JPS60130081A - スパ−クプラグ - Google Patents
スパ−クプラグInfo
- Publication number
- JPS60130081A JPS60130081A JP23510683A JP23510683A JPS60130081A JP S60130081 A JPS60130081 A JP S60130081A JP 23510683 A JP23510683 A JP 23510683A JP 23510683 A JP23510683 A JP 23510683A JP S60130081 A JPS60130081 A JP S60130081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- noble metal
- chip
- alloy
- spark plug
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Spark Plugs (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、接合力を強化した貴金属チップを電極に接
合したスパークプラグに関する。
合したスパークプラグに関する。
従来、而」食、耐火花消耗性を改看するため、上記特性
に優れた貴金属チップを用いるものであるが、この貴金
属チップは、電極に用いる合金との接合が悪く、剥離す
るおそれがあった。これを防止する手段として、（ｉ）
Ｐｔ −Ｐｔ合金にＮｉを添加する。（Ｐｔ −Ｉｒ
−Ｎｉ合金としては特開昭５８−２６４８０号、Ｐｔ
−Ｎｉ合金としては特開昭５８−５９５８１号）、（ｊ
）Ｐｔ −Ｎｉ合金でクラッド構造とする。（特願昭５
８−３４１０６号）等が提案されたのであるが、中にあ
っては、Ｐｔ２０Ｉｒ ２ Ｎｉ等の合金は、突出形状
、で高温となる場合接合強度が十分ではなく、また、Ｐ
ｉ １０ 〜３０％Ｎｉでは、高温での接合強度は良好
であっても火花消耗が多く、特に中心電極（負極）には
不適当である。そして、（ｉｊ） においては、材質コ
ストが高くなり、生産性にも難があるものである。
に優れた貴金属チップを用いるものであるが、この貴金
属チップは、電極に用いる合金との接合が悪く、剥離す
るおそれがあった。これを防止する手段として、（ｉ）
Ｐｔ −Ｐｔ合金にＮｉを添加する。（Ｐｔ −Ｉｒ
−Ｎｉ合金としては特開昭５８−２６４８０号、Ｐｔ
−Ｎｉ合金としては特開昭５８−５９５８１号）、（ｊ
）Ｐｔ −Ｎｉ合金でクラッド構造とする。（特願昭５
８−３４１０６号）等が提案されたのであるが、中にあ
っては、Ｐｔ２０Ｉｒ ２ Ｎｉ等の合金は、突出形状
、で高温となる場合接合強度が十分ではなく、また、Ｐ
ｉ １０ 〜３０％Ｎｉでは、高温での接合強度は良好
であっても火花消耗が多く、特に中心電極（負極）には
不適当である。そして、（ｉｊ） においては、材質コ
ストが高くなり、生産性にも難があるものである。
この発明は、上記従来のものの欠点を改善するものであ
って、貴金属チップ（例えば、Ｐｔ２０Ｉｒ）表面に数
μ・ｎのＰｔ貴金属鍍金層を設け、更にこの上に１０〜
３０．ｍ程度のＮｉ鍍金層を重ね、これを真空高温炉又
は熱間静水圧プレス（ＨＩ Ｐ ）により拡散合金層に
形成し、このｐｔとＮｉの拡散合金層を介して電極母材
（ＮｉＮｉＣｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ −Ｆｅ合金）と溶接
することにより、貴金属チップを電極母材に強固に接合
するものである。
って、貴金属チップ（例えば、Ｐｔ２０Ｉｒ）表面に数
μ・ｎのＰｔ貴金属鍍金層を設け、更にこの上に１０〜
３０．ｍ程度のＮｉ鍍金層を重ね、これを真空高温炉又
は熱間静水圧プレス（ＨＩ Ｐ ）により拡散合金層に
形成し、このｐｔとＮｉの拡散合金層を介して電極母材
（ＮｉＮｉＣｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ −Ｆｅ合金）と溶接
することにより、貴金属チップを電極母材に強固に接合
するものである。
なお、貴金属チップの芯材としては、上記Ｐｉ１０〜３
０％Ｉｒに代え、火花消耗性に有効なｐｔ−Ｒｈ 、
ｌｅｔ −Ｐｄを用いることもできる。
０％Ｉｒに代え、火花消耗性に有効なｐｔ−Ｒｈ 、
ｌｅｔ −Ｐｄを用いることもできる。
これを図により更に説明すれば、第１図（イ）は矢印の
順にそのチップの製造工程を示すものであって、Ｐｔ
２０ Ｉｒチップ芯１’（ＩＮ １０ＸＯ，５ｔ ）の
表面に数／ＡＡ１のＰｔ鍍金層（２）を設け、この上に
１０〜３０μｍ程度のＮｉ鍍金層（３）を重ね、これを
真空高温炉において１２００℃、２時間、あるいは、Ｈ
ＩＰ（熱間静水圧プレス）において１４００℃、１時間
の処理をして、上記チップ表面にＰｔ−Ｎｉの拡散合金
層（４）を形成せしめ、このチップ囚をＮｉ又はＮｉＣ
ｒ合金、Ｎｉ’−Ｃｒ−Ｆｅ合金等よシなる電極母材に
溶接し、再度の拡散処理によりその接合を強化し、所定
形状に仕上げてなるものであシ、同第１図（ロ）は、上
記のようにして製造されたチップ囚である。第２図にお
いて、（５）は中心電極、（６１は外側電極、（力は磁
器絶縁体、（８）は取付金具である。
順にそのチップの製造工程を示すものであって、Ｐｔ
２０ Ｉｒチップ芯１’（ＩＮ １０ＸＯ，５ｔ ）の
表面に数／ＡＡ１のＰｔ鍍金層（２）を設け、この上に
１０〜３０μｍ程度のＮｉ鍍金層（３）を重ね、これを
真空高温炉において１２００℃、２時間、あるいは、Ｈ
ＩＰ（熱間静水圧プレス）において１４００℃、１時間
の処理をして、上記チップ表面にＰｔ−Ｎｉの拡散合金
層（４）を形成せしめ、このチップ囚をＮｉ又はＮｉＣ
ｒ合金、Ｎｉ’−Ｃｒ−Ｆｅ合金等よシなる電極母材に
溶接し、再度の拡散処理によりその接合を強化し、所定
形状に仕上げてなるものであシ、同第１図（ロ）は、上
記のようにして製造されたチップ囚である。第２図にお
いて、（５）は中心電極、（６１は外側電極、（力は磁
器絶縁体、（８）は取付金具である。
上記の製造にあだシ、化学鍍金はｐｔに有害なＰ、Ｂを
含むので適当ではなく、電気鍍金が望ましい。また、こ
のチップ囚の製造は、貴金属合金よシなるチップ打抜用
板に上記Ｐｔ貴金属鍍金層を介してＮｉ鍍金層を設け、
これをチップ形状に打抜いた後、真空高温炉もしくはＨ
ＩＰによｐ処理し、表面に貴金属とＮｉ の拡散合金層
を形成し、電極母材に接合してもよい。
含むので適当ではなく、電気鍍金が望ましい。また、こ
のチップ囚の製造は、貴金属合金よシなるチップ打抜用
板に上記Ｐｔ貴金属鍍金層を介してＮｉ鍍金層を設け、
これをチップ形状に打抜いた後、真空高温炉もしくはＨ
ＩＰによｐ処理し、表面に貴金属とＮｉ の拡散合金層
を形成し、電極母材に接合してもよい。
このように構成したスパークプラグは、火花放電部分が
９００℃以上に達しても、接合部分が剥離することなく
、安定した機能を維持することができた。
９００℃以上に達しても、接合部分が剥離することなく
、安定した機能を維持することができた。
この発明は、上記のように構成されるものであるから、
従来のものに比べ高温時における接合強度を強化するこ
とができ、特にクラッド構造の貴金属チップに比べて製
造が容易であシ、その上、Ｎｉ鍍金層を貴金属チップ上
に設けるにあたシ、Ｐｔ 貴金属鍍金層を介するもので
あるから、−その拡散層の形成が確実であり、しかも、
電極に接合するにあた９、上下の識別を必要としないの
で、その工程を省略できる等の優れた効果をもつもので
ある。
従来のものに比べ高温時における接合強度を強化するこ
とができ、特にクラッド構造の貴金属チップに比べて製
造が容易であシ、その上、Ｎｉ鍍金層を貴金属チップ上
に設けるにあたシ、Ｐｔ 貴金属鍍金層を介するもので
あるから、−その拡散層の形成が確実であり、しかも、
電極に接合するにあた９、上下の識別を必要としないの
で、その工程を省略できる等の優れた効果をもつもので
ある。
第１図（イ）はこの発明のスパークプラグ用チップの製
造工程を示し、第１図（ロ）はこの発明のスパークプラ
グ用チップの斜視図、第２図はこのチップを接合してな
るスパークプラグを示す。 １・・・チップ母材、２・・・貴金属鍍金層、３・・・
Ｎ１鍍金層、４・・・合金拡散層、５・・・中心電極、
６・・・外側電極、Ａ・・・チップ 特許出願人 代理人弁理士 藤木三幸 第１図 第２図
造工程を示し、第１図（ロ）はこの発明のスパークプラ
グ用チップの斜視図、第２図はこのチップを接合してな
るスパークプラグを示す。 １・・・チップ母材、２・・・貴金属鍍金層、３・・・
Ｎ１鍍金層、４・・・合金拡散層、５・・・中心電極、
６・・・外側電極、Ａ・・・チップ 特許出願人 代理人弁理士 藤木三幸 第１図 第２図
Claims (1)
- 中心型イ〉及び／又は外側電極の火花放電面に貴金属チ
ップを接合してなるものにおいて、上記チップの接合表
面にＰｔ鍍金層を介してＮｉ鍍金層を重ね、これをｐｔ
（！：Ｎｉの拡散合金層に形成し、このチップを前記電
極に接合してなるスパークプラグ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510683A JPS60130081A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | スパ−クプラグ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23510683A JPS60130081A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | スパ−クプラグ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130081A true JPS60130081A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=16981140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23510683A Pending JPS60130081A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | スパ−クプラグ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130081A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9948068B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-04-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23510683A patent/JPS60130081A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9948068B2 (en) | 2013-11-20 | 2018-04-17 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Spark plug |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW440962B (en) | Semiconductor device | |
| JPS62226592A (ja) | 点火プラグ | |
| JPH11292649A (ja) | セラミック―金属接合体及びその製造方法 | |
| JPS616849A (ja) | パワー用半導体モジユールの製造方法 | |
| JPS60130081A (ja) | スパ−クプラグ | |
| JPH05343259A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPS60124382A (ja) | スパ−クプラグ | |
| JPS5830194A (ja) | セラミック多層配線基板の製造法 | |
| JPH05109958A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6033312B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0555656A (ja) | 圧電素子の電極構造 | |
| JPS6020485A (ja) | 電気ヒ−タ−およびその製法 | |
| JPH023601Y2 (ja) | ||
| JP4787462B2 (ja) | 絶縁性下地上の導電性被覆物の製造法およびこの種の被覆された下地 | |
| JPS6035486A (ja) | スパークプラグの電極材の製造方法 | |
| JPH0730656Y2 (ja) | オゾン発生用放電体 | |
| JP3537667B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH075642Y2 (ja) | 固定部材付集積回路パッケージ | |
| JPS598361Y2 (ja) | Ｉｃパツケ−ジ | |
| JPS6188479A (ja) | スパ−クプラグの外側電極 | |
| JPS5969906A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 | |
| JPS62242323A (ja) | チツプコンデンサ− | |
| JPS5952827A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 | |
| JPS5941536Y2 (ja) | リ−ド端子 | |
| JPH04125955A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |