JPS60149132A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （利用分野） 本発明は、半導体処理装置に関するものであり、特に、
トランジスタ，ＩＣ等の製造工程において、ウェーハの
表面へ薄膜を形成したり、あるいはウェーハ表面の不要
レジストを除去したシするのに好適な、半導体処理装置
に関するものである。

（従来技術） 以下に、従来の半導体処理装置について、簡単に説明す
る。

ウェーハの表面処理を行なう半導体処理装置．け、その
処理機能から、次の２つの種類に大別できる。

（１）　ウェーハの表面に、半導体層や絶゛縁膜，酸化
膜等の薄膜を反応ガスを用いて形成する半導体処理装置
。

（２）　前記薄膜形成後に、ウェーハの表面に残留した
不要レジストを、オゾンガスを反応ガスとして用いて除
去する半導体感］！ｌ！装置。

｛１ｌ］記いずれの半導体処理装置も、ウェーハの表面
に、反応ガスを接触させ、場合によっては、紫外線を照
射して反応を促進させたり、あるいは前記反応をさらに
速めるために加熱を施したりして、ウェーハ表面を処理
するものである。

一般的に、前記反応ガスは、有毒であったり、腐蝕性を
有していたりする。したがって、従来の半導体処理製置
け、ウェーハを配置するための容器を密閉し、該密閉状
態において、前記反応ガスを前記容器内へ噴出させてウ
ェーハの処理を行なうものである。

しかし、この処理方法によると、多数のウェーハを処理
する場合、ｉｌ］記容器内のウェーハの処理が終了した
後に、ｉｌｌ記反応ガスを前記容器内から完全にぬき取
シ、その後、処理の終了したウェーハと未処理のウェー
ハとを交換し、再び前記容器を密閉してから、反応ガス
を噴出させなければならり″、処理の効率が著しく悪い
。

すなわち、従来の半導体処理装置は、いわゆるパッチ生
産による装置であるので、単位時間当りのウェーハ処理
枚数が少なく、ウェーハを多晴に処理することがむｒか
しいという欠点があった。

（目　的） 本発明は，前述の欠点を除去するためになされたもので
あり、その目的は、ウェーハを効率よく連続的に処理す
ることのできる半導体処理装置を提供することにある。

（概　要） ０１１記の目的を達成するために，本発明は、ウェーハ
を連続的に搬送する過程において、反応ガスをウェーハ
表面に供給し、また、前記反応後のガスの一部を循環通
路を設けて再利用するように構成した点に特徴がある。

（実施例） 以下に、図面を参照し，Ｃ、本発明を詳細に説明する。

第１図は、本発明を・ウェーハ表面に残留した不要レジ
ストの除去に適用する場合の第１の実施例の概略縦１析
而図である。

第１図において、２つの搬送ロー２２，３には、ウェー
ハ５０（またはサセプタに収納されたウェーハ）を搬送
させるための搬送ベルト４が巻装されている。前記２つ
の搬送ローラ２，３は、図示されない駆動装置により、
矢印入方向に回転され・これにより前記搬送ベルト４も
、矢印Ｂ方向へ移動する。

ｉ＋＋記搬送ベルト４の上方には、当該半導体処理装置
１０本体部５が配置されている。ｌＩ＋ｊ記本体部５の
側面であって、０１１記搬送ベルト４の搬送上流側には
ウェーハ供給装置６が、またその下流側にはウェーハ回
収装置７が配置されている。

前記ウェーハ供給装置６は、その内部に収納された未処
理ウェーハ５０Ａを前記搬送ベルト４上へ順次載置させ
ることができ、また前記ウェーハ回収装置７は、処理終
了後のウェーハ５０Ｂｆｌ−前記搬送ベルト４上から回
収することができるように構成されている。前記構成は
、周知の技術によシ容易に実施することができるもので
ある。

前記本体部５は、排気塔９．紫外線照射装置１０および
オゾン循環装置１９によシ構成されている。

前記オゾン循環装置１９は、前記紫外線照射装置１０の
下面の一端から他端へと通路８を形成するように配置さ
れている。第１図においては、前記オ、シン循環装＠、
１９は、ｍ＋記紫外線照射装置１０の上面に配置されて
いるが、該紫外線照射装置１ｔ１０の側面−すなわち、
紙面に対して垂直方向に通路８を形成するように配置し
ても良い。　−前記オゾン循環装置１９．紫外線照射装
置１０および排気塔９は、各々気密に接続されている。

また、前記オゾン循環装置１ｊｔ　１９　ｒ紫外線照射
装置１０および排気塔９によりオｈ成された本体部５の
下端は、外気に対して開口し＝’（いる。前記下端は、
前記搬送ベルト４との間に狭窄開口部１８を有している
。

前記紫外線照射装置１０の上面には、前記通路８内のオ
ゾンを含むガス（以下オゾンという）を矢印Ｃ方向へ循
環させるように構成された循環ファン８Ａが配置されて
いる。さらに、前記通路８の一部分には、必要に応じて
通路８内のオゾンを加熱するための赤外線ヒータ１７が
設けらＪしている。

前記排気塔９の上方には、フィルタ９Ｂが設けられてい
る。前記フィルタ９Ｂは、オゾンおよび反応終了後の有
毒成分を吸収するものである。

さらに、前記フィルタ９Ｂの上部には、矢印Ｅ方向に循
環するオゾンの一部を、Ｏ１１記フィルタ９Ｂ内に矢印
Ｆ方向に吸引させ、且つ本体部５の内部を負圧に保つた
めの排気ファン９Ａが設けられている。

また、前記紫外線照射装置１０の内部には、曲記撤送ベ
ルト４上に載置されたウェーハ５０に、紫外線を照射す
るための中圧水銀灯１１および低圧水銀灯１３が設けら
れている。＋１］記中圧水銀灯１１は、波長が２５３７
［’Ａ）付近の紫外線を・また前記低圧水銀灯は、波長
が１８４９［λ］付近の紫外線を発生させるものである
のが望ましい。前記中圧水銀灯１１および低圧水銀灯１
３の上部には前記ウェーハ５０への紫外線照射をさらに
強めるための反射板１２．１４が配置されている。前記
反射板１２．１４は、たとえばアルミニラＬ等により形
成される。

前記紫外線照射装置１０の下面には、前記中圧水銀灯１
１および低圧水銀灯１３による縞外線をウェーハ５０に
対して良好に照射させるために、紫外線透過性を有する
透過板１５が配置されている。前記透過板１５は、たと
えば、溶融石英ガラス等により形成されるセラミック板
である。

ウェーハ５０が載置された前記搬送ベルト、４の裏面側
であって、前記水銀灯と対向する部分には、ウェーハ５
０を加熱するための赤外線ランプ１６が配置されている
。

さらに、前記オゾン循環装置１９の上面には、オゾン取
入用の開口部が設けられていて、前記開口部は、オゾン
発生用のオゾナイザ２０のオゾン供給口と、接続されて
いる。

さて１以上の構成による本発明の第一の実施例において
、ウェーハ表面に残留した不要レジスト除去の連続処理
過程を以下に説明する。

まず、オゾナイザ２０、循環ファン８Ａおよび排気ファ
ン９Ａを駆動さ仕ると、前記オゾナイザ２０により発生
されたオゾンは、オゾン循環装置１９内に矢’ｆＥＩＪ
　Ｄ方向へ供給される。そし゛ｒ、Ａ１１記オゾンは、
前記オゾン循環装＠１９の通路８を矢印Ｅ方向に循環し
、その一部は矢印Ｆ方向に分流され、フィルタ９Ｂに吸
着される。

自ｉＪ記排出ファン９Ａの駆動は、前述のように絶えず
本体部５内部の圧力を、外気の圧力よυも小さくするよ
うに、あらかじめ設定されているので・前記本体部５の
下面−すなわち狭窄開口部１８からは、絶えず外気が矢
印１１方向にＭ＋Ｉ記本体部５内部−＼吸引される。し
たがって、１ｆｆｉｌ記通路８内を循環し・あるいは前
記排出塔９へ分流されるオゾンは・当該半導体処理装置
１から漏洩することはない。

また、前記吸引された大気および当該半導体処理装置１
内のオゾンは、前記循環ファン８Ａおよび排気ファン９
Ａの送風および吸引等の作用により充分にかく拌される
ので、ウェーハ表面にはオゾンが充分に供給される。

そして次に、池の装置−すなわち、搬送ローラ２，３、
ウェーハ供給装置６、ウェーハ回収装置７、中圧水銀灯
１１、低圧水銀灯１３．赤外線ランプ１６および赤外線
ヒータ１７を駆動もしくは発光させる。

すると、前記ウェーハ供給装置６内にセットされた未処
理ウェーハ５０Ａは、前記搬送ベルト４上へ載置され、
該搬送ベルト４は矢印Ｂ方向へと移動する。

前記ウェーハの表面は、オゾンと接触し、該ウェーハ表
面上の不要レジストは徐々には化−すなわち、アッシン
グ（ａｓｈｉｎｇ　）　され、除去される。

また、前記オゾンは赤外線ヒータ１７により、ｉ＋＋記
ウェーハは赤外線ラング１６によシ、各々必要に応じて
加熱されているので、前記アッシングは促進される。ｈ
＋ｊ記加熱加熱シ、１り記オゾンおよびウェーハの温度
を１３０〜１７０　〔℃〕程度に上昇させると、アッシ
ング効率が良くなることがわかっている。

さらに、紫外線照射装＠１０下方のオゾンは、ｔ’＋ｉ
ｌ記中圧水銀灯１１および低圧水銀灯１３の点灯付近の
紫外線照射を受ける。オゾンは、前記２５３７〔Ａ〕お
よび１８４９〔λ〕の紫外線照射を受けると、連続的に
生成・分）Ｗを繰り返すが、前記生成・分解の過程で発
生する中間化学物は原子状の醒累であり、これが強力な
酸化剤として、ウェーハ表面のレジストに作用すること
がわかっている。

したがって、前記ウェーハが前記紫外線照射装置１０の
下刃を通過するときに、最も強くアッシングが行なわれ
、不要レジストは完全に取り除かれる。

前記アンシング後のオゾンは、有毒不要な成分を含んで
いるが、その一部は通路８内を循環せずに６０記フイル
タ９Ｂ内に吸着され、また前記吸着分は、オゾナイザ２
０により補給されるから、前記連続して搬送される各々
のウェーハには絶えず同じ旋回のオゾンが供給されるこ
とになる。したがって、前記ウェーハ供給装置６および
ウェーハ回収装置ｔ７の駆動により、ウェーハを前記紫
外線照射装置１０の下方を通過させることにより、効率
良く、連続的にウェーハ表面上に残留した不要レジスト
を除去することができる。

以上の説明による本発明の第１の実施例において、前記
赤外線ランプ１６および赤外線ヒータ１７は、特に両方
共に設ける必要はなく・オゾンあるいはウェーハを適度
に加熱でき、アッシングの効率を上げることができれば
、どちらか−力のみを配置するだけでも良い。また、そ
の配置漢場所、配置数も当該半導体処理装置１の大きさ
、処理能力に応じて自由に決定できることは当然である
。特に・前記赤外線２ンプ１６は、紫外縁照射装＠、１
０の内部に、中圧水銀灯１１ｊＪよび低水銀灯１３と共
に配置すれば、当該半導体処理装Ｒ１を小型に製作する
ことが可能となる。

また、１６および１７は、特に赤外線ランプおよび赤外
線ヒータである必快はなく、ウェーハおよびオゾンを加
熱することができればどのようなものであっても良いこ
とは当然である。ｉ＋＋記赤外線ランプ１６としては、
ハロゲンランプあるいはキセノンアーク灯等を用いるこ
とができる。

また、ｉｌｔ記排気塔９の上端・すなわち排気口は・大
気中に開放しているが、オゾンもしくは有毒不要な成分
の除去がフィルタ９Ｂにより完全になされない時は、前
記オゾンもしくは排出ガスを吸引、ＭＬＮするための浄
化装置を前記排気口外部に追加接続４−ることは当然で
あ名。

さらに、１１１記排気塔９は、第１図において当該半導
体処理装置ｌの上方に突出するように１浩かれているが
、特にこれに限定されず、排気ファン９Ａを用いて前記
フィルタ９Ｂ通過後の排気ガスを排出できる構造を何す
るものであれば、その形状は問われない。

また、搬送ベルト４に載１ｖｔ、されたウェー／Ａは、
矢印Ｂ方向に搬送されるものと１説明したが、逆方向−
４−なイつら、矢印Ｇ方向・＼搬送されても艮い。

また、第１図においては、本体部５と、ウェーハ供給装
置Ｉｔ６およびウェーハ回収装置７とは互いに接続され
Ｃ描かれているが、特に接続ｒる必要はなく、Ａｉｌ記
搬送べＴレト４のウェー／狛或１〃而と対向Ｃる前記本
体部５の外周端部が、前記ウェーッ１載置面との間に狭
窄開口部１８を何する構成であれば良い。

第２図は、本発明をウェー／１表面に残留した不要レジ
ストの除去に適用する場合のＭ２の実施例の概略縦断面
図である。

図に招いて、第１図と同一の１印号は、向−あるいは同
等部分をあられしている。

第２図は、第１図における排気塔９を紫外線照射装置ｔ
ｏとオゾン循環装置１９の端部との間に設けたものであ
る。つまり、１１」記第１の実施例においては、オゾン
および有毒不要な成分の一部をフィルタ９Ｂ内に通過さ
せるための矢印Ｆ方向の分流を、分岐される循環流より
も、ウェーハ搬送方向のｉｉｌ記菌猿流の下流側に設け
ていたが、本第２の実施例は、前記矢印下刃向の分流を
、６１Ｊ記分岐される循環流よりも、前記ウェーハ搬送
方向の前記循環流の上流＄１１１に設けたものである。

一般１１ｊに、オゾンと不要レジストとが反応すると・
その反応後の不安ンよ廃〃スは、咄記反応＠ｉｌのオゾ
ンよりも比重が小さくなる場合が多い。

したがって、廃ガスをオゾンの循環流より分流して排出
しようとする場合には・第２図のように、比重の小さい
溌ガスを、比重の大きいオゾンよりも先に上方へ排出し
てしまえば、１′１＋＋記廃ガスの含有率は、第１図の
場合よりも高くなることは明白である。またこれにより
、循環流に含まれるオゾンの含有率は高くなるので、ウ
ェーハの不要レジストのアッシングはさらに効率良く行
なうことができる。

Ａｉｌ述の本発明の第２の実施例は、後述の第３および
第４の実施列にも適用できる。

第３図は、本発明をウェーハ表面に残留した不要レジス
トの除去に適用する場合の第３の実施例の概略縦断面図
である。

図において、第１図および第２図と同一の符号は、同一
あるいは同等部分をあらイフシている。

第３図は、第１図における循環ファン８Ａを取付けるか
わシに、通路８内の一端の下方に赤外線ヒータ１７Ａを
設け、さらに前記通路８内のＩｔｂｙ♂の上方に冷却器
２１を設けたものである。つまり、前記第１の実施例は
、オゾンを、通路８内に循環させるために、循環ファン
８Ａを駆動させて強制的に対流させるものであるが、本
箱３の実施例は。

通路８内にオゾンを加熱する部分と冷却する部分とを設
け、前記オゾンがその温度差により自然対流するように
構成したものである。

本発明の第３の実施例において、第１の実施例と同様に
、ウェーハ表面と接触するオゾンの温度を１３０〜１７
０　〔’Ｃ）近傍に設定したい場合は、１１１記赤外線
ヒータ１７Ａによジオシンを１３０〜１７０〔℃〕以上
に加熱し、ｎｌｊ記冷却器２１により前記オゾンを１３
０〜１７０〔℃〕　付近に冷却すれば、第１図および第
２図における赤外線ヒータ１７は省略することができる
。

また、前記冷却器２１は、どのような構成を有するもの
であっても良いことは当然である。すなわち、たとえば
、オゾン循環装置１９の外壁に冷却フィンを取付ける等
の単純な得造であっても、前記加熱されたオゾンを予定
の温度に冷却することができれば良い。

第４図は、本発明をウェーハ表面に残留した不要レジス
トの除去に適用する場合の第４の実施例の概略縦断面図
である。

図において、第１図、第２図および第３図と同一の符号
は、同一あるいは同等部分をあられしている。

第４図は、第１図におけるオゾナイザ２０をオゾン循環
のための通路８内にＩＫ接配置したものである。第４図
においては、ｆｉｌｌ記オゾナイザ２０Ａは、ｉ＋＋記
ＩＩＶＩ略８を閉鎖するように該通路８内に配置次−す
なわら、矢印Ｃ方向へ送られるオゾンは、すべて前記オ
ゾナイザ２ＯＡ内へ流入し・該オゾナイザ２０　Ａは前
記オゾンと、新たに生産されるオゾンとを混合して排出
するように配置されているが、特にこれに限定されるこ
とはなく、前記オゾナイザ２ＯＡを前記通路８の外壁に
直接固着、もしくは前記通路８内へ突出するように配置
し。

前記循環のために再利用されるオゾンを、オゾナイザ２
０Ａの側面を通過させ、前記通過後に、前記オゾナイザ
２０Ａより新たに排出されるオゾンと混合するように構
成しても良い。

また、前記オゾナイザ２ＯＡは、赤外線ヒータ１７およ
び循環ファン８Ａの間に配置されているが・特にこれに
限定されず、前記通路８内でありて、ウェーハおよびオ
ゾンに対して紫外線照射を妨げない位置であれば、どの
位置であっても良いことは当然である。

さらに、前記オゾナイザ２０Ａに、循環ファン８Ａおよ
び赤外線ヒータ１７を一体に配置しても良いことは当然
である。

（変形例） （１）以上の説明による本発明の第１ないし第４の実施
例は、ウェーハ表面に残留したレジストの除去に適用す
る場合の丈施例と１２で説明したが、ウェーハ表面に、
エピタキシアル層などの半導体層や、絶１狸酸化１１１
１等のσ膜を形成する場合についても適用できることは
言うまでもない。この場合は、紫外線照射装置１０の内
部に配置される水銀灯は、反応ガスによる薄形’！　（
ｔ′、成を促進させるものであるから、特に中圧水銀灯
ｔ１および低圧水銀灯１３である必要はない。

（２）　ウェーハおよび反応ガスを加熱する手段は、０
１１記簿膜形成の促進を助長させるものでなければ、不
要であることは当然である。

（３）　ウェーハ　５０に供給される反応ガスは・通路
８を通してその一部を循環さＵ′るものとして説明した
が、搬送ベルト４上のウェーハ５０の載置面に反応ガス
を１回通過させた時に、６１１記ウエーハとの反応によ
って前記反応ガスの反応成分が大幅に減少する時は、前
記通路８−　ｆなわら循瑣装ｉ直１９を特に設ける必要
はない。この場合は、前記通路８内の反応ガスを強制的
に循環させるファンあるいは反応ガスを自然対流させる
加熱装置および冷却装置も設ける必要はないことは当然
である。

（４）　前記排気塔９．紫外線照射装置１０および循環
装置１９は各々気密に接続され、さらに前記排気塔９内
に配置された排気ファン９Ａによって、ｉｉＪ記排気塔
９．紫外線照射装Ｐ６．ｉｏおよび循環装（前１９の内
部は、外気に対して負圧に保たれるものとして説明した
が、反応ガスおよび反応生成物が有毒物質でなく、また
外気に漏洩しても生物に対して無害であり、また、環境
等を汚染したシしない場合には、前記気密な接続−およ
び排気ファン９Ａによる負圧保持は不要である。

（５）　前記排気塔９．紫外線照射装置ｌＯおよび循環
装置１９を接続して成る本体部５の外周部の、搬送ベル
ト４と対向する部分は、前記搬送ベルト４との間に狭窄
開口部１８が形成されろものとして説明したが、当該半
導体処理装置１の外気がみだれることがない場合には、
特に狭窄な開口部は必要としない。また、Ｉｇｉｌ記第
４項第４合においても不要である。

（６）　前記搬送ベルト４は、前記本体部５の内部に配
置されても艮い。すなわち、第１図ないし第４図におけ
る本体部５の下端が、搬送ベルト４を包み込んでしまう
ような形であっても、本発明の要旨からは逸脱しない。

（効　果） 以上の説明により明らかなように、本発明によれば、つ
ぎのような効果が達成される。

（１）　ウェーハ表面へのｔＷＢＴＡ形成あるいは不要
レジストの除去を多数のウェーハに対し゛Ｃ連続的に行
なうことができるので、単位時間当シのつ工−ハ処理枚
数が多く、また多量のウェーハを効率良く処理すること
ができる。さらにウェー／。

１枚当りの処理費用を削減することができる。

（２）　ウェーハ表面へ供給する反応ガスを、０１１記
ウエーハとの反応後に一部回収し、新たに供給される反
応ガスと混合して再利用する構成としたので、反応ガス
の効率的な利用が可能となり、また省エネルギに貢献で
きる。また、ウェーッ１処理に要する費用も、さらに削
減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の概略縦断面図・第２図
は本発明の第２の実施例の概略縦断面図、第３図は本発
明の第３の実施例の概略縦断面図・第４図は本発明の第
４の実施例の概略縦断面図である。 ｌ・・・半導体処理装置、２，３・・・搬送ローラ・４
・・・搬送ベルト、　５・・・本体部、　６・・・ウェ
ーハ供給装置、　７・・・ウェーハ回収装置、　８・・
・通路、　８Ａ・・・循環ファン、　９・・排気塔、９
Ａ・・・排気ファン、　９Ｂ・・・フィルタ、　１０・
・・紫外線照射装置、１１・・・中圧水銀灯、１２゜Ｊ
４・・・反射板、　１３・・・低圧水銀灯、　１５′・
・・透過板・　１６・・・赤外線ラング、１７　、１７
Ａ・・・赤外線ヒータ、１８・狭窄開口部、１９・・・
オゾン循環装置、　２０．２ＯＡ・・・オゾナイザ、２
１・・・冷却器、　５０・・・ウェーハ、　５０Ａ　・
・・未処理ウェーハ、　５０Ｂ・・・処理後のウェーハ
代理人弁理士　平　木　道　人 外１名 才１図 Ａ−３１１ 才　４１′４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　ウェーハを反応ガスを用いて連続的に表面処理
   するための半導体処理装置であって、ウェーハを搬送す
   る搬送ベルトと、前記搬送ベルト上にウェーハを載置す
   るウェーハ供給装置と、前記搬送ベルトに載置されたウ
   ェーハを加熱する手段と、前記搬送ベルト上に載置され
   たウェーハを回収するウェーハ回収装置と、　１１１１
   記ウエーハ供給装置および前記ウェーハ回収装置の間に
   配置され、前記搬送ベルト上に載置されたウェーハに紫
   外線を照射する紫外線照射装置と、前記紫外線照射装置
   および前記搬送ベルトのウェーハ載置面の間に反応ガス
   を供給する手段と、前記反応ガスを加熱する手段と、前
   記紫外線照射装置および前記搬送ベルトのウェーハ載置
   面の間に供給された反応ガスを排出する排気ファン、な
   らびに前記反応ガスおよび前記反応ガスと前記ウェーハ
   との反応によって生成される有毒成分を吸収するフィル
   タを有する排気装置とを具備したことを特徴とする半導
   体処理装置。 （２）　前記反応ガスを供給する手段、前記紫外線照射
   装置および前記排気装置は、各々に気密に接続され・前
   記排気ファンは、前記紫外線照射装置および前記搬送ベ
   ルトのウェーハ載置面の間、ならびに前記排気装置の内
   部を外気に対して負圧に保つことを特徴とするＩＩｔＩ
   記特許請求の範囲第１項記載の半導体処理装置。 （３）　前記反応ガスを供給する手段、前記紫外線照射
   装置および前記排気装置は、その外周端部と、前記搬送
   ベルトとの間に狭窄な開口部を有することを特徴とする
   特許 半導体処理装置。 （４）　ウェーハを反応ガスを用いて連続的に表面処理
   するだめの半導体処理装置であって、ウェー／％を搬送
   する搬送ベルトと、前記搬送ベルト上にウェーハを載置
   するウェーハ供給装置と、ｌ１ｉＩ記搬送ベルトに載置
   されたウェーハを加熱する手段と。 前記搬送ベルト上に載置されたウェーハを回収するウェ
   ーハ回収装置と、ｉ＋＋記ウェーハ供給装置およびウェ
   ーハ回収装置の間に配置され、Ａ’＋］記搬送ベルト上
   に載置されたウェーハに紫外線を照射する紫外線照射装
   置と、前記ウェーハの搬送方向の上流側および下流側に
   配置されるａ記紫外線照射装置の下面両端部側を接続す
   る循環通路と、ｉ＋＋記循猿通路内に反応ガスを供給す
   る手段と、前記反応ガスを加熱する手段と、Ｍｉｌ記反
   応ガスを咄記循項通路の一端から、ｎｌ」記紫外線照射
   装置の下面および前記搬送ベルトのウェーハ載置面の間
   を通過し、前記循環通路の他端へ循環させる手段と、前
   記循環通路の吸込端へ流入する反応ガスの一部を分流し
   排出する排気ファン、ならびに前記分流した反応ガスお
   よび前記反応ガスと前記ウェーハとの反応によって生成
   される有毒成分を吸収するフィルタを有し、前記循環通
   路の吸込端に配置される排気装置とを具備したことを特
   徴とする半導体処理装置。 ＋５１　ＩＩＩ記排気装置の吸込口は、前記ウェーハ回
   収装置および＝＋＋記循環通路の吸入側端部の間に配置
   されたことを特徴とする＝ＩＩ記特許請求の範囲第４項
   記載の半導体処理装置。 （６）　前記排気装置の吸込口は、前記循環通路の吸入
   側端部および前記紫外線照射装置の下端の間に配置され
   たことを特徴とする特許 第４項記載の半導体処理装置。 （７）　前記紫外線照射装置、１１］記循項通路および
   前記排気装置は、各々気密に接続され、前記排気ファン
   は、前記紫外線照射装置の下面および前記搬送ベルトの
   ウェーハ載置面の間、Ａｉｌ記循環通路ならびに前記排
   気装置の内部を外気に対して負圧に保つことを特徴とす
   るＭｔｌ記特許請求の範囲第４項ないし第６項のいずれ
   かに記載の半導体処理装置。 （８）　前記紫外線照射装置、前記循環通路およびＡｉ
   ｌ記排気装置は、その外周端部と、前記搬送ベルトとの
   間に狭窄ｌｊ開口部を有することを特徴とする前記特許
   請求の範囲第７項記載の半導体処理装置。 （９）　前記循環通路内に反応ガスを供給する手段は、
   前記循環通路内に直接配置されることを特徴とするＡｉ
   ＋記特許請求の範囲第４項ないし４１８項のいずれかに
   記載の半導体処理装置。 （１０１　前記循環通路は、前記紫外線照射装置の下面
   および前記搬送ベルトのウェーハ載置面により形成され
   る壁間よりも高低差を有して配置され、前記循環させる
   手段は、前記循環通路の低所に配置され、反応ガスを加
   熱する装置と、前記循環通路の高所に配置され、反応ガ
   スを冷却する装置とを具備したことを特徴とする前記特
   許請求の範囲第４項ないし第９項のいづ”れかに記載の
   半導体処理装置。 へり　前記反応ガスを加熱する手段は、前記循環させる
   手段と兼用されることを特徴とする前記特許請求の範囲
   第１０項記載の半導体処理装置。 ０２　前記循環通路は、前記紫外線照射装置の両側面お
   よび上面側に配置されることを特徴とするＦ］１１記特
   許請求の範囲第４項ｆｌいし第１１項のいづ“れかに記
   載の半導体処理装置。 （１′３　前記反応ガスを加熱する手段は、ＩＩＩ記循
   環通路内に配置された赤外線ヒータであることを特徴と
   する前記特許請求の範囲第４項ないし第９項のいずれか
   、あるいは第１２項記載の半導体処理装置。 ０４　前記ウェーハを加熱する手段は、前記紫外線照射
   装置内に配置された赤外線ランプであることを特徴とす
   る前記特許請求の範囲第４項ないし第１３項のいずれか
   に記載の半導体処理装置。 Ｂｅ　ｎｉ＋記反応ガスは、オゾンを含む気体であり、
   前記紫外線照射装置は、低圧水銀灯と、中圧水銀灯とを
   具備したことを特徴とする特許 範囲第４項ないし第１４項のいずれかに記載の半導体処
   理装Ｉｔ。