JPS60117736A - ベ−パ−エッチング方法 - Google Patents
ベ−パ−エッチング方法Info
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- JPS60117736A JPS60117736A JP22581683A JP22581683A JPS60117736A JP S60117736 A JPS60117736 A JP S60117736A JP 22581683 A JP22581683 A JP 22581683A JP 22581683 A JP22581683 A JP 22581683A JP S60117736 A JPS60117736 A JP S60117736A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は高温に加熱したサセプター上の半導体基板に反
応ガスを接触させ、該半導体基板に反応ガスが含む物質
それ自身または基板との間に起る化学反応を利用して所
望物質を該基板に結晶成長させるのに用いた気相成長用
サセプター表面処理のペーパーエツチング方法に関する
ものである。
応ガスを接触させ、該半導体基板に反応ガスが含む物質
それ自身または基板との間に起る化学反応を利用して所
望物質を該基板に結晶成長させるのに用いた気相成長用
サセプター表面処理のペーパーエツチング方法に関する
ものである。
（従来技術）
第１図ｆａ）に気相成長後のサセプターの断面図を示す
、″すなわち、サセプター（カーボンＳｉＣコーティン
グされたもの）ｌの凹状に加工した表面にシリコン基板
３（以後、単にウェハーと呼ぶ）を載置し、エピタキシ
アル、ＣＶＤ等によシ気相成長層２が成長されている。
、″すなわち、サセプター（カーボンＳｉＣコーティン
グされたもの）ｌの凹状に加工した表面にシリコン基板
３（以後、単にウェハーと呼ぶ）を載置し、エピタキシ
アル、ＣＶＤ等によシ気相成長層２が成長されている。
このとき、サセプタ１上にも成長層２′が形成され、こ
のため、成長後、サセプタ−１に載置されたウェハー３
を取外してペーパーエツチングを行う必要がある。第１
図（ｂ）はサセプター上のウェハーを取外しペーパーエ
ツチングを行う前の断面図である。
のため、成長後、サセプタ−１に載置されたウェハー３
を取外してペーパーエツチングを行う必要がある。第１
図（ｂ）はサセプター上のウェハーを取外しペーパーエ
ツチングを行う前の断面図である。
ところで、このような従来のサセプターペーパーエツチ
ング方法では、サセプター１に気相成長されたシリコン
層２′と共に気相成長されていない個所にもペーパーエ
ツチング用ガスの塩化水素が接触し、このため、気相成
長された個所とされていないＳｉＣ界面１′で粒界腐食
が生じたシ、８１６表面１′全体にエツチングされてＳ
ｉＣコーティング層が薄くなったシしてピンホール等が
発生する。この結果、ウェハーの品質、デバイス特性の
低下及びサセプターの盆前等に重要な問題となっている
。
ング方法では、サセプター１に気相成長されたシリコン
層２′と共に気相成長されていない個所にもペーパーエ
ツチング用ガスの塩化水素が接触し、このため、気相成
長された個所とされていないＳｉＣ界面１′で粒界腐食
が生じたシ、８１６表面１′全体にエツチングされてＳ
ｉＣコーティング層が薄くなったシしてピンホール等が
発生する。この結果、ウェハーの品質、デバイス特性の
低下及びサセプターの盆前等に重要な問題となっている
。
（発明の目的）
本発明の目的はこのようなサセプターペーパーエッヂン
グに於けるサセプターのピンホール発生等寿命の問題を
解決すべくサセプターのエツチング方法を提供するもの
である。
グに於けるサセプターのピンホール発生等寿命の問題を
解決すべくサセプターのエツチング方法を提供するもの
である。
（発明の構成）
本発明によるサセプターペーパーエツチング方法は、気
相成長後凹状に加工された表面よ）ウェハーを取外し、
その個所にサセプターと同質のＳｉＣ円板或いは石英円
板等を載置（保護）シてサセプターのＳｉＣ表面に直接
反応ガスを接触させずにシリコン成長層をペーパーエツ
チングを行うことを特徴とする。
相成長後凹状に加工された表面よ）ウェハーを取外し、
その個所にサセプターと同質のＳｉＣ円板或いは石英円
板等を載置（保護）シてサセプターのＳｉＣ表面に直接
反応ガスを接触させずにシリコン成長層をペーパーエツ
チングを行うことを特徴とする。
（実施例）
つぎに、不発明の一実施例を図面によシ説明する。
第２図は本発明の一実施例の断面図である。ウェハー３
を取外した後の断面図は第１図（ｂ）に示されるように
従来と同じであるので省略する。本発明で鉱、第２図に
示されるように、サセプター（カーボンに８１０コーテ
イングされたもの〕ｌ上のウェハーを取外され、凹状に
加工された表面にサセプターと同質ＳｉＣ円板或いは石
英円板４を載置する。この後、所望の反応温度にて塩化
水素ガスによシ化学反応を利用してサセプター１表面に
気相成長された層２′をペーパーエツチングを行う、こ
の時むき出しになっているＳｉＣ表面にはＳｉＣ円板或
いは石英円似４によシ保護されているため１反応ガスは
直接触れずにペーパーエツチングが出来る。従って、サ
セプターのＳｉＣ表面のピンホール発生によるサセプタ
ーの寿命の低下させることなく装置の稼動率同上が計れ
る。
を取外した後の断面図は第１図（ｂ）に示されるように
従来と同じであるので省略する。本発明で鉱、第２図に
示されるように、サセプター（カーボンに８１０コーテ
イングされたもの〕ｌ上のウェハーを取外され、凹状に
加工された表面にサセプターと同質ＳｉＣ円板或いは石
英円板４を載置する。この後、所望の反応温度にて塩化
水素ガスによシ化学反応を利用してサセプター１表面に
気相成長された層２′をペーパーエツチングを行う、こ
の時むき出しになっているＳｉＣ表面にはＳｉＣ円板或
いは石英円似４によシ保護されているため１反応ガスは
直接触れずにペーパーエツチングが出来る。従って、サ
セプターのＳｉＣ表面のピンホール発生によるサセプタ
ーの寿命の低下させることなく装置の稼動率同上が計れ
る。
比１図（ａｎよサセプター上にウェハーを載置した断面
図である。第１図（ｂ）はサセプター上のウェハーを取
外しペーパーエツチングを行う前の気相成長されたサセ
プター断面図である。第２図は本発明の一実施例を示す
ものであって、サセプターの凹状表面よシウェハーを取
外しその後ＳｉＣ円板。 或いは石英円板を載置しペーパーエツチングを行う前の
サセプター断面図である。 １・・・・サセプター（カーボンにＳｉＣコーティング
されたもの）、１′・・・・・・ＳｉＣコーティング表
面、 ２．２’ ・・・・・気相成長層、３・・・・・
・シリコン基板（ウェハー）、４・・・・・・８ｉＣ円
板或いは石英円板。
図である。第１図（ｂ）はサセプター上のウェハーを取
外しペーパーエツチングを行う前の気相成長されたサセ
プター断面図である。第２図は本発明の一実施例を示す
ものであって、サセプターの凹状表面よシウェハーを取
外しその後ＳｉＣ円板。 或いは石英円板を載置しペーパーエツチングを行う前の
サセプター断面図である。 １・・・・サセプター（カーボンにＳｉＣコーティング
されたもの）、１′・・・・・・ＳｉＣコーティング表
面、 ２．２’ ・・・・・気相成長層、３・・・・・
・シリコン基板（ウェハー）、４・・・・・・８ｉＣ円
板或いは石英円板。
Claims (1)
- に、前記薄膜が形成されていない個所に前記サセプター
と同質の板を載置（保護）してエツチングすることを特
徴とするペーパーエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22581683A JPS60117736A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ベ−パ−エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22581683A JPS60117736A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ベ−パ−エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117736A true JPS60117736A (ja) | 1985-06-25 |
Family
ID=16835241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22581683A Pending JPS60117736A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | ベ−パ−エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163331U (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51131269A (en) * | 1975-05-12 | 1976-11-15 | Toshiba Corp | Vapor phase propagation process and vapor phase propagation unit |
| JPS5647950U (ja) * | 1979-09-19 | 1981-04-28 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22581683A patent/JPS60117736A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51131269A (en) * | 1975-05-12 | 1976-11-15 | Toshiba Corp | Vapor phase propagation process and vapor phase propagation unit |
| JPS5647950U (ja) * | 1979-09-19 | 1981-04-28 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01163331U (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 |
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