JPS6015002A - 圧延銅箔 - Google Patents

圧延銅箔

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JPS6015002A
JPS6015002A JP58123650A JP12365083A JPS6015002A JP S6015002 A JPS6015002 A JP S6015002A JP 58123650 A JP58123650 A JP 58123650A JP 12365083 A JP12365083 A JP 12365083A JP S6015002 A JPS6015002 A JP S6015002A
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rolled
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JP58123650A
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JPH046443B2 (ja
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Osao Kamata
鎌田　長生
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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Priority to US06/587,774 priority patent/US4582545A/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の背切ど目的］ 本発明はプリン１〜回路の導電材料、あるいはトランジ
スタや集積回路等の半導体装置のリードフレーム材料等
への使用に好適な圧延銅箔に関するものである。
プリント回路や半導体リードフレームにおいては、絶縁
体基材に積層された銅箔にエツチング等の処理を行って
所望の導電路を形成している。
一方、衛星放送、衛星通信のごときＳ’１−ＩＦ帯域以
上の凸周波信号を受信アンテナ等で扱うとき、プリント
回路基板をはじめとする各種電子部品の持つ高周波特性
はきわめて重要であり、プリント回路基板では絶縁体基
材として例えばテフロン含浸ガラス布基材のように、誘
電率で２，５以下と低損失が使用される。
更に、その絶縁体基材に積層される銅箔も、従来使用さ
れてきたような粗化面を持つ電解銅箔は必然的にリアク
タンスを大きくして高周波損失を起すために使用するこ
とはできない。
従って、粗化面を持たない圧延銅箔が好ましいのである
が、本発明者等の研究によれば一般電気銅（タフピッチ
銅）では亜酸化銅の存在により容量性リアクタンスが発
生し、共振時の帯域幅を狭めるのには制限がある。
このため、酸素含有ωが５０　ｐｐｍ以下の無酸素銅よ
り得た圧延銅箔が高周波特性に優れていることに着目し
、１０Ｇｆ−１ｚの共振時のＱＩａを測定したところ、
無酸素銅箔を積層したテフロン基板の方がタフピッチ銅
箔を積層したテフロン基板よりも１２〜１８％もＱ値が
向上する事実を把握しＣいる。
この理由として本発明者は次のように考えている。
すなわち、金属銅は常態では微細結晶からなっており、
結晶と結晶の境界、つまり結晶粒界には酸化物、酸化物
等の不純物が集りやすく、これらは長さ方向にあたかも
微小容量をもったコンデンサが直列に１　ｐｎ当り数千
個から数万個も接続され、また断面方向には並列に接続
された状態にあると考えられる。
このため、結晶粒界の誘電的作用がＱ値に大きく影゛響
することになる。
また、本発明者は結晶粒界の誘電的作用が多重高周波信
号である音楽信号に対して位相差、減衰現象を不可避的
に伴うことも究明しており、このため無酸素銅又はタフ
ピッチ銅に比して優れた音響効果を与えることを把握し
ている。
しかしながら、タフピッチ銅に比して優れた特性を有Ｊ
る無酸素銅といえども、依然として不純物を含んだ多数
の結晶よりなり、より高度の電気特性を追及する上では
不十分である。
本発明は上記に基いたもので、高周波における電気特性
、とりわけ絶縁体基板と積層して使用する場合において
優れたＱ値を与える圧延銅箔の提供を目的とするもので
ある。
また、本発明は音響機器用導体として使用りる場合、優
れた音響効果を実現できる圧延銅的の提供を目的とする
ものである。
［発明の概要］ 本発明者は上記目的を達成できる圧延銅箔について種々
検討した結果、酸素含有量が５０　ｐｐｒｒｌ以下の無
酸素銅を８００’Ｃ以上の不活性ガス雰囲気下に保持し
て結晶粒を巨大化させ、これを圧延して得られる圧延銅
箔は極めて優れた電気特性をちえることを見出したもの
である。
本発明において使用される銅は酸素含有量が５０ｐｐｍ
以下の無酸素銅であり、その理由は第１に亜酸化鋼を含
まないことで結晶粒界の誘電的作用を小さくできること
であり、第２に亜酸化銅あるいは硫化銅が含まれると、
これらが加熱時に結晶核となって結晶の成長は途中で停
止し、脆化状態に至ってしまうためである。
無酸素銅をアルゴンガスの如き不活性ガス雰囲気中で、
８００〜１０００℃の高温で３０分〜３時間保持して加
熱すると、硬銅状態における平均結晶サイズ０．０２闇
程度から０．４〜０．６＃程度にまで成長し、巨人化す
る。これによって結晶粒の数は１／２０以下に減少する
わけであり、その分だけ静電容量が小さくなる。
更に、この巨大結晶の銅を圧延することにより、圧延化
に比例して結晶は圧延方向に配向されて線形結晶となり
、結晶粒界密度は一層稀薄化され、結晶粒界の誘電的作
用が著しく減少される。
本発明の圧延銅箔を得る最も一般的な方法としては、７
＋ｔ（Ｍ素鋼を所定厚さに圧延して得た長尺の硬銅箱を
不）６性ガス雰囲気中に保持して結晶粒を巨人化さけ、
続いてこれを再度圧延して巨大化した結晶粒を配向さμ
る方法があげられる。
再圧延り−る場合の圧延方向としては、銅箔の長手方向
、幅方向のどちらであってもよく、また長手方向と幅方
向の双方向であってもよい。
［発明の実施例Ｉ Ｍ素含イｊ聞が５　ｐｐｍの無酸素鋼を加工して得た厚
さ７０μｒｎの銅箔（硬銅）を９００℃に設定されたア
ルゴンガス雰囲気中に１詩間３０分保持し、その後冷却
した。
加熱前の平均結晶粒径は０．０２ｍｍ程度であったが、
加熱後はＯｌ“６＃程度に成長していた。
続いてこの銅箔を圧延機で幅方向の圧延を抑制しながら
長さ方向に圧延して厚さ３５μ７ｎの銅箔を得た。
かくして得た銅箔の両面にテフロン含浸ガラス布を接着
剤を介して積層した。
この積層基板により回路を形成し、１０Ｇｌ−Ｉｚにお
ける共振周波数特性Ｑを測定した。この結果を下表に示
す。
なお、表には比較のため各種銅箔（厚さ３５μｍ）の両
面にテフロン含浸ガラスイＩを積層した基板のＱ値をも
併記しである。
また、上記実施例で得た銅箔の片面に紙−７１ノ一ル絶
縁体基板を積層し、これをもとに作成したプリント回路
を組み込んだスプレＡアンプを作成した。
これを用いてステレオ再生音を聞いたところ、従来の銅
箔を使用した場合に比し、高域の畠のぬけと音色は格段
に優れたものであった。
［発明の効果］ 以上説明してきた通り、本発明は無酸素鋼の結晶粒を巨
大化させ、続いて圧延することにより結晶粒界密度を稀
薄化した圧延銅箔を提供ザるｂのであり、これをプリン
ト回路や半導体リード−フレーム等の導電体としての使
用することにより電気特性に優れた回路を実現できるこ
とになる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸素含有量が５０　ｐｐｍ以下の無酸素銅を８００℃以
    上の不活性ガス雰囲気下に保持して結晶粒を巨大化させ
    、続いてこれを圧延して得られることを特徴とする圧延
    銅箔。
JP58123650A 1983-03-11 1983-07-07 圧延銅箔 Granted JPS6015002A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58123650A JPS6015002A (ja) 1983-07-07 1983-07-07 圧延銅箔
CA000449074A CA1220121A (en) 1983-03-11 1984-03-07 Electrical conductor and method of production thereof
DK153384A DK156776C (da) 1983-03-11 1984-03-08 Fremgangsmaade ved fremstilling af en elektrisk leder
US06/587,774 US4582545A (en) 1983-03-11 1984-03-09 Method of producing electrical conductor
KR1019840001205A KR900005751B1 (ko) 1983-03-11 1984-03-09 전기 도체의 다중 주파수 신호 전송 특성개선 방법 및 구리 전기 도체 제조방법
DE8484102603T DE3460592D1 (en) 1983-03-11 1984-03-09 Method of producing electrical conductor
EP84102603A EP0121152B1 (en) 1983-03-11 1984-03-09 Method of producing electrical conductor
US07/515,777 USRE34641E (en) 1983-03-11 1990-04-26 Method of producing electrical conductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58123650A JPS6015002A (ja) 1983-07-07 1983-07-07 圧延銅箔

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6015002A true JPS6015002A (ja) 1985-01-25
JPH046443B2 JPH046443B2 (ja) 1992-02-05

Family

ID=14865851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58123650A Granted JPS6015002A (ja) 1983-03-11 1983-07-07 圧延銅箔

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JP (1) JPS6015002A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62289304A (ja) * 1986-06-06 1987-12-16 Dowa Mining Co Ltd 含Ｚｒ銅合金の熱間加工方法
JP2007247904A (ja) * 2007-04-20 2007-09-27 Jtekt Corp 車軸用軸受装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55145159A (en) * 1979-04-12 1980-11-12 Furukawa Kinzoku Kogyo Kk Manufacture of copper foil with superior flexibility for printed wiring plate

Patent Citations (1)

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JP2007247904A (ja) * 2007-04-20 2007-09-27 Jtekt Corp 車軸用軸受装置

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JPH046443B2 (ja) 1992-02-05

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