JPS60131850A - ガラスのエツチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明のＡＡする技術分野〕 この発明はパツシベイシ１ンガラス、管球用ガラス、光
学ガラス等のエツチング処理方法に関するものである。

〔従来技術とその問題点〕

ガラスをエッチャントでエツチングする方法は従来から
あるが厚さ１μｍ　以上のガラスを高速でエツチングす
るには、ガラスが失透、結晶化して。

ガラス本来の透明でなめらかな表面が得られなかった。

そのためにエツチング後のガラスの光の散乱が大きく、
マスクや通常の光学ガラスに使用するには問題があった
。

〔発明の目的〕

本発明はこのような欠点を改良するためになされたもの
であり、その目的とするところはガラスの高速エツチン
グによってガラスが失透、結晶化することな（通常のな
めらかなガラス表面が得られかつ光散乱のない平坦性省
良いガラスを得ることである。

〔発明の概！〕

本発明はガラスを転移点以上の＠Ａ度に加熱し、火焔み
がら（ｆｉｒｅ　ｐｏｌｉｓｈ月こよりてｍ傷を除去す
るか又は軟化点で火焔みかき（ｆ　ｉｒｅ　ｐｏｌ　ｉ
ｓｈ　）　シて所望の形状にした後アニールしかつ弗酸
を含む二種以上のエッチャントでエツチングする工程と
、光照射を行う工程とを具備することを特徴とするガラ
スの高速エツチング方法を提供するものである。

〔発明の効果〕

このようなガラスのエツチング法を溝用すると、火焔み
が？４　（ｆｉｒｅ　ｐｏｌｉｓｈ）によってガラスの
微細な欠陥部や研磨面の傷が局部的な溶融によってガラ
スが粘−性流動するためにガラスがなめらかになると高
時にエツチングされる。このために。

半導体パツシベイシ目ンの局所的エツチングや管球ガラ
スの傷の除去に有効なための元の散乱が著るしく減少す
る。

〔発明の実施例〕

通常の硬質又は軟質ガラスを転移点以上でかつ軟化点以
下の温度に加熱し、例えば酸水素バーナーの火炎（ｆｌ
ａｍｅ）で火焔みがき（ｆｉｒｅ　ｐｏｌｉｓｈ）　ｌ
、。

潜傷を除去した後アニールし、エッチャントでエツチン
グし、紫外線を照射する。次に実施例を示しながら本発
明の効果について述べる。

（実施例１） ホウケイ酸系ガラス（Ｂ、０．７０％、Ｓｉｎ、２０チ
。

ＰｂＯ１０％）　を５５０℃で１０分間火焔みが傘（ｆ
ｉｒｅｐｏｌｉｓｈ　）　Ｌ、歪点からアニールし弗酸
１０チ＋硫岬アンモン１０％のエラ千ヤントでエツチン
グした。その後超高圧水銀灯で１０分間照射した。その
結果を第１図で曲、ｌｉ］２１に示した。

比較例として従来の拳なる１０チの弗酸のエツチング例
を曲線（１）に示した。これによると比較例よりかなり
良いエツチング速度を示している。なお従来のエツチン
グ法によるエツチング後のガラスの失透はなかった。

（実施例２） 前記ホウケイ酸ガラス；４ｉ：５７０°Ｃ１５分間火焔
みがき（ｆｉｒｅ　ｐｏｌｉｓｈ）　Ｌ、、アニールし
た鏝弗化アンモニウム１０％十硫酸アンモニウム１０チ
のエッチャントでエツチングした。その後超′冒圧水銀
灯で１０分照射した。その結果を第１図の曲線（３）に
示した。図から明らかなようにエツチング速度は０．４
１μｍ／ｍｉｎ　でありその速度は比較例の２倍近い値
であった。エラ千ング後ガラスの失透はなかった。

（実施例３） 前記ホウケイ酸ガラスを６００℃１０分間火焔みがき（
ｆｉｒｅ　ｐｏｌｉｓｈ）　ｌ、、アニールｉ弗酸１０
％士硝酸１０％のエッチャントでエツチングした。

その後超高圧水銀灯で１０分間照射した。その結果のエ
ツチング速度は第１図の白組（４）より０．５０μｍ　
７ｍ　ｉ　ｎであり、比較例の２倍以上であった。

ガラスの失透はなかった。

（発明の他の実施↑ン１１） 半導体のバツシベイシ冒ンの他に例えば高圧放電灯に本
エツチング法を適用することができる。

ｆ＋１えば大型産業用放電灯のバルブガラスに水沫を適
用すると−；変使用所のパルプをエツチングによって再
使用できるなどのメリットがある。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチング時間と深さの１．９４係を示す特性
曲線図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラスを転移点以上の温度で火焔みがき後アニールする
   工程と、弗酸を含む二種以上のエッチャントによってエ
   ツチングする工程と１元照射を行う工程とを具備するこ
   とを特徴とするガラスのｊＩｆエツチング方法。