JPH0291922A - 超音波洗浄装置 - Google Patents
超音波洗浄装置Info
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Landscapes
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
純水(超純水)で洗浄するのに好適な超音波洗浄装置に
関する。
化学薬品等を取り除くために、純水ないし超純水を洗浄
水として洗浄が行なわれている。
に超音波を付加する超音波洗浄が行なわれている。すな
わち、被洗浄物である半導体ウェハを収容した洗浄槽内
に超音波供給糸路純水を供給するとともに、洗浄槽に設
けられている超音波発振器を作動させて純水に超音波を
付加し、これによね半導体ウェハの表面から化学薬品等
を除去している。
水に超音波を付加して洗浄しても洗浄効果が一様でなく
、特に長時間洗浄を行なっていると徐々に洗浄効果が低
下してくるという問題点があった。
ないと洗浄効果が低下することがわかった。つまり超音
波洗浄の洗浄機構は、洗浄液に超音波が付加されると、
被洗浄物が超音波の音場によりその表面にキャビテーシ
ョンが発生し、このキャビテーションの衝撃力により異
物が除去される用に作用する。ところが、純水のように
その製造プロセスで脱気された洗浄水のときには溶存ガ
スが少なく効果的なキャビテーションの発生が起こりに
くいだけでなく、長時間の超音波付加により洗浄水が脱
気されて、ますますキャビテーションが起こりにくくな
るからである。
て、その構成は被洗浄物が収容された洗浄槽内に洗浄水
供給系路を介して純水からなる洗浄水を供給し、該洗浄
水に超音波を付加して被洗浄物を洗浄する超音波洗浄装
置において、前記洗浄水供給系路にガス溶解手段を設け
て洗浄水にガスを溶解させたことを特徴とするものであ
る。
によりガスが溶解され、充分な溶存ガスを含む洗浄水が
洗浄槽内に供給されて被洗浄物を超音波洗浄するように
作用する。
する。
て、図中1は上部開口形の洗浄槽であり、その底部に超
音波発振器2が設けられている。
るとともに、その上部開口端の廻りには溢流トラフ4が
設けられている。したがって洗浄水供給管3からの洗浄
水は洗浄槽1内を上向流して溢流トラフ4へ排出するよ
うに流過することができる。
の内部にはガス透過膜が張設された多数のガス供給管6
.6・・・が立設されていて、ガス溶解槽5の底部に設
けられたガス供給ロアからの供給ガスを各ガス供給管6
.6・・・内を通過させ、ガス溶解槽5の上部に設けら
れたガス排出口8から排出できるように構成されている
。ガス供給ロアから供給されるガスとしては空気、チッ
素ガス。
から被洗浄物に悪影響を与えないものが選択される。
される入口9が設けられているとともに、その上部には
出口10が設けられていて、入口9から供給された純水
は各ガス供給管6,6・・・の外側空間を通過して出口
10に達し、ここから洗浄水供給系路11を介して前述
の洗浄水供給管3へ供給されるように+14成されてい
る。
は、洗浄槽1内に図示しない適当な支持機構により被洗
浄物(例えば半導体ウェハ)aを保持し、超音波発振器
2を作動させ、洗浄水供給管3から洗浄水を供給して行
なう。
で充分にガスが溶解されたものである。
供給源からガスを供給しつつ、人口9から図示しない純
水製造プロセスからの純水を供給すると、ガス供給管6
,6・・・のガス透過膜を介して純水中にガスが溶解さ
れ、出口10からガスの溶解された純水すなわち洗浄水
が排出される。なお、ガス溶解を高めるためにガス供給
管6,6・・・の内側は所定圧に維持されている。
介して洗浄水供給管3へ供給される。このため充分な溶
存ガスを含む洗浄水が洗浄槽1内を上向流し、この際、
超音波が付加されると、被洗浄物aの表面でキャビテー
ションが効果的に発生する。このキャビテーションの衝
撃力によって被洗浄物aの表面に付着している化学薬品
等の異物が効率よく除去される。
2図のグラフを参照して説明する。
)を供給するとともに、超音波発振器2から200KH
zの超音波を送出し、10分間の洗浄を行なったときの
粒子除去率(洗浄率)を示している。
.2μmのポリスチレンラテックスを200〜300個
付着させたものが用いられている。
ppm以上では95%以」二の除去率が得られ優れた洗
浄効果が得られることがわかる。
を内蔵した模式の例を示したが、これに限らず液体にガ
スを溶解させることのできる周知のガス溶解手段を使用
することができる。例えば、加圧溶解、あるいはガス吹
込み式等を採用することができる。
解させて超音波洗浄を行なうように構成したので、洗浄
時にキャビテーションを効果的に発生させることができ
る。したがって、キャビテーションの゛衝撃力により被
洗浄物を効率よく洗浄することができる。
第2図は洗浄効果を示すグラフである。 1・・・洗浄槽 2・・・超音波発振器 3・・・洗浄水供給管 5・・・ガス溶解槽(ガス溶解手段) 11・・・洗浄水供給系路 a・・・被洗浄物
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被洗浄物が収容された洗浄槽内に洗浄水供給系路を
介して純水からなる洗浄水を供給し、該洗浄水に超音波
を付加して被洗浄物を洗浄する超音波洗浄装置において
、 前記洗浄水供給系路にガス溶解手段を設けて洗浄水にガ
スを溶解させたことを特徴とする超音波洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24477888A JP2821887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 超音波洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24477888A JP2821887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 超音波洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0291922A true JPH0291922A (ja) | 1990-03-30 |
JP2821887B2 JP2821887B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=17123781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24477888A Expired - Lifetime JP2821887B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 超音波洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2821887B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541369A (ja) * | 1991-01-28 | 1993-02-19 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 |
US5800626A (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates |
EP1056121A2 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-29 | Infineon Technologies North America Corp. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers with a deionized water solution containing a gas at saturated concentration, with temperature controlled degasification and megasonic agitation |
JP2008135790A (ja) * | 1996-07-05 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 洗浄方法および電子部品の洗浄方法 |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP24477888A patent/JP2821887B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541369A (ja) * | 1991-01-28 | 1993-02-19 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2008135790A (ja) * | 1996-07-05 | 2008-06-12 | Toshiba Corp | 洗浄方法および電子部品の洗浄方法 |
US5800626A (en) * | 1997-02-18 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates |
EP1056121A2 (en) * | 1999-05-25 | 2000-11-29 | Infineon Technologies North America Corp. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers with a deionized water solution containing a gas at saturated concentration, with temperature controlled degasification and megasonic agitation |
EP1056121A3 (en) * | 1999-05-25 | 2005-10-12 | Infineon Technologies North America Corp. | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers with a deionized water solution containing a gas at saturated concentration, with temperature controlled degasification and megasonic agitation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2821887B2 (ja) | 1998-11-05 |
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