JP2002006297A - 液晶光変調素子 - Google Patents
液晶光変調素子Info
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- JP2002006297A JP2002006297A JP2000190853A JP2000190853A JP2002006297A JP 2002006297 A JP2002006297 A JP 2002006297A JP 2000190853 A JP2000190853 A JP 2000190853A JP 2000190853 A JP2000190853 A JP 2000190853A JP 2002006297 A JP2002006297 A JP 2002006297A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多重反射の影響や不要な散乱を抑制でき、コ
ントラストの高い液晶光変調素子を得る。 【解決手段】 一対の樹脂フィルム基板１，２にカイラ
ルネマティック液晶層５を挟持した液晶光変調素子。一
対の基板１，２の対向面には電極１０，１１と絶縁膜１
２，１３とが形成されており、電極１０，１１の屈折率
が１．７〜２．１、絶縁膜１２，１３の屈折率が１．４
〜１．８、電極と絶縁膜の屈折率の差が０．４以下であ
る。また、電極１０，１１は面抵抗が２００Ω／□以下
で厚さが１２００〜１５００オングストロームである。
絶縁膜１２，１３上には安定化膜１４，１５が形成され
ていてもよく、該安定化膜１４，１５の膜厚は２００〜
１０００オングストロームである。
ントラストの高い液晶光変調素子を得る。 【解決手段】 一対の樹脂フィルム基板１，２にカイラ
ルネマティック液晶層５を挟持した液晶光変調素子。一
対の基板１，２の対向面には電極１０，１１と絶縁膜１
２，１３とが形成されており、電極１０，１１の屈折率
が１．７〜２．１、絶縁膜１２，１３の屈折率が１．４
〜１．８、電極と絶縁膜の屈折率の差が０．４以下であ
る。また、電極１０，１１は面抵抗が２００Ω／□以下
で厚さが１２００〜１５００オングストロームである。
絶縁膜１２，１３上には安定化膜１４，１５が形成され
ていてもよく、該安定化膜１４，１５の膜厚は２００〜
１０００オングストロームである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶光変調素子、
特に、一対の樹脂フィルム基板間にカイラルネマティッ
ク液晶層を挟持してなる液晶光変調素子に関する。
特に、一対の樹脂フィルム基板間にカイラルネマティッ
ク液晶層を挟持してなる液晶光変調素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、液晶表示素子は、透明電極を
有する一対の基板とこの基板間に挟持された液晶層とか
らなる。この液晶層に駆動電圧を印加することで液晶分
子の配列を制御し、素子に入射される外光を変調して目
的とする画像の表示等を行う。両基板間には液晶層だけ
ではなく、両電極間の短絡防止のための絶縁膜や液晶分
子の配列制御のための安定化膜も挟持される。
有する一対の基板とこの基板間に挟持された液晶層とか
らなる。この液晶層に駆動電圧を印加することで液晶分
子の配列を制御し、素子に入射される外光を変調して目
的とする画像の表示等を行う。両基板間には液晶層だけ
ではなく、両電極間の短絡防止のための絶縁膜や液晶分
子の配列制御のための安定化膜も挟持される。
【０００３】従来、液晶表示方式として様々な方法が提
示されている。その一つであるコレステリック液晶相の
選択反射を利用して低消費電力を実現する反射型液晶素
子では、液晶の配列を制御することにより観察側から入
射した光を反射させて明るく表示したり、あるいは入射
光を透過させて背面の光吸収層で吸収することにより暗
く表示する。この場合、入射した光は数層の膜を横切っ
て通過することになる。
示されている。その一つであるコレステリック液晶相の
選択反射を利用して低消費電力を実現する反射型液晶素
子では、液晶の配列を制御することにより観察側から入
射した光を反射させて明るく表示したり、あるいは入射
光を透過させて背面の光吸収層で吸収することにより暗
く表示する。この場合、入射した光は数層の膜を横切っ
て通過することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上のように極めて近
接した距離で何層もの膜が配置される場合、素子を通過
する光が各層間で多重反射を起こしたり、不要な散乱を
生じることがある。つまり、暗く表示すべき位置からも
観察側に光が戻ってくるために画像表示におけるコント
ラストが低下する。
接した距離で何層もの膜が配置される場合、素子を通過
する光が各層間で多重反射を起こしたり、不要な散乱を
生じることがある。つまり、暗く表示すべき位置からも
観察側に光が戻ってくるために画像表示におけるコント
ラストが低下する。
【０００５】そこで、本発明の目的は、多重反射の影響
や不要な散乱を抑制でき、コントラストの高い液晶光変
調素子を提供することにある。
や不要な散乱を抑制でき、コントラストの高い液晶光変
調素子を提供することにある。
【０００６】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る液晶光変調素子は、少なくとも一方の
面に電極が形成されている一対の樹脂フィルム基板が電
極面を内側にして対向配置されており、前記一対の基板
の少なくとも一方の電極上に形成された絶縁膜と、前記
基板間に挟まれたカイラルネマティック液晶層を含む液
晶光変調素子において、前記電極の屈折率が１．７〜
２．１、前記絶縁膜の屈折率１．４〜１．８、前記電極
と前記絶縁膜の屈折率の差が０．４以下とした。
め、本発明に係る液晶光変調素子は、少なくとも一方の
面に電極が形成されている一対の樹脂フィルム基板が電
極面を内側にして対向配置されており、前記一対の基板
の少なくとも一方の電極上に形成された絶縁膜と、前記
基板間に挟まれたカイラルネマティック液晶層を含む液
晶光変調素子において、前記電極の屈折率が１．７〜
２．１、前記絶縁膜の屈折率１．４〜１．８、前記電極
と前記絶縁膜の屈折率の差が０．４以下とした。
【０００７】前記電極と前記絶縁膜との屈折率の差を
０．４以下に小さくすることによって、電極と絶縁膜の
界面での光の反射又は散乱が抑制され、反射光や不要な
散乱光を減らすことができる。
０．４以下に小さくすることによって、電極と絶縁膜の
界面での光の反射又は散乱が抑制され、反射光や不要な
散乱光を減らすことができる。
【０００８】さらに、本発明に係る液晶光変調素子にお
いては、前記電極の面抵抗を２００Ω／□以下とし、前
記電極の厚さを１２００〜１５００オングストロームと
することが好ましい。電極の面抵抗を前記数値以下にす
ることで、液晶の駆動電圧を低く抑えることができ、低
電力駆動に有利となる。また、電極の厚さを前記数値の
範囲内にすることによって入射光の干渉を抑制すること
ができる。
いては、前記電極の面抵抗を２００Ω／□以下とし、前
記電極の厚さを１２００〜１５００オングストロームと
することが好ましい。電極の面抵抗を前記数値以下にす
ることで、液晶の駆動電圧を低く抑えることができ、低
電力駆動に有利となる。また、電極の厚さを前記数値の
範囲内にすることによって入射光の干渉を抑制すること
ができる。
【０００９】さらに、本発明に係る液晶光変調素子にお
いては、前記絶縁膜上に安定化膜を形成すれば、液晶分
子の配列を制御しやすくなる。安定化膜の膜厚は２００
〜１０００オングストロームが好ましい。
いては、前記絶縁膜上に安定化膜を形成すれば、液晶分
子の配列を制御しやすくなる。安定化膜の膜厚は２００
〜１０００オングストロームが好ましい。
【００１０】本発明に係る液晶光変調素子は液晶層が所
定波長の入射光を反射する反射型であること、及び／又
は複数の液晶光変調素子が積層されている場合に、反射
光や散乱光の減少効果を好ましく発揮する。
定波長の入射光を反射する反射型であること、及び／又
は複数の液晶光変調素子が積層されている場合に、反射
光や散乱光の減少効果を好ましく発揮する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る液晶光調光素
子の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
子の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１２】（第１実施形態、図１参照）図１に本発明
に係る液晶光変調素子の第１実施形態の構成を示す。こ
の液晶光変調素子１０１は、樹脂フィルムからなる一対
の透明基板１，２の各対向面に複数本の帯状の透明電極
１０，１１、絶縁膜１２，１３、及び安定化膜１４，１
５を形成し、この基板１，２間に液晶層５を挟持したも
のである。また、基板２の裏面には黒色の光吸収層１６
が設けられている。
に係る液晶光変調素子の第１実施形態の構成を示す。こ
の液晶光変調素子１０１は、樹脂フィルムからなる一対
の透明基板１，２の各対向面に複数本の帯状の透明電極
１０，１１、絶縁膜１２，１３、及び安定化膜１４，１
５を形成し、この基板１，２間に液晶層５を挟持したも
のである。また、基板２の裏面には黒色の光吸収層１６
が設けられている。
【００１３】液晶層５はカイラルネマティック液晶６を
含み、樹脂構造物７、スペーサ８が配置されている。さ
らに、基板１，２の周辺部は樹脂シール壁９によって封
止されている。樹脂構造物７は基板１，２を接着支持
し、スペーサ８は樹脂構造物７と共に基板間ギャップを
保持する。
含み、樹脂構造物７、スペーサ８が配置されている。さ
らに、基板１，２の周辺部は樹脂シール壁９によって封
止されている。樹脂構造物７は基板１，２を接着支持
し、スペーサ８は樹脂構造物７と共に基板間ギャップを
保持する。
【００１４】透明基板１，２の材料としては、ポリカー
ボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、
ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート等のフレ
キシブル基板を使用することができる。
ボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、
ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート等のフレ
キシブル基板を使用することができる。
【００１５】透明電極１０，１１は液晶をマトリクス駆
動するために互いに直交するように複数本の帯状に設け
たもので、材料としては、Indium Tin Oxide（ＩＴ
Ｏ：インジウム・錫酸化物）、Indium Zinc Oxide
（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電膜や、
アルミニウム、シリコン等の金属電極、あるいは、アモ
ルファスシリコン、ＢＳＯ（Bismuth Silicon Oxid
e）等の光導電性膜等を用いることができる。
動するために互いに直交するように複数本の帯状に設け
たもので、材料としては、Indium Tin Oxide（ＩＴ
Ｏ：インジウム・錫酸化物）、Indium Zinc Oxide
（ＩＺＯ：インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電膜や、
アルミニウム、シリコン等の金属電極、あるいは、アモ
ルファスシリコン、ＢＳＯ（Bismuth Silicon Oxid
e）等の光導電性膜等を用いることができる。
【００１６】透明電極１０，１１の成膜には、スパッタ
法やレーザーアブレーション法などが用いられ、成膜条
件を変えることによって屈折率の異なる透明電極を得る
ことができる。例えば、ＩＴＯの場合、酸素の含量を制
御したり、様々な不純物をドープすることによりその屈
折率を変えることができる。
法やレーザーアブレーション法などが用いられ、成膜条
件を変えることによって屈折率の異なる透明電極を得る
ことができる。例えば、ＩＴＯの場合、酸素の含量を制
御したり、様々な不純物をドープすることによりその屈
折率を変えることができる。
【００１７】絶縁膜１２，１３としては、酸化シリコ
ン、酸化チタン、酸化ジルコニウムやそのアルコキシド
等からなる無機材料やポリイミド樹脂、アクリル樹脂か
らなる有機材料を用いることができ、これらの種々の材
料から最適な屈折率を有する絶縁膜を選択することがで
きる。成膜方法としては、蒸着法、スピンコート法、ロ
ールコート法などの公知の方法を用いることができる。
ン、酸化チタン、酸化ジルコニウムやそのアルコキシド
等からなる無機材料やポリイミド樹脂、アクリル樹脂か
らなる有機材料を用いることができ、これらの種々の材
料から最適な屈折率を有する絶縁膜を選択することがで
きる。成膜方法としては、蒸着法、スピンコート法、ロ
ールコート法などの公知の方法を用いることができる。
【００１８】安定化膜１４，１５は、酸化シリコン等の
無機材料やポリイミドなどの有機材料をスパッタ法、ス
ピンコート法、ロールコート法、フレキソ印刷法等で設
けることができる。通常、この安定化膜１４，１５はラ
ビング処理を行わずに使用する。安定化膜１４，１５を
設けることにより、液晶分子に対してある程度のアンカ
リング効果を持たせることができ、液晶表示素子の特性
が経時的に変化するのを防止することができる点で有利
である。
無機材料やポリイミドなどの有機材料をスパッタ法、ス
ピンコート法、ロールコート法、フレキソ印刷法等で設
けることができる。通常、この安定化膜１４，１５はラ
ビング処理を行わずに使用する。安定化膜１４，１５を
設けることにより、液晶分子に対してある程度のアンカ
リング効果を持たせることができ、液晶表示素子の特性
が経時的に変化するのを防止することができる点で有利
である。
【００１９】樹脂構造物７は、スクリーン版やメタルマ
スクを用いた印刷法により熱可塑性樹脂や重合性樹脂を
印刷する方法、感光性樹脂をスピンコート法、ロールコ
ート法、ダイコーターなどを用いて、一方の基板１又は
２上に塗布し、フォトマスクを介して露光後、現像処理
をするフォトリソグラフィー法などにより形成すること
ができる。樹脂構造物７は本第１実施形態では、柱状の
ものを格子状に配置したが、その形状、配置は任意であ
る。
スクを用いた印刷法により熱可塑性樹脂や重合性樹脂を
印刷する方法、感光性樹脂をスピンコート法、ロールコ
ート法、ダイコーターなどを用いて、一方の基板１又は
２上に塗布し、フォトマスクを介して露光後、現像処理
をするフォトリソグラフィー法などにより形成すること
ができる。樹脂構造物７は本第１実施形態では、柱状の
ものを格子状に配置したが、その形状、配置は任意であ
る。
【００２０】スペーサ８は、液晶表示素子用のスペーサ
として一般的に用いられているものであれば種々のもの
を使用することができ、無機材料のシリカや有機材料の
ジビニルベンゼン等で作られたものを好適に用いること
ができる。また、スペーサ８の散布の方法は、湿式、乾
式いずれでもよく、また、フレキソ印刷やダイコーター
を用いて配置するなど、公知のスペーサ散布法のいずれ
でも用いることができる。
として一般的に用いられているものであれば種々のもの
を使用することができ、無機材料のシリカや有機材料の
ジビニルベンゼン等で作られたものを好適に用いること
ができる。また、スペーサ８の散布の方法は、湿式、乾
式いずれでもよく、また、フレキソ印刷やダイコーター
を用いて配置するなど、公知のスペーサ散布法のいずれ
でも用いることができる。
【００２１】（第２実施形態、図２参照）本発明に係る
液晶光変調素子は、図２に示すように、複数の前記液晶
光変調素子１０１を積層した積層型液晶光変調素子１０
２としても構成することができる。以下、各単層の素子
を液晶セルとも称する。図２の各液晶セルにおいて赤、
緑、青をそれぞれ選択反射させることによってフルカラ
ー表示が可能になる。積層型の場合、光吸収層１６は最
下層の基板２の裏面に設けられ、各液晶セルの間には透
明接着剤１７が介在される。
液晶光変調素子は、図２に示すように、複数の前記液晶
光変調素子１０１を積層した積層型液晶光変調素子１０
２としても構成することができる。以下、各単層の素子
を液晶セルとも称する。図２の各液晶セルにおいて赤、
緑、青をそれぞれ選択反射させることによってフルカラ
ー表示が可能になる。積層型の場合、光吸収層１６は最
下層の基板２の裏面に設けられ、各液晶セルの間には透
明接着剤１７が介在される。
【００２２】（第３実施形態、図３参照）図３に本発明
に係る液晶光変調素子の第３実施形態の構成を示す。こ
の液晶光変調素子１０３は、図１に示した液晶光変調素
子１０１において樹脂構造物７を省略したものである。
に係る液晶光変調素子の第３実施形態の構成を示す。こ
の液晶光変調素子１０３は、図１に示した液晶光変調素
子１０１において樹脂構造物７を省略したものである。
【００２３】（第４実施形態、図４参照）図４に示す第
４実施形態としての液晶光変調素子１０４は、複数の前
記液晶光変調素子（液晶セル）１０３を積層したもので
ある。各液晶セルにおいて赤、緑、青をそれぞれ選択反
射させることによってフルカラー表示が可能になる点は
前記液晶光変調素子１０２と同様である。
４実施形態としての液晶光変調素子１０４は、複数の前
記液晶光変調素子（液晶セル）１０３を積層したもので
ある。各液晶セルにおいて赤、緑、青をそれぞれ選択反
射させることによってフルカラー表示が可能になる点は
前記液晶光変調素子１０２と同様である。
【００２４】（第５実施形態、図５参照）図５に示す第
５実施形態としての液晶光変調素子１０５は、複数の前
記液晶光変調素子１０３を積層してフルカラー表示を可
能とした点は前記液晶光変調素子１０４と同様である。
異なるのは、各液晶セルを構成する透明基板１，２のう
ち、積層体の中間に位置する基板を共通化した点にあ
る。即ち、図４に示す液晶光変調素子１０４において基
板枚数が２ｎ（ｎは液晶セルの数）であると、図５に示
す液晶光変調素子１０５において基板枚数は（ｎ＋１）
となる。
５実施形態としての液晶光変調素子１０５は、複数の前
記液晶光変調素子１０３を積層してフルカラー表示を可
能とした点は前記液晶光変調素子１０４と同様である。
異なるのは、各液晶セルを構成する透明基板１，２のう
ち、積層体の中間に位置する基板を共通化した点にあ
る。即ち、図４に示す液晶光変調素子１０４において基
板枚数が２ｎ（ｎは液晶セルの数）であると、図５に示
す液晶光変調素子１０５において基板枚数は（ｎ＋１）
となる。
【００２５】なお、図２に示した液晶光変調素子１０２
においても基板枚数を（ｎ＋１）で構成することもでき
る。
においても基板枚数を（ｎ＋１）で構成することもでき
る。
【００２６】（実験例及び比較例）次に、本発明者らが
行った種々の材料及び製法での具体的な実験例及び比較
例を説明する。
行った種々の材料及び製法での具体的な実験例及び比較
例を説明する。
【００２７】以下の各実験例及び比較例において、反射
率の測定は反射型分光測色計ＣＭ−３７００ｄ（ミノル
タ社製）を用いて視感反射率（Ｙ値）を測定することで
行った。Ｙ値が小さいほど透明である。また、コントラ
ストは（高反射率状態でのＹ値／低反射率状態でのＹ
値）で与えられる。
率の測定は反射型分光測色計ＣＭ−３７００ｄ（ミノル
タ社製）を用いて視感反射率（Ｙ値）を測定することで
行った。Ｙ値が小さいほど透明である。また、コントラ
ストは（高反射率状態でのＹ値／低反射率状態でのＹ
値）で与えられる。
【００２８】（実験例１）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００２９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２．１、膜厚１４００オングストローム、面抵抗８
０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロー
ムの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムか
らなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。そ
の上に厚み５００オングストロームのポリイミド系安定
化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファ
インケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と
安定化膜を形成し、対向基板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２．１、膜厚１４００オングストローム、面抵抗８
０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロー
ムの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムか
らなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。そ
の上に厚み５００オングストロームのポリイミド系安定
化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファ
インケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と
安定化膜を形成し、対向基板とした。
【００３０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００３１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００３２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
５００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
５００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
【００３３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００３４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００３５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００３６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．５、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは６．１：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．５、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは６．１：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００３７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／３５Ｖであった。
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／３５Ｖであった。
【００３８】（実験例２）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００３９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２.０、膜厚１２００オングストローム、面抵抗１
３０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロ
ームの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウム
からなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。
その上に厚み４００オングストロームのポリイミド系安
定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水フ
ァインケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰ
Ｃフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜
と安定化膜を形成し、対向基板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２.０、膜厚１２００オングストローム、面抵抗１
３０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロ
ームの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウム
からなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。
その上に厚み４００オングストロームのポリイミド系安
定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水フ
ァインケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰ
Ｃフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜
と安定化膜を形成し、対向基板とした。
【００４０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００４１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００４２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
４００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
４００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
【００４３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００４４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００４５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００４６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．３、黒表示のＹ値は
４．８、コントラストは６．３：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．３、黒表示のＹ値は
４．８、コントラストは６．３：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００４７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が９０Ｖ／６０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６５Ｖ／４５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖであった。
色／消色が９０Ｖ／６０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６５Ｖ／４５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖであった。
【００４８】（実験例３）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００４９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２．０、膜厚１５００オングストローム、面抵抗７
０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロー
ムの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムか
らなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。そ
の上に厚み６００オングストロームのポリイミド系安定
化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファ
インケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と
安定化膜を形成し、対向基板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化物、屈
折率２．０、膜厚１５００オングストローム、面抵抗７
０Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オングストロー
ムの酸化シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムか
らなる無機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。そ
の上に厚み６００オングストロームのポリイミド系安定
化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファ
インケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と
安定化膜を形成し、対向基板とした。
【００５０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００５１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００５２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
６００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機
系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み
６００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基
板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を
形成し、対向基板とした。
【００５３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００５４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００５５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００５６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３１．０、黒表示のＹ値は
５．１、コントラストは６．１：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３１．０、黒表示のＹ値は
５．１、コントラストは６．１：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００５７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８５Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
色／消色が８５Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
【００５８】（実験例４）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００５９】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フ
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物、屈折率１．７５、膜厚１５００オングストローム、
面抵抗５５Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オング
ストロームのポリイミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ
（屈折率１．６）を形成した。その上に厚み８００オン
グストロームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上
に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を
散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩ
ＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、
対向基板とした。
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物、屈折率１．７５、膜厚１５００オングストローム、
面抵抗５５Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オング
ストロームのポリイミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ
（屈折率１．６）を形成した。その上に厚み８００オン
グストロームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上
に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を
散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩ
ＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、
対向基板とした。
【００６０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００６１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００６２】次に、ＰＥＳフィルム上に設けられたＩＴ
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームのポリ
イミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を
形成した。その上に厚み８００オングストロームのポリ
イミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ径のスペー
サ（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、い
ま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも
同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームのポリ
イミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を
形成した。その上に厚み８００オングストロームのポリ
イミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ径のスペー
サ（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、い
ま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも
同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
【００６３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００６４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００６５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００６６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．５、黒表示のＹ値は
５．２、コントラストは５．９：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．５、黒表示のＹ値は
５．２、コントラストは５．９：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００６７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
色／消色が８０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
【００６８】（実験例５）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００６９】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フ
ィルム基板上に設けられたＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸
化物、屈折率１．８、膜厚１３００オングストローム、
面抵抗２００Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オン
グストロームの酸化シリコン、酸化チタンからなる無機
系絶縁膜Ｆ（屈折率１．５）を形成した。その上に厚み
８００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム
基板上のＩＺＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜
を形成し、対向基板とした。
ィルム基板上に設けられたＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸
化物、屈折率１．８、膜厚１３００オングストローム、
面抵抗２００Ω／□）透明電極上に、厚み２０００オン
グストロームの酸化シリコン、酸化チタンからなる無機
系絶縁膜Ｆ（屈折率１．５）を形成した。その上に厚み
８００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成
し、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム
基板上のＩＺＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜
を形成し、対向基板とした。
【００７０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００７１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００７２】次に、ＰＥＳフィルム上に設けられたＩＺ
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化
シリコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｆ（屈折率
１．５）を形成した。その上に厚み８００オングストロ
ームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ
径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩＺＯ透
明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基
板とした。
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化
シリコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｆ（屈折率
１．５）を形成した。その上に厚み８００オングストロ
ームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ
径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板上のＩＺＯ透
明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基
板とした。
【００７３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００７４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００７５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００７６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．０、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは６．０：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．０、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは６．０：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００７７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が９５Ｖ／６５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が７０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が７０Ｖ／５０Ｖであった。
色／消色が９５Ｖ／６５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が７０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が７０Ｖ／５０Ｖであった。
【００７８】（実験例６）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００７９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７、膜厚１４０
０オングストローム、面抵抗８０Ω／□）透明電極上
に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコン、酸
化チタンからなる無機系絶縁膜Ｇ（屈折率１．４）を形
成した。その上に厚み４５０オングストロームのポリイ
ミド系安定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ
（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、いま
一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様
に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７、膜厚１４０
０オングストローム、面抵抗８０Ω／□）透明電極上
に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコン、酸
化チタンからなる無機系絶縁膜Ｇ（屈折率１．４）を形
成した。その上に厚み４５０オングストロームのポリイ
ミド系安定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペーサ
（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、いま
一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様
に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
【００８０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００８１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００８２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｇ（屈折率
１．４）を形成した。その上に厚み４５０オングストロ
ームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ
径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明
電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板
とした。
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｇ（屈折率
１．４）を形成した。その上に厚み４５０オングストロ
ームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μｍ
径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明
電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板
とした。
【００８３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００８４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００８５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００８６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．９、黒表示のＹ値は
４．９、コントラストは６．３：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は３０．９、黒表示のＹ値は
４．９、コントラストは６．３：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００８７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／３５Ｖであった。
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／３５Ｖであった。
【００８８】（実験例７）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００８９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．９、膜厚１４０
０オングストローム、面抵抗９０Ω／□）透明電極上
に、厚み１８００オングストロームのポリイミド樹脂か
らなる有機系絶縁膜Ｈ（屈折率１．８）を形成した後、
その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基板上
のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、対向基
板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．９、膜厚１４０
０オングストローム、面抵抗９０Ω／□）透明電極上
に、厚み１８００オングストロームのポリイミド樹脂か
らなる有機系絶縁膜Ｈ（屈折率１．８）を形成した後、
その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基板上
のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、対向基
板とした。
【００９０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【００９１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【００９２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み１８００オングストロームのポリイ
ミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｈ（屈折率１．８）を形
成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイン
ケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィ
ルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成
し、対向基板とした。
透明電極上に、厚み１８００オングストロームのポリイ
ミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｈ（屈折率１．８）を形
成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイン
ケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィ
ルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成
し、対向基板とした。
【００９３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【００９４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【００９５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【００９６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．７、黒表示のＹ値は
４．６、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．７、黒表示のＹ値は
４．６、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【００９７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖであった。
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖであった。
【００９８】（実験例８）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【００９９】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フ
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７５、膜
厚１３００オングストローム、面抵抗１００Ω／□）透
明電極上に、厚み１０００オングストロームのポリイミ
ド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成
した後、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケ
ミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィ
ルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定
化膜を形成し、対向基板とした。
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７５、膜
厚１３００オングストローム、面抵抗１００Ω／□）透
明電極上に、厚み１０００オングストロームのポリイミ
ド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成
した後、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケ
ミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィ
ルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定
化膜を形成し、対向基板とした。
【０１００】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【０１０１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【０１０２】次に、ＰＥＳフィルム上に設けられたＩＴ
Ｏ透明電極上に、厚み１０００オングストロームのポリ
イミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を
形成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイ
ンケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を
形成し、対向基板とした。
Ｏ透明電極上に、厚み１０００オングストロームのポリ
イミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を
形成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイ
ンケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳ
フィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を
形成し、対向基板とした。
【０１０３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【０１０４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【０１０５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【０１０６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２９．３、黒表示のＹ値は
４．７、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２９．３、黒表示のＹ値は
４．７、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【０１０７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖであった。
色／消色が８５Ｖ／５５Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６０Ｖ／４０Ｖであった。
【０１０８】（実験例９）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【０１０９】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フ
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．８、膜厚
１３００オングストローム、面抵抗１２５Ω／□）透明
電極上に、厚み８００オングストロームのポリイミド樹
脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成した
後、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム
基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、
対向基板とした。
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．８、膜厚
１３００オングストローム、面抵抗１２５Ω／□）透明
電極上に、厚み８００オングストロームのポリイミド樹
脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成した
後、その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカ
ル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム
基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、
対向基板とした。
【０１１０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【０１１１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【０１１２】次に、ＰＥＳフィルム上に設けられたＩＴ
Ｏ透明電極上に、厚み８００オングストロームのポリイ
ミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形
成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイン
ケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフ
ィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安
定化膜を形成し、対向基板とした。
Ｏ透明電極上に、厚み８００オングストロームのポリイ
ミド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形
成した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファイン
ケミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフ
ィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安
定化膜を形成し、対向基板とした。
【０１１３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【０１１４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【０１１５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【０１１６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．５、黒表示のＹ値は
４．６、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．５、黒表示のＹ値は
４．６、コントラストは６．２：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【０１１７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が９０Ｖ／６０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖであった。
色／消色が９０Ｖ／６０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が６５Ｖ／４０Ｖであった。
【０１１８】（実験例１０）ネマティック液晶Ａ（屈折
率異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
率異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【０１１９】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７、膜厚２００
０オングストローム、面抵抗５０Ω／□）透明電極上
に、厚み８００オングストロームのポリイミド樹脂から
なる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成した後、そ
の上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基板上
のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、対向基
板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率１．７、膜厚２００
０オングストローム、面抵抗５０Ω／□）透明電極上
に、厚み８００オングストロームのポリイミド樹脂から
なる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成した後、そ
の上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィルム基板上
のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成し、対向基
板とした。
【０１２０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【０１２１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【０１２２】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み８００オングストロームのポリイミ
ド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成
した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケ
ミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィル
ム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成
し、対向基板とした。
透明電極上に、厚み８００オングストロームのポリイミ
ド樹脂からなる有機系絶縁膜Ｅ（屈折率１．６）を形成
した後、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケ
ミカル社製）を散布した。また、いま一つのＰＣフィル
ム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜を形成
し、対向基板とした。
【０１２３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【０１２４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【０１２５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１、Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【０１２６】各液晶セルを一斉に着色状態と消色状態に
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．０、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは５．６：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
するために所定電圧で駆動したところ、液晶セルＣ１か
ら観察した着色時でのＹ値は２８．０、黒表示のＹ値は
５．０、コントラストは５．６：１であり、着色・消色
表示特性共に良好でコントラストの高い素子が得られ
た。
【０１２７】駆動電圧は、液晶組成物ａ１については着
色／消色が８０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
色／消色が８０Ｖ／５０Ｖ、液晶組成物ｂ１については
着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖ、液晶組成物ｃ１について
は着色／消色が５５Ｖ／３５Ｖであった。
【０１２８】（比較例１）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【０１２９】まず、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フ
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率２．４、膜厚
８００オングストローム、面抵抗２４０Ω／□）透明電
極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコ
ン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機系絶
縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み８０
０オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成し、
その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板
上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形
成し、対向基板とした。
ィルム基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率２．４、膜厚
８００オングストローム、面抵抗２４０Ω／□）透明電
極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコ
ン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無機系絶
縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚み８０
０オングストロームのポリイミド系安定化膜を形成し、
その上に９μｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社
製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィルム基板
上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形
成し、対向基板とした。
【０１３０】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【０１３１】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【０１３２】次に、ＰＥＳフィルム上に設けられたＩＴ
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化
シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無
機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚
み８００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形
成し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミ
カル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィル
ム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化
膜を形成し、対向基板とした。
Ｏ透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化
シリコン、酸化チタン及び酸化ジルコニウムからなる無
機系絶縁膜Ｄ（屈折率１．７）を形成した。その上に厚
み８００オングストロームのポリイミド系安定化膜を形
成し、その上に５μｍ径のスペーサ（積水ファインケミ
カル社製）を散布した。また、いま一つのＰＥＳフィル
ム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同様に絶縁膜と安定化
膜を形成し、対向基板とした。
【０１３３】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【０１３４】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【０１３５】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【０１３６】各液晶セルを着色状態と消色状態にするた
めに所定電圧で駆動したところ、着色時でのＹ値は３
０．１、黒表示のＹ値は６．２、コントラストは４．
９：１であり、電極の屈折率が高いためにコントラスト
の低い素子になった。
めに所定電圧で駆動したところ、着色時でのＹ値は３
０．１、黒表示のＹ値は６．２、コントラストは４．
９：１であり、電極の屈折率が高いためにコントラスト
の低い素子になった。
【０１３７】（比較例２）ネマティック液晶Ａ（屈折率
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
異方性Δｎ：０．１８７、誘電率異方性Δε：４．４
７）、ネマティック液晶Ｂ（Δｎ：０．１７７、Δε：
５．３３）、ネマティック液晶Ｃ（Δｎ：０．２０、Δ
ε：６．２５）に対して、それぞれにカイラル材料Ｓ−
８１１（メルク社製）を所定量添加し、液晶組成物ａ
１，ｂ１，ｃ１を調製した。ａ１は６８０ｎｍ付近、ｂ
１は５６０ｎｍ付近、ｃ１は４８０ｎｍ付近の波長の光
を選択反射できる。
【０１３８】まず、ポリカーボネート（ＰＣ）フィルム
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率２．０、膜厚８００
オングストローム、面抵抗２４０Ω／□）透明電極上
に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコン、酸
化チタンからなる無機系絶縁膜Ｉ（屈折率１．４５）を
形成した。その上に厚み８００オングストロームのポリ
イミド系安定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペー
サ（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、い
ま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同
様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
基板上に設けられたＩＴＯ（屈折率２．０、膜厚８００
オングストローム、面抵抗２４０Ω／□）透明電極上
に、厚み２０００オングストロームの酸化シリコン、酸
化チタンからなる無機系絶縁膜Ｉ（屈折率１．４５）を
形成した。その上に厚み８００オングストロームのポリ
イミド系安定化膜を形成し、その上に９μｍ径のスペー
サ（積水ファインケミカル社製）を散布した。また、い
ま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明電極上にも同
様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板とした。
【０１３９】続いて、一方の基板上の周縁部にシール材
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
ＸＮ２１（三井化学社製）をスクリーン印刷して所定の
高さの壁を形成した。
【０１４０】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ａ１を塗布した後、
両基板を貼り合わせ、１５０℃で１時間加熱し、液晶セ
ルＡ１を作製した。
【０１４１】次に、ＰＣフィルム上に設けられたＩＴＯ
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｉ（屈折率
１．４５）を形成した。その上に厚み８００オングスト
ロームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μ
ｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明
電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板
とした。
透明電極上に、厚み２０００オングストロームの酸化シ
リコン、酸化チタンからなる無機系絶縁膜Ｉ（屈折率
１．４５）を形成した。その上に厚み８００オングスト
ロームのポリイミド系安定化膜を形成し、その上に５μ
ｍ径のスペーサ（積水ファインケミカル社製）を散布し
た。また、いま一つのＰＣフィルム基板上のＩＴＯ透明
電極上にも同様に絶縁膜と安定化膜を形成し、対向基板
とした。
【０１４２】その後、一方の基板上にシール壁の高さと
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
面積から計算された量の液晶組成物ｂ１を塗布し、同様
の貼り合わせ装置を用いて両基板を貼り合わせ、１５０
℃で１時間加熱し、液晶セルＢ１を作製した。
【０１４３】また、前記液晶セルＢ１と同様の材料、方
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
法で液晶組成物ｃ１を含む液晶セルＣ１を作製した。
【０１４４】これら３種類の液晶セルＡ１，Ｂ１，Ｃ１
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
をこの順に積層し、積層体の裏面（液晶セルＡ１の外面
（裏面））には黒色の光吸収膜を設けた。
【０１４５】各液晶セルを着色状態と消色状態にするた
めに所定電圧で駆動したところ、着色時でのＹ値は３
０．７、黒表示のＹ値は６．８、コントラストは４．
５：１であり、電極と絶縁膜の屈折率の差が大きいため
にコントラストの低い素子になった。
めに所定電圧で駆動したところ、着色時でのＹ値は３
０．７、黒表示のＹ値は６．８、コントラストは４．
５：１であり、電極と絶縁膜の屈折率の差が大きいため
にコントラストの低い素子になった。
【０１４６】（他の実施形態）なお、本発明に係る液晶
光変調素子は前記各実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができることは
勿論である。
光変調素子は前記各実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができることは
勿論である。
【図１】本発明に係る液晶表示素子の第１実施形態を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明に係る液晶表示素子の第２実施形態を示
す断面図。
す断面図。
【図３】本発明に係る液晶表示素子の第３実施形態を示
す断面図。
す断面図。
【図４】本発明に係る液晶表示素子の第４実施形態を示
す断面図。
す断面図。
【図５】本発明に係る液晶表示素子の第５実施形態を示
す断面図。
す断面図。
１０１〜１０５…液晶光変調素子 １，２…透明基板 ５…液晶層 １０，１１…透明電極 １２，１３…絶縁膜 １４，１５…安定化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 ５Ｇ４３５ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３２４ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３２４ 9/30 ３３８ 9/30 ３３８ (72)発明者 上田 昇 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 小林 信幸 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA21 KA15 LA07 LA09 MA04Y NA07 NA13 NA14 NA24 NA40 NA45 NA58 QA05 QA11 QA14 QA15 RA11 SA01 TA02 TA04 TA05 2H090 HA03 HB03X HB08Y HC05 HC10 HC17 HC18 HC19 HD05 HD06 HD14 JB03 KA09 LA02 2H091 FA14Y FB07 FC02 FD06 FD23 GA03 HA11 KA01 LA03 LA11 LA13 2H092 HA01 HA04 KB23 MA04 NA01 NA25 PA02 PA03 QA11 5C094 AA06 AA11 BA03 BA44 CA19 DA13 EA04 EA05 EA07 FB12 JA05 JA08 JA13 5G435 AA16 BB12 HH12
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも一方の面に電極が形成されて
いる一対の樹脂フィルム基板が電極面を内側にして対向
配置されており、前記一対の基板の少なくとも一方の電
極上に形成された絶縁膜と、前記基板間に挟まれたカイ
ラルネマティック液晶層を含む液晶光変調素子におい
て、 前記電極の屈折率が１．７〜２．１、前記絶縁膜の屈折
率が１．４〜１．８、前記電極と前記絶縁膜の屈折率の
差が０．４以下であること、 を特徴とする液晶光変調素子。 - 【請求項２】 前記電極の面抵抗が２００Ω／□以下、
前記電極の厚さが１２００〜１５００オングストローム
であることを特徴とする請求項１記載の液晶光変調素
子。 - 【請求項３】 前記電極がインジウムを含む金属酸化物
からなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
液晶光変調素子。 - 【請求項４】 前記絶縁膜上に安定化膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記
載の液晶光変調素子。 - 【請求項５】 前記安定化膜の膜厚が２００〜１０００
オングストロームであることを特徴とする請求項４記載
の液晶光変調素子。 - 【請求項６】 前記樹脂フィルム基板がポリカーボネー
ト又はポリエーテルスルホンからなることを特徴とする
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項５
記載の液晶光変調素子。 - 【請求項７】 前記カイラルネマティック液晶層が所定
波長の入射光を反射する反射型であることを特徴とする
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又
は請求項６記載の液晶光変調素子。 - 【請求項８】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５、請求項６又は請求項７記載の液晶光変調
素子が複数積層されていることを特徴とする積層型の液
晶光変調素子。 - 【請求項９】 上下に隣接する液晶層間には１枚の基板
が介在されていることを特徴とする請求項８記載の積層
型の液晶光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000190853A JP2002006297A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 液晶光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000190853A JP2002006297A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 液晶光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002006297A true JP2002006297A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=18690254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000190853A Pending JP2002006297A (ja) | 2000-06-26 | 2000-06-26 | 液晶光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002006297A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007310489A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Bridgestone Corp | タッチパネル一体型情報表示装置 |
| WO2017043882A1 (ko) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 주식회사 엘지화학 | 광학 소자의 제조 방법 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662224A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-28 | Seiko Epson Corp | Construction of display panel |
| JPS5749922A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Canon Inc | Liquid crystal element |
| JPS61174511A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH01150115A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-13 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH08201791A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Teijin Ltd | 透明電極基板 |
| JPH09179086A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | 液晶表示素子 |
| JPH11202303A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Minolta Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH11326871A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Minolta Co Ltd | 液晶表示素子の駆動方法 |
-
2000
- 2000-06-26 JP JP2000190853A patent/JP2002006297A/ja active Pending
Patent Citations (8)
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| WO2017043882A1 (ko) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 주식회사 엘지화학 | 광학 소자의 제조 방법 |
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| KR101959488B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2019-03-18 | 주식회사 엘지화학 | 광학 소자의 제조 방법 |
| CN107924096B (zh) * | 2015-09-08 | 2020-10-27 | 株式会社Lg化学 | 制造光学装置的方法 |
| US11036093B2 (en) | 2015-09-08 | 2021-06-15 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing an optical device |
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