JPS60142576A - 薄膜太陽電池基板 - Google Patents

薄膜太陽電池基板

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JPS60142576A
JPS60142576A JP25118983A JP25118983A JPS60142576A JP S60142576 A JPS60142576 A JP S60142576A JP 25118983 A JP25118983 A JP 25118983A JP 25118983 A JP25118983 A JP 25118983A JP S60142576 A JPS60142576 A JP S60142576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
layer thin
substrate
color
solar cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP25118983A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Nagara
長良 賢之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60142576A publication Critical patent/JPS60142576A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、N膜太陽電池基飯の構造に関する。
〔従来技術〕
従来、薄膜太陽電池基板は、第1図に示す如く透明導伝
膜2とシリコン3の厚みの管理が難かしかった。この厚
みは、基板の色調に深く関っていてその設定値によって
基板への入射光と反射光の干渉波の波長が決まる、この
波長によって色調が出るわけだから、前記の厚み管理が
器しいということは、基板の色調を管理することも容易
ではないといえる、現在の薄膜電池基板を使用した工業
製品において、その色調を指定し劃いということは時計
や、電卓などのデザイン面に致命的なテメ・リフトをも
たらす。つまり、基板の色調を指定した場合、基板の歩
留りが悪く、コストが非常に高くなるという問題点があ
った。
〔目的〕
本発明は、このような問題点を解決するものでその目的
とするところは、薄膜太陽電池基板上面つ甘り透明絶縁
基鈑上面に光学薄膜を蒸着もしくは、その他の方法で形
成することによって、太陽電池の性能に適したその厚み
は変えずに薄膜太陽電池基板に、工業製品に欠くことの
出来ない色調指定を施すのを容易にするという効果を提
供する。
〔概要〕
本発明の薄膜太陽電池基板は、その透明絶縁基板の上面
に、薄膜を付けたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
第2図は、本発明による薄膜太陽電池基板の−実施例で
、1はガラスからなる透明絶縁基板、2は酸化インジウ
ムからなる透明導伝膜、3はアモルファスシリコン、4
は成からなる金属電極、5はSiO、OdF 、5n0
2などの光学薄膜材料からなる増層の薄膜である。5を
設けることにより、この部分で光の干渉を記させて、こ
の5が碌い場合の基板の色調とは異なる色調を生じさせ
る。
第3図は、第2図の5の単層薄膜だけをとりあげ、その
原理を説明するもので、6は入射光、7は5の下面での
反射光、8は5の上面での反射光で6は単層薄膜5に垂
直に入射した平行光線とする。また、5は平行な両面を
もつ原さt、屈折率nの単層薄膜とする。7と8の有効
光路差は2ntで与えられる。(因子nが入っているの
は、薄膜中では光速度が1/nに減少するが、振動数は
不変であるので、薄膜中における単位長さあたりの波数
は、自由空間におけるそれのn倍に等しくなるからであ
る。)この光路差により、7と8の干渉波9の波長が決
まってくる。色というものは、可視光線の波長により変
化するものであるから、光路差、つまり5の単層薄膜の
厚みtに対応してこの単層薄膜の色が変化するというこ
とがいえる。
第2図の場合の反射光は、第5図の7七8のような反射
光に、従来の基板の色の原因である2と3で干渉した反
射光が加わったもので、これらが5の単層薄膜で干渉す
ることにより、新たな様々の色を出すことが出来る。こ
の色の変化は、第3図と同様に5の厚みと、2と3の厚
みとの組み合わせに対応するものである。第2図で5は
単層薄膜であるが、これを多層にしても同様な原理を基
に色の変化が生じると考えられる。
第4図は本発明による薄膜太陽電池基板の一実施例で、
第2図の単層薄膜s?:厚みの不均一なりサビ形薄膜に
したものである。このクサビ形薄膜は両表面が互いにひ
じように小さな角Oをなしたものである。第4図に示す
厚みt′の部分は、前記の原理を基に同じ色調を生じる
。クサビ形薄膜の場合は、順次厚み変化しているため、
全体では虹色の模様を観察でNる。この様に薄膜太陽電
池基板の透明絶縁基板上面に光学薄膜材料からなる厚み
の不均一な薄膜を付けることにより、虹色やあるいけ、
ランダムな4莫様を生み出すこと力1できる。
この場合に中色ではないので、色の管理をする必要がな
くな9、歩留りが良くなるのは確実である。
また、デザイン面では第21週や第3図に示す様に太陽
電池の性能に適した太陽電池の厚みは変えずに薄膜太陽
電池基板の色を自由に変えたり、虹色模様などを利用す
ることが出来る。尚、ここに挙げた実施例は、あくまで
も一部の実施例である。
〔効果〕
以上述べたようQて、本発明によれば、時R−tや電卓
などの工槃周品における薄II’1%太陽電池基板の利
用において、致命的なデメリットとなる色調1↑jしを
太陽電池の性能に適したその膠原は変えずに透明絶縁基
板上面に付けた薄膜の厚みによって容易にしたものであ
り、デザイン面では、虹色やランダムな色模様も利用す
ることが出来る。また、製造面では、飛蹄的に歩留りを
向上させることが出来る。この様に本発明は、工業製品
における薄膜太陽電池基板の利用に、実用価f直の高い
、多大の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第11女1・・・従来例を示す図。 第2図・・・本発明による実施例を示す図。 第3図・・・第2図の5の単層薄膜の原理を説明するた
めの図。 第4図・・・本発明による実が!i filを示す図。 1・・・透明絶縁基板 2・・・透明導伝膜 3・・・シリコン 4・・・金属電極 5・・・光学薄膜材料からなる単層薄膜6・・・薄膜太
陽電池基板への入射光 7・・・5の下面での反射光 8・・・5の上面での反射光 以 上 水30 141−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明絶縁基板の下面に太陽電池を、上面に薄膜を付けた
    ことを特徴とする薄膜太陽電池基板。
JP25118983A 1983-12-28 1983-12-28 薄膜太陽電池基板 Pending JPS60142576A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25118983A JPS60142576A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 薄膜太陽電池基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25118983A JPS60142576A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 薄膜太陽電池基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60142576A true JPS60142576A (ja) 1985-07-27

Family

ID=17219001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25118983A Pending JPS60142576A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 薄膜太陽電池基板

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JP (1) JPS60142576A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0218997A2 (en) * 1985-10-11 1987-04-22 Energy Conversion Devices, Inc. Power generating optical filter
WO2000013237A1 (fr) * 1998-08-26 2000-03-09 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Dispositif photovoltaique
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0218997A2 (en) * 1985-10-11 1987-04-22 Energy Conversion Devices, Inc. Power generating optical filter
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US6395973B2 (en) 1998-08-26 2002-05-28 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Photovoltaic device
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate
WO2011036209A1 (de) 2009-09-23 2011-03-31 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur herstellung eines substrats mit einer farbigen interferenzfilterschicht, dieses substrat, enthaltend eine farbige interferenzfilterschicht, die verwendung dieses substrats als farbige solarzelle oder als farbiges solarmodul oder als bestandteil hiervon sowie ein array, umfassend mindestens zwei dieser substrate
US9312413B2 (en) 2009-09-23 2016-04-12 Robert Bosch Gmbh Method for producing a substrate having a colored interference filter layer, this substrate containing a colored interference filter layer, the use of this substrate as a colored solar cell or as a colored solar module or as a component thereof, as well as an array including at least two of these substrates

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