JPS60138075A - 無電解ニッケルめっき用イニシエタ水溶液及び再生方法 - Google Patents
無電解ニッケルめっき用イニシエタ水溶液及び再生方法Info
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- JPS60138075A JPS60138075A JP25554484A JP25554484A JPS60138075A JP S60138075 A JPS60138075 A JP S60138075A JP 25554484 A JP25554484 A JP 25554484A JP 25554484 A JP25554484 A JP 25554484A JP S60138075 A JPS60138075 A JP S60138075A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高分子プラスチック素地上の金属めっき膜に対
してひろく適用できるものであって、更に詳しくは銅及
び銅合金素地を処理してこれらを引き続く無電解ニッケ
ルめっきを受け易くするための改良イニシエタ溶液及び
その処理方法に関する。
してひろく適用できるものであって、更に詳しくは銅及
び銅合金素地を処理してこれらを引き続く無電解ニッケ
ルめっきを受け易くするための改良イニシエタ溶液及び
その処理方法に関する。
［従来技術］
無電解銅めっきに引き続いて無電解ニッケルめっきを行
なったものは、電気部品ハウジングのような高分子性素
地上の複合金属めっき皮膜として非常に有用であること
が判明しているが、その理由はかかる皮膜が提供するエ
レクトロマグネチック・インターフエアレンス（ＥＭＩ
）シールディング性が優れているからである。かかる高
分子性素地上に被覆された約２０〜約４０マイクロイン
チ（０，５０８〜１．０１μ）の無電解銅皮膜は必要と
されるＥＭＩシールディング性を提供し、かつ引き続く
無電解ニッケルめっき膜は改良された耐食性と改良され
た装飾的外観を提供する。
なったものは、電気部品ハウジングのような高分子性素
地上の複合金属めっき皮膜として非常に有用であること
が判明しているが、その理由はかかる皮膜が提供するエ
レクトロマグネチック・インターフエアレンス（ＥＭＩ
）シールディング性が優れているからである。かかる高
分子性素地上に被覆された約２０〜約４０マイクロイン
チ（０，５０８〜１．０１μ）の無電解銅皮膜は必要と
されるＥＭＩシールディング性を提供し、かつ引き続く
無電解ニッケルめっき膜は改良された耐食性と改良され
た装飾的外観を提供する。
銅又は銅合金素地上に均一な無電解ニッケルめっき膜を
生成させるに際しての相変わらぬ問題点は、採用した無
電解ニッケルめっき方法のそのときのタイプによっては
結果の予測が不可能なことである。一般に、無電解ニッ
ケルめっき方法は高温（１７５”〜２１２下、７９〜１
００℃）酸性力と低温（７５°〜１６０°Ｆ、２４〜７
１℃）アルカリ性法とに類別することができる。ニッケ
ル皮膜の生成開始は低温アルカリ性無電解ニッケル法よ
りも高温酸性無電解ニッケル法のほうがはるかに速く生
起する。低温法の場合には３０分以上かかり、工業的に
は適さない。以下に記載のイニシエション時間なる用語
は銅素地が浴中に浸漬されてからニッケルめっきが始ま
るまでの期間と定義される。該イニシエション時間を短
縮するために、近年では三通りの方法が採用されていて
、これによって銅及び銅合金表面上に無電解ニッケルめ
っきを可成り迅速に生成せしめることができるが、これ
らには最初にニッケルのストライクめっきを行なう方法
、銅素地を還元剤と接触させる直接還元方法並びに金も
しくはパラジウムのような貴金属イオンを含有する水溶
液を用いて化学的置換によって銅素地上に触媒的な還元
サイトを析出させてやるカソードセル方法が包含される
。これらのなかで、カソードセル方法が技術的に優れて
いると考えられ、容量の大きな生産設備には好適である
。
生成させるに際しての相変わらぬ問題点は、採用した無
電解ニッケルめっき方法のそのときのタイプによっては
結果の予測が不可能なことである。一般に、無電解ニッ
ケルめっき方法は高温（１７５”〜２１２下、７９〜１
００℃）酸性力と低温（７５°〜１６０°Ｆ、２４〜７
１℃）アルカリ性法とに類別することができる。ニッケ
ル皮膜の生成開始は低温アルカリ性無電解ニッケル法よ
りも高温酸性無電解ニッケル法のほうがはるかに速く生
起する。低温法の場合には３０分以上かかり、工業的に
は適さない。以下に記載のイニシエション時間なる用語
は銅素地が浴中に浸漬されてからニッケルめっきが始ま
るまでの期間と定義される。該イニシエション時間を短
縮するために、近年では三通りの方法が採用されていて
、これによって銅及び銅合金表面上に無電解ニッケルめ
っきを可成り迅速に生成せしめることができるが、これ
らには最初にニッケルのストライクめっきを行なう方法
、銅素地を還元剤と接触させる直接還元方法並びに金も
しくはパラジウムのような貴金属イオンを含有する水溶
液を用いて化学的置換によって銅素地上に触媒的な還元
サイトを析出させてやるカソードセル方法が包含される
。これらのなかで、カソードセル方法が技術的に優れて
いると考えられ、容量の大きな生産設備には好適である
。
従来公知のカソードセルイニシエタ技術によれば、水溶
液中には貴金属、特にパラジウムが用いられ、予め無電
解銅めっきされた素地がこの中に一定時間、浸漬される
。しかし、激しく使用するとわずか数日間でかかるパラ
ジウム含有イニシエタ溶液は効力を失なって廃棄又は取
り替えなければならなくなる。このイニシエタ溶液中に
は比較的低濃度のパラジウムが含まれているので、かか
る廃棄液中から高価なパラジウム成分を回収することは
現在のところ経済的ではない。かかる使用済みイニシエ
タ溶液を廃棄するのに伴う費用と処理問題に加えて、使
用中にかかる溶液が次第に劣化するという問題があって
、これもまた被めっき素地の挙動を誤って理解したり予
測不能にして均一なニッケル皮膜の達成を困難にするの
である。
液中には貴金属、特にパラジウムが用いられ、予め無電
解銅めっきされた素地がこの中に一定時間、浸漬される
。しかし、激しく使用するとわずか数日間でかかるパラ
ジウム含有イニシエタ溶液は効力を失なって廃棄又は取
り替えなければならなくなる。このイニシエタ溶液中に
は比較的低濃度のパラジウムが含まれているので、かか
る廃棄液中から高価なパラジウム成分を回収することは
現在のところ経済的ではない。かかる使用済みイニシエ
タ溶液を廃棄するのに伴う費用と処理問題に加えて、使
用中にかかる溶液が次第に劣化するという問題があって
、これもまた被めっき素地の挙動を誤って理解したり予
測不能にして均一なニッケル皮膜の達成を困難にするの
である。
本発明はこれらの諸問題を克服し、かつ公知の貴金属イ
ニシエタ溶液に伴う不利な経済性を克服するものであっ
て、特に有機金属イオン錯化剤による汚染が進行したた
めに効力を減じたか、もしくは効力を失なっているよう
なイニシエタ溶液を再生する方法並びにかかるイニシエ
タ溶液の安定で効果的な操業寿命の延長を提供しつる組
成物を提供するものである。
ニシエタ溶液に伴う不利な経済性を克服するものであっ
て、特に有機金属イオン錯化剤による汚染が進行したた
めに効力を減じたか、もしくは効力を失なっているよう
なイニシエタ溶液を再生する方法並びにかかるイニシエ
タ溶液の安定で効果的な操業寿命の延長を提供しつる組
成物を提供するものである。
［発明の要約］
かかるイニシエタ溶液が急速に劣化し、かつその効果が
消失することは、前処理用溶液の持ち込みによる汚染の
進行及び高分子素地用の無電解銅めっき浴中に存在する
右ｍ錯化剤の持ち込みによる汚染の進行に少なくとも一
部の原因があることが判ってきた。電気部品用のハウジ
ングを包含するかかる高分子性素地の形状は複雑なもの
が多いので、工業的な見地からすればかかる持ち込みを
排除することは不可能に近い。実験によれば０．３容認
％だけの典型的鋼めっき溶液でさえもパラジウムイニシ
エタ溶液を無効にしてしまい、次の無電解ニッケルめっ
き浴中で工業的に容認しうるような時間以内にニッケル
皮膜を生成しはじめることができなくなる。
消失することは、前処理用溶液の持ち込みによる汚染の
進行及び高分子素地用の無電解銅めっき浴中に存在する
右ｍ錯化剤の持ち込みによる汚染の進行に少なくとも一
部の原因があることが判ってきた。電気部品用のハウジ
ングを包含するかかる高分子性素地の形状は複雑なもの
が多いので、工業的な見地からすればかかる持ち込みを
排除することは不可能に近い。実験によれば０．３容認
％だけの典型的鋼めっき溶液でさえもパラジウムイニシ
エタ溶液を無効にしてしまい、次の無電解ニッケルめっ
き浴中で工業的に容認しうるような時間以内にニッケル
皮膜を生成しはじめることができなくなる。
さらに、パラジウムイニシエタ溶液のようなイニシエタ
溶液の劣化と効力の消失は、パラジウム金属を含むパラ
ジウム化合物が沈殿して、次の無電解ニッケルめっき浴
中でニッケル皮膜を生成せしめつる該溶液の能力を減少
させるか、又は操業を全く不可能にしてしまうことにも
原因があることが判った。
溶液の劣化と効力の消失は、パラジウム金属を含むパラ
ジウム化合物が沈殿して、次の無電解ニッケルめっき浴
中でニッケル皮膜を生成せしめつる該溶液の能力を減少
させるか、又は操業を全く不可能にしてしまうことにも
原因があることが判った。
したがって、本発明の方法に関する提案による利益と有
利性には、前段における無電解銅めっき溶液からの有機
鉛化剤による汚染によって効力を失なったために次の無
電解ニッケルめっき工程において銅めっき素地上にニッ
ケルめっきが生成しなくなったような貴金属含有イニシ
エタ水溶液の再生方法が包含されている。該方法によれ
ば、浴可溶性・相溶性第２鉄イオンを該無効イニシエタ
溶液中に十分な量だけ加えることによって効果的な操業
性が達成されて該イニシエタ溶液を再生することができ
るものであつて、該鉄イオンの星は一般には約１０１１
１／Ｊ〜約５び／ｊｌである。
利性には、前段における無電解銅めっき溶液からの有機
鉛化剤による汚染によって効力を失なったために次の無
電解ニッケルめっき工程において銅めっき素地上にニッ
ケルめっきが生成しなくなったような貴金属含有イニシ
エタ水溶液の再生方法が包含されている。該方法によれ
ば、浴可溶性・相溶性第２鉄イオンを該無効イニシエタ
溶液中に十分な量だけ加えることによって効果的な操業
性が達成されて該イニシエタ溶液を再生することができ
るものであつて、該鉄イオンの星は一般には約１０１１
１／Ｊ〜約５び／ｊｌである。
本発明のさらにその他の方法に関する提案によれば、か
かるイニシエタ水溶液の安定性と有用な操業寿命の実質
的延長は、一定制御ｌ量の第２鉄イオンを予め有機金属
イオン錯化物及び貴金属イオンの沈殿によって著しく汚
染されているイニシエタ溶液中に加えることによって、
浸漬された銅及び銅合金素地と反応しうるような貴金属
イオンを該イニシエタ溶液中に維持させて、引き続く無
電解ニッケルめっき工程中で迅速かつ予測しうる状態で
の均一なニッケル皮膜を確保するようになすことによっ
て達成することができる。
かるイニシエタ水溶液の安定性と有用な操業寿命の実質
的延長は、一定制御ｌ量の第２鉄イオンを予め有機金属
イオン錯化物及び貴金属イオンの沈殿によって著しく汚
染されているイニシエタ溶液中に加えることによって、
浸漬された銅及び銅合金素地と反応しうるような貴金属
イオンを該イニシエタ溶液中に維持させて、引き続く無
電解ニッケルめっき工程中で迅速かつ予測しうる状態で
の均一なニッケル皮膜を確保するようになすことによっ
て達成することができる。
本発明の組成物に関する提案によれば、前処理後に素地
上に迅速な無電解ニッケル皮膜の生成を開始せしめるの
に十分な量で存在する一定制御ｍの貴金属イオンを、汚
染有機金属イオンキレート化剤と第２鉄イオンの有効量
との組み合わせにおいて含有する改良されたイニシエタ
水溶液が提供される。第２鉄イオンは約４０〜約５００
Ｒｇ／ｌの量で含まれる。
上に迅速な無電解ニッケル皮膜の生成を開始せしめるの
に十分な量で存在する一定制御ｍの貴金属イオンを、汚
染有機金属イオンキレート化剤と第２鉄イオンの有効量
との組み合わせにおいて含有する改良されたイニシエタ
水溶液が提供される。第２鉄イオンは約４０〜約５００
Ｒｇ／ｌの量で含まれる。
［好ましい実施態様の説明］
本発明の組成物と方法は、アクリロニトリル−ブタジェ
ン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂、ボリアリールエーテル樹
脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、ナイロン又はその他を包含するめつき可
能なプラスチック及び高分子性プラスチックから成る高
分子性素地上に銅とニッケルとから成る複合無電解めっ
きを施す際に特に有用である。通常、採用される前処理
工程には表面フィルムもしくは汚染物質除去の目的での
清浄もしくは一連の清浄工程が包含され、次いで所望の
表面粗さもしくは模様を作るために６価クロム溶液を用
いた酸性水溶液によるエツチング工程にかけて素地とそ
の上に施される金属めっき間の機械的密着を強化するよ
うにする。該エツチング済み素地は一回又は数回の水す
すぎに処して素地上にあるいっさいの残留６価クロムイ
オンを抽出・除去するが、この際にはすべての残留６価
クロムを３価状態に実質的に還元するための還元剤を伴
った中和工程をも包含させることもまた可能である。水
すすぎしたエツチング済み素地は、次いでスズ−パラジ
ウム錯化剤を含む酸性水溶液中で活性化処理を脆して素
地面上に活性点を形成させてから一回又は数回水すすぎ
し、次いで該活性化済み表面を水溶液中で促進化処理に
かけて表面上の残留スズ成分又はスズ化合物のすべてを
抽出する。促進化処理済みのプラスチック部品は再度水
すすぎし、次いで、無電解めっきして全面又は部分的表
面上に銅めっきを施してから、該銅めっき済み素地を水
すすぎしてから、無電解ニッケルめっき工程にさき立っ
て活性剤処理を行なう。
ン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂、ボリアリールエーテル樹
脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリスチレン、ポリ
カーボネート、ナイロン又はその他を包含するめつき可
能なプラスチック及び高分子性プラスチックから成る高
分子性素地上に銅とニッケルとから成る複合無電解めっ
きを施す際に特に有用である。通常、採用される前処理
工程には表面フィルムもしくは汚染物質除去の目的での
清浄もしくは一連の清浄工程が包含され、次いで所望の
表面粗さもしくは模様を作るために６価クロム溶液を用
いた酸性水溶液によるエツチング工程にかけて素地とそ
の上に施される金属めっき間の機械的密着を強化するよ
うにする。該エツチング済み素地は一回又は数回の水す
すぎに処して素地上にあるいっさいの残留６価クロムイ
オンを抽出・除去するが、この際にはすべての残留６価
クロムを３価状態に実質的に還元するための還元剤を伴
った中和工程をも包含させることもまた可能である。水
すすぎしたエツチング済み素地は、次いでスズ−パラジ
ウム錯化剤を含む酸性水溶液中で活性化処理を脆して素
地面上に活性点を形成させてから一回又は数回水すすぎ
し、次いで該活性化済み表面を水溶液中で促進化処理に
かけて表面上の残留スズ成分又はスズ化合物のすべてを
抽出する。促進化処理済みのプラスチック部品は再度水
すすぎし、次いで、無電解めっきして全面又は部分的表
面上に銅めっきを施してから、該銅めっき済み素地を水
すすぎしてから、無電解ニッケルめっき工程にさき立っ
て活性剤処理を行なう。
プラスチック性素地を前処理するめつき方法の典型例は
米国特許第３，６２２，３７０号公号公報用３．９６１
，１０９号公報二同第３，９６２゜４９７号公報及び同
第４，２０４，０１３号公報に開示がある。米国特許第
３、９６２．４９７号公報は典型的な中和処理工程を開
示し、同第３，０１１，９２０号及び同第３，５３２，
５１８号公報には典型的な一段活性化処理法が開示され
ている。
米国特許第３，６２２，３７０号公号公報用３．９６１
，１０９号公報二同第３，９６２゜４９７号公報及び同
第４，２０４，０１３号公報に開示がある。米国特許第
３、９６２．４９７号公報は典型的な中和処理工程を開
示し、同第３，０１１，９２０号及び同第３，５３２，
５１８号公報には典型的な一段活性化処理法が開示され
ている。
米国特許第４，２０４，０１３号は高分子性素地のエツ
チング、中和、活性化及び無電解銅めっき用の典型的な
組成物を開示している。かかる無電解銅めっき溶液は銅
イオンを溶液中に維持するのに十分な量の有機錯化剤を
含有している。かかる錯化剤の典型例はエチレンジアミ
ンテトラアセチックアシド（ＥＤＴＡ）、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレ
ンジアミンその他である。
チング、中和、活性化及び無電解銅めっき用の典型的な
組成物を開示している。かかる無電解銅めっき溶液は銅
イオンを溶液中に維持するのに十分な量の有機錯化剤を
含有している。かかる錯化剤の典型例はエチレンジアミ
ンテトラアセチックアシド（ＥＤＴＡ）、Ｎ、Ｎ、Ｎ’
、Ｎ’テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレ
ンジアミンその他である。
本発明の組成物についての提案による酸性水溶液は、通
常約１以下のＩ）Ｈを与えるｍの水素イオンを含んでい
る。該溶液の酸性化は各種の酸性物質、なかでも鉱酸、
特に好ましくは塩化水素酸を用いて行なうことができる
。該活性化溶液はさらに金、白金、パラジウム及びこれ
らの混合物のような貴金属イオンを含有しているが、か
なでもパラジウム自体が好ましい。該貴金属イオンの濃
度は一般には約０．５η／ｊ！〜約１００■／ＩＩ及び
これ以上に及ぶ。一般に濃度が高い程、経済性が悪化し
、かつ約１００４／Ｉｔ以上の濃度ではこれより低濃度
の場合に比べて格別の利益が得られない。特に満足でき
る結果は、貴金属イオン濃度が約５〜約５０■／１範囲
に制御されたときに得られる。
常約１以下のＩ）Ｈを与えるｍの水素イオンを含んでい
る。該溶液の酸性化は各種の酸性物質、なかでも鉱酸、
特に好ましくは塩化水素酸を用いて行なうことができる
。該活性化溶液はさらに金、白金、パラジウム及びこれ
らの混合物のような貴金属イオンを含有しているが、か
なでもパラジウム自体が好ましい。該貴金属イオンの濃
度は一般には約０．５η／ｊ！〜約１００■／ＩＩ及び
これ以上に及ぶ。一般に濃度が高い程、経済性が悪化し
、かつ約１００４／Ｉｔ以上の濃度ではこれより低濃度
の場合に比べて格別の利益が得られない。特に満足でき
る結果は、貴金属イオン濃度が約５〜約５０■／１範囲
に制御されたときに得られる。
銅もしくは銅合金素地は、通常約室温ないし約１００下
（３８℃）に制御された活性化水溶液中に約１０秒ない
し約５分又はそれ以上浸漬して接触される。高容口での
典型的工業的操作においては浸漬時間が約１５秒ないし
約２分であれば次の無電解ニッケルめっき工程に対する
前処理として満足な結果が得られる。該活性化溶液中で
の銅又は銅合金の前処理は、機械かくはん、カソード棒
かくはん及び好ましくは空気かくはんしながら行なうの
が好ましく、かくすると溶液中の第２鉄イオンの存在下
で活性剤浴中に形成される貴金属の沈殿を再溶解させる
のに著しく有効であることが利用した。
（３８℃）に制御された活性化水溶液中に約１０秒ない
し約５分又はそれ以上浸漬して接触される。高容口での
典型的工業的操作においては浸漬時間が約１５秒ないし
約２分であれば次の無電解ニッケルめっき工程に対する
前処理として満足な結果が得られる。該活性化溶液中で
の銅又は銅合金の前処理は、機械かくはん、カソード棒
かくはん及び好ましくは空気かくはんしながら行なうの
が好ましく、かくすると溶液中の第２鉄イオンの存在下
で活性剤浴中に形成される貴金属の沈殿を再溶解させる
のに著しく有効であることが利用した。
前記成分に加えて、該酸性イニシエタ溶液は、さらに一
定制御量で有効量の第２鉄イオンを含んでおり、その量
は長Ｗ１１ＩｌＩに亘って該イニシエタ溶液の操業効率
を維持・安定させると同時に汚染錯化剤の存在及び／又
は貴金属イオンの沈殿によりて効力が低下しているイニ
シエタ溶液を再生しうるのに有効な量である。約１０１
１９／ｆＪのような低濃度の第２鉄イオンでも効果があ
るが、一方でこれより実質的に高濃度もまた使用でき、
その上限は第２鉄イオンによる過剰な酸化浸漬の結果、
銅素地上のめっきがはげる程の過剰なエツチングが生起
する濃度水準以下である。そのときの第２鉄イオンの最
高濃度はイニシエションサイクル時間、イニシエタ溶液
の温度及びその酸性度を考慮のうえ変更できる。高温は
ど処理時間に長く、ｐ ｌ−１が低いほど第２鉄イオン
ｍｉを低減する必要がある。
定制御量で有効量の第２鉄イオンを含んでおり、その量
は長Ｗ１１ＩｌＩに亘って該イニシエタ溶液の操業効率
を維持・安定させると同時に汚染錯化剤の存在及び／又
は貴金属イオンの沈殿によりて効力が低下しているイニ
シエタ溶液を再生しうるのに有効な量である。約１０１
１９／ｆＪのような低濃度の第２鉄イオンでも効果があ
るが、一方でこれより実質的に高濃度もまた使用でき、
その上限は第２鉄イオンによる過剰な酸化浸漬の結果、
銅素地上のめっきがはげる程の過剰なエツチングが生起
する濃度水準以下である。そのときの第２鉄イオンの最
高濃度はイニシエションサイクル時間、イニシエタ溶液
の温度及びその酸性度を考慮のうえ変更できる。高温は
ど処理時間に長く、ｐ ｌ−１が低いほど第２鉄イオン
ｍｉを低減する必要がある。
一般に、第２鉄イオン濃度は約１０１１！Ｉ／ｆｌ〜約
５ｇ／ｌ、好ましくは約４０４／ｊ〜約５００ｊ！！ｉ
！／１の範囲以内に制御する。
５ｇ／ｌ、好ましくは約４０４／ｊ〜約５００ｊ！！ｉ
！／１の範囲以内に制御する。
第２鉄イオンは浴可溶性・相溶性の第２鉄塩を添加する
か、又は鉄粉及び／又は第１鉄塩もしくは第１鉄化合物
を添加して種々の酸化剤を用いて第３鉄の状態にこれら
をその場で酸化することによってイニシエタ溶液中に導
入するが、この場合浴中に空気もしくは酸素を吹き込む
ことが好ましい。
か、又は鉄粉及び／又は第１鉄塩もしくは第１鉄化合物
を添加して種々の酸化剤を用いて第３鉄の状態にこれら
をその場で酸化することによってイニシエタ溶液中に導
入するが、この場合浴中に空気もしくは酸素を吹き込む
ことが好ましい。
新鮮なイニシエタ溶液の調製に際しては、第２鉄イオン
濃度を前記の範囲に制御するのであるが該溶液の使用中
、その安定性と有効性とを維持するために低濃度から高
濃度に向って増加させてやることが好ましい。汚染錯化
剤の存在によるか及び／又は貴金属成分が沈殿してしま
ったために効力を失なっているようなイニシエタ溶液の
再生方法においては、かくはん下で徐々に第２鉄イオン
を添加して約１〜２時間以内で該溶液の活性を回復させ
ることが好ましい。貴金属イオンが沈殿したことが第一
の理由で効力が減少しているようなイニシエタ溶液の場
合には、空気かくはん下で第２鉄イオンを導入して酸化
性雰囲気とすることによって液中のパラジウムのような
貴金属を再溶解させるのが好ましく、かくすることによ
り次の段階である無電解ニッケルめっき工程にさき立っ
ての銅素地の前処理が効果的にできる。
濃度を前記の範囲に制御するのであるが該溶液の使用中
、その安定性と有効性とを維持するために低濃度から高
濃度に向って増加させてやることが好ましい。汚染錯化
剤の存在によるか及び／又は貴金属成分が沈殿してしま
ったために効力を失なっているようなイニシエタ溶液の
再生方法においては、かくはん下で徐々に第２鉄イオン
を添加して約１〜２時間以内で該溶液の活性を回復させ
ることが好ましい。貴金属イオンが沈殿したことが第一
の理由で効力が減少しているようなイニシエタ溶液の場
合には、空気かくはん下で第２鉄イオンを導入して酸化
性雰囲気とすることによって液中のパラジウムのような
貴金属を再溶解させるのが好ましく、かくすることによ
り次の段階である無電解ニッケルめっき工程にさき立っ
ての銅素地の前処理が効果的にできる。
［実施例］
本発明の組成物と方法とをさらに詳述するために、次い
で実施例を述べる。これらの実施例は単に説明の目的の
ためであるから前記の特許請求の範囲に記載され、ここ
に開示された本発明の範囲を制約するものではない。
で実施例を述べる。これらの実施例は単に説明の目的の
ためであるから前記の特許請求の範囲に記載され、ここ
に開示された本発明の範囲を制約するものではない。
胤致貝−」
表面サイズが約３インチＸ約４インチ
（７，６ｘ１０．１α）、厚さ１／１ｏインチ（０、２
５４ａｍ ） ｒ Ｐ Ｇ ２９８ Ｊ （Ｍ ｏｎｓ
ａｎｔ。
５４ａｍ ） ｒ Ｐ Ｇ ２９８ Ｊ （Ｍ ｏｎｓ
ａｎｔ。
Ｑｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｌ１ｐａｎｙ、商品名）から成
る一連のＡＢＳ樹脂製パネルを通常の予備処理である清
浄化、水すすぎ及び酸性水溶液中でのエツチング処理に
かけた。エツチング液は３５６ｇ／ｌのクロム酸、４１
２ｇ／４１の硫酸及びｒＦＣ−９，８Ｊ（Ｍ １ｎｎｅ
ｓｏｔａ Ｍ １ｎｉｎａ ＆ Ｍ ａｎｕｆａｃｔｕ
ｒｉｎ。
る一連のＡＢＳ樹脂製パネルを通常の予備処理である清
浄化、水すすぎ及び酸性水溶液中でのエツチング処理に
かけた。エツチング液は３５６ｇ／ｌのクロム酸、４１
２ｇ／４１の硫酸及びｒＦＣ−９，８Ｊ（Ｍ １ｎｎｅ
ｓｏｔａ Ｍ １ｎｉｎａ ＆ Ｍ ａｎｕｆａｃｔｕ
ｒｉｎ。
Ｑ ０１ｌｐａｎｙ、商品名）として市販のパーフルオ
ロ湿潤剤０．２ｇ／ｌを含んでおり、液温↓ま１４０下
（６０℃）、処理時間は５分であった。次いで７０”Ｆ
（２１℃）で１分間、水すすぎしてから１８９／４１の
塩化水素酸と３ｇ／ｌのヒドロキシルアミン硫酸塩を含
む水溶液を用いて１２０下（４９℃）、５分間、中和処
理した。次いで該中和試験パネルを７０下（２１℃）で
１分間、水すすぎした後、０．７７ｇ／Ｊのパラジウム
、９ｇ／ｌの塩化第１スズ、３５．２ｇ／ｊの塩化水素
酸及び１９２５Ｆ／ＩＩの塩化ナトリウムを含む酸性水
溶液を用いて１１０下（４３℃）において５分間、活性
化処理を行なった。活性化後、該試験パネルを７０下（
２１℃）にて１分間、水づ“ずぎし、次いでフッ化ホウ
素酸の５容量％水溶液を用いて７５下（２４℃）で１分
間、促進化処理し、次いで７０下（２１℃）で１分間、
水すすぎを行なった。
ロ湿潤剤０．２ｇ／ｌを含んでおり、液温↓ま１４０下
（６０℃）、処理時間は５分であった。次いで７０”Ｆ
（２１℃）で１分間、水すすぎしてから１８９／４１の
塩化水素酸と３ｇ／ｌのヒドロキシルアミン硫酸塩を含
む水溶液を用いて１２０下（４９℃）、５分間、中和処
理した。次いで該中和試験パネルを７０下（２１℃）で
１分間、水すすぎした後、０．７７ｇ／Ｊのパラジウム
、９ｇ／ｌの塩化第１スズ、３５．２ｇ／ｊの塩化水素
酸及び１９２５Ｆ／ＩＩの塩化ナトリウムを含む酸性水
溶液を用いて１１０下（４３℃）において５分間、活性
化処理を行なった。活性化後、該試験パネルを７０下（
２１℃）にて１分間、水づ“ずぎし、次いでフッ化ホウ
素酸の５容量％水溶液を用いて７５下（２４℃）で１分
間、促進化処理し、次いで７０下（２１℃）で１分間、
水すすぎを行なった。
次いで前処理したパネルを、４０ｙ／ＩＩのＥＤＴＡテ
トラナトリウム塩、４．２９／ｆＪの塩化第２銅、３９
／ｆｌのホルムアルデヒド及びｌ）Ｈ約１２．３にする
ための水酸化ナトリウムを含む無電解銅めっきにかけた
。浴２１１４０下（６０℃）、めっき時間、１０分であ
った。約４５マイクロインチ（１，１４３μ）の銅が析
出した。次いで該銅めっき済み試験パネルを７０下（２
１℃）にて１分間、水すすぎし、５０１ｔｌ／１の塩化
パラジウム及び１容量％の塩化水素酸を含むイニシエタ
溶液中に浸漬した。次いで７０下（２１℃）にて１分間
、水すすぎした。
トラナトリウム塩、４．２９／ｆＪの塩化第２銅、３９
／ｆｌのホルムアルデヒド及びｌ）Ｈ約１２．３にする
ための水酸化ナトリウムを含む無電解銅めっきにかけた
。浴２１１４０下（６０℃）、めっき時間、１０分であ
った。約４５マイクロインチ（１，１４３μ）の銅が析
出した。次いで該銅めっき済み試験パネルを７０下（２
１℃）にて１分間、水すすぎし、５０１ｔｌ／１の塩化
パラジウム及び１容量％の塩化水素酸を含むイニシエタ
溶液中に浸漬した。次いで７０下（２１℃）にて１分間
、水すすぎした。
次いで生成した試験パネルを、１２ｇ／ｊＩの塩化ニッ
ケル・６水和物、１８ｙ／Ｊの次亜リン酸ナトリウム塩
及び２３ｇ／Ａのクエン酸を含む浴中で８５下（２９℃
）、２分間、無電解ニッケルめっきを施した。
ケル・６水和物、１８ｙ／Ｊの次亜リン酸ナトリウム塩
及び２３ｇ／Ａのクエン酸を含む浴中で８５下（２９℃
）、２分間、無電解ニッケルめっきを施した。
イニシエション時間は無電解ニッケルめっき浴中に試験
片を浸漬してからニッケルの析出が起こるまで約１５〜
２０秒であった。８５下（２９℃）、２分間の無電解め
っき後、約２マイクロインチ（０，０５１μ）のニッケ
ルめっきが析出した。
片を浸漬してからニッケルの析出が起こるまで約１５〜
２０秒であった。８５下（２９℃）、２分間の無電解め
っき後、約２マイクロインチ（０，０５１μ）のニッケ
ルめっきが析出した。
止１
通常の商業運転に際して起こる汚染をシュミレートする
ために、該パラジウムイニシエタ溶液に人為的に１３０
Ｎ１１／ＩのＥ［）ＴＡテトラナトリウム塩を添加した
以外は、実施例１に記載の操作に従って試験パネルの第
２の群を予備処理及び無電解銅及びニッケルめっきした
。該試験パネルを無電解ニッケル溶液中に浸漬したとき
、ニッケルの析出までのイニシエション時間は約２５秒
であった。
ために、該パラジウムイニシエタ溶液に人為的に１３０
Ｎ１１／ＩのＥ［）ＴＡテトラナトリウム塩を添加した
以外は、実施例１に記載の操作に従って試験パネルの第
２の群を予備処理及び無電解銅及びニッケルめっきした
。該試験パネルを無電解ニッケル溶液中に浸漬したとき
、ニッケルの析出までのイニシエション時間は約２５秒
であった。
里ｍ一旦
１７０μｗ／ｊのＥＤＴＡテトラナトリウム塩を該パラ
ジウムイニシエタ溶液中に人為的に添加した以外は実施
例１に記載のような予備めっき処理、無電解銅及びニッ
ケルめっき操作に従って試験パネルの第３の群を処理し
た。次いでパネルを無電解ニッケルめっき浴に浸漬した
が２分間経過しても試験パネル上にはなんらのニッケル
めっきも生じなかった。このことはパラジウムイニシエ
タ溶液中に存在する汚染性錯化剤の致命的影響を示して
いる。
ジウムイニシエタ溶液中に人為的に添加した以外は実施
例１に記載のような予備めっき処理、無電解銅及びニッ
ケルめっき操作に従って試験パネルの第３の群を処理し
た。次いでパネルを無電解ニッケルめっき浴に浸漬した
が２分間経過しても試験パネル上にはなんらのニッケル
めっきも生じなかった。このことはパラジウムイニシエ
タ溶液中に存在する汚染性錯化剤の致命的影響を示して
いる。
衷ＪＬＬ−ユ
１７０１Ｒ９／ｆｌのＥＤＴＡテトラナトリウム塩、１
７０１９／ｊ１の塩化第２鉄・６水和物をイニシエタ溶
液中に添加した以外は比較例３に記載の操作に従って第
４の群の試験片を処理した。このＡＢＳ試験パネルは無
電解ニッケルめつ゛き溶液中に浸漬した際に、ニッケル
が表面に析出するまで約２５秒のイニシエション時間で
あった。この例は過剰の錯化剤が存在すあために減損し
ているイニシエタ溶液の金属イオンを添加することによ
って再生されたことを示している。
７０１９／ｊ１の塩化第２鉄・６水和物をイニシエタ溶
液中に添加した以外は比較例３に記載の操作に従って第
４の群の試験片を処理した。このＡＢＳ試験パネルは無
電解ニッケルめつ゛き溶液中に浸漬した際に、ニッケル
が表面に析出するまで約２５秒のイニシエション時間で
あった。この例は過剰の錯化剤が存在すあために減損し
ているイニシエタ溶液の金属イオンを添加することによ
って再生されたことを示している。
友直亘−ユ
イニシエタ溶液中のＥＤＴＡテトラナトリウム塩錯化剤
の濃度を、塩化第２鉄・６水和物の存在下で１７０Ｍ！
／Ｊから５１０ｊｌｌＦ／Ｊに増加した以外は実施例１
に記載と同じ操作と溶液を用いて第５の試験パネル群を
処理した。
の濃度を、塩化第２鉄・６水和物の存在下で１７０Ｍ！
／Ｊから５１０ｊｌｌＦ／Ｊに増加した以外は実施例１
に記載と同じ操作と溶液を用いて第５の試験パネル群を
処理した。
無電解ニッケルめっき溶液中に試験パネルを浸漬した際
、パネル上にニッケル膜が析出し始めるのに約３５秒の
イニシエション時間を要した。
、パネル上にニッケル膜が析出し始めるのに約３５秒の
イニシエション時間を要した。
友直員−１
５１０■／１のＥＤＴＡテトラナトリウム塩銘化剤の存
在下、第２塩化鉄・６水和物の濃度をイニシエタ溶液中
で１７０噌／１から３００１１９／ＩＩに増加した以外
は、実施例２に記載したと同じ組成と同じ操作に従って
第６の試験パネル群を処理した。無電解ニッケルめっき
溶液中に該試験パネルを浸漬した際に、パネル上にニッ
ケル膜が生成しはじめるのにわずか約２０秒を要するの
みであった。
在下、第２塩化鉄・６水和物の濃度をイニシエタ溶液中
で１７０噌／１から３００１１９／ＩＩに増加した以外
は、実施例２に記載したと同じ組成と同じ操作に従って
第６の試験パネル群を処理した。無電解ニッケルめっき
溶液中に該試験パネルを浸漬した際に、パネル上にニッ
ケル膜が生成しはじめるのにわずか約２０秒を要するの
みであった。
Claims (20)
- （１） 前段の無電解銅めっき溶液からの錯化剤の持ち
込みによって効力を消失している貴金属含有イニシエタ
水溶液を再生して、咳液と接触している銅めっき素地上
に無電解ニッケルめっきが施され易くするための方法に
おいて、該汚染イニシ工タ溶液中に第２鉄イオンを十分
量だけ添加して該イニシエタ溶ｉを再生せしめて有効果
的な操業を可能ならしめるための改良方法。 - （２） 該第２鉄イオンが少なくとも約１０■／１の量
で存在することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の方法。 - （３） 銅素地の過剰なエツチングが起こる思よりも低
いｍ＊で該第２鉄イオンが存在することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （４） 該第２鉄イオンが５９／ｊｌｊＸ下の量で存在
することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方
法。 - （５） 該第２鉄イオンが約４０〜５００Ｉ＃ｇ／ＩＩ
の口で存在することを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の方法。 - （６） 該イニシエタ溶液中に第２鉄イオンを添加する
工程が、この中に浴温解性・相溶性第２鉄化合物を添加
することによって行なわれることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の方法。 - （７） 該化合物が塩化第２鉄であることを特徴とする
特許請求の範囲第６項に記載の方法。 - （８） 溶液から該貴金属イオンが沈殿することによっ
て効力を失なっている貴金属イオン含有のイニシエタ水
溶液の再生方法において、沈殿の少なくとも一部分を溶
解せしめるのに有効な量の第２鉄イオンを該イニシエタ
溶液中に添加して酸化性雰囲気の存在下で該イニシエタ
溶液を再生させて効果的な操業を可能ならしめるような
改良方法。 - （９） 該第２鉄イオンが少なくとも１０１ＦＩ／Ａの
量で存在することを特徴とする特許請求の範凹第８項に
記載の方法。 - （１０） めっきすべき銅素地に対して過剰の酸化的浸
食が生起するような量以下の量で該第２鉄イオンが存在
することを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の方
法。 - （１１） 該第２鉄イオンが５ｇ／ｌ以下の同で存在す
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の方法
。 - （１２） 該第２鉄イオンが４０〜５００ｒｇｙ／Ｊの
量で存在することを特徴とする特許請求の範囲第８項に
記載の方法。 - （１３） 該沈殿の少なくとも一部を再溶解するのに有
効な該第２鉄イオンの存在下にイニシエタ溶液中に酸素
含有ガスを十分な時間に亘って吸込むことによって該酸
化性雰囲気を創り、これによって該溶液の効果的な操業
性を回復せしめることを特徴とする特許請求の範囲第８
項に記載の方法。 - （１４） 引き続く無電解ニッケルめっき工程を受け易
くするために用いる銅素地予備処理用貴金属イオン含有
イニシエタ水溶液の有効操業寿命の延長方法において、
第２鉄イオンを該イニシエタ溶液中に含ませることから
成る改良方法であって、該第２鉄イオンの量が、非錯化
形態で溶液中に存在する貴金属イオンの少なくとも一部
を銅めっき素地が引き続いて無電解めっき工程を受け易
くなるのに有効な状態に維持せしめつるような回である
改良方法。 - （１５） 該第２鉄イオンが少なくとも１０〜／１の量
で存在することを特徴とする特許請求の範囲第１４項に
記載の方法。 - （１６） 該第２鉄イオンが、銅素地の好ましからぬエ
ツチングが生起する量以下の量で存在することを特徴と
する特許請求の範囲第１４項に記載の方法。 - （１７） 該第２鉄イオンが５ｇ／ｆＪ以下の量で存在
することを特徴とする特許請求の範囲第１４項に記載の
方法。 - （１８） 該第２鉄イオンが４０〜５００１１９／Ａの
量で存在することを特徴とする特許請求の範囲第１４項
に記載の方法。 - （１９） 銅素地をして引き続く無電解めっき工程を受
け易くするために好適な貴金属イオン含有前処理用イニ
シエタ水溶液であって、該水溶液が、引き続く無電解ニ
ッケルめっき浴中で浸漬ニッケルめっきを開始させるた
めの銅素地の処理に有効な量で存在する貴金属イオンと
、非錯化状態で溶液中に存在する貴金属イオンの少なく
とも一部分を溶液状態に維持するのに十分な量の第２鉄
イオンであって、銅めっき素地が引き続いて無電解ニッ
ケルめっき工程を受け易くなるのに十分な量で存在する
第２鉄イオンとを含有するイニシエタ水溶液。 - （２０） 該第２鉄イオンが１０ＩＩＦＩ／ｊ 、ない
し銅素地の好ましからぬエツチングが生起するような量
以下の量で存在することを特徴とする特許請求の範囲第
１９項に記載のイニシエタ水溶液。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US55641783A | 1983-12-02 | 1983-12-02 | |
| US556417 | 1983-12-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138075A true JPS60138075A (ja) | 1985-07-22 |
| JPH0148349B2 JPH0148349B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=24221260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25554484A Granted JPS60138075A (ja) | 1983-12-02 | 1984-12-03 | 無電解ニッケルめっき用イニシエタ水溶液及び再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138075A (ja) |
| CA (1) | CA1232104A (ja) |
| DE (1) | DE3443471A1 (ja) |
| GB (1) | GB2150601B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342058C (zh) * | 2005-11-01 | 2007-10-10 | 桂林工学院 | 塑料表面化学镀镍无钯活化液配方及工艺 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69507926T2 (de) * | 1994-04-28 | 1999-09-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur erzeugung eines kupferbildes auf einer aus elektrisch nichtleitendem material bestehenden platte mittels eines photolithographischen verfahrens |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1145285A (en) * | 1965-03-17 | 1969-03-12 | Nat Res Dev | Improvements relating to the deposition of metals |
| US3884704A (en) * | 1973-03-21 | 1975-05-20 | Macdermid Inc | Catalyst system for activating surfaces prior to electroless deposition |
-
1984
- 1984-11-28 CA CA000468840A patent/CA1232104A/en not_active Expired
- 1984-11-29 DE DE19843443471 patent/DE3443471A1/de active Granted
- 1984-12-03 GB GB08430429A patent/GB2150601B/en not_active Expired
- 1984-12-03 JP JP25554484A patent/JPS60138075A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100342058C (zh) * | 2005-11-01 | 2007-10-10 | 桂林工学院 | 塑料表面化学镀镍无钯活化液配方及工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8430429D0 (en) | 1985-01-09 |
| GB2150601B (en) | 1987-06-03 |
| CA1232104A (en) | 1988-02-02 |
| DE3443471C2 (ja) | 1987-01-02 |
| DE3443471A1 (de) | 1985-06-13 |
| JPH0148349B2 (ja) | 1989-10-18 |
| GB2150601A (en) | 1985-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |