JPS60142240A - ガス検出素子 - Google Patents
ガス検出素子Info
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- JPS60142240A JPS60142240A JP24573783A JP24573783A JPS60142240A JP S60142240 A JPS60142240 A JP S60142240A JP 24573783 A JP24573783 A JP 24573783A JP 24573783 A JP24573783 A JP 24573783A JP S60142240 A JPS60142240 A JP S60142240A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、ガス成分あるいはそのtflfi度に応じ−
C抵抗値の変化づる遷移金属酸化物を用いて周囲のカス
を検出づるカス検出素子に関りるしのCある。
C抵抗値の変化づる遷移金属酸化物を用いて周囲のカス
を検出づるカス検出素子に関りるしのCある。
[従来技術]
従来より大気中のガスの存在、あるい番よイの濃度を検
出づるためのガス検出素子の1つどじて、カスが接触し
た場合にイの電気抵抗が変化りるどいった特性を有Jる
SnO2,7nO,Ti0z等の遷移金属酸化物を用い
たーしのがある。近41この種のカス検出素子においC
(ま、その構造をOn単にしく生産性の向上を図るべく
、絶縁性のセラミック材からなる基板上に電極層を形成
し、史にイの−1から1述の遷移金属酸化物からなる素
f層を設りるどいつIこハイブリット」支ルFi +:
I芯用(〕lこらのが開発されている。
出づるためのガス検出素子の1つどじて、カスが接触し
た場合にイの電気抵抗が変化りるどいった特性を有Jる
SnO2,7nO,Ti0z等の遷移金属酸化物を用い
たーしのがある。近41この種のカス検出素子においC
(ま、その構造をOn単にしく生産性の向上を図るべく
、絶縁性のセラミック材からなる基板上に電極層を形成
し、史にイの−1から1述の遷移金属酸化物からなる素
f層を設りるどいつIこハイブリット」支ルFi +:
I芯用(〕lこらのが開発されている。
ところで−1述のJ:うに束子JKZをセラミック1.
L板上に形成しCなるガス検出索rにおいζは、素子層
の厚さを薄くづることがでさ゛、けンリ−の応答を早く
づることができるといった利点を右づるのであるが、一
方セラミック基板と素子層とのrfi肴強麿が弱く、イ
IJがれ易いといつIC問題もあった。これは検出索子
が室調にて使用される場合には余り問題どならないので
あるが、1ρ)えばストーブやコニンジン等に使用され
、検出索rが激しい熱リイクルに晒されるような場合に
、ヒラミック基板と素子層との熱膜眼差に基づく熱歪に
より生じ易くなるのである。
L板上に形成しCなるガス検出索rにおいζは、素子層
の厚さを薄くづることがでさ゛、けンリ−の応答を早く
づることができるといった利点を右づるのであるが、一
方セラミック基板と素子層とのrfi肴強麿が弱く、イ
IJがれ易いといつIC問題もあった。これは検出索子
が室調にて使用される場合には余り問題どならないので
あるが、1ρ)えばストーブやコニンジン等に使用され
、検出索rが激しい熱リイクルに晒されるような場合に
、ヒラミック基板と素子層との熱膜眼差に基づく熱歪に
より生じ易くなるのである。
[発明の目的1
、そこで本発明は、ヒラミック基板上に遷移金属酸化物
からなる素子層を形成j)たガス検出素子に43いて、
ヒラミック基板と素子層との密着性を向−1ニし、素子
層のヒラミック基板からの剥−(を防止りることによっ
て、耐熱性を有しかつ信頼性の高いガス検出素子を11
1供づることを目的としくいる。
からなる素子層を形成j)たガス検出素子に43いて、
ヒラミック基板と素子層との密着性を向−1ニし、素子
層のヒラミック基板からの剥−(を防止りることによっ
て、耐熱性を有しかつ信頼性の高いガス検出素子を11
1供づることを目的としくいる。
[発明の114成]
かかる1]的を)!りるための本発明の構成1よ、しラ
ミック基板と、 該ヒラミック基板」に形成された電極層と、−J−記セ
ラミック塁板とに配電極層とに積層し、0.2ないし5
%のカラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第1の
素子層と、 該第1の素子層にfa層し、遷移金属酸化物を主成分と
した第2の素子層と、 を有することを特徴とするガス検出素子を要旨としてい
る。
ミック基板と、 該ヒラミック基板」に形成された電極層と、−J−記セ
ラミック塁板とに配電極層とに積層し、0.2ないし5
%のカラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第1の
素子層と、 該第1の素子層にfa層し、遷移金属酸化物を主成分と
した第2の素子層と、 を有することを特徴とするガス検出素子を要旨としてい
る。
ここで本発明のガス検出素子を図に承りと、例えば第1
図に示す如きものどなる。図にa)い(1はセラミック
基板、2は電極層、3は第1の素子層、4は第2の素子
層を示しており、場所によりけラミックU板11−に、
あるいは電化岡2十に第1の素子層3と第2の素子層4
が積層されていることを表わしている、。
図に示す如きものどなる。図にa)い(1はセラミック
基板、2は電極層、3は第1の素子層、4は第2の素子
層を示しており、場所によりけラミックU板11−に、
あるいは電化岡2十に第1の素子層3と第2の素子層4
が積層されていることを表わしている、。
上記ヒラミック基板1としては通常用いられるヒラミッ
ク基板でJ:り、例えばアルミプ、ベリリア、ムライト
、スーアアタイト等を主成分どしく焼成したヒラミック
基板が挙げられる。また、電1!1層2どl)ては、ヒ
ラミック基板1を焼成づる際に充分耐え1ワる導電体で
あれは′よいが、通常、金2しだは白金族を主成分とし
たものが用いられ、特に白金は電気抵抗を有しそのまま
電気回路どして用いることができるので白金を用いるこ
とが好ましい。
ク基板でJ:り、例えばアルミプ、ベリリア、ムライト
、スーアアタイト等を主成分どしく焼成したヒラミック
基板が挙げられる。また、電1!1層2どl)ては、ヒ
ラミック基板1を焼成づる際に充分耐え1ワる導電体で
あれは′よいが、通常、金2しだは白金族を主成分とし
たものが用いられ、特に白金は電気抵抗を有しそのまま
電気回路どして用いることができるので白金を用いるこ
とが好ましい。
次に上記第1の素子1m3や第2の素子g2i4に用い
られる遷移金属酸化物としく(よ、検出するガス成分に
応じてイの物質が変化されるのであるが、通常用いられ
るしのとし−(,5nOz、1−!02、C00、zn
o、Nb2O5,Cr20gが挙げられ、本発明にJ3
い(もこれらのうちのいずれか1゛つ又(12つ以−に
の帽み合わセの物質を用いることが好ましい。
られる遷移金属酸化物としく(よ、検出するガス成分に
応じてイの物質が変化されるのであるが、通常用いられ
るしのとし−(,5nOz、1−!02、C00、zn
o、Nb2O5,Cr20gが挙げられ、本発明にJ3
い(もこれらのうちのいずれか1゛つ又(12つ以−に
の帽み合わセの物質を用いることが好ましい。
更に第1の素子層3におりるガラス祠は、セラミック基
板との接合強度を向上させるICめに用いられるbのC
あり、M熱唱(1が高く遷移金属酸化物と過剰な反1.
i>をしガく、更にヒラミック基板と熱膜111−係数
が近いことから小つケイ酸ガラスを使nlりることが好
ましい。
板との接合強度を向上させるICめに用いられるbのC
あり、M熱唱(1が高く遷移金属酸化物と過剰な反1.
i>をしガく、更にヒラミック基板と熱膜111−係数
が近いことから小つケイ酸ガラスを使nlりることが好
ましい。
を実施例1
以下、A〜発明の詳細な説明りるが、本実施例にa3い
I(よ、セラミック基板に電極層、素子層をLシするど
と6に糸了を加熱しガス検出能力を向」させるためのに
−タ層をも設(ノた場合のガス検出素子を例にとり、そ
の作成手順及び電極図ど索(層の剥帥強庶につい【説明
する。
I(よ、セラミック基板に電極層、素子層をLシするど
と6に糸了を加熱しガス検出能力を向」させるためのに
−タ層をも設(ノた場合のガス検出素子を例にとり、そ
の作成手順及び電極図ど索(層の剥帥強庶につい【説明
する。
本実施例におりるガス検出素子の作成tま、第2図ない
し第6図に示1手順に従つ(行なった。尚第2図ないし
第6図における(イ)はi「面図を表わし、(ロ)はイ
のA−ΔIjllむi面図を夫々表わしでいる。
し第6図に示1手順に従つ(行なった。尚第2図ないし
第6図における(イ)はi「面図を表わし、(ロ)はイ
のA−ΔIjllむi面図を夫々表わしでいる。
予め、上記各図に示4前jホのヒラミック基板に相当す
る厚さ1mmのグリーンシー1へ′10を、′1!−均
粒径1.5μmの△立20a92車吊%、81024重
量%、Ca Q 2車h1%及びMq02ΦAij%か
らなる混合粉末100重掛部に対しくノヂラール樹脂1
2車昂部及びジブチルノタレ−1・6重14%部を添+
111 L、イj磯溶1°?j中で混合しくスラリーと
じ、ドクターブレードを用いC作成づるど共に、第4図
ないし第6図に承り厚さ0.2mmのグリーンシート1
2を上記グリーンシー[・10と同様に作成した。
る厚さ1mmのグリーンシー1へ′10を、′1!−均
粒径1.5μmの△立20a92車吊%、81024重
量%、Ca Q 2車h1%及びMq02ΦAij%か
らなる混合粉末100重掛部に対しくノヂラール樹脂1
2車昂部及びジブチルノタレ−1・6重14%部を添+
111 L、イj磯溶1°?j中で混合しくスラリーと
じ、ドクターブレードを用いC作成づるど共に、第4図
ないし第6図に承り厚さ0.2mmのグリーンシート1
2を上記グリーンシー[・10と同様に作成した。
イして第2図に示t9Jl<、J配作成ハれだグリ−ン
シ−1・10.1に、前記?t?極層に相当づる電極パ
ターン14及び1Gと、ヒータパターン18と、検出信
号\5ヒータ用電源人・出力用の電極パターン20.2
2.24とを、1〕1に対し7%の△立20aを添加し
た白金ペーストで厚膜印刷した。
シ−1・10.1に、前記?t?極層に相当づる電極パ
ターン14及び1Gと、ヒータパターン18と、検出信
号\5ヒータ用電源人・出力用の電極パターン20.2
2.24とを、1〕1に対し7%の△立20aを添加し
た白金ペーストで厚膜印刷した。
このようにして十記各パターンを厚膜印刷によっ(クリ
ーンシー1−10−tに形成づると、次に第3図に示J
如く、上記各電極パターン20.22.24.1乙に(
14号入出力用の白金リード線26.28.30をtr
i!設し、第1図(ご示!j如く、上記作成されたグリ
ーンシー1へ12の電極パターン14.16部分に間1
132を打ち抜きにJ、って設Lj、白金リード線26
.28.30の配設されたグリ ンシ−1へ10に積層
熱1[るした。尚、白金リード線26.28.30は本
実施例の揚含的径Q、2rrlInのリード線を用いた
。またこのリード線としで(ま白金て・なくτもよいが
、後述4る焼結の際に熱にJ、っ(劣化しないしのを使
用Jる必要があり、通常金または白金族のり一ト線が用
いられている。
ーンシー1−10−tに形成づると、次に第3図に示J
如く、上記各電極パターン20.22.24.1乙に(
14号入出力用の白金リード線26.28.30をtr
i!設し、第1図(ご示!j如く、上記作成されたグリ
ーンシー1へ12の電極パターン14.16部分に間1
132を打ち抜きにJ、って設Lj、白金リード線26
.28.30の配設されたグリ ンシ−1へ10に積層
熱1[るした。尚、白金リード線26.28.30は本
実施例の揚含的径Q、2rrlInのリード線を用いた
。またこのリード線としで(ま白金て・なくτもよいが
、後述4る焼結の際に熱にJ、っ(劣化しないしのを使
用Jる必要があり、通常金または白金族のり一ト線が用
いられている。
イの後1−記作成された、電極パターン14及び16が
露出され白金リードれ1)26.2B、30が突出され
たグリーンシーl−10及び12の積に41Aを、大気
中温1([1500℃、保持11ろ間2 +1i’+間
の条件で焼成りることににつ(、電極層を有りるレラミ
ック基板を完成した。
露出され白金リードれ1)26.2B、30が突出され
たグリーンシーl−10及び12の積に41Aを、大気
中温1([1500℃、保持11ろ間2 +1i’+間
の条件で焼成りることににつ(、電極層を有りるレラミ
ック基板を完成した。
次に、ガスを検出づるための索T層をト配しラミック基
板に段りることとなるのであるが、;1:ず第5図に示
づ如く、第1の素子層34を聞1」32内に段(]た。
板に段りることとなるのであるが、;1:ず第5図に示
づ如く、第1の素子層34を聞1」32内に段(]た。
ここC411の素子1ζ〆134としては、1℃均粒径
1.2μmのの−1−i 02 $5”l木100(刃
し部に対して1モル部の白金ブラックを添加(Jるとi
t−にボウリイ酸万ラスを後1i1i ’lる表(3二
従つ(添加し、更に全V)末に対して3小tIN%の1
チルレル[l−スを添加してブヂルカルヒ゛1・−ル(
2−(’2−71〜キシ11−キシ)丁タノールの商品
名)中で混合()、300ボイズに粘1良調整した11
02ペーストを用い、l1il 1−132の電極パタ
ーン14及び16に被るJるように5−1 Q (t、
mの厚さく印刷j)lこ 。
1.2μmのの−1−i 02 $5”l木100(刃
し部に対して1モル部の白金ブラックを添加(Jるとi
t−にボウリイ酸万ラスを後1i1i ’lる表(3二
従つ(添加し、更に全V)末に対して3小tIN%の1
チルレル[l−スを添加してブヂルカルヒ゛1・−ル(
2−(’2−71〜キシ11−キシ)丁タノールの商品
名)中で混合()、300ボイズに粘1良調整した11
02ペーストを用い、l1il 1−132の電極パタ
ーン14及び16に被るJるように5−1 Q (t、
mの厚さく印刷j)lこ 。
イし゛C第6図に示J如く、上記第1の素子層34の1
.4M第2の素子層36を段り、大気中温1α1200
℃保持114間1時間の条件C焼き(=i IJるこ
とにJ、−)(ガス検出素子を111k。尚第2の素子
層36とし4(よ、上記第1の素子層34を設4Jる際
に用いた王107ベースト中のホウグイ酸ガラスを含ま
ない1102ペーストを用い、第1の素子層341−に
100 ・= ’I Ei 00 It mの厚さで印
刷した。
.4M第2の素子層36を段り、大気中温1α1200
℃保持114間1時間の条件C焼き(=i IJるこ
とにJ、−)(ガス検出素子を111k。尚第2の素子
層36とし4(よ、上記第1の素子層34を設4Jる際
に用いた王107ベースト中のホウグイ酸ガラスを含ま
ない1102ペーストを用い、第1の素子層341−に
100 ・= ’I Ei 00 It mの厚さで印
刷した。
このようにしη作成されたガス検出素子のレラミック阜
仮ど素子層との接合状態を、)1す“素子の内部抵tr
iをブ[1バンパー)−にC渇Iff 350 ”Cに
設定し1.l雰囲気で測定してガス検出11シカをイj
!Iることを1イ「認した後、本カス検出素子を全負荷
状態0) 2000 CC,”、1ンシン11”F>
I’ll出’a 41 ルm i!% ?!nf Ia
800 ”CのIJI気に5分間晒し、次い(アイドリ
ング状態に5分間晒づ熱taj撃試験を繰り返し実施し
、素子層が料理1りるまCの時間としC測定し1.:、
イの測定44!i床を次表に示J。
仮ど素子層との接合状態を、)1す“素子の内部抵tr
iをブ[1バンパー)−にC渇Iff 350 ”Cに
設定し1.l雰囲気で測定してガス検出11シカをイj
!Iることを1イ「認した後、本カス検出素子を全負荷
状態0) 2000 CC,”、1ンシン11”F>
I’ll出’a 41 ルm i!% ?!nf Ia
800 ”CのIJI気に5分間晒し、次い(アイドリ
ング状態に5分間晒づ熱taj撃試験を繰り返し実施し
、素子層が料理1りるまCの時間としC測定し1.:、
イの測定44!i床を次表に示J。
表においT、’No、1ないしNo、8は、第1の素子
層の小つケイ酸ガラス添加呈が夫々0.0゜1.0.2
.1.3.5.7.10Φ艶%であるカス検出素子を示
しCいる。ま1.:素子内部抵抗は、渇1m 350
℃理論空燃比0.9の雰囲気中で測定した賄C゛あって
、理論空燃比1の場合にはいずれのガス検出素子620
0MΩ以上であったことから、こ4′シらの素子は全(
ガス検出能力を右Jることかわかった。
層の小つケイ酸ガラス添加呈が夫々0.0゜1.0.2
.1.3.5.7.10Φ艶%であるカス検出素子を示
しCいる。ま1.:素子内部抵抗は、渇1m 350
℃理論空燃比0.9の雰囲気中で測定した賄C゛あって
、理論空燃比1の場合にはいずれのガス検出素子620
0MΩ以上であったことから、こ4′シらの素子は全(
ガス検出能力を右Jることかわかった。
次にPラミック導、&板と素子Mlどの密着状態である
が、表にa31Jる剥削時間から、No、1、No。
が、表にa31Jる剥削時間から、No、1、No。
2のカス検出素子のJ、うに、小つタイ酸ガラス添11
11 ffiが少ない場合に髪よ、素子層が剥離し易い
ことがわかり、少’cCくとも添加量を0.2mft1
%以、1どりる必要があることがわかった。ま/j添加
h1を1中[f1%以」どした場合にはイリ頗n;l1
間は5001侍間以上となつC強電は充分′Cあるが、
N097やNO,B(7)検出克了のよ・うtこ添加h
1を余り多くしても素子内部抵抗を増加させるだI:J
(”あつ−C1かえってカスI!!麿の変化を私邸J
、くとらえることができないので、添加量としては5手
m%以1・ど(Jる必要があることもわかった。
11 ffiが少ない場合に髪よ、素子層が剥離し易い
ことがわかり、少’cCくとも添加量を0.2mft1
%以、1どりる必要があることがわかった。ま/j添加
h1を1中[f1%以」どした場合にはイリ頗n;l1
間は5001侍間以上となつC強電は充分′Cあるが、
N097やNO,B(7)検出克了のよ・うtこ添加h
1を余り多くしても素子内部抵抗を増加させるだI:J
(”あつ−C1かえってカスI!!麿の変化を私邸J
、くとらえることができないので、添加量としては5手
m%以1・ど(Jる必要があることもわかった。
尚、本実施例においては、セラミック九λIk−1に電
極層、ヒータ層、及び素子層を設(]ると共に、素子層
を除く電極層とヒータ層を覆うレラミツク板を段Iづ(
いるが、これは電極層とじ一タ層とを外部から保護゛り
るためのしのである1、また素子層q)遷移金属酸化物
としC’1” i 02を用いているが、通常用いられ
るSnO2,000,7nQ、Nb2O5、父はCr
203を用いCし同様の効果が11ノられる。
極層、ヒータ層、及び素子層を設(]ると共に、素子層
を除く電極層とヒータ層を覆うレラミツク板を段Iづ(
いるが、これは電極層とじ一タ層とを外部から保護゛り
るためのしのである1、また素子層q)遷移金属酸化物
としC’1” i 02を用いているが、通常用いられ
るSnO2,000,7nQ、Nb2O5、父はCr
203を用いCし同様の効果が11ノられる。
[発明の効果1
以−1訂jホした如く、本発明のガス検出系rにJメい
てにJ1Lラミック括板上に設けられる遷移金属酸化物
を主成分どした素子層を2層どし、I 11f [1の
索:1層として0.2ないし5%のカラス材を含む遷移
金属酸化物を用いるJ、うにしCいる。このためヒラミ
ック基板と素子層どの密6性は向I−シ熱や振4jJに
よっても容易にイリTh1l L、ない楊)青のカス検
出素子を作ることができ、ま/J刀クラス添加figの
[眼を5)%どしCいるので素子のガス検出能力が落ノ
)るCとしなく、白・1久+1のある信頼性の、痛いカ
ス検出素子を捏供することができる。
てにJ1Lラミック括板上に設けられる遷移金属酸化物
を主成分どした素子層を2層どし、I 11f [1の
索:1層として0.2ないし5%のカラス材を含む遷移
金属酸化物を用いるJ、うにしCいる。このためヒラミ
ック基板と素子層どの密6性は向I−シ熱や振4jJに
よっても容易にイリTh1l L、ない楊)青のカス検
出素子を作ることができ、ま/J刀クラス添加figの
[眼を5)%どしCいるので素子のガス検出能力が落ノ
)るCとしなく、白・1久+1のある信頼性の、痛いカ
ス検出素子を捏供することができる。
第1図はホブを明のカス検出素子の構成例を示J]11
1面図、第2図ないし第6図は本発明の実熱例のカス検
出索子作成’fffi1を示しくおり、各図におい〔(
イ)は正面図((1)は八−A綿密i面図である。 1・・・l!ラミック14ル 2・・・電極 3.33/I・・・第1の電lfi層 4.3G・・・Wi 2の電極層 10.12・・・クリーンシー1〜 14、′16・・・電極パターン 代理人 弁理−1−)に立 勉 他1名 第11t?1
1面図、第2図ないし第6図は本発明の実熱例のカス検
出索子作成’fffi1を示しくおり、各図におい〔(
イ)は正面図((1)は八−A綿密i面図である。 1・・・l!ラミック14ル 2・・・電極 3.33/I・・・第1の電lfi層 4.3G・・・Wi 2の電極層 10.12・・・クリーンシー1〜 14、′16・・・電極パターン 代理人 弁理−1−)に立 勉 他1名 第11t?1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、L?ラミック基板と、 該レラミック基板」−に形成された電極層と、十記しラ
ミック基板ど主2電極層とに積層し、0.2ないし5%
のガラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第1の素
子層と、 該第1の素子層に積層し、遷移金属酸化物を主成分とし
た第2の素子層と、 を右することを特徴とりるカス検出素子、。 2、遷移金属酸化物が、S rl O2,1i0z、C
O01ZnO,Nb2O5及びCrzOaから選ばれた
、1手Φ又は2秤以」−の物質eある1h許請求の範囲
第′■項記載のカス@1]」索f。 3、カラスがポウクイ酸ガラスである特f:’F 請求
の範囲第1項又は第2項記載のガス検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24573783A JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24573783A JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60142240A true JPS60142240A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17138049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24573783A Pending JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60142240A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101477A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24573783A patent/JPS60142240A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007101477A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
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