JPS60143627A - 光電変換膜の製造方法 - Google Patents
光電変換膜の製造方法Info
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- JPS60143627A JPS60143627A JP58251300A JP25130083A JPS60143627A JP S60143627 A JPS60143627 A JP S60143627A JP 58251300 A JP58251300 A JP 58251300A JP 25130083 A JP25130083 A JP 25130083A JP S60143627 A JPS60143627 A JP S60143627A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
２７．ッ
産業上の利用分野
本発明は、受光素子・固体撮像装置・感光体等に用いら
れる光電変換膜の製造方法に関するものである。
れる光電変換膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
非晶質半導体薄膜としての水素化アモルファスシリコン
は低温で形成でき、大面積化が容易・付着強度が強い等
の特長を有し、太陽電池・撮像装置・感光体・薄膜トラ
ンジスタ等への応用に対する研究開発が盛んに行なわれ
ている。水素化アモルファスシリコンの製造方法として
はＳｉＨ４ガス等をグロー放電により分解して得る方法
と単結晶または多結晶シリコンターゲットをＡｒとＨ２
の混合気体のプラズマでたたき、堆積する反応性ヌパッ
タリングによる方法とがよく知られている。
は低温で形成でき、大面積化が容易・付着強度が強い等
の特長を有し、太陽電池・撮像装置・感光体・薄膜トラ
ンジスタ等への応用に対する研究開発が盛んに行なわれ
ている。水素化アモルファスシリコンの製造方法として
はＳｉＨ４ガス等をグロー放電により分解して得る方法
と単結晶または多結晶シリコンターゲットをＡｒとＨ２
の混合気体のプラズマでたたき、堆積する反応性ヌパッ
タリングによる方法とがよく知られている。
前者のグロー放電法による水素化アモルファスシリコン
は欠陥準位も少なく移動度も高いため。
は欠陥準位も少なく移動度も高いため。
主に太陽電池や薄膜トランジスタ等に用いられている。
しかし、水素化アモルファスシリコンの平面的な絵素分
離が必要な受光素子や撮像装置・感３１，２・ 光体等に用いるには解像度の低下という問題がある。そ
の意味から反応性ヌパソタリングによる水素化アモルフ
ァスシリコンはグロー放電によるものより高抵抗であり
、十分な解像度の得られるものである。しかし、反応性
ヌパソタリングによるｚＬｔ化アモルファスシリコンに
５ｎ０２や工ｎ２−エＳｎ工０３（０≦ｘ〈２）などの
透明電極を形成したす、コロナ帯電等で水素化アモルフ
ァスシリコン表面を帯電させると透明電極または帯電側
からの電荷の注入が発生し、暗電流の増加や帯電電位の
減衰が早いという問題があった。上記問題は特願昭５７
−１２８１２１号に示されるように、ＰｌαＳ質＾Ｃ。
離が必要な受光素子や撮像装置・感３１，２・ 光体等に用いるには解像度の低下という問題がある。そ
の意味から反応性ヌパソタリングによる水素化アモルフ
ァスシリコンはグロー放電によるものより高抵抗であり
、十分な解像度の得られるものである。しかし、反応性
ヌパソタリングによるｚＬｔ化アモルファスシリコンに
５ｎ０２や工ｎ２−エＳｎ工０３（０≦ｘ〈２）などの
透明電極を形成したす、コロナ帯電等で水素化アモルフ
ァスシリコン表面を帯電させると透明電極または帯電側
からの電荷の注入が発生し、暗電流の増加や帯電電位の
減衰が早いという問題があった。上記問題は特願昭５７
−１２８１２１号に示されるように、ＰｌαＳ質＾Ｃ。
？ｈｅｍｘｃａ７ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
（以下でプラズマ堆積法と呼ぶ）で形成した非晶質半
導体薄膜をブロッキング層として複合することで解決し
得ることを示した。しかし、上記ブロッキング層と透明
電極を形成しだ光電変換膜では分光感度特性において青
色光の感度が低く、光電流の飽和状態を得るだめの印加
電圧が高く、暗電流の再現性における制御性が悪いとい
った問題があった。また、光電変換膜にコロナ帯電を行
なう感光体特性では帯電保持時間が短く、青色光感度が
低いといった問題があった。
（以下でプラズマ堆積法と呼ぶ）で形成した非晶質半
導体薄膜をブロッキング層として複合することで解決し
得ることを示した。しかし、上記ブロッキング層と透明
電極を形成しだ光電変換膜では分光感度特性において青
色光の感度が低く、光電流の飽和状態を得るだめの印加
電圧が高く、暗電流の再現性における制御性が悪いとい
った問題があった。また、光電変換膜にコロナ帯電を行
なう感光体特性では帯電保持時間が短く、青色光感度が
低いといった問題があった。
本発明者らは、上記問題が主に反応性スパッタによる非
晶質半導体薄膜とプラズマ堆積法による非晶質半導体薄
膜との界面の不安定性が原因で発生しており、この界面
に薄い酸化膜層を形成し易いこと、プラズマ堆積法で非
晶質半導体薄膜の形成時に界面に多数の準位を作ること
を見い出した。
晶質半導体薄膜とプラズマ堆積法による非晶質半導体薄
膜との界面の不安定性が原因で発生しており、この界面
に薄い酸化膜層を形成し易いこと、プラズマ堆積法で非
晶質半導体薄膜の形成時に界面に多数の準位を作ること
を見い出した。
発明の目的
本発明は上記問題を解決すべく考え出された水素化非晶
質シリコンを用いた光電変換膜の製造方法で、受光素子
・固体撮像装置・感光体に応用され、特に光電変換膜が
低電圧で駆動し、帯電電位の保持時間が長く、青色光感
度の向上を目的とするものである。
質シリコンを用いた光電変換膜の製造方法で、受光素子
・固体撮像装置・感光体に応用され、特に光電変換膜が
低電圧で駆動し、帯電電位の保持時間が長く、青色光感
度の向上を目的とするものである。
発明の構成
本発明は１反応性ヌパノタ法での非晶質半導体薄膜とプ
ラズマ堆積法での非晶質半導体薄膜の界面の安定化を計
り、」二記２つの膜を大気にさらす５６ 、。
ラズマ堆積法での非晶質半導体薄膜の界面の安定化を計
り、」二記２つの膜を大気にさらす５６ 、。
ことなく連続に形成して酸化層を除き、基体温度の制御
で熱的ストレヌによる界面での準位を低くすることを特
徴とする。
で熱的ストレヌによる界面での準位を低くすることを特
徴とする。
実施例の説明
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明するが、丑ず
、本発明での光電変換膜の形成について装置例を上げて
説明する。
、本発明での光電変換膜の形成について装置例を上げて
説明する。
第１図に本発明で使用された装置構成の一例を示す。反
応室′Ｔ！たけ真空室１ａ・１ｂ・１ｃは高真空排気装
置２ａ・２ｂ・２Ｃで各々に高真空に排気でき、また各
室には加熱装置３ａ・３ｂ・３Ｃが装備されている。各
室は４ａと４ｂで仕切られており、各室独立に排気する
ことができ、また、仕切り４ａと４ｂを開くことで基体
が取り付けられた保持台６を各室に搬送することができ
る。
応室′Ｔ！たけ真空室１ａ・１ｂ・１ｃは高真空排気装
置２ａ・２ｂ・２Ｃで各々に高真空に排気でき、また各
室には加熱装置３ａ・３ｂ・３Ｃが装備されている。各
室は４ａと４ｂで仕切られており、各室独立に排気する
ことができ、また、仕切り４ａと４ｂを開くことで基体
が取り付けられた保持台６を各室に搬送することができ
る。
真空室１ｂは戸６を開くことで保持台５をセットし、ま
た取り出しができる。反応室１ａはガス導入ロア＆より
ガスを導入し、多結晶シリコンターゲットされた電極８
１Ｌと基体がセットされた保持台５との間に高周波が印
加され、反応性スパッタ６、 １、 が行なわれる。
た取り出しができる。反応室１ａはガス導入ロア＆より
ガスを導入し、多結晶シリコンターゲットされた電極８
１Ｌと基体がセットされた保持台５との間に高周波が印
加され、反応性スパッタ６、 １、 が行なわれる。
次に、１ａ・１ｂ・１Ｃの各室を高真空にし。
仕切り４ａ・４ｂを開き、保持台５をプラズマ反応室１
Ｃに搬送する。仕切り４ｂを閉じ、ガス導入ロアｂより
ガスを導入し、排気を低真空排気装置９である真空度に
保持し、保持台５と対向する電極８ｂとの間でプラズマ
を発生させ、プラズマ堆積を行なう。その後、各室を高
真空に排気し、４ｂを開き保持台５を真空室１ｂに移し
、仕切シ４ａ・４ｂ及び高真空排気装置を閉じた状態で
真空室１ｂｉ大気圧にもどし、戸６を開いて基体と保持
台５を取りだす。このような装置を用いて形成する光電
変換膜の応用の具体例を次に述べる。
Ｃに搬送する。仕切り４ｂを閉じ、ガス導入ロアｂより
ガスを導入し、排気を低真空排気装置９である真空度に
保持し、保持台５と対向する電極８ｂとの間でプラズマ
を発生させ、プラズマ堆積を行なう。その後、各室を高
真空に排気し、４ｂを開き保持台５を真空室１ｂに移し
、仕切シ４ａ・４ｂ及び高真空排気装置を閉じた状態で
真空室１ｂｉ大気圧にもどし、戸６を開いて基体と保持
台５を取りだす。このような装置を用いて形成する光電
変換膜の応用の具体例を次に述べる。
〔実施例１〕
本実施例は本発明による光電変換膜を固体撮像装置に適
用した例である。
用した例である。
第２図（ａ）・申）は光電変換膜特性測定構造と光電変
換膜を積層した固体撮像装置の１絵素分の概略断 面図
である。
換膜を積層した固体撮像装置の１絵素分の概略断 面図
である。
第２図（ａ）の特性測定の構成は基板１１に絶縁層７ベ
ージ １２をはさんで電極１３を形成し、本発明にょる光電変
換膜１４ａ・１４ｂを形成し、透明電極１５と電極１３
との間に電源１６で電圧を印加し電流計１７で入射光１
８の変化や印加電圧変化での電流を読みとる。
ージ １２をはさんで電極１３を形成し、本発明にょる光電変
換膜１４ａ・１４ｂを形成し、透明電極１５と電極１３
との間に電源１６で電圧を印加し電流計１７で入射光１
８の変化や印加電圧変化での電流を読みとる。
実際の固体撮像装置は第２図（ｂ）の構成であるが固体
撮像装置に必要な測定は上記方法で行なえる。
撮像装置に必要な測定は上記方法で行なえる。
固体撮像装置の構成は走査デバイスとしてはＭＯＳある
いはＣＯＤ等があるが、いずれも本発明の趣旨を損なう
ものでなく、本実施例ではＣＯＤを用いて説明する。２
１はＰ型Ｓｉ基板、２２はｎ＋型のダイオード、２３は
電荷転送のためのｎ−型のチャンネルである。２４はゲ
ート電極で信号の読み出しおよび電荷転送を兼ねた機能
を有する。
いはＣＯＤ等があるが、いずれも本発明の趣旨を損なう
ものでなく、本実施例ではＣＯＤを用いて説明する。２
１はＰ型Ｓｉ基板、２２はｎ＋型のダイオード、２３は
電荷転送のためのｎ−型のチャンネルである。２４はゲ
ート電極で信号の読み出しおよび電荷転送を兼ねた機能
を有する。
２５は絶縁体で、２６は絵素電極である。２１〜２６に
より走査デバイスが形成される。信号読み込み動作はゲ
ート電極２４に１／３ｏ秒毎にクロックパルスＶ を印
加して行ない、垂直転送は２相Ｈ あるいは４相駆動で、１５．７５ ＫＨｚ毎にクロック
パルスＶφをゲート電極２４に印加することで転送する
ことができる。２Ｔ＆・２７ｂは本発明による光電変換
膜であり第１図の１４ａ・１４ｂに相当し、透明電極２
８を形成して固体撮像装置とする。２９は入射光を示す
。
より走査デバイスが形成される。信号読み込み動作はゲ
ート電極２４に１／３ｏ秒毎にクロックパルスＶ を印
加して行ない、垂直転送は２相Ｈ あるいは４相駆動で、１５．７５ ＫＨｚ毎にクロック
パルスＶφをゲート電極２４に印加することで転送する
ことができる。２Ｔ＆・２７ｂは本発明による光電変換
膜であり第１図の１４ａ・１４ｂに相当し、透明電極２
８を形成して固体撮像装置とする。２９は入射光を示す
。
次に本発明の特徴である光電変換膜について述べるが、
第２図（ａ）及び（ｂ）で示す光電変換膜は何らの差異
がないので第２図（＆）で説明していく。
第２図（ａ）及び（ｂ）で示す光電変換膜は何らの差異
がないので第２図（＆）で説明していく。
まず電極として、Ｍｏ 、 Ｔａ等が正孔に対して阻止
になり有用である。次に基板温度を２６０′Ｃに保ち、
Ｈ２／Ａｒ−ｏ、１〜０．４＋高周波ハワー１．５Ｗ／
ｄで８１多結晶基板をターゲットとして反応性スハッタ
法ニヨリ水素化アモルファスシリコンを主体とした非晶
質半導体膜より々る光導電膜１４ａを形成する。この膜
厚としては耐圧及び動作上から０．５〜５μｍが適して
おり、本実施例では１μｍ形成した。
になり有用である。次に基板温度を２６０′Ｃに保ち、
Ｈ２／Ａｒ−ｏ、１〜０．４＋高周波ハワー１．５Ｗ／
ｄで８１多結晶基板をターゲットとして反応性スハッタ
法ニヨリ水素化アモルファスシリコンを主体とした非晶
質半導体膜より々る光導電膜１４ａを形成する。この膜
厚としては耐圧及び動作上から０．５〜５μｍが適して
おり、本実施例では１μｍ形成した。
次に第１図の装置例で示したように真空内を通してプラ
ズマ反応室に搬送し、同じように基板温度を２５０℃に
保ち、透明電極１５からの電子の注入を阻止するために
プラズマ堆積法で光導電膜９ベージ １４ｂとして、非晶質５ｉ１−ｘ−ｙｃ、２：Ｈｙ 。
ズマ反応室に搬送し、同じように基板温度を２５０℃に
保ち、透明電極１５からの電子の注入を阻止するために
プラズマ堆積法で光導電膜９ベージ １４ｂとして、非晶質５ｉ１−ｘ−ｙｃ、２：Ｈｙ 。
Ｓｉ１．ｙ Ｈ２Ｈｙ等の禁止帯幅の大きい材料にＰ型
不純物Ｂ２Ｈ６等をドープした膜を形成する。この膜は
耐圧・暗電流の点で望ましい。ただし、炭素・窒素等を
含む膜は局在準位を作り易く、特に放電の高周波パワー
は０．０１〜０．６’ｈ’／ｃｉｔが望ましい。この膜
厚は２０〜３ｏ○〇八が適しており本実施例では３００
人形成した。
不純物Ｂ２Ｈ６等をドープした膜を形成する。この膜は
耐圧・暗電流の点で望ましい。ただし、炭素・窒素等を
含む膜は局在準位を作り易く、特に放電の高周波パワー
は０．０１〜０．６’ｈ’／ｃｉｔが望ましい。この膜
厚は２０〜３ｏ○〇八が適しており本実施例では３００
人形成した。
このように形成された光電変換膜にＤＣヌパソタによっ
てＩｎ２−、、？：Ｓｎ、０３ （ｘ ＝ ｏ、ｏｓ程
度）の透明電極を形成して固体撮像素子に応用する。
てＩｎ２−、、？：Ｓｎ、０３ （ｘ ＝ ｏ、ｏｓ程
度）の透明電極を形成して固体撮像素子に応用する。
上記のように構成した光電変換膜特性を第３図（＋Ｌ）
・（ｂ）に従来例と比較して示す。このように固体撮像
装置の光電変換膜の駆動電圧に相当する印加電圧におい
て、飴和光電流を低い電圧で得ることができ、寸た暗電
流の増加を高い印加電圧まで抑えることができる。これ
は固体撮像装置を駆動する」−で大きな効果をもたらす
。同様に可視光の利用が必要な撮像装置において青色光
感度の向上はカラー撮像に必要な特性である。
・（ｂ）に従来例と比較して示す。このように固体撮像
装置の光電変換膜の駆動電圧に相当する印加電圧におい
て、飴和光電流を低い電圧で得ることができ、寸た暗電
流の増加を高い印加電圧まで抑えることができる。これ
は固体撮像装置を駆動する」−で大きな効果をもたらす
。同様に可視光の利用が必要な撮像装置において青色光
感度の向上はカラー撮像に必要な特性である。
１０１．ニー２゜
また本実施例と同様に反応性スパッタとプラズマ堆積を
大気にさらさず連続に形成するときの基板温度の違いに
よる影響を第４図に示す。反応性スパッタでの非晶質半
導体膜の形成基板温度は２５０’Ｃと３００’Ｃで行な
った。そして暗電流が１０’Ａ／ｆｆｌ になるときの
印加電圧を耐圧として、プラズマ堆積での形成基板温度
の関係を示す。
大気にさらさず連続に形成するときの基板温度の違いに
よる影響を第４図に示す。反応性スパッタでの非晶質半
導体膜の形成基板温度は２５０’Ｃと３００’Ｃで行な
った。そして暗電流が１０’Ａ／ｆｆｌ になるときの
印加電圧を耐圧として、プラズマ堆積での形成基板温度
の関係を示す。
いずれの場合もプラズマ堆積の形成温度が反応性スパッ
タの形成温度より３０℃を起えると光電変換膜としての
耐圧で使用でき々くなる。まだ５゜’Ｃｋ起えるといず
れの場合もプラズマ堆積の非晶質半導体膜にピンホール
が発生した。もちろん、温度と対応して青色感度の低下
も発生する。このように（プラズマ堆積温度）≦（反応
性スパッタ温度） 」−３０℃が光電変換膜の最適条件
である。
タの形成温度より３０℃を起えると光電変換膜としての
耐圧で使用でき々くなる。まだ５゜’Ｃｋ起えるといず
れの場合もプラズマ堆積の非晶質半導体膜にピンホール
が発生した。もちろん、温度と対応して青色感度の低下
も発生する。このように（プラズマ堆積温度）≦（反応
性スパッタ温度） 」−３０℃が光電変換膜の最適条件
である。
〔実施例２〕
第６図は本発明を使用した他の例としての感光体とコロ
ナ帯電の概略断面図である。電極の役目を果す基体３１
にＡｒ／Ｈ２＝０．１で高周波パワー３Ｗ／ｆｆｌ・基
体３１の温度２５０’Ｃｆ Ｓｉ多結晶１１ページ 基板をターゲットとして反応性スパッタにより水素化非
晶質シリコンを主体とした非晶質半導体膜３２’（５１
０μｍの膜厚で形成する。膜厚は１０μｍ以上であれば
感光体に必要な帯電電位を得ることができる。
ナ帯電の概略断面図である。電極の役目を果す基体３１
にＡｒ／Ｈ２＝０．１で高周波パワー３Ｗ／ｆｆｌ・基
体３１の温度２５０’Ｃｆ Ｓｉ多結晶１１ページ 基板をターゲットとして反応性スパッタにより水素化非
晶質シリコンを主体とした非晶質半導体膜３２’（５１
０μｍの膜厚で形成する。膜厚は１０μｍ以上であれば
感光体に必要な帯電電位を得ることができる。
次に本発明による方法で連続して基体３１の温度を２５
０℃にて水素化非晶質ＳｉＣにボロンをドープした非晶
質半導体膜３３を１０００八に形成する。このように構
成された感光体としての光電変換膜にコロナ・チャージ
ャー３４で帯電する。
０℃にて水素化非晶質ＳｉＣにボロンをドープした非晶
質半導体膜３３を１０００八に形成する。このように構
成された感光体としての光電変換膜にコロナ・チャージ
ャー３４で帯電する。
本実施例では負帯電として電子３６の帯電を示す。
第６図に上記帯電後、暗状態での保持時間による暗減衰
と時刻ｔで光照射したときの光減衰の様子を示す。この
ように帯電電位の暗状態の保持が良く、光減衰も良好な
特性を示し、感光体として良好々光電変換膜である。
と時刻ｔで光照射したときの光減衰の様子を示す。この
ように帯電電位の暗状態の保持が良く、光減衰も良好な
特性を示し、感光体として良好々光電変換膜である。
発明の詳細
な説明したごとく、本発明によれば第７図（ａ）のバン
ドモデル図に示すように反応性スパッタによシ形成した
非晶質半導体膜４１とプラズマ堆積による非晶質半導体
膜４２との間に従来例のΦ）に示すようなノツチ部分４
３の形成がなく、その影響での界面準位４３を除去でき
る。また本発明と同じ方法での光電変換膜においてもプ
ラズマ堆積温度が反応性スパッタでの温度より３０℃を
起えると（０）に示すように界面準位４４が発生する。
ドモデル図に示すように反応性スパッタによシ形成した
非晶質半導体膜４１とプラズマ堆積による非晶質半導体
膜４２との間に従来例のΦ）に示すようなノツチ部分４
３の形成がなく、その影響での界面準位４３を除去でき
る。また本発明と同じ方法での光電変換膜においてもプ
ラズマ堆積温度が反応性スパッタでの温度より３０℃を
起えると（０）に示すように界面準位４４が発生する。
このように本発明によって、光電変換膜の暗電流を低く
抑えることができ、低電圧で駆動ができ、青色感度の向
上と帯電保持の長時間化ができ、受光素子・固体撮像装
置・感光体への実用に多大な効果を奏するものである。
抑えることができ、低電圧で駆動ができ、青色感度の向
上と帯電保持の長時間化ができ、受光素子・固体撮像装
置・感光体への実用に多大な効果を奏するものである。
第１図は本発明で使用される蒸着装置の概略図、第２図
（＆）・伽）は特性測定と固体撮像装置の概略断面図、
第３図（ｚ） ｚΦ）は光電変換膜の概略特性図と分光
感度特性図、第４図はプラズマ堆積温度の特性影智図、
第５図は感光体の概略断面図、第６図は帯電の概略特性
図、第７図（ａ）〜（９）はバンドモデル図である。 ２６・・・・・・電極、１４Ｌ−１４ｂ１２７＆、２７
ｂ１３２１３ページ ・・・・・・非晶質Ｓｉ膜、２８・・・・・・透明電極
、２９・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第°
図 ３α。 Ｃレノ ｊ皮表（ａｚ） 図 第 ６ 図 保吋時聞（ｓｅζ）
（＆）・伽）は特性測定と固体撮像装置の概略断面図、
第３図（ｚ） ｚΦ）は光電変換膜の概略特性図と分光
感度特性図、第４図はプラズマ堆積温度の特性影智図、
第５図は感光体の概略断面図、第６図は帯電の概略特性
図、第７図（ａ）〜（９）はバンドモデル図である。 ２６・・・・・・電極、１４Ｌ−１４ｂ１２７＆、２７
ｂ１３２１３ページ ・・・・・・非晶質Ｓｉ膜、２８・・・・・・透明電極
、２９・・・・・・入射光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第°
図 ３α。 Ｃレノ ｊ皮表（ａｚ） 図 第 ６ 図 保吋時聞（ｓｅζ）
Claims (2)
- （１）所定の温度にて基板上に反応性スパッタ法で第１
の非晶質半導体薄膜を形成し、次いで所定の温度にてプ
ラズマ堆積法で第２の非晶質半導体薄膜を形成するに際
し、上記反応性スパッタ法での第１の非晶質半導体薄膜
の形成後大気にさらすことなく、上記プラズマ堆積法で
第２の非晶質半導体薄膜を形成することを特徴とする光
電変換膜の製造方法。 - （２）所定の温度にて基板上に反応性スパッタ法で第１
の非晶質半導体薄膜を形成し、上記反応性スパッタ法で
の基板温度より高くとも３０℃以内かまたは上記基板温
度以下に上記基板を保ち、プラズマ堆積法にて第２の非
晶質半導体薄膜を形成することを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の光電変換膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251300A JPS60143627A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光電変換膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58251300A JPS60143627A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光電変換膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143627A true JPS60143627A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=17220753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58251300A Pending JPS60143627A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 光電変換膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173130A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-30 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における工具保持構造 |
| WO2006114535A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Universite De Rennes 1 | Procédé de fabrication d'un dispositif électronique multicouches dépourvu de résistances d'interface parasites |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58251300A patent/JPS60143627A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173130A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-30 | Yamazaki Mazak Corp | 工作機械における工具保持構造 |
| WO2006114535A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Universite De Rennes 1 | Procédé de fabrication d'un dispositif électronique multicouches dépourvu de résistances d'interface parasites |
| FR2885260A1 (fr) * | 2005-04-28 | 2006-11-03 | Univ Rennes 1 Etablissement Pu | Procede de fabrication d'un dispositf electronique multicouches depourvu de resistances d'interface parasites |
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