JPS5941168B2 - 表示パネルの構造 - Google Patents
表示パネルの構造Info
- Publication number
- JPS5941168B2 JPS5941168B2 JP13806579A JP13806579A JPS5941168B2 JP S5941168 B2 JPS5941168 B2 JP S5941168B2 JP 13806579 A JP13806579 A JP 13806579A JP 13806579 A JP13806579 A JP 13806579A JP S5941168 B2 JPS5941168 B2 JP S5941168B2
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- transparent
- liquid crystal
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネルの構造に関するものである。
従来からの液晶パネルにおいては、基板上に電極として
用いられる透明電導膜と基板とが屈折率が非常に異なる
ために、透明導電膜で光が反射しロスするため正面から
パネルを見た場合透明導電膜パターンが黒ずんで見える
。又基板を全反射の条件で傾けて見た場合、パターンが
ギラギラ光るといつた欠点を有していた。これらの欠点
をカバーする方法として、電極の屈折率を低下させると
か、光学的無反射理論により透明電導膜の厚みを変え無
反射透明導電膜にするといつた考案がなされてきた。し
かし低抵抗で屈折率の小さな透明導電膜は技術的にも困
難であるし又厚み制御による無反射透明導電膜は厚みの
バラツキの制御のむずかしさ及びパターニング時におけ
るオーバーエッチ等のための安定に無反射条件を得るこ
とは困難な状況である。又、基板に安価なソーダ系ガラ
スを用いるとソーダ系ガラス中のナトリウム、カリウム
が液晶中に溶出し、液晶の性能劣化をもたらし、表示機
能を損なうものである。本発明はかかる欠点を解決する
ために生まれた１５ものであり、本発明によればごくわ
ずかのコストアップにより容易に透明導電膜の目立ちを
防止でき、且つ、同時に透明基板からナトリウム、カリ
ウムが液晶中に溶出することを防止するものである。
用いられる透明電導膜と基板とが屈折率が非常に異なる
ために、透明導電膜で光が反射しロスするため正面から
パネルを見た場合透明導電膜パターンが黒ずんで見える
。又基板を全反射の条件で傾けて見た場合、パターンが
ギラギラ光るといつた欠点を有していた。これらの欠点
をカバーする方法として、電極の屈折率を低下させると
か、光学的無反射理論により透明電導膜の厚みを変え無
反射透明導電膜にするといつた考案がなされてきた。し
かし低抵抗で屈折率の小さな透明導電膜は技術的にも困
難であるし又厚み制御による無反射透明導電膜は厚みの
バラツキの制御のむずかしさ及びパターニング時におけ
るオーバーエッチ等のための安定に無反射条件を得るこ
とは困難な状況である。又、基板に安価なソーダ系ガラ
スを用いるとソーダ系ガラス中のナトリウム、カリウム
が液晶中に溶出し、液晶の性能劣化をもたらし、表示機
能を損なうものである。本発明はかかる欠点を解決する
ために生まれた１５ものであり、本発明によればごくわ
ずかのコストアップにより容易に透明導電膜の目立ちを
防止でき、且つ、同時に透明基板からナトリウム、カリ
ウムが液晶中に溶出することを防止するものである。
２０以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明によるＦＥＴＮ（電界効果ツイストネマ
チツク）液晶セルの横断面図である。第１図において、
１及び２はシータ系ガラスの透明基板であり、通常１．
５程度の屈折率を有する。３は本２５発明の絶縁被膜で
あり屈折率１．６５を有し４００λ〜１５００λの厚み
の層である。
チツク）液晶セルの横断面図である。第１図において、
１及び２はシータ系ガラスの透明基板であり、通常１．
５程度の屈折率を有する。３は本２５発明の絶縁被膜で
あり屈折率１．６５を有し４００λ〜１５００λの厚み
の層である。
４及び５は透面導電膜であり、酸化スズ系で２．２前後
の屈折率を有し、通常厚みは４００〜７００入程度が用
いられる。
の屈折率を有し、通常厚みは４００〜７００入程度が用
いられる。
ここで第１図において絶縁被膜３なろ層３０の屈折率及
び厚みを変化させた時の透明導電膜（ネサ）４及び５の
目立ちの程度及びパネル全体の明るさを表１に示す。
び厚みを変化させた時の透明導電膜（ネサ）４及び５の
目立ちの程度及びパネル全体の明るさを表１に示す。
表１の結果から明らかなように、本発明は特に屈折率の
大きな酸佳スズ系透明導電膜に使用したとき効果が大き
いことがわかる。
大きな酸佳スズ系透明導電膜に使用したとき効果が大き
いことがわかる。
そこで本発明は、酸化スズ系透明導電膜を用いパネル全
体の明るさを損なうことなく、ネサの目立ちを防止する
には３なる層は屈折率１．６５〜２．２０で、約４００
〜１５００λの厚みを有するのが良いことがわかる。本
発明の３なる層は、ＣＶＤ、スバツタ、蒸着、スプレー
、浸漬法（アルコラード法）、スピンナー法等により被
覆することができる。一方、本発明は、透明基板からナ
トリウム、カリウムが液晶中に溶出することを防止する
パシベイシヨン効果を得ることも目的の１つとするもの
であるが、このために前述の透明絶縁膜３にパシベイシ
ヨン効果をもたらせている。
体の明るさを損なうことなく、ネサの目立ちを防止する
には３なる層は屈折率１．６５〜２．２０で、約４００
〜１５００λの厚みを有するのが良いことがわかる。本
発明の３なる層は、ＣＶＤ、スバツタ、蒸着、スプレー
、浸漬法（アルコラード法）、スピンナー法等により被
覆することができる。一方、本発明は、透明基板からナ
トリウム、カリウムが液晶中に溶出することを防止する
パシベイシヨン効果を得ることも目的の１つとするもの
であるが、このために前述の透明絶縁膜３にパシベイシ
ヨン効果をもたらせている。
このため本発明では、この透明絶縁膜３をＳｉＯ２とＴ
ｉＯ２から選んだ混合膜とし、その組成比をＳｉＯ２：
ＴｉＯ２＝１１：３（モル比）とした。ここで、まず、
パシベイシヨン効果の観点から実用的な無色透明な金属
酸化物としてはＳｉＯ２が存在する。
ｉＯ２から選んだ混合膜とし、その組成比をＳｉＯ２：
ＴｉＯ２＝１１：３（モル比）とした。ここで、まず、
パシベイシヨン効果の観点から実用的な無色透明な金属
酸化物としてはＳｉＯ２が存在する。
しかし、ＳｉＯ２は屈折率が１．５と低く、前述の透明
導電膜の目立ちを防止できる１．６５には及ばない。そ
こで、無色透明で屈折率が実用上最も高い、金属酸化物
をＳｉＯ２に混合することを考え、その結果選んだもの
がＴｉＯ２である。ＴｉＯ２は前述のパシベイシヨン効
果は低いが屈折率は極めて高く２．２である。ＳｉＯ２
に混合する透明金属酸化物の屈折率がそれより小さいと
混合透明絶縁膜の屈折率を１．６５以上とするためには
ＳｉＯ２の組成割合が低くなり、前述のパシベイシヨン
効果が減じてしまう。従つて高屈折率のＴｌＯ２を用い
ることは重要であり、ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２が屈折率１．
６５をクリアーするためには、ＳｉＯ２：ＴｉＯ２＝１
１：３（モル比）となる。この場合、実験の結果、前述
のパシベイシヨン効果が得られ、この透明絶縁膜を用い
た液晶パネルにおいて液晶の劣化は全く認められなかつ
た。又、酸化スズ透明導電膜の目立ちも解消され、更に
パネル全体も明るいものが得られた。なお、ＳｉＯ２と
ＴｉＯ２の混合膜の屈折率は両者間のモル比に比例して
得られるものである。
導電膜の目立ちを防止できる１．６５には及ばない。そ
こで、無色透明で屈折率が実用上最も高い、金属酸化物
をＳｉＯ２に混合することを考え、その結果選んだもの
がＴｉＯ２である。ＴｉＯ２は前述のパシベイシヨン効
果は低いが屈折率は極めて高く２．２である。ＳｉＯ２
に混合する透明金属酸化物の屈折率がそれより小さいと
混合透明絶縁膜の屈折率を１．６５以上とするためには
ＳｉＯ２の組成割合が低くなり、前述のパシベイシヨン
効果が減じてしまう。従つて高屈折率のＴｌＯ２を用い
ることは重要であり、ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２が屈折率１．
６５をクリアーするためには、ＳｉＯ２：ＴｉＯ２＝１
１：３（モル比）となる。この場合、実験の結果、前述
のパシベイシヨン効果が得られ、この透明絶縁膜を用い
た液晶パネルにおいて液晶の劣化は全く認められなかつ
た。又、酸化スズ透明導電膜の目立ちも解消され、更に
パネル全体も明るいものが得られた。なお、ＳｉＯ２と
ＴｉＯ２の混合膜の屈折率は両者間のモル比に比例して
得られるものである。
又、前記ＴｉＯ２は酸化スズと良好に密着するため透明
絶縁膜と透明導電膜との密着性が向上しＦＥＴＮ液晶セ
ルで周知なラピング処理を行なう際、透明導電膜上の透
明絶縁膜が剥離したり、又は透明導電膜下の透明絶縁膜
と透明導電膜が離れたりすることがなく、良好な配向品
質が得られるものである。しかもＳｉＯ２もＴｉＯ２も
無色透明なため、透明絶縁膜自体も無色透明となつて、
着色時のような表示外観を損ねることもないものである
。以下実施例によつて本発明を詳細に説明する。
絶縁膜と透明導電膜との密着性が向上しＦＥＴＮ液晶セ
ルで周知なラピング処理を行なう際、透明導電膜上の透
明絶縁膜が剥離したり、又は透明導電膜下の透明絶縁膜
と透明導電膜が離れたりすることがなく、良好な配向品
質が得られるものである。しかもＳｉＯ２もＴｉＯ２も
無色透明なため、透明絶縁膜自体も無色透明となつて、
着色時のような表示外観を損ねることもないものである
。以下実施例によつて本発明を詳細に説明する。
実施例 １
基板１及び２にソーダガラスを用い内表面にＳｌＯ２：
ＴｉＯ２＝１１：３（モル比）からなる被膜３をスパツ
タリング法により１０００λ被覆した。
ＴｉＯ２＝１１：３（モル比）からなる被膜３をスパツ
タリング法により１０００λ被覆した。
その上に、ＣＶＤ法により酸化スズ透明導電膜を６００
λ被覆し所定の方法によりパターニングを行ない、しか
る後、ラピング処理により配向膜、透明導電膜の剥離の
ない良好な配向面が得られたことを確認した後、第１図
の如きＦＥＴＮ液晶パネルを組み立てた。従来の３なる
層を有さないパネルに比し４及び５の透明導電膜の黒ず
み、及びギラギラはほとんどなくなつていた。
λ被覆し所定の方法によりパターニングを行ない、しか
る後、ラピング処理により配向膜、透明導電膜の剥離の
ない良好な配向面が得られたことを確認した後、第１図
の如きＦＥＴＮ液晶パネルを組み立てた。従来の３なる
層を有さないパネルに比し４及び５の透明導電膜の黒ず
み、及びギラギラはほとんどなくなつていた。
パネル全体の透過率も従来とほとんど差はなかつた。し
かも３なる被膜はナトリウム、カリウムを液晶中に溶出
させない強いパシベイシヨン効果を有し、半年間の使用
にもかかわらず液晶の表示機能は何んら変化なく良好で
あつた。実施例 ２ 第１図の構造のパネルをゲストホスト液晶表示体に用い
たところ、実施例１と同様な結果が得られた。
かも３なる被膜はナトリウム、カリウムを液晶中に溶出
させない強いパシベイシヨン効果を有し、半年間の使用
にもかかわらず液晶の表示機能は何んら変化なく良好で
あつた。実施例 ２ 第１図の構造のパネルをゲストホスト液晶表示体に用い
たところ、実施例１と同様な結果が得られた。
実施例 ３
第１図において、３と４及び３と５の順序を変えて、つ
まり透明導電膜４及び５の上から３なる被膜を実施例１
と同様にオーバーコートした結果、実施例１と同様の効
果があられれた。
まり透明導電膜４及び５の上から３なる被膜を実施例１
と同様にオーバーコートした結果、実施例１と同様の効
果があられれた。
第１図・・・・・・本発明による液晶パネルの主要断面
図。 １，２・・・・・・透明基板、３・・・・・・透明絶縁
膜、４，５・・・・・・透明導電膜、６・・・・・・シ
ール材、７・・・・・・液晶層。
図。 １，２・・・・・・透明基板、３・・・・・・透明絶縁
膜、４，５・・・・・・透明導電膜、６・・・・・・シ
ール材、７・・・・・・液晶層。
Claims (1)
- １ 酸化スズ系の透明導電膜を有する基板間に液晶をサ
ンドウイツチして成るＦＥＴＮ液晶表示パネルにおいて
、ソーダ系ガラスから成る透明基板と透明導電膜の間も
しくは透明導電膜の上からＳｉＯ＿２：ＴｉＯ＿２が１
１：３（モル比）となる透明絶縁膜を４００〜１５００
Å被覆したことを特徴とする表示パネルの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13806579A JPS5941168B2 (ja) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | 表示パネルの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13806579A JPS5941168B2 (ja) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | 表示パネルの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5662224A JPS5662224A (en) | 1981-05-28 |
| JPS5941168B2 true JPS5941168B2 (ja) | 1984-10-05 |
Family
ID=15213152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13806579A Expired JPS5941168B2 (ja) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | 表示パネルの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941168B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207224A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-18 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Phase transition type liquid crystal display device |
| JPS58174912A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Canon Inc | 合焦検知装置 |
| DE3229584A1 (de) * | 1982-08-07 | 1984-02-09 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Multiplexbare fluessigkristallzelle |
| JPS6227719A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-05 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS6247027A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH02148021A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-06 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH03107921A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0435070A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 透光性配線基板 |
| DE4408155C2 (de) * | 1994-03-11 | 2001-12-06 | Balzers Ag Liechtenstein | Flüssigkristallanzeige |
| JP2002006297A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Minolta Co Ltd | 液晶光変調素子 |
| JP2007310489A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Bridgestone Corp | タッチパネル一体型情報表示装置 |
-
1979
- 1979-10-25 JP JP13806579A patent/JPS5941168B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5662224A (en) | 1981-05-28 |
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