JPS60150291A - メモリ回路の読み出し方法 - Google Patents

メモリ回路の読み出し方法

Info

Publication number
JPS60150291A
JPS60150291A JP59248538A JP24853884A JPS60150291A JP S60150291 A JPS60150291 A JP S60150291A JP 59248538 A JP59248538 A JP 59248538A JP 24853884 A JP24853884 A JP 24853884A JP S60150291 A JPS60150291 A JP S60150291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lines
data
write
data bus
decoder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59248538A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Tokushige
徳重 和雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59248538A priority Critical patent/JPS60150291A/ja
Publication of JPS60150291A publication Critical patent/JPS60150291A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリ回路に係シ特に半導体メモリの分野に関
するものである。
以下は説明の便宜上N−チャンネルMO8を使用したメ
モリ回路について説明する。
従来のメモリ回路は第1図の様に構成されている。まず
、X−デコーダー2によシワード線5が選択され、選択
されたワード線に接続されたメモリーセルフは保持して
いる情報に対応して、そのメモリセルに接続されたディ
ジット線6を扁電位あるいは低電位に向わせる様に動作
する。しかるに、夫々のディジット線6に伝達された情
報は全てがデータバス線8に伝達されるわけではなく、
Y−デコーダー4により選択されたディジット線の情報
のみがデータバス線8に伝達されアンプ10を介して出
力データとなるわけである。
しかし、上記の従来方法によるとY−デコーダーの数は
ディシート線の数と同等分必要である。
これは、記憶容量が増大するにつれてディシルト線の数
が増加し、Y−デコーダーの数が増加し消費電力の掲大
及びチップ面積の増大を意味している。それは必然的に
読み出し時間の遅れにつながる。
本発明の目的は小さいチップ面積で高速の読み出しをで
きる方法を提供することにある。
本発明によれば、半導体メモリ回路において、全ディジ
ット線の一部であって複数本のディジット線に読み出さ
れた情報を複数本の共通データ線にそれぞれ同時に供給
し、上記複数本の共通データ純のうち選択したデータ線
から情報を読み出すことを特徴とするメモリ回路の読み
出し方法が得られる。
本発明の一実施例を第2図を参照して説明する。
第2図は2本のディジット線毎に1つのY−デコーダの
出力を結合した例である。熱論、本発明は2本に1つの
Y−デコーダー〇構成だけではなく、4本に1つ、8本
に1つと云う様な構成も可能である。
第2図の動作は以下の様である。今、仮にY −デコー
ダー(1)4によ多選択線Y1が選択されたとする。こ
の場合はディジット線D1jD2が同時に選択されて一
対のデータバス線RBI、RB2に結合されたことにな
る。ディジット線D1の情報はデータバス線R,B2に
、又ディジット線D2の情報はデータバス線RBIに伝
達される。データバス線RBIとRB2は夫々独立に構
成されているために情報の混同は起らない。データバス
線RB1pRB2はデータセレクター回路5に入力され
、そのデータセレクター回路15はY−デコーダ(2)
 14により選択された一方のデータバス線の情報のみ
をアンプ21を介して読み出し端子RFtAD OUT
へ伝達する。なお書込みは、読み出しと逆の手順で行な
われる。まず、端子WRITE INに与えられた書込
みデータセレクター回路15に入力され、Y−デコーダ
(2)14によシ書込まれるデータバス線が選択され、
書込みデータが選択されたデータバス線に伝達され、そ
のデータバス線に接続され、Y−デコーダー(1)4に
よシ選択された一方のディジット線のみに書込みデータ
が伝達され書込みが行なわれる。本例の場合においては
、ディジット線の数をNとすると従来型ではY−デコー
ダーはN個必要でありたが、Y−デコーダー4でN/2
個減少し、Y−デコーダ(2)14で2個増加したので
(N/2+2)個のY−デコーダでよい事に々多消費電
力及びチップサイズの減少が可能になる。なお、X−デ
コーダ2については特に該しなかったが、常に1つのワ
ード線を選択する機能の一般的なものである。
第3図はデータセレクター15の一実施例で、仮にA点
が”1nの電位でY−デコーダー(2) 14に入力さ
れたとするとB点は0”電位、0点は“1”の電位にな
90点に接続されたトランジスタQllが導通しデータ
バス線RB2が選択され、読出しはRB2に関してのみ
行なわれ、RBIについては行なわれ力い。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリ回路を示す構成図、第2図は本発
明の一実施例を示す構成図、第3図は第2図で用いられ
ているデータセレクター回路の一実施例を示す回路図で
ある。 図中の符号 1・・・X−アドレスバッファ、2・・・x−デコーダ
、3・・・Yアドレスバッファ、4・・・Yデコーダ、
15・・・データセレクタ回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 全ディジット線の一部であって複数本のディジット線に
    読み出された情報を複数本の共通データ線にそれぞれ同
    時に供給し、上記複数本の共通データ線のうち選択した
    データ線から情報を読み出すことを特徴とするメモリ回
    路の読み出し方法。
JP59248538A 1984-11-22 1984-11-22 メモリ回路の読み出し方法 Pending JPS60150291A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59248538A JPS60150291A (ja) 1984-11-22 1984-11-22 メモリ回路の読み出し方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59248538A JPS60150291A (ja) 1984-11-22 1984-11-22 メモリ回路の読み出し方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8190079A Division JPS567289A (en) 1979-06-28 1979-06-28 Memory circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60150291A true JPS60150291A (ja) 1985-08-07

Family

ID=17179670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59248538A Pending JPS60150291A (ja) 1984-11-22 1984-11-22 メモリ回路の読み出し方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60150291A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009045858A1 (de) 2008-10-27 2010-05-12 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya-shi Stützstruktur für ein Fahrzeugkunststofffenster
DE102009046122A1 (de) 2008-10-30 2010-05-20 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya Hintere Fahrzeugtür

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009045858A1 (de) 2008-10-27 2010-05-12 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya-shi Stützstruktur für ein Fahrzeugkunststofffenster
US8166705B2 (en) 2008-10-27 2012-05-01 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Support structure for vehicular resin window
DE102009046122A1 (de) 2008-10-30 2010-05-20 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki, Kariya Hintere Fahrzeugtür
US8595979B2 (en) 2008-10-30 2013-12-03 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Vehicle rear door having division bar for guiding movable window

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4675850A (en) Semiconductor memory device
EP0143647A2 (en) Semiconductor memory device
JP2646972B2 (ja) 多ビットメモリ
US5280451A (en) Signature circuit for non-volatile memory device
US4578780A (en) Dual port type semiconductor memory
JPH0325875B2 (ja)
JPH0315278B2 (ja)
JPH05342855A (ja) 半導体メモリ回路
JPS6128198B2 (ja)
JPS63247992A (ja) 集積メモリ回路
JPS60150291A (ja) メモリ回路の読み出し方法
JPH05314763A (ja) 半導体記憶装置
JPH0414437B2 (ja)
EP0137318A2 (en) A semiconductor memory having multiple access
JPS6342359B2 (ja)
KR100622764B1 (ko) 분할된 입/출력 라인 구조를 갖는 반도체 메모리 장치
JP3152767B2 (ja) 半導体記憶装置
KR100541811B1 (ko) 반도체 메모리장치의 컬럼 디코더회로
JPH08273363A (ja) 半導体記憶装置
JPH0213394B2 (ja)
JPS61180991A (ja) 半導体メモリ
JPS6221200B2 (ja)
JPH10241352A (ja) 半導体記憶装置
JPS60696A (ja) 半導体メモリ
JPS62149097A (ja) 半導体メモリ装置