JPS60142240A - ガス検出素子 - Google Patents
ガス検出素子Info
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- JPS60142240A JPS60142240A JP24573783A JP24573783A JPS60142240A JP S60142240 A JPS60142240 A JP S60142240A JP 24573783 A JP24573783 A JP 24573783A JP 24573783 A JP24573783 A JP 24573783A JP S60142240 A JPS60142240 A JP S60142240A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、ガス成分あるいはそのｔｆｌｆｉ度に応じ−
Ｃ抵抗値の変化づる遷移金属酸化物を用いて周囲のカス
を検出づるカス検出素子に関りるしのＣある。
Ｃ抵抗値の変化づる遷移金属酸化物を用いて周囲のカス
を検出づるカス検出素子に関りるしのＣある。
［従来技術］
従来より大気中のガスの存在、あるい番よイの濃度を検
出づるためのガス検出素子の１つどじて、カスが接触し
た場合にイの電気抵抗が変化りるどいった特性を有Ｊる
ＳｎＯ２，７ｎＯ，Ｔｉ０ｚ等の遷移金属酸化物を用い
たーしのがある。近４１この種のカス検出素子においＣ
（ま、その構造をＯｎ単にしく生産性の向上を図るべく
、絶縁性のセラミック材からなる基板上に電極層を形成
し、史にイの−１から１述の遷移金属酸化物からなる素
ｆ層を設りるどいつＩこハイブリット」支ルＦｉ ＋：
Ｉ芯用（〕ｌこらのが開発されている。
出づるためのガス検出素子の１つどじて、カスが接触し
た場合にイの電気抵抗が変化りるどいった特性を有Ｊる
ＳｎＯ２，７ｎＯ，Ｔｉ０ｚ等の遷移金属酸化物を用い
たーしのがある。近４１この種のカス検出素子においＣ
（ま、その構造をＯｎ単にしく生産性の向上を図るべく
、絶縁性のセラミック材からなる基板上に電極層を形成
し、史にイの−１から１述の遷移金属酸化物からなる素
ｆ層を設りるどいつＩこハイブリット」支ルＦｉ ＋：
Ｉ芯用（〕ｌこらのが開発されている。
ところで−１述のＪ：うに束子ＪＫＺをセラミック１．
Ｌ板上に形成しＣなるガス検出索ｒにおいζは、素子層
の厚さを薄くづることがでさ゛、けンリ−の応答を早く
づることができるといった利点を右づるのであるが、一
方セラミック基板と素子層とのｒｆｉ肴強麿が弱く、イ
ＩＪがれ易いといつＩＣ問題もあった。これは検出索子
が室調にて使用される場合には余り問題どならないので
あるが、１ρ）えばストーブやコニンジン等に使用され
、検出索ｒが激しい熱リイクルに晒されるような場合に
、ヒラミック基板と素子層との熱膜眼差に基づく熱歪に
より生じ易くなるのである。
Ｌ板上に形成しＣなるガス検出索ｒにおいζは、素子層
の厚さを薄くづることがでさ゛、けンリ−の応答を早く
づることができるといった利点を右づるのであるが、一
方セラミック基板と素子層とのｒｆｉ肴強麿が弱く、イ
ＩＪがれ易いといつＩＣ問題もあった。これは検出索子
が室調にて使用される場合には余り問題どならないので
あるが、１ρ）えばストーブやコニンジン等に使用され
、検出索ｒが激しい熱リイクルに晒されるような場合に
、ヒラミック基板と素子層との熱膜眼差に基づく熱歪に
より生じ易くなるのである。
［発明の目的１
、そこで本発明は、ヒラミック基板上に遷移金属酸化物
からなる素子層を形成ｊ）たガス検出素子に４３いて、
ヒラミック基板と素子層との密着性を向−１ニし、素子
層のヒラミック基板からの剥−（を防止りることによっ
て、耐熱性を有しかつ信頼性の高いガス検出素子を１１
１供づることを目的としくいる。
からなる素子層を形成ｊ）たガス検出素子に４３いて、
ヒラミック基板と素子層との密着性を向−１ニし、素子
層のヒラミック基板からの剥−（を防止りることによっ
て、耐熱性を有しかつ信頼性の高いガス検出素子を１１
１供づることを目的としくいる。
［発明の１１４成］
かかる１］的を）！りるための本発明の構成１よ、しラ
ミック基板と、 該ヒラミック基板」に形成された電極層と、−Ｊ−記セ
ラミック塁板とに配電極層とに積層し、０．２ないし５
％のカラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第１の
素子層と、 該第１の素子層にｆａ層し、遷移金属酸化物を主成分と
した第２の素子層と、 を有することを特徴とするガス検出素子を要旨としてい
る。
ミック基板と、 該ヒラミック基板」に形成された電極層と、−Ｊ−記セ
ラミック塁板とに配電極層とに積層し、０．２ないし５
％のカラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第１の
素子層と、 該第１の素子層にｆａ層し、遷移金属酸化物を主成分と
した第２の素子層と、 を有することを特徴とするガス検出素子を要旨としてい
る。
ここで本発明のガス検出素子を図に承りと、例えば第１
図に示す如きものどなる。図にａ）い（１はセラミック
基板、２は電極層、３は第１の素子層、４は第２の素子
層を示しており、場所によりけラミックＵ板１１−に、
あるいは電化岡２十に第１の素子層３と第２の素子層４
が積層されていることを表わしている、。
図に示す如きものどなる。図にａ）い（１はセラミック
基板、２は電極層、３は第１の素子層、４は第２の素子
層を示しており、場所によりけラミックＵ板１１−に、
あるいは電化岡２十に第１の素子層３と第２の素子層４
が積層されていることを表わしている、。
上記ヒラミック基板１としては通常用いられるヒラミッ
ク基板でＪ：り、例えばアルミプ、ベリリア、ムライト
、スーアアタイト等を主成分どしく焼成したヒラミック
基板が挙げられる。また、電１！１層２どｌ）ては、ヒ
ラミック基板１を焼成づる際に充分耐え１ワる導電体で
あれは′よいが、通常、金２しだは白金族を主成分とし
たものが用いられ、特に白金は電気抵抗を有しそのまま
電気回路どして用いることができるので白金を用いるこ
とが好ましい。
ク基板でＪ：り、例えばアルミプ、ベリリア、ムライト
、スーアアタイト等を主成分どしく焼成したヒラミック
基板が挙げられる。また、電１！１層２どｌ）ては、ヒ
ラミック基板１を焼成づる際に充分耐え１ワる導電体で
あれは′よいが、通常、金２しだは白金族を主成分とし
たものが用いられ、特に白金は電気抵抗を有しそのまま
電気回路どして用いることができるので白金を用いるこ
とが好ましい。
次に上記第１の素子１ｍ３や第２の素子ｇ２ｉ４に用い
られる遷移金属酸化物としく（よ、検出するガス成分に
応じてイの物質が変化されるのであるが、通常用いられ
るしのとし−（，５ｎＯｚ、１−！０２、Ｃ００、ｚｎ
ｏ、Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２０ｇが挙げられ、本発明にＪ３
い（もこれらのうちのいずれか１゛つ又（１２つ以−に
の帽み合わセの物質を用いることが好ましい。
られる遷移金属酸化物としく（よ、検出するガス成分に
応じてイの物質が変化されるのであるが、通常用いられ
るしのとし−（，５ｎＯｚ、１−！０２、Ｃ００、ｚｎ
ｏ、Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２０ｇが挙げられ、本発明にＪ３
い（もこれらのうちのいずれか１゛つ又（１２つ以−に
の帽み合わセの物質を用いることが好ましい。
更に第１の素子層３におりるガラス祠は、セラミック基
板との接合強度を向上させるＩＣめに用いられるｂのＣ
あり、Ｍ熱唱（１が高く遷移金属酸化物と過剰な反１．
ｉ＞をしガく、更にヒラミック基板と熱膜１１１−係数
が近いことから小つケイ酸ガラスを使ｎｌりることが好
ましい。
板との接合強度を向上させるＩＣめに用いられるｂのＣ
あり、Ｍ熱唱（１が高く遷移金属酸化物と過剰な反１．
ｉ＞をしガく、更にヒラミック基板と熱膜１１１−係数
が近いことから小つケイ酸ガラスを使ｎｌりることが好
ましい。
を実施例１
以下、Ａ〜発明の詳細な説明りるが、本実施例にａ３い
Ｉ（よ、セラミック基板に電極層、素子層をＬシするど
と６に糸了を加熱しガス検出能力を向」させるためのに
−タ層をも設（ノた場合のガス検出素子を例にとり、そ
の作成手順及び電極図ど索（層の剥帥強庶につい【説明
する。
Ｉ（よ、セラミック基板に電極層、素子層をＬシするど
と６に糸了を加熱しガス検出能力を向」させるためのに
−タ層をも設（ノた場合のガス検出素子を例にとり、そ
の作成手順及び電極図ど索（層の剥帥強庶につい【説明
する。
本実施例におりるガス検出素子の作成ｔま、第２図ない
し第６図に示１手順に従つ（行なった。尚第２図ないし
第６図における（イ）はｉ「面図を表わし、（ロ）はイ
のＡ−ΔＩｊｌｌむｉ面図を夫々表わしでいる。
し第６図に示１手順に従つ（行なった。尚第２図ないし
第６図における（イ）はｉ「面図を表わし、（ロ）はイ
のＡ−ΔＩｊｌｌむｉ面図を夫々表わしでいる。
予め、上記各図に示４前ｊホのヒラミック基板に相当す
る厚さ１ｍｍのグリーンシー１へ′１０を、′１！−均
粒径１．５μｍの△立２０ａ９２車吊％、８１０２４重
量％、Ｃａ Ｑ ２車ｈ１％及びＭｑ０２ΦＡｉｊ％か
らなる混合粉末１００重掛部に対しくノヂラール樹脂１
２車昂部及びジブチルノタレ−１・６重１４％部を添＋
１１１ Ｌ、イｊ磯溶１°？ｊ中で混合しくスラリーと
じ、ドクターブレードを用いＣ作成づるど共に、第４図
ないし第６図に承り厚さ０．２ｍｍのグリーンシート１
２を上記グリーンシー［・１０と同様に作成した。
る厚さ１ｍｍのグリーンシー１へ′１０を、′１！−均
粒径１．５μｍの△立２０ａ９２車吊％、８１０２４重
量％、Ｃａ Ｑ ２車ｈ１％及びＭｑ０２ΦＡｉｊ％か
らなる混合粉末１００重掛部に対しくノヂラール樹脂１
２車昂部及びジブチルノタレ−１・６重１４％部を添＋
１１１ Ｌ、イｊ磯溶１°？ｊ中で混合しくスラリーと
じ、ドクターブレードを用いＣ作成づるど共に、第４図
ないし第６図に承り厚さ０．２ｍｍのグリーンシート１
２を上記グリーンシー［・１０と同様に作成した。
イして第２図に示ｔ９Ｊｌ＜、Ｊ配作成ハれだグリ−ン
シ−１・１０．１に、前記？ｔ？極層に相当づる電極パ
ターン１４及び１Ｇと、ヒータパターン１８と、検出信
号＼５ヒータ用電源人・出力用の電極パターン２０．２
２．２４とを、１〕１に対し７％の△立２０ａを添加し
た白金ペーストで厚膜印刷した。
シ−１・１０．１に、前記？ｔ？極層に相当づる電極パ
ターン１４及び１Ｇと、ヒータパターン１８と、検出信
号＼５ヒータ用電源人・出力用の電極パターン２０．２
２．２４とを、１〕１に対し７％の△立２０ａを添加し
た白金ペーストで厚膜印刷した。
このようにして十記各パターンを厚膜印刷によっ（クリ
ーンシー１−１０−ｔに形成づると、次に第３図に示Ｊ
如く、上記各電極パターン２０．２２．２４．１乙に（
１４号入出力用の白金リード線２６．２８．３０をｔｒ
ｉ！設し、第１図（ご示！ｊ如く、上記作成されたグリ
ーンシー１へ１２の電極パターン１４．１６部分に間１
１３２を打ち抜きにＪ、って設Ｌｊ、白金リード線２６
．２８．３０の配設されたグリ ンシ−１へ１０に積層
熱１［るした。尚、白金リード線２６．２８．３０は本
実施例の揚含的径Ｑ、２ｒｒｌＩｎのリード線を用いた
。またこのリード線としで（ま白金て・なくτもよいが
、後述４る焼結の際に熱にＪ、っ（劣化しないしのを使
用Ｊる必要があり、通常金または白金族のり一ト線が用
いられている。
ーンシー１−１０−ｔに形成づると、次に第３図に示Ｊ
如く、上記各電極パターン２０．２２．２４．１乙に（
１４号入出力用の白金リード線２６．２８．３０をｔｒ
ｉ！設し、第１図（ご示！ｊ如く、上記作成されたグリ
ーンシー１へ１２の電極パターン１４．１６部分に間１
１３２を打ち抜きにＪ、って設Ｌｊ、白金リード線２６
．２８．３０の配設されたグリ ンシ−１へ１０に積層
熱１［るした。尚、白金リード線２６．２８．３０は本
実施例の揚含的径Ｑ、２ｒｒｌＩｎのリード線を用いた
。またこのリード線としで（ま白金て・なくτもよいが
、後述４る焼結の際に熱にＪ、っ（劣化しないしのを使
用Ｊる必要があり、通常金または白金族のり一ト線が用
いられている。
イの後１−記作成された、電極パターン１４及び１６が
露出され白金リードれ１）２６．２Ｂ、３０が突出され
たグリーンシーｌ−１０及び１２の積に４１Ａを、大気
中温１（［１５００℃、保持１１ろ間２ ＋１ｉ’＋間
の条件で焼成りることににつ（、電極層を有りるレラミ
ック基板を完成した。
露出され白金リードれ１）２６．２Ｂ、３０が突出され
たグリーンシーｌ−１０及び１２の積に４１Ａを、大気
中温１（［１５００℃、保持１１ろ間２ ＋１ｉ’＋間
の条件で焼成りることににつ（、電極層を有りるレラミ
ック基板を完成した。
次に、ガスを検出づるための索Ｔ層をト配しラミック基
板に段りることとなるのであるが、；１：ず第５図に示
づ如く、第１の素子層３４を聞１」３２内に段（］た。
板に段りることとなるのであるが、；１：ず第５図に示
づ如く、第１の素子層３４を聞１」３２内に段（］た。
ここＣ４１１の素子１ζ〆１３４としては、１℃均粒径
１．２μｍのの−１−ｉ ０２ ＄５”ｌ木１００（刃
し部に対して１モル部の白金ブラックを添加（Ｊるとｉ
ｔ−にボウリイ酸万ラスを後１ｉ１ｉ ’ｌる表（３二
従つ（添加し、更に全Ｖ）末に対して３小ｔＩＮ％の１
チルレル［ｌ−スを添加してブヂルカルヒ゛１・−ル（
２−（’２−７１〜キシ１１−キシ）丁タノールの商品
名）中で混合（）、３００ボイズに粘１良調整した１１
０２ペーストを用い、ｌ１ｉｌ １−１３２の電極パタ
ーン１４及び１６に被るＪるように５−１ Ｑ （ｔ、
ｍの厚さく印刷ｊ）ｌこ 。
１．２μｍのの−１−ｉ ０２ ＄５”ｌ木１００（刃
し部に対して１モル部の白金ブラックを添加（Ｊるとｉ
ｔ−にボウリイ酸万ラスを後１ｉ１ｉ ’ｌる表（３二
従つ（添加し、更に全Ｖ）末に対して３小ｔＩＮ％の１
チルレル［ｌ−スを添加してブヂルカルヒ゛１・−ル（
２−（’２−７１〜キシ１１−キシ）丁タノールの商品
名）中で混合（）、３００ボイズに粘１良調整した１１
０２ペーストを用い、ｌ１ｉｌ １−１３２の電極パタ
ーン１４及び１６に被るＪるように５−１ Ｑ （ｔ、
ｍの厚さく印刷ｊ）ｌこ 。
イし゛Ｃ第６図に示Ｊ如く、上記第１の素子層３４の１
．４Ｍ第２の素子層３６を段り、大気中温１α１２００
℃保持１１４間１時間の条件Ｃ焼き（＝ｉ ＩＪるこ
とにＪ、−）（ガス検出素子を１１１ｋ。尚第２の素子
層３６とし４（よ、上記第１の素子層３４を設４Ｊる際
に用いた王１０７ベースト中のホウグイ酸ガラスを含ま
ない１１０２ペーストを用い、第１の素子層３４１−に
１００ ・＝ ’Ｉ Ｅｉ ００ Ｉｔ ｍの厚さで印
刷した。
．４Ｍ第２の素子層３６を段り、大気中温１α１２００
℃保持１１４間１時間の条件Ｃ焼き（＝ｉ ＩＪるこ
とにＪ、−）（ガス検出素子を１１１ｋ。尚第２の素子
層３６とし４（よ、上記第１の素子層３４を設４Ｊる際
に用いた王１０７ベースト中のホウグイ酸ガラスを含ま
ない１１０２ペーストを用い、第１の素子層３４１−に
１００ ・＝ ’Ｉ Ｅｉ ００ Ｉｔ ｍの厚さで印
刷した。
このようにしη作成されたガス検出素子のレラミック阜
仮ど素子層との接合状態を、）１す“素子の内部抵ｔｒ
ｉをブ［１バンパー）−にＣ渇Ｉｆｆ ３５０ ”Ｃに
設定し１．ｌ雰囲気で測定してガス検出１１シカをイｊ
！Ｉることを１イ「認した後、本カス検出素子を全負荷
状態０） ２０００ ＣＣ，”、１ンシン１１”Ｆ＞
Ｉ’ｌｌ出’ａ ４１ ルｍ ｉ！％ ？！ｎｆ Ｉａ
８００ ”ＣのＩＪＩ気に５分間晒し、次い（アイドリ
ング状態に５分間晒づ熱ｔａｊ撃試験を繰り返し実施し
、素子層が料理１りるまＣの時間としＣ測定し１．：、
イの測定４４！ｉ床を次表に示Ｊ。
仮ど素子層との接合状態を、）１す“素子の内部抵ｔｒ
ｉをブ［１バンパー）−にＣ渇Ｉｆｆ ３５０ ”Ｃに
設定し１．ｌ雰囲気で測定してガス検出１１シカをイｊ
！Ｉることを１イ「認した後、本カス検出素子を全負荷
状態０） ２０００ ＣＣ，”、１ンシン１１”Ｆ＞
Ｉ’ｌｌ出’ａ ４１ ルｍ ｉ！％ ？！ｎｆ Ｉａ
８００ ”ＣのＩＪＩ気に５分間晒し、次い（アイドリ
ング状態に５分間晒づ熱ｔａｊ撃試験を繰り返し実施し
、素子層が料理１りるまＣの時間としＣ測定し１．：、
イの測定４４！ｉ床を次表に示Ｊ。
表においＴ、’Ｎｏ、１ないしＮｏ、８は、第１の素子
層の小つケイ酸ガラス添加呈が夫々０．０゜１．０．２
．１．３．５．７．１０Φ艶％であるカス検出素子を示
しＣいる。ま１．：素子内部抵抗は、渇１ｍ ３５０
℃理論空燃比０．９の雰囲気中で測定した賄Ｃ゛あって
、理論空燃比１の場合にはいずれのガス検出素子６２０
０ＭΩ以上であったことから、こ４′シらの素子は全（
ガス検出能力を右Ｊることかわかった。
層の小つケイ酸ガラス添加呈が夫々０．０゜１．０．２
．１．３．５．７．１０Φ艶％であるカス検出素子を示
しＣいる。ま１．：素子内部抵抗は、渇１ｍ ３５０
℃理論空燃比０．９の雰囲気中で測定した賄Ｃ゛あって
、理論空燃比１の場合にはいずれのガス検出素子６２０
０ＭΩ以上であったことから、こ４′シらの素子は全（
ガス検出能力を右Ｊることかわかった。
次にＰラミック導、＆板と素子Ｍｌどの密着状態である
が、表にａ３１Ｊる剥削時間から、Ｎｏ、１、Ｎｏ。
が、表にａ３１Ｊる剥削時間から、Ｎｏ、１、Ｎｏ。
２のカス検出素子のＪ、うに、小つタイ酸ガラス添１１
１１ ｆｆｉが少ない場合に髪よ、素子層が剥離し易い
ことがわかり、少’ｃＣくとも添加量を０．２ｍｆｔ１
％以、１どりる必要があることがわかった。ま／ｊ添加
ｈ１を１中［ｆ１％以」どした場合にはイリ頗ｎ；ｌ１
間は５００１侍間以上となつＣ強電は充分′Ｃあるが、
Ｎ０９７やＮＯ，Ｂ（７）検出克了のよ・うｔこ添加ｈ
１を余り多くしても素子内部抵抗を増加させるだＩ：Ｊ
（”あつ−Ｃ１かえってカスＩ！！麿の変化を私邸Ｊ
、くとらえることができないので、添加量としては５手
ｍ％以１・ど（Ｊる必要があることもわかった。
１１ ｆｆｉが少ない場合に髪よ、素子層が剥離し易い
ことがわかり、少’ｃＣくとも添加量を０．２ｍｆｔ１
％以、１どりる必要があることがわかった。ま／ｊ添加
ｈ１を１中［ｆ１％以」どした場合にはイリ頗ｎ；ｌ１
間は５００１侍間以上となつＣ強電は充分′Ｃあるが、
Ｎ０９７やＮＯ，Ｂ（７）検出克了のよ・うｔこ添加ｈ
１を余り多くしても素子内部抵抗を増加させるだＩ：Ｊ
（”あつ−Ｃ１かえってカスＩ！！麿の変化を私邸Ｊ
、くとらえることができないので、添加量としては５手
ｍ％以１・ど（Ｊる必要があることもわかった。
尚、本実施例においては、セラミック九λＩｋ−１に電
極層、ヒータ層、及び素子層を設（］ると共に、素子層
を除く電極層とヒータ層を覆うレラミツク板を段Ｉづ（
いるが、これは電極層とじ一タ層とを外部から保護゛り
るためのしのである１、また素子層ｑ）遷移金属酸化物
としＣ’１” ｉ ０２を用いているが、通常用いられ
るＳｎＯ２，０００，７ｎＱ、Ｎｂ２Ｏ５、父はＣｒ
２０３を用いＣし同様の効果が１１ノられる。
極層、ヒータ層、及び素子層を設（］ると共に、素子層
を除く電極層とヒータ層を覆うレラミツク板を段Ｉづ（
いるが、これは電極層とじ一タ層とを外部から保護゛り
るためのしのである１、また素子層ｑ）遷移金属酸化物
としＣ’１” ｉ ０２を用いているが、通常用いられ
るＳｎＯ２，０００，７ｎＱ、Ｎｂ２Ｏ５、父はＣｒ
２０３を用いＣし同様の効果が１１ノられる。
［発明の効果１
以−１訂ｊホした如く、本発明のガス検出系ｒにＪメい
てにＪ１Ｌラミック括板上に設けられる遷移金属酸化物
を主成分どした素子層を２層どし、Ｉ １１ｆ ［１の
索：１層として０．２ないし５％のカラス材を含む遷移
金属酸化物を用いるＪ、うにしＣいる。このためヒラミ
ック基板と素子層どの密６性は向Ｉ−シ熱や振４ｊＪに
よっても容易にイリＴｈ１ｌ Ｌ、ない楊）青のカス検
出素子を作ることができ、ま／Ｊ刀クラス添加ｆｉｇの
［眼を５）％どしＣいるので素子のガス検出能力が落ノ
）るＣとしなく、白・１久＋１のある信頼性の、痛いカ
ス検出素子を捏供することができる。
てにＪ１Ｌラミック括板上に設けられる遷移金属酸化物
を主成分どした素子層を２層どし、Ｉ １１ｆ ［１の
索：１層として０．２ないし５％のカラス材を含む遷移
金属酸化物を用いるＪ、うにしＣいる。このためヒラミ
ック基板と素子層どの密６性は向Ｉ−シ熱や振４ｊＪに
よっても容易にイリＴｈ１ｌ Ｌ、ない楊）青のカス検
出素子を作ることができ、ま／Ｊ刀クラス添加ｆｉｇの
［眼を５）％どしＣいるので素子のガス検出能力が落ノ
）るＣとしなく、白・１久＋１のある信頼性の、痛いカ
ス検出素子を捏供することができる。
第１図はホブを明のカス検出素子の構成例を示Ｊ］１１
１面図、第２図ないし第６図は本発明の実熱例のカス検
出索子作成’ｆｆｆｉ１を示しくおり、各図におい〔（
イ）は正面図（（１）は八−Ａ綿密ｉ面図である。 １・・・ｌ！ラミック１４ル ２・・・電極 ３．３３／Ｉ・・・第１の電ｌｆｉ層 ４．３Ｇ・・・Ｗｉ ２の電極層 １０．１２・・・クリーンシー１〜 １４、′１６・・・電極パターン 代理人 弁理−１−）に立 勉 他１名 第１１ｔ？１
１面図、第２図ないし第６図は本発明の実熱例のカス検
出索子作成’ｆｆｆｉ１を示しくおり、各図におい〔（
イ）は正面図（（１）は八−Ａ綿密ｉ面図である。 １・・・ｌ！ラミック１４ル ２・・・電極 ３．３３／Ｉ・・・第１の電ｌｆｉ層 ４．３Ｇ・・・Ｗｉ ２の電極層 １０．１２・・・クリーンシー１〜 １４、′１６・・・電極パターン 代理人 弁理−１−）に立 勉 他１名 第１１ｔ？１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｌ？ラミック基板と、 該レラミック基板」−に形成された電極層と、十記しラ
ミック基板ど主２電極層とに積層し、０．２ないし５％
のガラスを含む遷移金属酸化物を主成分とした第１の素
子層と、 該第１の素子層に積層し、遷移金属酸化物を主成分とし
た第２の素子層と、 を右することを特徴とりるカス検出素子、。 ２、遷移金属酸化物が、Ｓ ｒｌ Ｏ２，１ｉ０ｚ、Ｃ
Ｏ０１ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５及びＣｒｚＯａから選ばれた
、１手Φ又は２秤以」−の物質ｅある１ｈ許請求の範囲
第′■項記載のカス＠１］」索ｆ。 ３、カラスがポウクイ酸ガラスである特ｆ：’Ｆ 請求
の範囲第１項又は第２項記載のガス検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24573783A JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24573783A JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142240A true JPS60142240A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17138049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24573783A Pending JPS60142240A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | ガス検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142240A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101477A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24573783A patent/JPS60142240A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101477A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
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