晶対称
性な示さない。
り短い時間だけか焼する場合には約８５０℃を越える温
度でも適当な触媒を生じないということを見出した。一
方、５５０〜６５０℃の間の温度に１６８時間程度の期
間にわたりか焼した約６０以下のシリカ対アルミナ原子
比を４するシリカライト型の結晶性シリカも単斜晶対称
性な示さない。
末完り１の方法の−・態様によると、シリカライト型の
結晶性シリカのか焼時間は、シリカ対アルミナ原子比が
８０より大きいという条件下では、一般に３〜９６時間
であり、好適には５〜７２時間である。
結晶性シリカのか焼時間は、シリカ対アルミナ原子比が
８０より大きいという条件下では、一般に３〜９６時間
であり、好適には５〜７２時間である。
反応温度も屯要な要素である。この温度は単斜晶対称性
を得るのに充分まものにすべきであるが高すぎてはなら
ず、そしていずれの場合にも結晶性シリカから例えばク
リストバライト（ｃｒｉ−ｓＬｂａｌｉｔｅ）の如き他
の形への転化を避けるためには８００℃を越えるべきで
はない。
を得るのに充分まものにすべきであるが高すぎてはなら
ず、そしていずれの場合にも結晶性シリカから例えばク
リストバライト（ｃｒｉ−ｓＬｂａｌｉｔｅ）の如き他
の形への転化を避けるためには８００℃を越えるべきで
はない。
一般にか焼温度は５５０〜６５０℃の間である。
ｒ記の実施例は本発明の方法をより良く説明するための
ものであるが、それの範囲を限定しようとするものでは
ない。
ものであるが、それの範囲を限定しようとするものでは
ない。
ｇ薯１」
２５０ｇ（７）水中１７）１０３ｇ＋７）０．８％（７
） Ｎ ａ ２０を含有しているコロイド状シリカを６
２ｇのＨ２Ｏ中の２４．３ｇの（Ｃ３Ｈ７） ４ Ｎ十
Ｂｒ−と混合することにより結晶性シリカ触媒を製造し
、混合物に６２ｇのＨ２Ｏ中の９．１ｇのＮａＯＨを加
えた０合成中、混合物のＰＨは１２．７から１１．７に
変化した。その後、混合物をオートクレーブ中で３日間
にわたり１７５℃に加熱した。生成したシリカライト型
の結晶性シリカは酸化物で表わされた下記の分子式を有
していた：■ （丁ＰＡ） ２ ０； ３８ Ｓｉ０
２ ； ３．Ｉ Ｎａ２０； ５５０ Ｈ２０シリカラ
イト型の本発明の結晶性シリカは４５０のシリカ／アル
ミナ原子比を有していた。
） Ｎ ａ ２０を含有しているコロイド状シリカを６
２ｇのＨ２Ｏ中の２４．３ｇの（Ｃ３Ｈ７） ４ Ｎ十
Ｂｒ−と混合することにより結晶性シリカ触媒を製造し
、混合物に６２ｇのＨ２Ｏ中の９．１ｇのＮａＯＨを加
えた０合成中、混合物のＰＨは１２．７から１１．７に
変化した。その後、混合物をオートクレーブ中で３日間
にわたり１７５℃に加熱した。生成したシリカライト型
の結晶性シリカは酸化物で表わされた下記の分子式を有
していた：■ （丁ＰＡ） ２ ０； ３８ Ｓｉ０
２ ； ３．Ｉ Ｎａ２０； ５５０ Ｈ２０シリカラ
イト型の本発明の結晶性シリカは４５０のシリカ／アル
ミナ原子比を有していた。
この結晶性シリカを次に空気の存在ドで６００℃におい
て１０時間か焼した。か焼された結晶性シリカはｄ＝３
．６５人の平面間間隔における二重線を示すＸ線回折パ
ターンを有していた。さらに、Ｘ線パターンハ約ｄ＝３
．０５〜３．０６Ａにおける二重線および約ｄ＝２．９
８〜３．００＾における一重線を示した。該結晶性シリ
カは単斜晶対称性種類に属していた。
て１０時間か焼した。か焼された結晶性シリカはｄ＝３
．６５人の平面間間隔における二重線を示すＸ線回折パ
ターンを有していた。さらに、Ｘ線パターンハ約ｄ＝３
．０５〜３．０６Ａにおける二重線および約ｄ＝２．９
８〜３．００＾における一重線を示した。該結晶性シリ
カは単斜晶対称性種類に属していた。
比較例ＩＡ
比較のために、に記と同じシリカライト型の結晶性シリ
カを４７５℃において１時間か焼した。
カを４７５℃において１時間か焼した。
か焼した結晶性シリカは単斜晶対称性を生、ｖ徴づける
特徴のいずれも有していなかった。
特徴のいずれも有していなかった。
尖蒸１ヱ
エチレンによるトルエンのアルキル化を水蒸気のイＩイ
ｆ下で下記の操作条件下で実施するために、実施例１で
製造された単斜晶対称性を有する結晶性シリカを使用し
た： ｌ・ルエン／エチレンモル比二８．１ 水／トルエンモル比＝０．２ 人［」温度：４１０℃ 圧力ニ １５ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２ト）ＬｙｘンＷ
Ｈ５Ｖ ： ｌ ８７ 、５５５％のエチレン転化率に
おいて、エチルトルエンが７．４のパラ／メタ異性体比
で得られた。
ｆ下で下記の操作条件下で実施するために、実施例１で
製造された単斜晶対称性を有する結晶性シリカを使用し
た： ｌ・ルエン／エチレンモル比二８．１ 水／トルエンモル比＝０．２ 人［」温度：４１０℃ 圧力ニ １５ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ ２ト）ＬｙｘンＷ
Ｈ５Ｖ ： ｌ ８７ 、５５５％のエチレン転化率に
おいて、エチルトルエンが７．４のパラ／メタ異性体比
で得られた。
比較のために、比較例ＩＡで製造されたシリカライト型
の結晶性シリカを上記と同じ条件で試験した。
の結晶性シリカを上記と同じ条件で試験した。
５５％のエナし・ン転化率において、エチルトルエンが
２．７のパラ／メタ異性体比で得られた。
２．７のパラ／メタ異性体比で得られた。
この実施例はアルキル芳香族炭化水素類のアルキル化反
応用に適している触媒を製造するだめの未発明の方法の
有利性を示している。
応用に適している触媒を製造するだめの未発明の方法の
有利性を示している。
尺旌鼾
２５０ｇの水中の３７０．４ｇの０．１２％のＮａ２Ｏ
を含有しているコロイド状シリカを２００ｇのＨ２Ｏ中
の３８ｇの（Ｃ３Ｈ７） ４ Ｎ”Ｂｒ−と混合するこ
とにより結晶性シリカ触媒を製造し、混合物に２００ｇ
のＨ２０Φの１５．７ｇのＮ ａ ＯＨを加えた。合成
中、程合物のｐＨは１３．１から１２に変化した。その
後、混合物をオートレクーブ中で３１１間にわたって１
７５℃に加熱した。生成したシリカライト型の結晶性シ
リカは酸化物で表わされた下記の分子式を有していた： １ （ＴＰＡ）７０；４０５ｉ０２ ； ３．２５ Ｎ
ａ ２０： ５５２ Ｈ２０ソリカライド型の本発明の
結晶性シリカは１３０のシリカ／アルミナ原子比をイｊ
していた。この結晶性シリカを次に空気の存在ドで６０
０°Ｃにおいて３１１ν間か焼した。か焼された結晶性
シリカはｄ＝３．６５Ａの平面間間隔における二重線を
示すＸ線回折パターンを有していた。該結晶性シリカは
単斜晶対称性種類に属していた。
を含有しているコロイド状シリカを２００ｇのＨ２Ｏ中
の３８ｇの（Ｃ３Ｈ７） ４ Ｎ”Ｂｒ−と混合するこ
とにより結晶性シリカ触媒を製造し、混合物に２００ｇ
のＨ２０Φの１５．７ｇのＮ ａ ＯＨを加えた。合成
中、程合物のｐＨは１３．１から１２に変化した。その
後、混合物をオートレクーブ中で３１１間にわたって１
７５℃に加熱した。生成したシリカライト型の結晶性シ
リカは酸化物で表わされた下記の分子式を有していた： １ （ＴＰＡ）７０；４０５ｉ０２ ； ３．２５ Ｎ
ａ ２０： ５５２ Ｈ２０ソリカライド型の本発明の
結晶性シリカは１３０のシリカ／アルミナ原子比をイｊ
していた。この結晶性シリカを次に空気の存在ドで６０
０°Ｃにおいて３１１ν間か焼した。か焼された結晶性
シリカはｄ＝３．６５Ａの平面間間隔における二重線を
示すＸ線回折パターンを有していた。該結晶性シリカは
単斜晶対称性種類に属していた。
この結晶性シリカを実施例１に記され−（いる如きアル
キル化反応で使用した。
キル化反応で使用した。
７０％のエチレン転化率において、エチルトルエンが４
．８のパラ／メタ異性体比で得られた。
．８のパラ／メタ異性体比で得られた。
訪例２Ａ
比較のために、上記と同じシリカライト型の結晶性シリ
カを５００℃において１時間か焼した。
カを５００℃において１時間か焼した。
か焼した結晶性シリカは単斜晶対称性を特徴とする特徴
のいずれも有していなかった。
のいずれも有していなかった。
この結晶性シリカを、操作条件が以１；に記されている
ようなアルキル化反応で試験した。
ようなアルキル化反応で試験した。
７０％のエチレン転化率において、エチルトル１ンが２
．４のパラ／メタ異性体比で得られた。
．４のパラ／メタ異性体比で得られた。
比較例ζ旦
４０のシリカ対アルミナ原子比を有するアルミノシリケ
ートを６００℃の温度において７２時間か焼した。
ートを６００℃の温度において７２時間か焼した。
この時に、アルミノシリケ−１・は単斜晶対称性を特徴
とする特徴のいずれも有していなかった。
とする特徴のいずれも有していなかった。
か焼を６００°Ｃにおいて１６８時間繰り返したが、対
称性には変化が生じなかった。
称性には変化が生じなかった。
４、ν爵出即人 コスデン中テクノロジーφ第１頁の続
き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’ ｍ別記号 ＠発 明 者 ジョルジューイー・エ ム・ジエイΦド・クリ ップレ ［相］発 明 者 フーゴ・ファン・ティ口 庁内整理番号 ベルギー国１６００シントピータースレーウ赤ペトルス
フイセゴムストラート ５ ベルギー国１８５０グリムベルゲン・シントフベルトウ
スストラート １４
き ■Ｉｎｔ、Ｃ１，’ ｍ別記号 ＠発 明 者 ジョルジューイー・エ ム・ジエイΦド・クリ ップレ ［相］発 明 者 フーゴ・ファン・ティ口 庁内整理番号 ベルギー国１６００シントピータースレーウ赤ペトルス
フイセゴムストラート ５ ベルギー国１８５０グリムベルゲン・シントフベルトウ
スストラート １４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも約８０のシリカ対アルミナ原子比を有す
るシリカライト型の結晶性シリカを空気中で少なくとも
５００℃の温度において少なくとも３時間にわたってか
焼する段階を包含している、単斜晶対称を有する結晶性
シリカの製造方法。 ２、シリカライト型の結晶性シリカを約３〜約９６時間
の間の期間にわたってか焼する、特許請求の範囲ｔｊＳ
１項記載の方法。 ３、シリカライト型の結晶性シリカを約５〜約７２時間
の間の期間にわたってか焼する、特許請求の範囲第２項
記載の方法。 ４、シリカライ（・型の結晶性シリカを空気中で５００
゛Ｃ〜８００℃の間の温度においてか焼する、特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ５、シリカライト型の結晶性シリカを空気中で５００℃
〜６５０℃の間の温度においてか焼する、特許請求の範
囲第４項記載の方法。 ６、少なくとも１２０のシリカ対アルミナ原子比を有す
るシリカライト型の結晶性シリカを空気中で少なくとも
５００℃の温度において少なイとも３時間にわたってか
焼する段階を包含している。 ４８詐請求の範囲第１項記載の方法。 ７、ソリカライド型の結晶性シリカを約３〜約９６時間
の間の期間にわたってか焼する、特許請求の範囲第６項
記載の方法。 ８、シリカライト型の結晶性シリカを約５〜約７２時間
の間の期間にわたってか焼する、特許請求の範囲第７項
記載の方法。 ９、シリカライト型の結晶性シリカを空気中で５００℃
〜８００℃の間の温度においてか焼する、特許請求の範
囲第６項記載の方法。 ｌＯ，シリカライト型の結晶性シリカを空気中で５５０
℃〜６５０℃の間の温度においてか焼する、特許請求の
範囲第９項記載の方Ｖ：。 １１、少なくとも２００のシリカ対アルミナ原子比を有
するシリカライト型の結晶性シリカを空気中で少なくと
も５００℃の温度において少なくとも３時間にわたって
か焼する段階を包含している、特許請求の範囲第６項記
載の方法。 １２、シリカライト型の結晶性シリカを約３〜約９６時
間の間の期間にわたってか焼する。特許請求の範囲第１
１引記載の方法６ １３、シリカライト型の結晶性シリカを約５〜約７２昨
間の間の期間にわたってか焼する、特許請求の範囲第１
２項記載の方法。 １４、シリカライト型の結晶性シリカを空気中で５００
°Ｃ〜８００°Ｃの間の温度においてか焼する、特許請
求の範囲第１１項記載の方法。 １５、シリカライト型の結晶性シリカを空気中で５５０
°Ｃ〜６５０°Ｃの間の温度においてか焼する。特許請
求の範囲第１４項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/562,652 US4772456A (en) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | Process for preparing crystalline silicas |
| US562652 | 1983-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151210A true JPS60151210A (ja) | 1985-08-09 |
| JPH0466808B2 JPH0466808B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=24247175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263077A Granted JPS60151210A (ja) | 1983-12-19 | 1984-12-14 | 結晶性シリカの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4772456A (ja) |
| EP (1) | EP0146525B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60151210A (ja) |
| AU (1) | AU570084B2 (ja) |
| CA (1) | CA1251618A (ja) |
| DE (1) | DE3477762D1 (ja) |
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| EP0882710A1 (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-09 | Industrial Technology Research Institute | Method for the preparation of caprolactam and preparation of catalysts for this method |
| EP0921178A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-09 | Fina Research S.A. | Production of crystalline silicate catalyst having monoclinic structure |
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| DE2909930C2 (de) * | 1979-03-14 | 1984-05-10 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Neue kristalline SiO↓2↓-Modifikation und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE2940103A1 (de) * | 1979-10-03 | 1981-05-14 | Henkel KGaA, 4000 Düsseldorf | Verfahren zur hestellung kristalliner siliciumdioxid-molekularsiebe |
| AU2066483A (en) * | 1982-11-06 | 1984-05-10 | British Petroleum Company Plc, The | Ultra pure high crystallinity silicas |
| US4781906A (en) * | 1983-12-19 | 1988-11-01 | Labofina, S.A. | Crystalline silicas |
-
1983
- 1983-12-19 US US06/562,652 patent/US4772456A/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1984-11-14 CA CA000467759A patent/CA1251618A/en not_active Expired
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- 1984-12-14 JP JP59263077A patent/JPS60151210A/ja active Granted
- 1984-12-19 EP EP84870180A patent/EP0146525B1/en not_active Expired
- 1984-12-19 DE DE8484870180T patent/DE3477762D1/de not_active Expired
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| EP0146525A3 (en) | 1986-03-19 |
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| AU3577684A (en) | 1985-06-27 |
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