JPS6013142B2 - 感ガス素子 - Google Patents

感ガス素子

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JPS6013142B2
JPS6013142B2 JP52055406A JP5540677A JPS6013142B2 JP S6013142 B2 JPS6013142 B2 JP S6013142B2 JP 52055406 A JP52055406 A JP 52055406A JP 5540677 A JP5540677 A JP 5540677A JP S6013142 B2 JPS6013142 B2 JP S6013142B2
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JP
Japan
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gas
sensitive element
mol
sensitive
pdc12
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JP52055406A
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JPS53141096A (en
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昇 一ノ瀬
英夫 大熊
雄二 横溝
守 泉
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は感ガス素子に係り、特にガス感応体表面に触媒
層を設け感度選択性および経時特性などを向上せしめた
感ガス素子に関する。
酸化物半導体表面にガスが接触すると、酸化物半導体の
表面の比抵抗が変化する事を利用した感ガス素子が知ら
れている。
例えば、N型半導体性を示すZn0,Sn02,Fe2
03等に還元性ガスが接触すると抵抗値は減少し、また
酸化性ガスが接触すると抵抗値は増加する。またP型半
導性を示す酸化物半導体においては抵抗値の増減が逆の
関係を示す。上記のごとき酸化物半導体において、各種
ガスとの反応性すなわち選択性は、半導体表面温度、表
面電子レベルの構造、気孔率および気孔の大きさ等によ
り決まるが、一般には酸化物半導体のみでは感ガス素子
として感度が小さく選択性も十分とは言えない。そこで
酸化物半導体にPt,Pdなどの触媒を添加含有せしめ
感度を上げる事が試みられているが以下の如く欠点を有
している。つまり、主成分である酸化物半導体と触媒と
は、それぞれ最適の焼成温度が異なるため、両者の特徴
を充分発揮する焼成温度を選ぶ事がきわめて難しかった
。さらに感ガス素子として、高温条件下で使用する場合
(感ガス素子は感度を上げるため加熱部を設け、酸化物
半導体表面を30ぴ0に保って使用することが好ましい
)、触媒が酸化物半導体中に固溶し、−感度の低下、経
時変化の増大などの要因となっていた。本発明は、上述
の従来素子の欠点を改良したもので、Zn○を99.8
5〜20モル%、Me203を0.1〜50モル%(た
だし、MeはSc,Y,Laのうち少なくとも一種)お
よびMe′03を0.05〜30モル%(ただし、Me
′はMo,Wのうち少なくとも一種)を含むガス感応体
とシリカアルミナ系化合物に添加物として、PdC12
を0.01〜1の重量%含む触媒層とを具備した感ガス
素子で感度およびガスの選択性に優れ、特に長時間の使
用による経時変化の少ない感ガス素子を提供する事を目
的とする。
なお本発明における組成範囲は以下の如き理由により限
定された。
つまりZn0が99.85モル%を超えた場合、Me2
03が0.1モル%未満の場合およびMe′Qが0.0
5モル%未満の場合においてはガス吸着による抵抗値変
化が小さく〜 またZmoが20モル%未満の場合、M
e203が50モル%を超えた場合、およびMe′03
が30モル%を超えた場合においては、ガス吸着による
抵抗値変化が小さく「 さらに温度に対する抵抗値変化
が大きくなるのでこの範囲とした。
さらにシリカ・アルミナ系化合物へのPdC12の添加
量を0.01〜1の重量%としたのはPdC12は経時
変化特性改良の点から必要であり「001重量%未満で
はその効果が小さく「 また1の重量%を超えるとガス
吸着による抵抗値変化が小さくなるので、この範囲とし
た。以下本発明を実施例により詳細に説明する。
まず本発明に係る感ガス素子は例えば第亀図に断面的に
示すごとく「筒状絶縁基体蔓外周面に一対の電極2を有
し、前記筒状絶縁基体1および電極2を被覆するように
ガス感応体3が設けられている。さらに前記ガス感応体
3表面にはPdC12を含むシリカ・アルミナ系化合物
からなる触媒層4が設けられている。また前記のように
構成された感ガス素子は例えば第2図に斜視的に示す如
くピン足上に組立てられる。なお図中5はリード線を登
は絶縁板を7はヒーターを示す。ヒーターれま〜ガス感
応体の感度を向上させるために設けられたものであり、
必要に応じ適宜設けることができる。なお、触媒層4は
ガス感応体3表面を必ずしも全面的に被覆していなくと
もよい。本発明に係る感ガス素子は例えば以下の如く製
造される。
すなわち、Zn○,Me203(MeはSc?YF仏の
うち少なくとも一種)およびMe’03(Me′はMo
,Wのうち少くとも一種)を所定組成比で秤取し、混合
したのち「水またはバインダー多を加えペースト状とし
、第1図に示すごとの一対の電極2を設けた絶縁基板亀
に塗布し乾燥度60Q〜1000ooで焼成しトガス感
応体3を形成する。一方シリカ。アルミナ系化合物をた
とえば遊星ミル、ポットミル等の粉砕機で粉砕し、微粉
末とす。次にこの微粉末とPdC12を所定組成比で秤
取し混合したのち乾燥を施し、触媒を得る。この触媒を
前記ガス感応体3上に塗布乾燥し、さらに300午○で
焼成し、感ガス素子を得る。
次に本発明に係る感ガス素子の諸特性例を第3図乃至第
9図に示す。先ず第3図乃至第5図はガス感応体成分の
Me203(ただしMeはSc,Y,凶のうち少なくと
も一種)およびMe′03(ただしMe′はMo,Wの
うち少なくとも一種)の量を変えたときの空気中におけ
る抵抗値Roと0.2%のZガス濃度中での抵抗値Rg
との比により感度(Ro/Rg)を示したものである。
なお触媒層としては0.a重量%のPdC12を含んだ
シリカ。ァルミナ系化合物を用いt図中曲線1はMe′
QとしてMOO3とW03が1三1の場合の抵抗値〜
曲線2はMe′03としてMoo3のみの場合の抵抗値
「 また曲線3はMe′03としてW03のみの場合の
抵抗値を示しも第3図はMe203としてSc2037
第4図はY2Q「第5図はLa203を用いた場合を表
す。また曲線1′,2′および3′は曲線1,2および
3にそれぞれ対応する感度を示す。第3図乃至第5図か
ら明らかな如く、本発明に係る感ガス素子においては「
常に優れた感度が得られた。さらに第6図乃至第藷図は
「第3図乃至第5図における曲線1についてMe203
の添加量を2モル%に固定したときのPdC12のシリ
カ8アルミナ化合物への添加量に対する経時変化特性を
示す。なお測定は500脚時間通電後の抵抗値の変化率
を示しも点線は比較例として〜PdおよびPd酸化物触
媒を使用した場合を示し〜第8図はMe203としてS
c2Q「第7図はY203も第8図はい203を用いた
場合である。この場合第6図乃至第蜜図から明らかな如
く〜本発明に係る感ガス素子において「長期間の使用に
際し高々5%程度の低下しか見られなかった。このよう
にPdC12を添加した感ガス素子の経時変化率が小さ
いのは次のような理由によるものと考えられる。
まず、ガス感応体と触媒層とを分離した2層構造により
触媒のPdC12がガス感応体の中に固溶しないため、
触媒の能力の劣化が起らないためと考えられる。
また従来触媒として使用されているPt,Pd等または
その酸化物は使用されることにより粒成長をおこし触媒
の表面積が小さくなるが、PdC12およびシリカ・ア
ルミナ系化合物の組合せによる触媒は塩化物のため粒成
長がおこりにくく、また耐熱性のあるシリカ・アルミナ
系化合物に担持されいるため表面積が大きい状態で維持
されるためと考えられる。第9図は本発明に係る感ガス
素子を用いて、C○,比,C2日6,C3日8,C4日
,oのガス濃度に対する抵抗値の変化率を示し、この結
果優れた選択性を有することは明確である。
以上述べたように、本発明に係る感ガス素子は感度選択
性および経時変化特性に優れており、従来にないすぐれ
た特長をもったものである。
図面の簡単な叢明 第1図は本発明の構成例を示す断面図、第2図は本発明
に係る感ガス素子を用いる装置例を示す斜視図第3図乃
至第5図はMe203添加量対する抵抗値及び感度の関
係を示す曲線図、第6図乃至第8図はMe2Q添加量を
2モル%に固定したとき、PdC12の添加量による隆
時変化を示す曲線図、第9図は本発明に係る感ガス素子
の選択性を示す曲線図。
2・・・・・・電極、3・・・・・・ガス感応体、4・
・・・・・触媒層。
第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 一対の電極と、前記電極間に設けられたZnOを9
    9.85〜20モル%、Me_2O_3を0.1〜50
    モル%(ただしMeはSc,Y,Laのうち少なくとも
    一種)およびMe′O_3を0.05〜30モル%(た
    だしMe′はMo,Wのうち少なくとも一種)を含むガ
    ス感応体と、前記ガス感応体表面に設けられた0.01
    〜10重量%のPdCl_2を含むシリカ・アルミナ系
    化合物からなる触媒層とを具備したことを特徴とする感
    ガス素子。
JP52055406A 1977-05-16 1977-05-16 感ガス素子 Expired JPS6013142B2 (ja)

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JP52055406A JPS6013142B2 (ja) 1977-05-16 1977-05-16 感ガス素子

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JPS53141096A JPS53141096A (en) 1978-12-08
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JPS60211347A (ja) * 1984-04-06 1985-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水素ガスセンサ−
JPS60211348A (ja) * 1984-04-06 1985-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 水素ガスセンサ−

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