JPS60135567A - バツチ式スパツタ装置の基板マスク - Google Patents
バツチ式スパツタ装置の基板マスクInfo
- Publication number
- JPS60135567A JPS60135567A JP24355183A JP24355183A JPS60135567A JP S60135567 A JPS60135567 A JP S60135567A JP 24355183 A JP24355183 A JP 24355183A JP 24355183 A JP24355183 A JP 24355183A JP S60135567 A JPS60135567 A JP S60135567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- mask
- substrates
- substrate mask
- fan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、バッチ式スパッタ装置における基板マスクの
改良に関する。
改良に関する。
従来、スパッタ装置に於すて、所定の特性の膜を得るに
は、そのガス圧、電極間距離、印加電圧等、あらゆる条
件下での実験を必要とし、特にバ1− ツチ式の装置では、その都度にチェンバーを開けて真空
排気をしなければならず、時間的に極めてロスが大きい
という問題点があった。
は、そのガス圧、電極間距離、印加電圧等、あらゆる条
件下での実験を必要とし、特にバ1− ツチ式の装置では、その都度にチェンバーを開けて真空
排気をしなければならず、時間的に極めてロスが大きい
という問題点があった。
本考案は、このような問題点を解決するものでその目的
とするところは、スパッタ時の条件の異なる複数種の薄
膜を、−回の真空排気で得られるところにある。
とするところは、スパッタ時の条件の異なる複数種の薄
膜を、−回の真空排気で得られるところにある。
本発明の基板マスクは、回転可能な円形基板ホルダーを
有するバッチ式スパッタ装置にお込て、基板ホルダーに
保持された基板から1〜5.離れた位置に、一部に扇形
の窓を設けた基板マスクを配設し、基板ホルダーの回転
移動により1回の真空排気で連続して任意の基板をマス
クできるようにしたものである。
有するバッチ式スパッタ装置にお込て、基板ホルダーに
保持された基板から1〜5.離れた位置に、一部に扇形
の窓を設けた基板マスクを配設し、基板ホルダーの回転
移動により1回の真空排気で連続して任意の基板をマス
クできるようにしたものである。
以下、本発明につbて、実施例に基づき詳細に説明する
。第1図に、スパッタ装置の概要を示す。
。第1図に、スパッタ装置の概要を示す。
1がチェンバー、2がターゲット、8が基板ホル2−
ダ−54が基板マスク支え、5が基板マスクで茎5る。
第2図は基板ホルダー3に基板が装着されたところを示
すもので、8αが基板である。第8し1は基板マスク5
の斜視図で、5αの部分に扇形の窓が開いている。
すもので、8αが基板である。第8し1は基板マスク5
の斜視図で、5αの部分に扇形の窓が開いている。
1ず、被数個の基板を基板ホルダーに装着し、次に基板
マスクを基板よう1〜5mJ+離れた位置になるように
基板マスク支えに取付ける。この時基板と基板マスクと
の間隔は狭いほど他の基板への影響を少なくできて効果
的である。
マスクを基板よう1〜5mJ+離れた位置になるように
基板マスク支えに取付ける。この時基板と基板マスクと
の間隔は狭いほど他の基板への影響を少なくできて効果
的である。
基板マスクを取付けた状態をターゲット側よりみると、
第2図に示すように基板は扇形の窓からは1枚しか見え
ず、他の8枚は基板マスクの下になりマスクされている
と同様な状態となっている。
第2図に示すように基板は扇形の窓からは1枚しか見え
ず、他の8枚は基板マスクの下になりマスクされている
と同様な状態となっている。
この状態においてスパッタを行なうと、薄膜は1枚の基
板上のみに形成されて、他の基板には形成されない。そ
こで、スパッタ終了後に、基板ボルダ−を90°回転さ
せることにより、さきほど海月1夕を形成された基板は
ターゲット側からみて、基板マスクの下の影響を受けな
い位置に入り2他の8一 基板が扇形の窓の位置に入ることとなり、この状態で、
条件を変えてスパッタする。
板上のみに形成されて、他の基板には形成されない。そ
こで、スパッタ終了後に、基板ボルダ−を90°回転さ
せることにより、さきほど海月1夕を形成された基板は
ターゲット側からみて、基板マスクの下の影響を受けな
い位置に入り2他の8一 基板が扇形の窓の位置に入ることとなり、この状態で、
条件を変えてスパッタする。
このような状態を繰り返すことにより合計4種類の異な
る条件で薄膜形成された基板を得ることができる。
る条件で薄膜形成された基板を得ることができる。
尚、本実施例では、基板マスクの扇状の窓の開口角を9
0°としたが、必要に応じて開口角の違ったものを用意
するとより効果的である。
0°としたが、必要に応じて開口角の違ったものを用意
するとより効果的である。
以上述べたように、本発明による基板と基板マスクとの
間隔を保ち、マスクの一部を扇形状に形成した基板マス
クを使用することによυ、1回の真空排気で連続して任
意の基板をマスクすることができ、複数種の薄膜が得ら
れるために、従来にくらべ時間的ロスを大巾に改善でき
るという大きな効果をもたらすことができます。
間隔を保ち、マスクの一部を扇形状に形成した基板マス
クを使用することによυ、1回の真空排気で連続して任
意の基板をマスクすることができ、複数種の薄膜が得ら
れるために、従来にくらべ時間的ロスを大巾に改善でき
るという大きな効果をもたらすことができます。
また、スパッタデポジションだけでなく、スパッタエッ
チ時にも使用することも可能である。
チ時にも使用することも可能である。
−4、
第1 図ハ、本発明のスパッタ装置内部における配置図
。第2図は、基板が装置された状態の基板ホルダーを示
す平面図。第8図は本発明の斜視図である。 11・チェンバー 2・・・ターゲット 8・・・基板ホルダー 8a・・基板 4・・・基板マスク支え 5・・・基板マスク 5 cL* e窓 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 5− 才1回
。第2図は、基板が装置された状態の基板ホルダーを示
す平面図。第8図は本発明の斜視図である。 11・チェンバー 2・・・ターゲット 8・・・基板ホルダー 8a・・基板 4・・・基板マスク支え 5・・・基板マスク 5 cL* e窓 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 5− 才1回
Claims (1)
- 回転可能な円形基板ホルダーを有するバッチ式スパッタ
装置において、前記基板ホルダーに装着された基板から
1〜5u陥れた位置に、基板マスク支えに係止された基
板マスクを配設すると共に、該基板マスクの一部に扇形
状の窓を設けたことを特徴とするバッチ式スパッタ装置
の基板マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24355183A JPS60135567A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | バツチ式スパツタ装置の基板マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24355183A JPS60135567A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | バツチ式スパツタ装置の基板マスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60135567A true JPS60135567A (ja) | 1985-07-18 |
Family
ID=17105546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24355183A Pending JPS60135567A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | バツチ式スパツタ装置の基板マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60135567A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5460708A (en) * | 1990-11-30 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor processing system |
US20100006422A1 (en) * | 2006-03-28 | 2010-01-14 | Masayoshi Yokoo | Sputtering system and method for depositing thin film |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP24355183A patent/JPS60135567A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5460708A (en) * | 1990-11-30 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor processing system |
US20100006422A1 (en) * | 2006-03-28 | 2010-01-14 | Masayoshi Yokoo | Sputtering system and method for depositing thin film |
US8591706B2 (en) * | 2006-03-28 | 2013-11-26 | Tohoku Seiki Industries, Ltd. | Sputtering system and method for depositing thin film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4592802A (en) | Method of fabrication of aluminum contacts through a thick insulating layer in an integrated circuit | |
JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
JPS60135567A (ja) | バツチ式スパツタ装置の基板マスク | |
GB1212114A (en) | Negative-temperature-coefficient resistors | |
US6176967B1 (en) | Reactive ion etch chamber wafer masking system | |
US5198090A (en) | Sputtering apparatus for producing thin films of material | |
JPS5848422A (ja) | 複合ドライエツチング装置 | |
CA1105333A (en) | Multi-layer vacuum evaporation deposition method | |
JPH05320892A (ja) | 真空薄膜形成装置 | |
JPH0526755Y2 (ja) | ||
JP2746292B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JPS62211374A (ja) | スパツタリング装置 | |
JPS5917193B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
JPS60197869A (ja) | スパツタ装置 | |
JPS63103065A (ja) | スパツタリングによる成膜方法 | |
JPH01124218A (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
JPS6277477A (ja) | 薄膜形成装置 | |
KR820000815B1 (ko) | 다층막(多層膜) 증착법(蒸眼法) | |
JP3214182B2 (ja) | 成膜装置 | |
JPH0768617B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JPH01205071A (ja) | 多層膜形成装置 | |
JPH0285364A (ja) | マグネトロン型スパッタリング装置 | |
JPS61198636A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS6177031A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
JPH0426754A (ja) | 薄膜作成方法 |