JPS60130832A - 半導体ウエハの水洗装置 - Google Patents

半導体ウエハの水洗装置

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JPS60130832A
JPS60130832A JP24124883A JP24124883A JPS60130832A JP S60130832 A JPS60130832 A JP S60130832A JP 24124883 A JP24124883 A JP 24124883A JP 24124883 A JP24124883 A JP 24124883A JP S60130832 A JPS60130832 A JP S60130832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cassette
water washing
pure water
water
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Pending
Application number
JP24124883A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Fujisawa
正人 藤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60130832A publication Critical patent/JPS60130832A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、カセットごと水洗槽内に浸漬された半導体
ウニノーの水洗装置に関するものである。
〔従来技術〕
従来のこの種装置は、カセット内に収納載置された半導
体ウェハ（以下単にウニ／１という）ｔカセットごとに
水洗槽内に一定時間浸漬し、この水洗槽の下方より純水
を供給して純水をオーバー７−−させながら洗浄する方
法が一般的であった。
このような従来の水洗装置では、カセット内の各ウェハ
が静止し工いるため、ウェハとカセットとの、特に接触
面での純水の流通が悪いため、所定の比抵抗値への回復
に鰐間がかかり多弁の純水を消費するという欠点があっ
た。
〔発明の概要〕
この発明は、カセットおよびウェハの少なくともいずれ
か一方を水洗槽内で、例えば上下に揺動させることによ
つ℃当該カセットとウェハとの間に純水の通る空間をも
たせることによって水洗効果ン上げ、これによって純水
の消＊量を派少させるようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の水洗装置の一実施例ケ図面について説
明する。
この図において、１は水洗槽で、カセット２乞十分浸漬
できる容積を持っており、水洗効果を上げるためにその
底部の断面積な小さくしている。
３は前記水洗槽１の内底部に設けたカセット載置台で、
純水の流れをよくするために多数の穴４が開設されてい
る。５は前記カセット２内のウェハ１を、例えば上下方
向に揺動させるように、各ウェハ７゛の下端に接触させ
た弗素樹脂製のｐラドで、この−ラド５は弗素樹脂製ペ
ロー等の駆動体８の頂部開口を封鎖するように一体に固
着されている。
９は前記水洗槽１外に引き出された導管で、前記駆動体
８内に空気等を導入・排出させて当該駆動体８を、例え
ば１０〜１５ｍｍの範囲内で上下方向に揺動させるよう
にしている。１０は前記水洗槽１内に純水を供給する給
水管、１１は給水のオーバー７０一方向を示す。
上記構成において、まず、水洗槽１内に純水ン供給し、
オーハーフｐ−させている水洗槽１内に、カセット２内
に収納されたウェハ７Ｙカセツト２ごとに浸漬させ、駆
動体８内に空気を導入しそのρラド５ｖ、例えば１０〜
１５艶の範囲内で上下方向に揺動させ、ウェハ１とカセ
ット２との接触面間に生じた空間に純水を頻繁に通して
やるものである。以上はウェハ７を上下方向に揺動させ
た場合について説明したが、ウェハ７Ｙ固定させてカセ
ット２を上下させてもよいことはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、ウニＩ・とカセツト
ケ一定時間離すことにより℃、その間に純水が頻繁に流
れるため、各ウニ／ｈおよびカセットの全面洗浄が確実
に行われ、比抵抗の回復が早（短時間で水洗が完了する
ので、それだけ純水の消費量が少な（、また、ウニ／１
０歩留りの向上も期待できるものである。
【図面の簡単な説明】
図面は、この発明の一実施例を示す半導体ウェハの水洗
装置の断面図である。 図中、１は水洗槽、２はカセット、７はウニＩ＼、８は
駆動体である。 代理人　大岩増雄　（外２名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェハとその収納載量用カセットとを水洗槽内の
    純水中に浸漬させ水洗を施す水洗装置において、前記半
    導体ウエノ〜とカセットとの相互の接触・離反動作を繰
    り返させる少なくともいずれか一方の駆動体ケ、前記水
    洗槽内の内底部に設けたことＶ特徴とする半導体ウエノ
    ・の水洗装置。
JP24124883A 1983-12-19 1983-12-19 半導体ウエハの水洗装置 Pending JPS60130832A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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