JPS6011919B2 - セスキテルペン誘導体の製造法 - Google Patents
セスキテルペン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS6011919B2 JPS6011919B2 JP3557180A JP3557180A JPS6011919B2 JP S6011919 B2 JPS6011919 B2 JP S6011919B2 JP 3557180 A JP3557180 A JP 3557180A JP 3557180 A JP3557180 A JP 3557180A JP S6011919 B2 JPS6011919 B2 JP S6011919B2
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- Japan
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- compound
- structural formula
- compound represented
- acetic acid
- hydrazine hydrate
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、構造式：
で表わされる化合物を酢酸の存在下、ヒドラジンハィド
レートと反応せしめて構造式：で表わされる化合物を得
、該化合物をィミダゾ−ルの存在下、ジメチル−ｔ−プ
チルシリルクロラィドと反応せしめて構造式： で表わされる化合物を得ることを特徴とするセスキテル
ベン譲導体の製造法に関するものである。
レートと反応せしめて構造式：で表わされる化合物を得
、該化合物をィミダゾ−ルの存在下、ジメチル−ｔ−プ
チルシリルクロラィドと反応せしめて構造式： で表わされる化合物を得ることを特徴とするセスキテル
ベン譲導体の製造法に関するものである。
本発明の目的化合物は、夜盗蛾（ａｒｍｙｗｏｒｍ）に
対して強力な摂食阻止物質（ａｎｔｉ−ｆｅｅ船ｎｔ）
作用を示す天然物としてすでに単離されているバーバー
ガナール（Ｗａｒｂｕｒｇａｎａｌ）〔〔Ｃｈｅｍ．Ｃ
ｏｍｍ．、Ｐ．１０１３（１９７６）〕に変換する際の
重要な中間体として有用なものである。上記バーバーガ
ナールは、すでに、本発明者らにより、８−ョノン（８
−Ｉｏｎｏｎｅ）を出発物質として、インドリメニンを
経由して全合成が完成されている（侍願昭５３−１１０
３５６号、同５３−１１０３５７号、同５３−１１０３
斑号、同５３−１１０３５９号、同５３−１１０３６び
号、同５４一４２３１４号、同５４一４２３１６号参照
）本発明者らは、前記工程の改良につき更に鋭意研究を
行った結果、前記工程中、化合物（２０）から化合物（
２２）を得る工程において、従来より収率が極めて良好
で、且つ副生物が極めて少ない方法を見出し、本発明を
完成するに至った。
対して強力な摂食阻止物質（ａｎｔｉ−ｆｅｅ船ｎｔ）
作用を示す天然物としてすでに単離されているバーバー
ガナール（Ｗａｒｂｕｒｇａｎａｌ）〔〔Ｃｈｅｍ．Ｃ
ｏｍｍ．、Ｐ．１０１３（１９７６）〕に変換する際の
重要な中間体として有用なものである。上記バーバーガ
ナールは、すでに、本発明者らにより、８−ョノン（８
−Ｉｏｎｏｎｅ）を出発物質として、インドリメニンを
経由して全合成が完成されている（侍願昭５３−１１０
３５６号、同５３−１１０３５７号、同５３−１１０３
斑号、同５３−１１０３５９号、同５３−１１０３６び
号、同５４一４２３１４号、同５４一４２３１６号参照
）本発明者らは、前記工程の改良につき更に鋭意研究を
行った結果、前記工程中、化合物（２０）から化合物（
２２）を得る工程において、従来より収率が極めて良好
で、且つ副生物が極めて少ない方法を見出し、本発明を
完成するに至った。
更に説明を加えると、従来例では、ェポキシ体（２０）
を無溶媒で１００％ヒドラジンハイドレートと加熱反応
せしめてトリオール体（２１）を得、これをィミダゾー
ルの存在下、ジメチル−ｔ−ブチルシリルクロラィドと
反応させてシリル体（２２）を得ているが、この方法で
は、〔副生物の又は｛Ｂー〕が大量に生成し、又（２０
）から（２２）への通算収率も高々約５０％であった。
を無溶媒で１００％ヒドラジンハイドレートと加熱反応
せしめてトリオール体（２１）を得、これをィミダゾー
ルの存在下、ジメチル−ｔ−ブチルシリルクロラィドと
反応させてシリル体（２２）を得ているが、この方法で
は、〔副生物の又は｛Ｂー〕が大量に生成し、又（２０
）から（２２）への通算収率も高々約５０％であった。
そこで、本発明者らは、温和な条件下でこれらの副生成
物の生成をおさえ、更に収率を向上させる条件を鋭意探
索したところ、意外にもェポキシ体（２０）を、酢酸存
在下でヒドラジンハイドレートと反応させることにより
上記目的が蓬せられることを見出したのである。以下に
、本発明を詳述する。
物の生成をおさえ、更に収率を向上させる条件を鋭意探
索したところ、意外にもェポキシ体（２０）を、酢酸存
在下でヒドラジンハイドレートと反応させることにより
上記目的が蓬せられることを見出したのである。以下に
、本発明を詳述する。
まずェポキシ体（２０）を酢酸に溶かし、１００％ヒド
ラジンハィドレート中に氷冷下滴下して、滴下後室温に
戻し、蝿拝する。
ラジンハィドレート中に氷冷下滴下して、滴下後室温に
戻し、蝿拝する。
蝿梓後常法により抽出、洗浄、乾燥を行った後、溶媒留
去するとトリオール体（２１）の粗結晶が得られる。こ
れは、精製せずにそのま）次の反応に用いる。この反応
において用いる酢酸の量は、ヒドラジンハィドレート１
に対して約１／２〜１／２０（体＊積比）の割合にする
と良好な結果が得られる。
去するとトリオール体（２１）の粗結晶が得られる。こ
れは、精製せずにそのま）次の反応に用いる。この反応
において用いる酢酸の量は、ヒドラジンハィドレート１
に対して約１／２〜１／２０（体＊積比）の割合にする
と良好な結果が得られる。
又、反応時間は、約１〜４時間が適当である。次いで、
トリオール体（２１）の粗結晶をジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、酢酸ェステル等の溶媒に溶か
し、イミダゾール及びジメチル−ｔ−プチルシリルクロ
ライドを加え、氷冷下櫨拝する。ひきつゞいて反応溶液
を常法により抽出、洗浄乾燥した後シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーに付すとシリル体（２２）を高収率（
（２０）からの通算収率８０％以上）で得ることができ
る。
トリオール体（２１）の粗結晶をジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、酢酸ェステル等の溶媒に溶か
し、イミダゾール及びジメチル−ｔ−プチルシリルクロ
ライドを加え、氷冷下櫨拝する。ひきつゞいて反応溶液
を常法により抽出、洗浄乾燥した後シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーに付すとシリル体（２２）を高収率（
（２０）からの通算収率８０％以上）で得ることができ
る。
反応時間は、約１〜４時間が適当である。以下に、本発
明を実施例により説明する。
明を実施例により説明する。
実施例
化合物（２０） ２．９４６夕を酢酸１９の‘に溶かし
、１００％ヒドラジン水和物１００必中に氷冷下滴下し
、滴下後室塩に戻し１．５時間鷹梓後氷中にあげエーテ
ル抽出する。
、１００％ヒドラジン水和物１００必中に氷冷下滴下し
、滴下後室塩に戻し１．５時間鷹梓後氷中にあげエーテ
ル抽出する。
エーテル層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾
燥後溶媒を蟹去すると化合物（２１）の粗結晶が得られ
た。これを精製せずジメチルホルムアミド５０肌に溶か
し、ィミダゾール２．２４４夕、ジメチルーｔ−ブチル
シリルクロライド１．６５８夕を加え氷冷下、２時間蝿
拝した。ひき続いて、反応溶液を氷水中にあげエーテル
抽出し、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、得られた油状物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付すと、ヘキサン：酢酸エチル（１
５：１）の溶出部から化合物（２２）が３．４０夕（収
率（２０）から滋％）得られた。〔化合物（２２）の物
理的性質〕１．Ｒ．入殻ＳＩ３肌‐１：３４２０ Ｎ．Ｍ．Ｒ．（ＣＤＣ１３、６０ＭＨｚ）：６５．８１
（ＩＨ．ｍ）物理的性質は標品と一致した。
燥後溶媒を蟹去すると化合物（２１）の粗結晶が得られ
た。これを精製せずジメチルホルムアミド５０肌に溶か
し、ィミダゾール２．２４４夕、ジメチルーｔ−ブチル
シリルクロライド１．６５８夕を加え氷冷下、２時間蝿
拝した。ひき続いて、反応溶液を氷水中にあげエーテル
抽出し、エーテル層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、得られた油状物をシリカゲルカラムク
ロマトグラフイーに付すと、ヘキサン：酢酸エチル（１
５：１）の溶出部から化合物（２２）が３．４０夕（収
率（２０）から滋％）得られた。〔化合物（２２）の物
理的性質〕１．Ｒ．入殻ＳＩ３肌‐１：３４２０ Ｎ．Ｍ．Ｒ．（ＣＤＣ１３、６０ＭＨｚ）：６５．８１
（ＩＨ．ｍ）物理的性質は標品と一致した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる化合物を酢酸の存在下、ヒドラジンハイド
レートと反応せしめて構造式：▲数式、化学式、表等が
あります▼ で表わされる化合物を得、該化合物をイミダゾールの存
在下、ジメチル−ｔ−ブチルシリルクロイドと反応せし
めて、構造式： ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる化合物を得ることを特徴とするセスキテル
ペン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3557180A JPS6011919B2 (ja) | 1980-03-19 | 1980-03-19 | セスキテルペン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3557180A JPS6011919B2 (ja) | 1980-03-19 | 1980-03-19 | セスキテルペン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56131593A JPS56131593A (en) | 1981-10-15 |
| JPS6011919B2 true JPS6011919B2 (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=12445436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3557180A Expired JPS6011919B2 (ja) | 1980-03-19 | 1980-03-19 | セスキテルペン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6011919B2 (ja) |
-
1980
- 1980-03-19 JP JP3557180A patent/JPS6011919B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56131593A (en) | 1981-10-15 |
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