JPS60121267A - 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 - Google Patents

多孔質タ−ゲツトの急速排気方法

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Publication number
JPS60121267A
JPS60121267A JP22540183A JP22540183A JPS60121267A JP S60121267 A JPS60121267 A JP S60121267A JP 22540183 A JP22540183 A JP 22540183A JP 22540183 A JP22540183 A JP 22540183A JP S60121267 A JPS60121267 A JP S60121267A
Authority
JP
Japan
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target
porous
torr
inert gas
vacuum
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Application number
JP22540183A
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English (en)
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JPH0341546B2 (ja
Inventor
Kenichi Agawa
阿川 健一
Hisaharu Obinata
小日向 久治
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はTazOr+ 、 Mo S iz等の多孔質
ターゲットの急速排気方法に関する。
一般にこの種のターゲットは実質的な表面積が大きいの
で一旦大気中にさらすと大量に水分等を吸着し、その後
の排気に非常に時間が掛り、多孔質ターゲットを使用し
てのスパッタリングを迅速に開始出来ない不都合がある
本発明はこのような不都合を解消することを目的とした
もので、真空室内にTa2O3その他の多孔質ターゲッ
トを設け、該真空室内を約t o−’乃至10−5To
rr程度まで真空排気し、Arガスその他の不活性ガス
を注入して該室内を約10−” Torr台程度とした
のち該多孔質ターゲットに短時間のスパッタリングを施
し、不活性ガスを排気することを特徴とする。
本発明の実施例は次の通りである。
真空室内にTa1onの多孔質ターゲラ)&設け、大気
を導入し、5分間放置して該ターゲットに空気中の水分
等を吸着させた。
次いで該真空室内をI X l O−’ Torr K
排気し、Ar ガスを注入して室内を5 X 10−3
Turr とし、15Kwの成力で5分間スパッタした
。このあとAr ガスを排気して室内全5 X 10=
To r rとしたが、この圧力にまでlXl0’To
rrO時から要した時間はスパッタリングの5分間を含
めて25分間であった。
途中のl X l O= Torr VCなるまではわ
ずか18分間2 X 1.0= Torrまでは10分
間であった。
これに対し前記と同条件で真空室内にTaz05の多孔
質ターゲットを設け、大気を導入し、5分間放置して該
ターゲットに空気中の水分等を吸着させ、直ちに前記と
同一の排気系[工り排気した。この場合2 X l O
”” Torrまで到達するには37分も掛り、2時間
経過しても室内は5 X l 0−6Torrにならな
かった。
このように本発明によるときは多孔質ターゲットを設け
た室内を10−4〜l O−’ Torrとしたのち不
活性ガスを注入して約10−3’porr台とし、該タ
ーゲットに数分間のプレスノゼツタを施して室内紫排気
することにより画一的に排気を続けるエリも短時間で高
い真空度が得られ、多孔質ターゲットのスパッタリング
を迅速に行なえる等の効果がある。
外2名

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空室内にTazOsその他の多孔質ターゲットを設け
    1.亥真空室内を約l0−4乃至10−5Torr程度
    まで真空排気し、Arガスその他の不活性ガスを注入し
    て該室内を約10−3Torr台程度としたのち1亥多
    孔質ターゲツトに短時間のスパッタリングを施し、不活
    性ガスを排気すること全特徴とする多孔質ターゲットの
    急速排気方法。
JP22540183A 1983-12-01 1983-12-01 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 Granted JPS60121267A (ja)

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JPS60121267A true JPS60121267A (ja) 1985-06-28
JPH0341546B2 JPH0341546B2 (ja) 1991-06-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215969A (ja) * 1988-02-23 1989-08-29 Fujitsu Ltd 酸化タンタルの成膜方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57207330A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of stabilizing treatment for target material

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57207330A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of stabilizing treatment for target material

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215969A (ja) * 1988-02-23 1989-08-29 Fujitsu Ltd 酸化タンタルの成膜方法

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JPH0341546B2 (ja) 1991-06-24

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