JPS6014219A - 表示パネル - Google Patents
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- JPS6014219A JPS6014219A JP58123704A JP12370483A JPS6014219A JP S6014219 A JPS6014219 A JP S6014219A JP 58123704 A JP58123704 A JP 58123704A JP 12370483 A JP12370483 A JP 12370483A JP S6014219 A JPS6014219 A JP S6014219A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
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- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表示パネル特に半導体駆動回路を有する基板
と液晶を用いたアク′テイプマトリクス屋液晶表示パネ
ルに関するものである。
と液晶を用いたアク′テイプマトリクス屋液晶表示パネ
ルに関するものである。
このアクティブマトリクス型表示パネルは、例えば第１
図と第３図に示す薄膜トランジスタ１６（以下、”ＴＦ
Ｔ″と呼ぶ）アレイのソース電極１１に印加電圧を与え
、ゲート電極１２に印加電圧信号を送ることによシ、チ
ャネルが開いて、ドレイン電圧１３に電圧がかかる様に
なり、この結果ドレイン電極１３に接続されている表示
電極１７と対向電極１４の間に電界が生じ、その間に挾
持されている液晶１５が電界方向に配向することによっ
て光学変調を行なうことができる。
図と第３図に示す薄膜トランジスタ１６（以下、”ＴＦ
Ｔ″と呼ぶ）アレイのソース電極１１に印加電圧を与え
、ゲート電極１２に印加電圧信号を送ることによシ、チ
ャネルが開いて、ドレイン電圧１３に電圧がかかる様に
なり、この結果ドレイン電極１３に接続されている表示
電極１７と対向電極１４の間に電界が生じ、その間に挾
持されている液晶１５が電界方向に配向することによっ
て光学変調を行なうことができる。
この時の液晶に印加される電圧（Ｖ）と透過率（７％）
のＶ−Ｔカーブは、一般に第２図に示す如きものとなる
ことが知られている。すなわち、印加電圧がある限界（
第２図のｖｔｈ Ｈ閾値電圧）より小さい時は液晶（ね
じれネマチック液晶とパラレルニコルを用いた場合）は
光を透過せず、まえ印加電圧が他のある限界（第２図の
Ｖｓａ ；飽和電圧）を越えると透過率は飽和し、それ
以上の電圧を印加しても透過率（Ｔ）＾ は変わることがない。
のＶ−Ｔカーブは、一般に第２図に示す如きものとなる
ことが知られている。すなわち、印加電圧がある限界（
第２図のｖｔｈ Ｈ閾値電圧）より小さい時は液晶（ね
じれネマチック液晶とパラレルニコルを用いた場合）は
光を透過せず、まえ印加電圧が他のある限界（第２図の
Ｖｓａ ；飽和電圧）を越えると透過率は飽和し、それ
以上の電圧を印加しても透過率（Ｔ）＾ は変わることがない。
しかし、液晶表示に階調性を付与するためには、第２図
に示すＶ−Ｔカーブの傾斜率（ガンマ＝ｊａｙｌθ＝
’Ｉ”／Ｖ ）を小さくすることが望ましいととである
が、従来の表示パネルで用いる液晶としては応答速度の
速いものから選択して用いているため、Ｖ−Ｔカーブの
ガンマが大きくなる傾向にあり、従ってＶｔｈ −Ｖｓ
ａの電圧幅が狭くなっている。このため、従来の表示パ
ネルでは液晶に印加する電圧の大きさを制御することに
よって、階調表示を行なう方法を適用することが難かし
い問題点を有している。
に示すＶ−Ｔカーブの傾斜率（ガンマ＝ｊａｙｌθ＝
’Ｉ”／Ｖ ）を小さくすることが望ましいととである
が、従来の表示パネルで用いる液晶としては応答速度の
速いものから選択して用いているため、Ｖ−Ｔカーブの
ガンマが大きくなる傾向にあり、従ってＶｔｈ −Ｖｓ
ａの電圧幅が狭くなっている。このため、従来の表示パ
ネルでは液晶に印加する電圧の大きさを制御することに
よって、階調表示を行なう方法を適用することが難かし
い問題点を有している。
本発明の目的は、高速応答性を有し、且つ階調表示が得
られる表示パネルを提供することにある。
られる表示パネルを提供することにある。
本発明のかかる目的は、半導体駆動回路、ドレイン電極
および該ドレイン電極と電気的に接続されている表示電
極を有する基板と対向電極を有する基板の間に電気光学
変調物質の層を挾持した構造を有する表示パネルにおい
て、前記表示電極又は対向電極が電気的に接続された抵
抗素子を有する表示パネルによって達成される第４図、
第５図、第６図および第７図は、本発明の半導体駆動回
路で用いた表示パネルの等価回路である。第４図および
第５図に示す等価回路において、抵抗素子（Ｒ＋ −Ｒ
ｔ、・・・Ｒｎ−＊）がドレイン電極１３と電気的に接
続されている表示電極と接続されている。第４図に示す
回路では抵抗素子（Ｒ１、Ｒ６、川Ｒｎ−５）が直列に
接続され、第５図に示す回路では抵抗素子（Ｒ１−馬、
・・・Ｒ？＄−＋）が並列に接続されている。。
および該ドレイン電極と電気的に接続されている表示電
極を有する基板と対向電極を有する基板の間に電気光学
変調物質の層を挾持した構造を有する表示パネルにおい
て、前記表示電極又は対向電極が電気的に接続された抵
抗素子を有する表示パネルによって達成される第４図、
第５図、第６図および第７図は、本発明の半導体駆動回
路で用いた表示パネルの等価回路である。第４図および
第５図に示す等価回路において、抵抗素子（Ｒ＋ −Ｒ
ｔ、・・・Ｒｎ−＊）がドレイン電極１３と電気的に接
続されている表示電極と接続されている。第４図に示す
回路では抵抗素子（Ｒ１、Ｒ６、川Ｒｎ−５）が直列に
接続され、第５図に示す回路では抵抗素子（Ｒ１−馬、
・・・Ｒ？＄−＋）が並列に接続されている。。
又、第６図および第７図では、抵抗素子（Ｒ１％馬、・
・・Ｒｎ−＋）が対向電極１４に接続されている。第６
図に示す回路では抵抗素子（Ｒ＋ ｓ Ｒｔ、・・・Ｒ
ｎ−＋）が直列に接続され、第７図の回路では抵抗素子
（Ｒ＋ 、Ｒｔ−・・・Ｒｎ□ ）が並列に接続されて
いる。
・・Ｒｎ−＋）が対向電極１４に接続されている。第６
図に示す回路では抵抗素子（Ｒ＋ ｓ Ｒｔ、・・・Ｒ
ｎ−＋）が直列に接続され、第７図の回路では抵抗素子
（Ｒ＋ 、Ｒｔ−・・・Ｒｎ□ ）が並列に接続されて
いる。
この様な抵抗素子（Ｒ１％Ｒｔ 、−Ｒｓ −ｔ ）
ＲＡと液晶の抵抗ＲＢおよびコンデンサＣ，は、第８図
に示す等価回路に置き換えることができる。
ＲＡと液晶の抵抗ＲＢおよびコンデンサＣ，は、第８図
に示す等価回路に置き換えることができる。
すなわち、液晶と直列に抵抗ＲＡが存在するので液晶に
印加される電圧は電圧降下されて与えられ、このため第
９図に示す様にＶ−Ｔカーブのガンマを小さくすること
、言い換えればＶ−ＴカーブにおけるＶｔｈ −Ｖｓａ
の電圧幅を大きくすることができる。従って、前述の抵
抗素子の抵抗値ＲＡを所定の値に設定することにより、
一画素中での印加電圧に対する透過率曲線の傾斜をゆる
やかにすることで、印加電圧の大きさを制御することに
よって、透過率を容易に制御でき、このため良好な階調
表示を得ることができる。
印加される電圧は電圧降下されて与えられ、このため第
９図に示す様にＶ−Ｔカーブのガンマを小さくすること
、言い換えればＶ−ＴカーブにおけるＶｔｈ −Ｖｓａ
の電圧幅を大きくすることができる。従って、前述の抵
抗素子の抵抗値ＲＡを所定の値に設定することにより、
一画素中での印加電圧に対する透過率曲線の傾斜をゆる
やかにすることで、印加電圧の大きさを制御することに
よって、透過率を容易に制御でき、このため良好な階調
表示を得ることができる。
本発明の好ましい具体例を第１０図、第１１図および第
１２図に示す。
１２図に示す。
第１０図において、能動素子のドレイン電極に接続され
た表示電極１７が抵抗素子１８と電気的に接続されてい
る態様を示している。これにより、一画素中での印加電
圧に対する透過率の変化を起こすことができる。この態
様の電極構造は、第４図の等価回路によって表わすこと
ができる。能動素子（ドレイン電極１３）よシ印加され
た電圧は、ＬＣｌにはそのまま与えられ、ＬＣ２ではＲ
１によシミ圧降下された後与えられる。そして、ＬＣ３
ではＲ１とＲ２の合成抵抗値分電圧降下された後与えら
れＬＣｎに近づく程、大きな値の電圧降下がおこる。こ
れにより、印加電圧がそのまま一画素中の液晶配向電圧
とはならない。すなわち、第１０図で示したように、ド
レイン電極１３に接続された表示電極１７を抵抗分割さ
せることにより、液晶表示における印加電圧と透過率と
の関係の曲線を滑らかに補正させることができ、これに
よシ容易に階調表示を行なうことができる。
た表示電極１７が抵抗素子１８と電気的に接続されてい
る態様を示している。これにより、一画素中での印加電
圧に対する透過率の変化を起こすことができる。この態
様の電極構造は、第４図の等価回路によって表わすこと
ができる。能動素子（ドレイン電極１３）よシ印加され
た電圧は、ＬＣｌにはそのまま与えられ、ＬＣ２ではＲ
１によシミ圧降下された後与えられる。そして、ＬＣ３
ではＲ１とＲ２の合成抵抗値分電圧降下された後与えら
れＬＣｎに近づく程、大きな値の電圧降下がおこる。こ
れにより、印加電圧がそのまま一画素中の液晶配向電圧
とはならない。すなわち、第１０図で示したように、ド
レイン電極１３に接続された表示電極１７を抵抗分割さ
せることにより、液晶表示における印加電圧と透過率と
の関係の曲線を滑らかに補正させることができ、これに
よシ容易に階調表示を行なうことができる。
第１１図は、本発明の別の具体例である。第１１図に示
す態様は、ドレイン電極に接続された表示電極１７に抵
抗素子１８をマトリクス伏に接続させ、この抵抗素子１
８自体を電極として用いたものである。これの等価回路
は、第５図に示すことができる。この際、それぞれ配置
された抵抗素子１８の抵抗値を階調表示法、デイヂ法や
濃度パターン法に基づいて設定すると、一画素中で液晶
の印加電圧と透過率との関係Ｖ−Ｔカーブ特性を規則的
に分布させることができる。
す態様は、ドレイン電極に接続された表示電極１７に抵
抗素子１８をマトリクス伏に接続させ、この抵抗素子１
８自体を電極として用いたものである。これの等価回路
は、第５図に示すことができる。この際、それぞれ配置
された抵抗素子１８の抵抗値を階調表示法、デイヂ法や
濃度パターン法に基づいて設定すると、一画素中で液晶
の印加電圧と透過率との関係Ｖ−Ｔカーブ特性を規則的
に分布させることができる。
又、前述の第１０図および第１１図で用いた抵抗分割素
子を対向電極でも用いることができる。
子を対向電極でも用いることができる。
本発明の別の好ましい具体例を第１２図に示す。第１２
図に示す態様は、ドレイン電極に接続された表示電極１
７を抵抗分割する際に、抵抗素子１８を格子状に配置し
て抵抗分割することができる。この態様の等価回路は、
第１３図に示すことができる。この際、抵抗値は距離に
比例するために、ドレイン電極から抵抗素子１８が離れ
る程、電圧降下されて液晶に電圧が印加されることにな
る。この様な態様によってもＶ−Ｔカーブのガンマを小
さくすることができ、このため印加電圧の大きさによっ
て透過率を制御することが容易となり、この結果階調表
示の制御を容易に行なうことができる。
図に示す態様は、ドレイン電極に接続された表示電極１
７を抵抗分割する際に、抵抗素子１８を格子状に配置し
て抵抗分割することができる。この態様の等価回路は、
第１３図に示すことができる。この際、抵抗値は距離に
比例するために、ドレイン電極から抵抗素子１８が離れ
る程、電圧降下されて液晶に電圧が印加されることにな
る。この様な態様によってもＶ−Ｔカーブのガンマを小
さくすることができ、このため印加電圧の大きさによっ
て透過率を制御することが容易となり、この結果階調表
示の制御を容易に行なうことができる。
第゛１４図は、本発明の表示パネルの１つの実施例を表
わしている。第１４図において、１０７及び１１２はガ
ラス等の基板、１０４はドレイン電極に接続された表示
電極、１０８は対向電極である。表示電極１０４と対向
電極１０８には、ＩｔｌｔＯｓ ％ ８１１０１等の透
明導電膜或いは場合によってＡｕ ＨＡｌ ｙ Ｐｄ
を等の金属薄膜が使用される。１０１と１０２はそれぞ
れゲート電極及びソース線であって、ＡＩ、 Ａｕ、
Ａｇ＋ Ｐｔ＋ ＰｄｔＣｕ等の金属が使用される。１
０５と１０９＃′ｉ絶縁膜であり、１０３はＣｄＳ 、
ＣｄＳｅ 、 Ｔｅやアモルファスシリコン等の薄膜
半導体、１１０はスペーサー、１１１は液晶層である。
わしている。第１４図において、１０７及び１１２はガ
ラス等の基板、１０４はドレイン電極に接続された表示
電極、１０８は対向電極である。表示電極１０４と対向
電極１０８には、ＩｔｌｔＯｓ ％ ８１１０１等の透
明導電膜或いは場合によってＡｕ ＨＡｌ ｙ Ｐｄ
を等の金属薄膜が使用される。１０１と１０２はそれぞ
れゲート電極及びソース線であって、ＡＩ、 Ａｕ、
Ａｇ＋ Ｐｔ＋ ＰｄｔＣｕ等の金属が使用される。１
０５と１０９＃′ｉ絶縁膜であり、１０３はＣｄＳ 、
ＣｄＳｅ 、 Ｔｅやアモルファスシリコン等の薄膜
半導体、１１０はスペーサー、１１１は液晶層である。
又、１１３が本発明で用いる抵抗素子の例である。
本発明の表示パネルでは、動的散乱モード（ＤＳＭ）ね
じれ配列ネマティック（ＴＮ）等表示モードのいずれを
利用するか或いはパネルを透過型又は反射型にするか等
に応じて、種々抵抗素子１１３は、ＴｉＯやＴｉ Ｏｔ
などの透明抵抗物質を表示電極１０４の上に被膜形成す
ることによって得ることができる。又、第１５図に示す
様に、基板１１２の上にＴｉＯやＴｉ１ｔ膜などの抵抗
素子１１３を形成した後に、酸化インジウムや酸化錫な
どによる透明導電膜１１４を形成して表示電極１０４と
することもできる。ドレイン電極１１５は抵抗素子１１
３と電気的に接続されている。この抵抗素子１１３は、
表示電極１０４で用いる酸化インジウムなどの透明導電
物質の比抵抗より大きい比抵抗の透明物質が好ましく、
前述した２、６Ｘ１０’Ω−ｍ （２００°Ｋ）のＴｉ
０１３ Ｘ Ｉ Ｏ’Ω・ｃｒｎ（７７３°Ｋ）のＴｉ
Ｏ２が適している。尚、表示電極１０４で用いるＩｎｔ
Ｏｓの４ 比抵抗は１０Ω・ｍ（２９３°Ｋ）で、ＳｎＯ，は４×
１０Ω・ｃＩｎ（２９３６Ｋ）である。
じれ配列ネマティック（ＴＮ）等表示モードのいずれを
利用するか或いはパネルを透過型又は反射型にするか等
に応じて、種々抵抗素子１１３は、ＴｉＯやＴｉ Ｏｔ
などの透明抵抗物質を表示電極１０４の上に被膜形成す
ることによって得ることができる。又、第１５図に示す
様に、基板１１２の上にＴｉＯやＴｉ１ｔ膜などの抵抗
素子１１３を形成した後に、酸化インジウムや酸化錫な
どによる透明導電膜１１４を形成して表示電極１０４と
することもできる。ドレイン電極１１５は抵抗素子１１
３と電気的に接続されている。この抵抗素子１１３は、
表示電極１０４で用いる酸化インジウムなどの透明導電
物質の比抵抗より大きい比抵抗の透明物質が好ましく、
前述した２、６Ｘ１０’Ω−ｍ （２００°Ｋ）のＴｉ
０１３ Ｘ Ｉ Ｏ’Ω・ｃｒｎ（７７３°Ｋ）のＴｉ
Ｏ２が適している。尚、表示電極１０４で用いるＩｎｔ
Ｏｓの４ 比抵抗は１０Ω・ｍ（２９３°Ｋ）で、ＳｎＯ，は４×
１０Ω・ｃＩｎ（２９３６Ｋ）である。
本発明の表示パネルで、良好な階調性と高速応答性を得
るためには、液晶層の厚さを、一定面積以上（例えば１
０ｗ平方以上の範囲）にわたって、できる限り薄く（例
えば数μｍ−１０μ常）且つ均一にする必要がある。
るためには、液晶層の厚さを、一定面積以上（例えば１
０ｗ平方以上の範囲）にわたって、できる限り薄く（例
えば数μｍ−１０μ常）且つ均一にする必要がある。
本発明の表示パネルを作成するに当って、セル内を負圧
にした後、外圧との気圧差を利用して液晶を充填するこ
とができる０ 例えば、表示面を構成する２枚の基板（その一方には、
半導体駆動回路がマトリクス配列されている）を、低融
点ガラス、樹脂等適当な接着層を用いて接着しておく。
にした後、外圧との気圧差を利用して液晶を充填するこ
とができる０ 例えば、表示面を構成する２枚の基板（その一方には、
半導体駆動回路がマトリクス配列されている）を、低融
点ガラス、樹脂等適当な接着層を用いて接着しておく。
構造体には、１つの排気注入口を設けておき構造体を減
圧状態に置いた後、上記の排気注入口に液晶を浸しなが
ら除々に常圧状態を戻すと、２枚の基板間に液晶が注入
される。或いは、排気口及び注入口をそれぞれ少なくと
も１つ設けておき、排気口を減圧吸引すると同時に、注
入口側から液晶を注入する方法をとっても良い。
圧状態に置いた後、上記の排気注入口に液晶を浸しなが
ら除々に常圧状態を戻すと、２枚の基板間に液晶が注入
される。或いは、排気口及び注入口をそれぞれ少なくと
も１つ設けておき、排気口を減圧吸引すると同時に、注
入口側から液晶を注入する方法をとっても良い。
尚、液晶の注入が完了した状態で基板内部がわずかに負
圧になっていると、基板上の半導体が設けられている積
層構造部によるスペーサーとしての働きが良好になる。
圧になっていると、基板上の半導体が設けられている積
層構造部によるスペーサーとしての働きが良好になる。
或いは、半導体が設けられている積層構造部の対向する
幕板との接触面に、接着層を設けておけば、上記と同様
に良好なスペーサー効果が得られる。
幕板との接触面に、接着層を設けておけば、上記と同様
に良好なスペーサー効果が得られる。
本発明の表示パネルは、スタティックな表示に対して良
好なコントラストが得られるのみならず、テレビ画像の
様な高い応答性が要求される動画表示に於いても安定で
高コントラストの表示が行なえる。テレビ画像信号の様
に高速応答性が要求される場合には、各セグメントに並
列に蓄積用コンデンサーを設け、フレームメモリーとし
て利用することが望ましい。
好なコントラストが得られるのみならず、テレビ画像の
様な高い応答性が要求される動画表示に於いても安定で
高コントラストの表示が行なえる。テレビ画像信号の様
に高速応答性が要求される場合には、各セグメントに並
列に蓄積用コンデンサーを設け、フレームメモリーとし
て利用することが望ましい。
以上説明したように、液晶表示の能動素子のドレイン電
極側又は液晶を挾んだ対向電極側に抵抗値を有する抵抗
素子を使用することによシ、階調表示が容易に行なえる
という効果がある。
極側又は液晶を挾んだ対向電極側に抵抗値を有する抵抗
素子を使用することによシ、階調表示が容易に行なえる
という効果がある。
また、抵抗値を有した抵抗素子をマトリックス状に分布
させることによりディザ法や濃度パターン法等の階調表
示も可能となる効果がある０
させることによりディザ法や濃度パターン法等の階調表
示も可能となる効果がある０
第１図は従来の能動素子と液晶を有する表示パネルの回
路図、第２図は液晶の印加電圧に対する透過率の関係を
示す説明図、第３図は従来の表示パネルにおける能動素
子を有する基板の平面図である。 第４図、第５図、第６図および第７図は本発明における
能動素子と液晶を有する表示パネルの回路図、第８図は
液晶を抵抗ＲＢとコンデンサＣ７とした時の等価回路図
、第９図は本発明の表示パネルにおける印加電圧に対す
る透過率の関係を示す説明図、第１０図、第１１図およ
゛び第１２図は本発明の表示パネルで用いる能動素子を
有する基板の平面図、第１３図は第１２図に示す表示パ
ネルの等価回路図、第１４図は本発明の表示パネルの断
面図である。第１５図は、本発明の表示パネルで用いる
基板の斜視図である０ １１．１０２；ンース電極 １２．１０１；ゲート電極 １３＋１１５；ドレイン電極（能動素子）１４．１０８
；対向電極 １５．１１１；液晶 １６；ＴＦＴ １７．１０４；能動素子と電気的に接続されている表示
電極 １８、ｌｌａ：抵抗素子 １０３；薄膜半導体 １１４；透明導電膜 特許出願人 キャノン株式会社 ｅロ力ロ電万＝（Ｖ） ％６図 印加電圧−（の 第７３図 第１４０
路図、第２図は液晶の印加電圧に対する透過率の関係を
示す説明図、第３図は従来の表示パネルにおける能動素
子を有する基板の平面図である。 第４図、第５図、第６図および第７図は本発明における
能動素子と液晶を有する表示パネルの回路図、第８図は
液晶を抵抗ＲＢとコンデンサＣ７とした時の等価回路図
、第９図は本発明の表示パネルにおける印加電圧に対す
る透過率の関係を示す説明図、第１０図、第１１図およ
゛び第１２図は本発明の表示パネルで用いる能動素子を
有する基板の平面図、第１３図は第１２図に示す表示パ
ネルの等価回路図、第１４図は本発明の表示パネルの断
面図である。第１５図は、本発明の表示パネルで用いる
基板の斜視図である０ １１．１０２；ンース電極 １２．１０１；ゲート電極 １３＋１１５；ドレイン電極（能動素子）１４．１０８
；対向電極 １５．１１１；液晶 １６；ＴＦＴ １７．１０４；能動素子と電気的に接続されている表示
電極 １８、ｌｌａ：抵抗素子 １０３；薄膜半導体 １１４；透明導電膜 特許出願人 キャノン株式会社 ｅロ力ロ電万＝（Ｖ） ％６図 印加電圧−（の 第７３図 第１４０
Claims (1)
- 半導体駆動回路、ドレイン電極および該ドレイン電極と
電気的に接続されている表示電極を有する基板と対向電
極を有する幕板の間に電気光学変調物質の層を挾持した
構造を有する表示パネルにおいて、前記表示電極又は対
向電極が電気的に接続された抵抗素子を有することを特
徴とする表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123704A JPS6014219A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123704A JPS6014219A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6014219A true JPS6014219A (ja) | 1985-01-24 |
Family
ID=14867277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123704A Pending JPS6014219A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014219A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100739A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62100735A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| FR2606194A1 (fr) * | 1986-11-05 | 1988-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage matriciel et procede de commande de ce dispositif |
| JPS63170692A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-07-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | マトリクス表示装置 |
| JPS63195622A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Canon Inc | ディスプレイ装置 |
| JPS63251642A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-19 | ザ・フアイヤーストーン・タイヤ・アンド・ラバー・カンパニー | 空気バネ懸架システムのための制動弁 |
| EP0468452A2 (en) * | 1990-07-23 | 1992-01-29 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device |
| EP0493798A2 (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-08 | Honeywell Inc. | Liquid crystal display |
| EP0721138A3 (en) * | 1995-01-03 | 1997-01-02 | Xerox Corp | Picture elements |
| JP2013514550A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | デバイスアレイを選択的に活性化するための電荷制御方法 |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58123704A patent/JPS6014219A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100739A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62100735A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| FR2606194A1 (fr) * | 1986-11-05 | 1988-05-06 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage matriciel et procede de commande de ce dispositif |
| JPS63170692A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-07-14 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | マトリクス表示装置 |
| JPS63195622A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Canon Inc | ディスプレイ装置 |
| JPS63251642A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-19 | ザ・フアイヤーストーン・タイヤ・アンド・ラバー・カンパニー | 空気バネ懸架システムのための制動弁 |
| EP0468452A2 (en) * | 1990-07-23 | 1992-01-29 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device |
| EP0669549A1 (en) * | 1990-07-23 | 1995-08-30 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device |
| EP0672935A1 (en) * | 1990-07-23 | 1995-09-20 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device |
| EP0493798A2 (en) * | 1990-12-31 | 1992-07-08 | Honeywell Inc. | Liquid crystal display |
| EP0721138A3 (en) * | 1995-01-03 | 1997-01-02 | Xerox Corp | Picture elements |
| JP2013514550A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | デバイスアレイを選択的に活性化するための電荷制御方法 |
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