JPS60121267A - 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 - Google Patents
多孔質タ−ゲツトの急速排気方法Info
- Publication number
- JPS60121267A JPS60121267A JP22540183A JP22540183A JPS60121267A JP S60121267 A JPS60121267 A JP S60121267A JP 22540183 A JP22540183 A JP 22540183A JP 22540183 A JP22540183 A JP 22540183A JP S60121267 A JPS60121267 A JP S60121267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- porous
- torr
- inert gas
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はTazOr+ 、 Mo S iz等の多孔質
ターゲットの急速排気方法に関する。
ターゲットの急速排気方法に関する。
一般にこの種のターゲットは実質的な表面積が大きいの
で一旦大気中にさらすと大量に水分等を吸着し、その後
の排気に非常に時間が掛り、多孔質ターゲットを使用し
てのスパッタリングを迅速に開始出来ない不都合がある
。
で一旦大気中にさらすと大量に水分等を吸着し、その後
の排気に非常に時間が掛り、多孔質ターゲットを使用し
てのスパッタリングを迅速に開始出来ない不都合がある
。
本発明はこのような不都合を解消することを目的とした
もので、真空室内にTa2O3その他の多孔質ターゲッ
トを設け、該真空室内を約t o−’乃至10−5To
rr程度まで真空排気し、Arガスその他の不活性ガス
を注入して該室内を約10−” Torr台程度とした
のち該多孔質ターゲットに短時間のスパッタリングを施
し、不活性ガスを排気することを特徴とする。
もので、真空室内にTa2O3その他の多孔質ターゲッ
トを設け、該真空室内を約t o−’乃至10−5To
rr程度まで真空排気し、Arガスその他の不活性ガス
を注入して該室内を約10−” Torr台程度とした
のち該多孔質ターゲットに短時間のスパッタリングを施
し、不活性ガスを排気することを特徴とする。
本発明の実施例は次の通りである。
真空室内にTa1onの多孔質ターゲラ)&設け、大気
を導入し、5分間放置して該ターゲットに空気中の水分
等を吸着させた。
を導入し、5分間放置して該ターゲットに空気中の水分
等を吸着させた。
次いで該真空室内をI X l O−’ Torr K
排気し、Ar ガスを注入して室内を5 X 10−3
Turr とし、15Kwの成力で5分間スパッタした
。このあとAr ガスを排気して室内全5 X 10=
To r rとしたが、この圧力にまでlXl0’To
rrO時から要した時間はスパッタリングの5分間を含
めて25分間であった。
排気し、Ar ガスを注入して室内を5 X 10−3
Turr とし、15Kwの成力で5分間スパッタした
。このあとAr ガスを排気して室内全5 X 10=
To r rとしたが、この圧力にまでlXl0’To
rrO時から要した時間はスパッタリングの5分間を含
めて25分間であった。
途中のl X l O= Torr VCなるまではわ
ずか18分間2 X 1.0= Torrまでは10分
間であった。
ずか18分間2 X 1.0= Torrまでは10分
間であった。
これに対し前記と同条件で真空室内にTaz05の多孔
質ターゲットを設け、大気を導入し、5分間放置して該
ターゲットに空気中の水分等を吸着させ、直ちに前記と
同一の排気系[工り排気した。この場合2 X l O
”” Torrまで到達するには37分も掛り、2時間
経過しても室内は5 X l 0−6Torrにならな
かった。
質ターゲットを設け、大気を導入し、5分間放置して該
ターゲットに空気中の水分等を吸着させ、直ちに前記と
同一の排気系[工り排気した。この場合2 X l O
”” Torrまで到達するには37分も掛り、2時間
経過しても室内は5 X l 0−6Torrにならな
かった。
このように本発明によるときは多孔質ターゲットを設け
た室内を10−4〜l O−’ Torrとしたのち不
活性ガスを注入して約10−3’porr台とし、該タ
ーゲットに数分間のプレスノゼツタを施して室内紫排気
することにより画一的に排気を続けるエリも短時間で高
い真空度が得られ、多孔質ターゲットのスパッタリング
を迅速に行なえる等の効果がある。
た室内を10−4〜l O−’ Torrとしたのち不
活性ガスを注入して約10−3’porr台とし、該タ
ーゲットに数分間のプレスノゼツタを施して室内紫排気
することにより画一的に排気を続けるエリも短時間で高
い真空度が得られ、多孔質ターゲットのスパッタリング
を迅速に行なえる等の効果がある。
外2名
Claims (1)
- 真空室内にTazOsその他の多孔質ターゲットを設け
1.亥真空室内を約l0−4乃至10−5Torr程度
まで真空排気し、Arガスその他の不活性ガスを注入し
て該室内を約10−3Torr台程度としたのち1亥多
孔質ターゲツトに短時間のスパッタリングを施し、不活
性ガスを排気すること全特徴とする多孔質ターゲットの
急速排気方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22540183A JPS60121267A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22540183A JPS60121267A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60121267A true JPS60121267A (ja) | 1985-06-28 |
JPH0341546B2 JPH0341546B2 (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=16828782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22540183A Granted JPS60121267A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 多孔質タ−ゲツトの急速排気方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60121267A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215969A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Fujitsu Ltd | 酸化タンタルの成膜方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57207330A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of stabilizing treatment for target material |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP22540183A patent/JPS60121267A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57207330A (en) * | 1981-06-15 | 1982-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of stabilizing treatment for target material |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01215969A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Fujitsu Ltd | 酸化タンタルの成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0341546B2 (ja) | 1991-06-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |