JPH06102526A

JPH06102526A - 光学変調素子

Info

Publication number: JPH06102526A
Application number: JP2333592A
Authority: JP
Inventors: Tomoko Murakami; 智子村上; Ryoji Fujiwara; 良治藤原; Tomoko Maruyama; 朋子丸山; Shuzo Kaneko; 修三金子
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-01-14
Filing date: 1992-01-14
Publication date: 1994-04-15

Abstract

(57)【要約】【目的】強誘電性液晶を用いた光学変調素子における
中間調表示を行なう際の表示の不安定性やヒステリシス
を排除する。【構成】強誘電液晶１６と、該液晶を挟持する一対の
電極基板１１と、少なくとも一方の該電極と前記液晶と
の間に該液晶を配向させるための配向膜１４とを有する
光学変調素子において、前記配向膜の表面を、少なくと
も一点は該電極と接する金属被膜１５で覆う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の素子構成
に関する。

【０００２】

【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）は、自発分極を
有する液晶として、その応答性、メモリ性等の利点が注
目され、表示素子、ライトバルブ等の用途のために積極
的に開発されている。上記利点を生かしたターゲットと
しては、光シャッタアレイ、単純マトリクス駆動による
高精細表示装置、光導電体と組み合わせた高密度記録の
ライトバルブ等が挙げられる。

【０００３】またさらに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等
を用いたアクティブマトリクス駆動による動画表示にも
期待されている。液晶アクティブマトリクス駆動とは、
画素毎にマトリクス配置したＴＦＴにゲートオンパルス
を印加してソースとドレイン間を導通状態としたとき、
映像画像信号をソースから印加することにより信号はキ
ャパシタに蓄積され、この蓄積された画像信号に対応し
て液晶（例えばツイストネマチック（ＴＮ）液晶）を駆
動するものである。この特性を用いて映像信号の電圧を
変調することによって階調表示を行なっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＮ液
晶あるいはＳＴＮ（スーパーツイステッド・ネマチッ
ク）液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式のテレ
ビジョンパネルでは応答速度が数百ミリ秒と遅く、今後
期待されるＥＤさらにはＨＤ対応のテレビ駆動に用いた
場合、残像が残る等の欠点が生じるという問題点があ
る。

【０００５】一方、双安定性を有する強誘電性液晶（Ｆ
ＬＣ）は、数百μ秒と応答が速いので、このようなＦＬ
Ｃをテレビの階調駆動に用いる試みが最近なされはじめ
ている。

【０００６】その方式の一例としてＦＬＣの電荷制御駆
動がある。これはＦＬＣのドメイン反転面積（ａ）と注
入電荷量（Ｑ）との間に

【０００７】

【数１】なる相関があることを利用したもので、ＦＬＣの各画素
ごとに反転面積に相当する電荷量を注入することで階調
表示を行なうというものである。

【０００８】上記電荷制御駆動は、双安定性を持つＦＬ
Ｃを用いた階調表示には非常に有効な手段であるが、同
時にいくつかの欠点を有する。

【０００９】その一つに、電圧−透過率特性におけるヒ
ステリシス現象がある。以下その現象を図を用いて説明
する。

【００１０】図７は、一般に用いられるＦＬＣ素子の構
成図である。図７において、１１は基板、１２は透明導
電層、１３は絶縁層、１４は配向層、１６はＦＬＣ層で
ある。

【００１１】図８は、ＦＬＣを用いてアクティブマトリ
クス電荷制御駆動で階調表示を行なう時の等価回路であ
る。図中、Ｔ₁₁，Ｔ₁₂，Ｔ₂₁，Ｔ₂₂はアクティブマトリ
クス駆動のスイッチング素子に用いる薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を示している。ＬＣ₁₁，ＬＣ₁₂，ＬＣ₂₁，Ｌ
Ｃ₂₂はそれぞれ薄膜トランジスタＴ₁₁，Ｔ₁₂，Ｔ₂₁，Ｔ
₂₂のドレイン電極Ｄ₁₁，Ｄ₁₂，Ｄ₂₁，Ｄ₂₂と対向電極８
とによって挟持されたＦＬＣからなる画素である。
Ｃ₁₁，Ｃ₁₂，Ｃ₂₁，Ｃ₂₂はゲート線１ａ，１ａ’とドレ
イン電極Ｄ₁₁，Ｄ₁₂，Ｄ₂₁，Ｄ₂₂とによって形成される
駆動信号電荷蓄積用のコンデンサを示している。３は情
報信号線である。

【００１２】上記回路を用いて各画素に図９（ａ）のよ
うな駆動波形で１周期１６．７ｍＳ（６０Ｈｚ）のリセ
ットパルス９１と各階調に応じた書き込みパルス９２を
印加すると、図９（ｂ）に示すような透過率（Ｔ）を生
ずる。このときの９３で示す透過率がほぼ９２の書き込
みパルスに対応する透過率である。

【００１３】このような駆動波形で書き込みパルス９２
に対する透過率９３をプロットしたものが上述した電圧
−透過率特性である。その一例を図１０に示す。図から
明らかなように、電圧昇圧時１０４と降圧時１０５との
間で透過率の異なるいわゆるヒステリシス現象が認めら
れる。

【００１４】上記ヒステリシス現象を定性的に説明した
のが図１１である。図１１（ａ）は図１０の１０４に相
当している。すなわち、黒ドメインを減少させる方向に
駆動する場合であり、“黒”のくせのついている部分を
“白”に反転させなければならない。同様に、図１１
（ｂ）は図１０の１０５に相当し、黒ドメインを増加さ
せる方向で、“白”のくせのついている部分を“黒”に
反転させなければならない。

【００１５】以上に述べたように、図９（ａ）のような
駆動法で電荷制御方式により階調表示を行なう場合、必
然的に電圧−透過率特性にヒステリシス現象が生じる。

【００１６】さらに加えて、上記のようなアクティブマ
トリクス駆動を行なった場合、駆動時の長時間にわたる
直流電圧成分の連続印加により、液晶の応答が阻害され
るという問題も生じる。この原因としては、上記直流成
分により、またＦＬＣ自身の自発分極により、液晶内部
にイオンの偏在が誘起され、これが電界を形成するため
と考えられる。

【００１７】図９（ａ）に示す駆動波形を印加した場合
に生ずる現象を図１２に示す。図１２より、くり返しパ
ルス印加により透過率が次第に減少する様子が明確にわ
かる。

【００１８】図１２を用いてこの現象を説明する。図９
（ａ）に示す波形では液晶から見て幾何学的にはプラス
の直流成分が過剰に印加される。図１３は、この直流成
分がどのように液晶に作用するかを示している。図１３
において、プラスの直流成分の印加により、絶縁層部１
３と液晶部分１６との間に電荷の蓄積が起こり、この電
荷蓄積成分による液晶分圧がマイナス方向となり、この
結果、次第に“白”書込みがされ難くなる。

【００１９】以上のようなヒステリシス現象や直流成分
による不安定性はアクティブマトリクス方式で階調表示
を行なう場合、画素表示電圧が一義的に決められないた
め、非常に大きな問題となっている。

【００２０】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
もので、強誘電性液晶を用いた光学変調素子において、
中間調表示を行なう際の表示の不安定性やヒステリシス
を排除することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、強誘電液晶と、該液晶を挟持する一対
の電極基板と、少なくとも一方の該電極と前記液晶との
間に該液晶を配向させるための配向膜とを有する光学変
調素子であって、前記配向膜の表面が、少なくとも一点
は該電極と接する金属被膜で覆われていることを特徴と
する。

【００２２】本発明の好ましい実施例において、前記配
向膜は、斜方蒸着で作製される。

【００２３】

【作用】本発明者らは、ＦＬＣの中間調表示において、
不安定性やヒステリシスが排除され、外部印加電圧に対
し再現性良く決定されるためには、液晶と配向膜界面付
近等に蓄積した電荷をキャンセルする必要があることを
見出した。

【００２４】本発明によれば、上述のように電極と液晶
との間を導電的に構成したため、ＦＬＣ中間調表示にお
いて問題となっていたイオンの偏在および電荷の蓄積を
キャンセルすることが可能となり、従来のポリイミドラ
ビング等の絶縁性配向膜のみを用いたものと比較してヒ
ステリシスや不安定性を大幅に減少させた良好な光学変
調素子を提供することができる。

【００２５】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。

【００２６】実施例１図１は本発明の一実施例に係る光学変調素子の構成図を
示す。図１において、１１はガラス基板、１２は透明電
極、１４は斜方蒸着膜、１５は金属被膜である白金被
膜、１６はＦＬＣである。

【００２７】透明電極１２は、ガラス上に導電性インジ
ウムスズ酸化物（ＩＴＯ電極）をスパッタ成膜したもの
である。斜方蒸着膜１４は、この透明電極１２上にＳｉ
Ｏを斜方蒸着したものである。

【００２８】実際に行なった斜方蒸着の方法を図２に示
す。図２において、２１は電極つきの基板、２２はベル
ジャー、２３は蒸着方向、２４は蒸着源を示す。蒸着物
質としては一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を用い、蒸着にはチ
ムニーるつぼによる抵抗加熱法を用いた。

【００２９】蒸着角度θは８５度、蒸着速度は約５Å／
ｓｅｃ、膜厚は２０００Åとした。

【００３０】このように作成したＳｉＯカラム表面に、
さらにイオンビームスパッタ（ＩＢＳ）により白金被膜
を作製した。実際に行なったＩＢＳの方法を図３に示
す。図３において、３１は基板、３２はベルジャー、３
３はイオンビーム源、３４はイオンビーム、３５はター
ゲットである。

【００３１】スパッタ速度は２Å／ｍｉｎ、膜厚は１０
〜２０Åとした。

【００３２】以上のように形成した基板を２枚用意し、
一方の基板にギャップ剤として、１．５μｍφシリカビ
ーズを分散し、２枚の基板（上下基板）をその上に形成
されたＳｉＯ斜方蒸着膜の蒸着方向が反平行になるよう
に貼り合わせてセルを作成した。

【００３３】このようなセルに加熱して粘度を下げたＦ
ＬＣを真空中で注入し、徐冷することにより良好な配向
をしたＦＬＣ素子が得られた。この素子が双安定性およ
びメモリ効果をともに有することを確認した。さらに、
印加電圧−透過率特性を測定した。その結果を図４に従
来例の特性とともに示す。図４において、実線４１が本
実施例によるＦＬＣ素子の電圧−透過率特性であり、破
線４２で示す従来のポリイミド・ラビングセルと比較す
ると、明らかにヒステリシスが減少していることがわか
る。

【００３４】図５は黒リセット後の放置時間を変化させ
た時の“全白”書込み応答時間の相関を示す。図５にお
いて、５１はＳｉＯ配向膜および白金被膜を用いた本実
施例の光学変調素子（ＦＬＣ素子）の応答特性（図４の
４１に対応）、５２はポリイミドラビング膜を用いた従
来の光学変調素子（図４の４２に対応）である。本実施
例によれば、明らかに不安定性が解消していることがわ
かる。

【００３５】実施例２配向膜の材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた他は実
施例１と同様の方法でＦＬＣ素子を形成し、評価を行な
った。

【００３６】その結果、良好なユニフォーム配向が得ら
れ、双安定性、メモリ性があることが確認できた。さら
にヒステリシス、不安定性ともに、ポリイミドラビング
膜を用いた金属被膜の無い従来例と比較して大幅に改善
されていることがわかった。

【００３７】実施例３金属被膜として金（Ａｕ）膜を直流スパッタ法により作
製した他は実施例１と同様の方法でＦＬＣ素子を形成
し、評価を行なった。

【００３８】実際に用いた作製方法を図６に示す。図６
において、６１は基板、６２はベルジャー、６３は陰極
をかねたターゲット、６４は陽極、６５は直流電源であ
る。

【００３９】スパッタ速度２Å／ｍｉｎ、膜厚２０Åと
し、素子を形成したところ、均一ユニフォーム配向が得
られた。また、双安定性、メモリ性も確認され、不安定
性、ヒステリシスも大幅に減少していることがわかっ
た。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極−液
晶間を導電的にすることにより、ＦＬＣ中間調表示にお
いて問題となっていたイオンの偏在、電荷の蓄積をキャ
ンセルすることが可能となり、従来のポリイミドラビン
グ配向膜と比較して、ヒステリシス、不安定性が大幅に
減少することできる。

【００４１】したがって、本発明の光学変調素子を用い
ることにより、高速応答性で高精細のフラットディスプ
レイが形成できるようになる。さらに本発明の光学変調
素子をカラーフィルタと組み合わせることによって、ま
たは本発明の光学変調素子を複数個使用することによっ
て、高精細カラーテレビを構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る光学変調素子の構成
図である。

【図２】図１における配向膜を作製するための装置の
構成図である。

【図３】図１における金属被膜を作製するための装置
の構成図である。

【図４】図１の光学変調素子と従来の素子の印加電圧
−透過率曲線を示すグラフである。

【図５】図１の光学変調素子と従来の素子の黒放置時
間に対する白書込み時間の関係を示すグラフである。

【図６】本発明の金属被膜を作製する他の装置の構成
図である。

【図７〜１３】それぞれ従来技術の説明図である。

【図面の簡単な説明】【符号の説明】

１１，２１，３１，６１：基板、１２：透明電極、１
４：斜方蒸着膜（配向層）、１５：白金被膜（金属被
膜）、１６：ＦＬＣ、２２，３２，６２：ベルジャー、
２３：蒸着方向、２４：蒸着源、３３：イオンビーム
源、３４：イオンビーム、３５：ターゲット、６３：陰
極をかねたターゲット、６４：陽極、６５：直流電源。

【手続補正書】

【提出日】平成５年１１月２５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】光学変調素子

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【従来の技術】強誘電性液晶（ＦＬＣ）は、自発分極を
有する液晶として、その応答性、メモリ性等の利点が注
目され、表示素子、ライトバルブ等の用途のために積極
的に開発されている。上記利点を生かしたターゲットと
しては、光シャッタアレイ、単純マトリクス駆動による
高精細表示装置、光導電体と組み合わせた高密度記録の
ライトバルブ等が挙げられる。またさらに薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）等を用いたアクティブマトリクス駆動に
よる動画表示にも期待されている。液晶アクティブマト
リクス駆動とは、画素毎にマトリクス配置したＴＦＴに
ゲートオンパルスを印加してソースとドレイン間を導通
状態としたとき、映像画像信号をソースから印加するこ
とにより信号はキャパシタに蓄積され、この蓄積された
画像信号に対応して液晶（例えばツイストネマチック
（ＴＮ）液晶）を駆動するものである。この特性を用い
て映像信号の電圧を変調することによって階調表示を行
なっている。

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＮ液
晶あるいはＳＴＮ（スーパーツイステッド・ネマチッ
ク）液晶を用いたアクティブマトリクス駆動方式のテレ
ビジョンパネルでは応答速度が数百ミリ秒と遅く、今後
期待されるＥＤさらにはＨＤ対応のテレビ駆動に用いた
場合、残像が残る等の欠点が生じるという問題点があ
る。一方、双安定性を有する強誘電性液晶（ＦＬＣ）
は、数百μ秒と応答が速いので、このようなＦＬＣをテ
レビの階調駆動に用いる試みが最近なされはじめてい
る。その方式の一例としてＦＬＣの電荷制御駆動があ
る。これはＦＬＣのドメイン反転面積（ａ）と注入電荷
量（Ｑ）との間に

【数１】なる相関があることを利用したもので、ＦＬＣの各画素
ごとに反転面積に相当する電荷量を注入することで階調
表示を行なうというものである。上記電荷制御駆動は、
双安定性を持つＦＬＣを用いた階調表示には非常に有効
な手段であるが、同時にいくつかの欠点を有する。その
一つに、電圧−透過率特性におけるヒステリシス現象が
ある。以下その現象を図を用いて説明する。図７は、一
般に用いられるＦＬＣ素子の構成図である。図７におい
て、１１は基板、１２は透明導電層、１３は絶縁層、１
４は配向層、１６はＦＬＣ層である。図８は、ＦＬＣを
用いてアクティブマトリクス電荷制御駆動で階調表示を
行なう時の等価回路である。図中、Ｔ_１１，Ｔ_１２，Ｔ
_２１，Ｔ_２２はアクティブマトリクス駆動のスイッチン
グ素子に用いる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を示してい
る。ＬＣ_１１，ＬＣ_１２，ＬＣ_２１，ＬＣ_２２はそれぞ
れ薄膜トランジスタＴ_１１，Ｔ_１２，Ｔ_２１，Ｔ_２２の
ドレイン電極Ｄ_１１，Ｄ_１２，Ｄ_２１，Ｄ_２２と対向電
極８とによって挟持されたＦＬＣからなる画素である。
Ｃ_１１，Ｃ_１２，Ｃ_２１，Ｃ_２２はゲート線１ａ，１
ａ’とドレイン電極Ｄ_１１，Ｄ_１２，Ｄ_２１，Ｄ_２２と
によって形成される駆動信号電荷蓄積用のコンデンサを
示している。３は情報信号線である。上記回路を用いて
各画素に図９（ａ）のような駆動波形で１周期１６．７
ｍＳ（６０Ｈｚ）のリセットパルス９１と各階調に応じ
た書き込みパルス９２を印加すると、図９（ｂ）に示す
ような透過率（Ｔ）を生ずる。このときの９３で示す透
過率がほぼ９２の書き込みパルスに対応する透過率であ
る。このような駆動波形で書き込みパルス９２に対する
透過率９３をプロットしたものが上述した電圧−透過率
特性である。その一例を図１０に示す。図から明らかな
ように、電圧昇圧時１０４と降圧時１０５との間で透過
率の異なるいわゆるヒステリシス現象が認められる。上
記ヒステリシス現象を定性的に説明したのが図１１であ
る。図１１（ａ）は図１０の１０４に相当している。す
なわち、黒ドメインを減少させる方向に駆動する場合で
あり、“黒”のくせのついている部分を“白”に反転さ
せなければならない。同様に、図１１（ｂ）は図１０の
１０５に相当し、黒ドメインを増加させる方向で、
“白”のくせのついている部分を“黒”に反転させなけ
ればならない。以上に述べたように、図９（ａ）のよう
な駆動法で電荷制御方式により階調表示を行なう場合、
必然的に電圧−透過率特性にヒステリシス現象が生じ
る。さらに加えて、上記のようなアクティブマトリクス
駆動を行なった場合、駆動時の長時間にわたる直流電圧
成分の連続印加により、液晶の応答が阻害されるという
問題も生じる。この原因としては、上記直流成分によ
り、またＦＬＣ自身の自発分極により、液晶内部にイオ
ンの偏在が誘起され、これが電界を形成するためと考え
られる。図９（ａ）に示す駆動波形を印加した場合に生
ずる現象を図１２に示す。図１２より、くり返しパルス
印加により透過率が次第に減少する様子が明確にわか
る。図１２を用いてこの現象を説明する。図９（ａ）に
示す波形では液晶から見て幾何学的にはプラスの直流成
分が過剰に印加される。図１３は、この直流成分がどの
ように液晶に作用するかを示している。図１３におい
て、プラスの直流成分の印加により、絶縁層部１３と液
晶部分１６との間に電荷の蓄積が起こり、この電荷蓄積
成分による液晶分圧がマイナス方向となり、この結果、
次第に“白”書込みがされ難くなる。以上のようなヒス
テリシス現象や直流成分による不安定性はアクティブマ
トリクス方式で階調表示を行なう場合、画素表示電圧が
一義的に決められないため、非常に大きな問題となって
いる。本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもの
で、強誘電性液晶を用いた光学変調素子において、中間
調表示を行なう際の表示の不安定性やヒステリシスを排
除することを目的とする。

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、強誘電液晶と、該液晶を挟持する一対
の電極基板と、少なくとも一方の該電極と前記液晶との
間に該液晶を配向させるための配向膜とを有する光学変
調素子であって、前記配向膜の表面が、少なくとも一点
は該電極と接する金属被膜で覆われていることを特徴と
する。本発明の好ましい実施例において、前記配向膜
は、斜方蒸着で作製される。

【作用】本発明者らは、ＦＬＣの中間調表示において、
不安定性やヒステリシスが排除され、外部印加電圧に対
し再現性良く決定されるためには、液晶と配向膜界面付
近等に蓄積した電荷をキャンセルする必要があることを
見出した。本発明によれば、上述のように電極と液晶と
の間を導電的に構成したため、ＦＬＣ中間調表示におい
て問題となっていたイオンの偏在および電荷の蓄積をキ
ャンセルすることが可能となり、従来のポリイミドラビ
ング等の絶縁性配向膜のみを用いたものと比較してヒス
テリシスや不安定性を大幅に減少させた良好な光学変調
素子を提供することができる。

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。実施例１図１は本発明の一実施例に係る光学変調素子の構成図を
示す。図１において、１１はガラス基板、１２は透明電
極、１４は斜方蒸着膜、１５は金属被膜である白金被
膜、１６はＦＬＣである。透明電極１２は、ガラス上に
導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ電極）をスパッタ
成膜したものである。斜方蒸着膜１４は、この透明電極
１２上にＳｉＯを斜方蒸着したものである。実際に行な
った斜方蒸着の方法を図２に示す。図２において、２１
は電極つきの基板、２２はベルジャー、２３は蒸着方
向、２４は蒸着源を示す。蒸着物質としては一酸化ケイ
素（ＳｉＯ）を用い、蒸着にはチムニーるつぼによる抵
抗加熱法を用いた。蒸着角度θは８５度、蒸着速度は約
５Å／ｓｅｃ、膜厚は２０００Åとした。このように作
成したＳｉＯカラム表面に、さらにイオンビームスパッ
タ（ＩＢＳ）により白金被膜を作製した。実際に行なっ
たＩＢＳの方法を図３に示す。図３において、３１は基
板、３２はベルジャー、３３はイオンビーム源、３４は
イオンビーム、３５はターゲットである。スパッタ速度
は２Å／ｍｉｎ、膜厚は１０〜２０Åとした。以上のよ
うに形成した基板を２枚用意し、一方の基板にギャップ
剤として、１．５μｍφシリカビーズを分散し、２枚の
基板（上下基板）をその上に形成されたＳｉＯ斜方蒸着
膜の蒸着方向が反平行になるように貼り合わせてセルを
作成した。このようなセルに加熱して粘度を下げたＦＬ
Ｃを真空中で注入し、徐冷することにより良好な配向を
したＦＬＣ素子が得られた。この素子が双安定性および
メモリ効果をともに有することを確認した。さらに、印
加電圧−透過率特性を測定した。その結果を図４に従来
例の特性とともに示す。図４において、実線４１が本実
施例によるＦＬＣ素子の電圧−透過率特性であり、破線
４２で示す従来のポリイミド・ラビングセルと比較する
と、明らかにヒステリシスが減少していることがわか
る。図５は黒リセット後の放置時間を変化させた時の
“全白”書込み応答時間の相関を示す。図５において、
５１はＳｉＯ配向膜および白金被膜を用いた本実施例の
光学変調素子（ＦＬＣ素子）の応答特性（図４の４１に
対応）、５２はポリイミドラビング膜を用いた従来の光
学変調素子（図４の４２に対応）である。本実施例によ
れば、明らかに不安定性が解消していることがわかる。実施例２配向膜の材料として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いた他は実
施例１と同様の方法でＦＬＣ素子を形成し、評価を行な
った。その結果、良好なユニフォーム配向が得られ、双
安定性、メモリ性があることが確認できた。さらにヒス
テリシス、不安定性ともに、ポリイミドラビング膜を用
いた金属被膜の無い従来例と比較して大幅に改善されて
いることがわかった。実施例３金属被膜として金（Ａｕ）膜を直流スパッタ法により作
製した他は実施例１と同様の方法でＦＬＣ素子を形成
し、評価を行なった。実際に用いた作製方法を図６に示
す。図６において、６１は基板、６２はベルジャー、６
３は陰極をかねたターゲット、６４は陽極、６５は直流
電源である。スパッタ速度２Å／ｍｉｎ、膜厚２０Åと
し、素子を形成したところ、均一ユニフォーム配向が得
られた。また、双安定性、メモリ性も確認され、不安定
性、ヒステリシスも大幅に減少していることがわかっ
た。

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極−液
晶間を導電的にすることにより、ＦＬＣ中間調表示にお
いて問題となっていたイオンの偏在、電荷の蓄積をキャ
ンセルすることが可能となり、従来のポリイミドラビン
グ配向膜と比較して、ヒステリシス、不安定性が大幅に
減少することできる。したがって、本発明の光学変調素
子を用いることにより、高速応答性で高精細のフラット
ディスプレイが形成できるようになる。さらに本発明の
光学変調素子をカラーフィルタと組み合わせることによ
って、または本発明の光学変調素子を複数個使用するこ
とによって、高精細カラーテレビを構成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図７〜１３】それぞれ従来技術の説明図である。

【符号の説明】１１，２１，３１，６１：基板、１２：透明電極、１
４：斜方蒸着膜（配向層）、１５：白金被膜（金属被
膜）、１６：ＦＬＣ、２２，３２，６２：ベルジャ
ー、２３：蒸着方向、２４：蒸着源、３３：イオンビー
ム源、３４：イオンビーム、３５：ターゲット、６３：
陰極をかねたターゲット、６４：陽極、６５：直流電
源。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金子修三東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強誘電液晶と、該液晶を挟持する一対の
電極基板と、少なくとも一方の該電極と前記液晶との間
に該液晶を配向させるための配向膜とを有する光学変調
素子であって、前記配向膜の表面が、少なくとも一点は該電極と接する
金属被膜で覆われていることを特徴とする光学変調素
子。
【請求項２】前記配向膜が斜方蒸着で作製されたもの
であることを特徴とする請求項１記載の光学変調素子。