JPS60116781A - 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 - Google Patents
高硬度窒化ホウ素膜の製造方法Info
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- JPS60116781A JPS60116781A JP22498683A JP22498683A JPS60116781A JP S60116781 A JPS60116781 A JP S60116781A JP 22498683 A JP22498683 A JP 22498683A JP 22498683 A JP22498683 A JP 22498683A JP S60116781 A JPS60116781 A JP S60116781A
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- plasma
- substrate
- wbn
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/342—Boron nitride
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子サイクロトロン共鳴グラズマの利用ｌこよ
る高硬度窒化ホウ素膜（以下、窒化ホウ素をＢＮと略す
）の製造方法に関する。
る高硬度窒化ホウ素膜（以下、窒化ホウ素をＢＮと略す
）の製造方法に関する。
立方晶窒化ホウ素（以下、ＣＢＮと略す）及び六方最密
充填窒化ホウ素（以下、ＷＢＮと略す）は耐熱衝撃性、
熱伝導性、硬度及び耐摩耗性、並びに高温での鉄族金属
に対する耐性にも優れているため、切削部材、耐摩耗部
材及び耐熱部材など種々の広範な用途Ｃζ注目されてお
り、これｌこ伴い、良質のＣＢＮやＷＢＮの製法が研究
されている。
充填窒化ホウ素（以下、ＷＢＮと略す）は耐熱衝撃性、
熱伝導性、硬度及び耐摩耗性、並びに高温での鉄族金属
に対する耐性にも優れているため、切削部材、耐摩耗部
材及び耐熱部材など種々の広範な用途Ｃζ注目されてお
り、これｌこ伴い、良質のＣＢＮやＷＢＮの製法が研究
されている。
公知の製法技術として、高価な装置を使用して超高圧・
高温のもとて合成できる方法があるが、その他、気相成
長法によって、効率的にＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜を合成す
ることも研究されている。即ち、プラズマＣ’ＶＤ法、
反応イオンブレーティング法などによっても朱だＣＥＮ
やＷＢＮの合成が報告されておらず、近時、イオン化合
成法によって比較的良質なＣＢＮが合成できたという報
告があるｆＣ過ぎない。
高温のもとて合成できる方法があるが、その他、気相成
長法によって、効率的にＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜を合成す
ることも研究されている。即ち、プラズマＣ’ＶＤ法、
反応イオンブレーティング法などによっても朱だＣＥＮ
やＷＢＮの合成が報告されておらず、近時、イオン化合
成法によって比較的良質なＣＢＮが合成できたという報
告があるｆＣ過ぎない。
因に、このイオン化合成法によれば、ホウ素を電子衝撃
で飛ばして基板ｌこ蒸着させ、同時Ｉこ窒素イオンを照
射することにより、この基板上８こＣＢＮ膜が形成でき
るというものである。
で飛ばして基板ｌこ蒸着させ、同時Ｉこ窒素イオンを照
射することにより、この基板上８こＣＢＮ膜が形成でき
るというものである。
本発明者は先に提案されたイオン化合成法の他に、ＣＢ
Ｎ及びＷＢＮの合成ｆこ相応しい新規な気相成長法を開
発するに当り、鋭意研究の結果、電子サイクロトロン共
鳴プラズマによってグラズマの発化率を大きくした後、
このプラズマからイオンビームを形成して基板上に照射
する方法をおこなうことによ、って、良質のＣＢＮ及び
ＷＢＮが形成できることを見い出した。
Ｎ及びＷＢＮの合成ｆこ相応しい新規な気相成長法を開
発するに当り、鋭意研究の結果、電子サイクロトロン共
鳴プラズマによってグラズマの発化率を大きくした後、
このプラズマからイオンビームを形成して基板上に照射
する方法をおこなうことによ、って、良質のＣＢＮ及び
ＷＢＮが形成できることを見い出した。
本発明は上記知見に基づき完成されたものであり、良質
のＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜を広範囲且つ効率的に合成する
新規な高硬度ＢＮ膜の製造方法を提供することにある。
のＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜を広範囲且つ効率的に合成する
新規な高硬度ＢＮ膜の製造方法を提供することにある。
本発明による高硬度ＢＮ膜の製造方法は、窒素原子含有
ガスを反応室に導入すると共に、該反応室内部に電子サ
イクロトロン共鳴プラズマを発生させ、次いで、イオン
加速電圧の印加に伴って該プラズマからイオンビームを
形成して該反応室から析出室内の基板上に照射すると同
時に、該析出室にホウ素原子含有ガスを導入し、この基
板上にＢＮを気相成長させることを特徴とするものであ
る。
ガスを反応室に導入すると共に、該反応室内部に電子サ
イクロトロン共鳴プラズマを発生させ、次いで、イオン
加速電圧の印加に伴って該プラズマからイオンビームを
形成して該反応室から析出室内の基板上に照射すると同
時に、該析出室にホウ素原子含有ガスを導入し、この基
板上にＢＮを気相成長させることを特徴とするものであ
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
図はＣＢＮ膜及びＷＢＮ ｉＩ４を形成するだめの電子
サイクロトロン共鳴型放電装置であり、図中、反応室（
１）の外部ｌこ電磁石用コイル（２）を配置して反応室
（１）内に磁場をかけ、且つマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ）が導波管（３）を介してこの反応室（１）へ導入さ
れる。
サイクロトロン共鳴型放電装置であり、図中、反応室（
１）の外部ｌこ電磁石用コイル（２）を配置して反応室
（１）内に磁場をかけ、且つマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ）が導波管（３）を介してこの反応室（１）へ導入さ
れる。
そして、Ｎ９．ＮＨ３，などの窒素原子含有ガス （以
下、Ｎ含有ガスと略す）が第１導入管（４１を通して反
応室（１）Ｉこ導入されると同時Ｉこ、電子サイクロト
ロン共鳴が生じ、電子がＮ含有ガスと衝突して放電し、
プラズマを発生せしめ、次いで、このブフズマにイオン
加速電圧を印加する嘗Ｃ伴って析出室（５１にイオンビ
ームを形成して試料台（６目こ設置された基板（７）１
に照射し、同時に、この基板（７）へ向けて、Ｂ＋Ｈｓ
、 （Ｃ５Ｈｂ ）３Ｂ 、 Ｂ（Ｊｓ 、 、 Ｂ
Ｂｒａなどのホウ素原子含有ガス（以下、Ｂ含有ガスと
略す）を、析出室（５）の一部に設けられた第２導入管
（８）を介して噴出させると、ＣＢＮ及びＷＢＮがこの
基板（７）の上に気相成長される。
下、Ｎ含有ガスと略す）が第１導入管（４１を通して反
応室（１）Ｉこ導入されると同時Ｉこ、電子サイクロト
ロン共鳴が生じ、電子がＮ含有ガスと衝突して放電し、
プラズマを発生せしめ、次いで、このブフズマにイオン
加速電圧を印加する嘗Ｃ伴って析出室（５１にイオンビ
ームを形成して試料台（６目こ設置された基板（７）１
に照射し、同時に、この基板（７）へ向けて、Ｂ＋Ｈｓ
、 （Ｃ５Ｈｂ ）３Ｂ 、 Ｂ（Ｊｓ 、 、 Ｂ
Ｂｒａなどのホウ素原子含有ガス（以下、Ｂ含有ガスと
略す）を、析出室（５）の一部に設けられた第２導入管
（８）を介して噴出させると、ＣＢＮ及びＷＢＮがこの
基板（７）の上に気相成長される。
即ち、電子のサイクロトロン周波数ｆは、θＢ
ｆ；□（但し、ｌＲ：ｗＬ子の質量、ｅ：電子の電２ｒ
＊ 荷、Ｂ：磁束密度とする）に基いて、サイクロトロン運
動を起こし、この周波数ｆがマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ ）の周波数と一致すると共鳴し、その結果、電子が
Ｎ含有ガスの分子、イオン及びラジカルと衝突して高励
起状態の放電現象が著しく増大し、プラズマ中のイオン
化率が一層大きくなる。
＊ 荷、Ｂ：磁束密度とする）に基いて、サイクロトロン運
動を起こし、この周波数ｆがマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ ）の周波数と一致すると共鳴し、その結果、電子が
Ｎ含有ガスの分子、イオン及びラジカルと衝突して高励
起状態の放電現象が著しく増大し、プラズマ中のイオン
化率が一層大きくなる。
このようにプラズマイオン密度が大きいために、ガスの
圧力を１０ 乃至１０ｔｏｒｒ ＋こ設定することがで
き、イオン化合成法に比べて著しく減圧することができ
るため、高純度且つイオン密度の大きいプラズマが発生
する。
圧力を１０ 乃至１０ｔｏｒｒ ＋こ設定することがで
き、イオン化合成法に比べて著しく減圧することができ
るため、高純度且つイオン密度の大きいプラズマが発生
する。
本発明においては、上記の如く反応室（１）内に発生し
たプラズマを析出室（５）内でイオンビーム−こして試
料台（６）に設置された基板（７）に衝突させると同時
に、Ｂ含有ガスを所定の流量で基板（７）へ向けて噴出
させることが重要である。つまり、イオン加速電極（９
）にバイアス電圧をかけることに伴い、プラズマにイオ
ン加速電圧を印加させるが、このイオン加速電ｍ １９
＋は、反応室（１）の内壁に設けられたアース電極αυ
、及び反応室（１）と析出室（５）とを隔壁すると共に
イオンビームの発射場所となる多孔状のバイアス電Ｗ１
ｆｉυから構成され、バイアス電ＩＩ（Ｉｌｌを負とし
て両電極Ｑｌ（ｌυの間に５０乃至５０００ Ｖの範囲
で印加させるとよい。このバイアス電圧が５０Ｖ未満で
あるとＣＢＮ ＊ ＷＢＮの生成に必要な窒素源が不足
して基板上に形成されたＢＮｆｉ中にＯＢＮ及びＷＢＮ
の特性が小さくなり、 ５０００ Ｖを超えると成膜速
度が低下して生産効率が劣化する。従って、このバイア
ス電圧は５０乃至５０００ Ｖ 、好ましくは２００乃
至１ｏｏｏ ｖがよい。そして、プラズマの正イオンが
基板（７）に対してイオンビーム照射されることによっ
て（！ＢＮ −ＷＢＮ生成生成室素源が高エネルギとな
り、基板（７）に衝突すると同時に、Ｂ含有ガスが第２
導入管（８）を介して基板（７）に噴出されると、ＣＢ
Ｎ ＠ＷＢＮが合成されるべくＮ原子及びＢ原子のそれ
ぞれがＳＰ３混成軌道をもった高励起状態となる。
たプラズマを析出室（５）内でイオンビーム−こして試
料台（６）に設置された基板（７）に衝突させると同時
に、Ｂ含有ガスを所定の流量で基板（７）へ向けて噴出
させることが重要である。つまり、イオン加速電極（９
）にバイアス電圧をかけることに伴い、プラズマにイオ
ン加速電圧を印加させるが、このイオン加速電ｍ １９
＋は、反応室（１）の内壁に設けられたアース電極αυ
、及び反応室（１）と析出室（５）とを隔壁すると共に
イオンビームの発射場所となる多孔状のバイアス電Ｗ１
ｆｉυから構成され、バイアス電ＩＩ（Ｉｌｌを負とし
て両電極Ｑｌ（ｌυの間に５０乃至５０００ Ｖの範囲
で印加させるとよい。このバイアス電圧が５０Ｖ未満で
あるとＣＢＮ ＊ ＷＢＮの生成に必要な窒素源が不足
して基板上に形成されたＢＮｆｉ中にＯＢＮ及びＷＢＮ
の特性が小さくなり、 ５０００ Ｖを超えると成膜速
度が低下して生産効率が劣化する。従って、このバイア
ス電圧は５０乃至５０００ Ｖ 、好ましくは２００乃
至１ｏｏｏ ｖがよい。そして、プラズマの正イオンが
基板（７）に対してイオンビーム照射されることによっ
て（！ＢＮ −ＷＢＮ生成生成室素源が高エネルギとな
り、基板（７）に衝突すると同時に、Ｂ含有ガスが第２
導入管（８）を介して基板（７）に噴出されると、ＣＢ
Ｎ ＠ＷＢＮが合成されるべくＮ原子及びＢ原子のそれ
ぞれがＳＰ３混成軌道をもった高励起状態となる。
かかるＳＰ３混成軌道をもったＮ原子及びＢ原子から効
率よ（ＯＢＮ ＃ ＷＢＮが合成されるためには、反応
室（１）及び析出室（５１のそれぞれに導入されるＮ含
有ガス及びＢ含有ガスのそれぞれに含まれるＮ原子及び
Ｂ原子の原子比率を特定することが重要であり、当該Ｂ
原子に対するＮ原子の原子比率を１／１０乃至ｌＯの範
囲となるように設定することが好ましく、この設定範囲
から外れると析出中、ＣＢＮ −ＷＢＮの含有率がかな
り少なくなる。この最適条件は１／２乃至３の範囲であ
ることが実験上確かめられている。
率よ（ＯＢＮ ＃ ＷＢＮが合成されるためには、反応
室（１）及び析出室（５１のそれぞれに導入されるＮ含
有ガス及びＢ含有ガスのそれぞれに含まれるＮ原子及び
Ｂ原子の原子比率を特定することが重要であり、当該Ｂ
原子に対するＮ原子の原子比率を１／１０乃至ｌＯの範
囲となるように設定することが好ましく、この設定範囲
から外れると析出中、ＣＢＮ −ＷＢＮの含有率がかな
り少なくなる。この最適条件は１／２乃至３の範囲であ
ることが実験上確かめられている。
ＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜が形成される基板（７）は、析出
中、所定範囲内の温度に維持されていることが必要であ
り、これにより、気相成長したＣＢＮ ＠ＷＢＮの構造
を維持したまま、基板（７）に付着せしめ、且つ膜状に
発達させることができる。その基板温度は−１００乃至
５００℃がよく、 この範囲から外れると非晶質及び六
方晶ＢＮが多くなって良質なＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜が得
られず、望ましくは０乃至２５０℃がよい。
中、所定範囲内の温度に維持されていることが必要であ
り、これにより、気相成長したＣＢＮ ＠ＷＢＮの構造
を維持したまま、基板（７）に付着せしめ、且つ膜状に
発達させることができる。その基板温度は−１００乃至
５００℃がよく、 この範囲から外れると非晶質及び六
方晶ＢＮが多くなって良質なＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜が得
られず、望ましくは０乃至２５０℃がよい。
尚、【１カはこのＣＢＮ −ＷＢＮの生成に不要となっ
た排ガスの排出口である。
た排ガスの排出口である。
かくして、本発明による高硬度ＢＮ膜の製造方法によれ
ば、Ｎ含有ガスに含まれるＮ原子を所定の原子比率に設
定しながら電子サイクロトロン共鳴によってガスを電子
と衝突せしめて放電させ、これにより、高純度のプラズ
マを効率よく発生させると共に、このプラズマからビー
ム径の大きいイオンビームを形成して高エネルギの正イ
オンを温度設定された基板上に照射し、同時に所定範囲
のＢ原子を含んだＢ含有ガスを基板へ噴出させると、非
常に良質なＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜が広範囲に形成される
ことになる。
ば、Ｎ含有ガスに含まれるＮ原子を所定の原子比率に設
定しながら電子サイクロトロン共鳴によってガスを電子
と衝突せしめて放電させ、これにより、高純度のプラズ
マを効率よく発生させると共に、このプラズマからビー
ム径の大きいイオンビームを形成して高エネルギの正イ
オンを温度設定された基板上に照射し、同時に所定範囲
のＢ原子を含んだＢ含有ガスを基板へ噴出させると、非
常に良質なＣＢＮ膜及びＷＢＮ膜が広範囲に形成される
ことになる。
・次に本発明の実施例について述べる。
上述した電子サイクロトロン共鳴型放電装置を使用し、
初めにＮ２ガスを第１導入管（４）を通して流量０．１
ｔｎｌ／ｍ ｌこて反応室（１１へ導入した。 これ
により、反応室（１）内の圧力を常時、１０ｔｏｒｒに
設定すると共に、電磁石用コイル（２目こよって反応室
（１）内に磁場をかけ、且つマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ ）を導波管（３）を介して反応室（１）へ導入し、
電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させる。次いで
、イオン加速電極（９）にバイアス電圧９００ｖを印加
するとイオンビームが形成され、このイオンビームが、
例えば、シリコン、サファイア、モリブデン、アルミナ
多結晶などから成る基板（７）に照射されると同時に、
第２導入管（８）よりＢ２Ｈ６ガスを流量０．０５”ｌ
ｏｇｉｎで析出室（５）へ導入した。 この場合、Ｂ原
子に対するＮ原子の原子比率は２である。この条件を２
時間続けると、厚さ２μｍの緑がかったＢＮ膜が基板（
７）上に形成された。
初めにＮ２ガスを第１導入管（４）を通して流量０．１
ｔｎｌ／ｍ ｌこて反応室（１１へ導入した。 これ
により、反応室（１）内の圧力を常時、１０ｔｏｒｒに
設定すると共に、電磁石用コイル（２目こよって反応室
（１）内に磁場をかけ、且つマイクロ波（２，４５ＧＨ
ｚ ）を導波管（３）を介して反応室（１）へ導入し、
電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させる。次いで
、イオン加速電極（９）にバイアス電圧９００ｖを印加
するとイオンビームが形成され、このイオンビームが、
例えば、シリコン、サファイア、モリブデン、アルミナ
多結晶などから成る基板（７）に照射されると同時に、
第２導入管（８）よりＢ２Ｈ６ガスを流量０．０５”ｌ
ｏｇｉｎで析出室（５）へ導入した。 この場合、Ｂ原
子に対するＮ原子の原子比率は２である。この条件を２
時間続けると、厚さ２μｍの緑がかったＢＮ膜が基板（
７）上に形成された。
かくして得られたＢＮ膜をＸ線回折により分析したとこ
ろ、ＯＢＮ （１１１）及びＷＢＮ （００２）と固定
できるピークが確認でき、その存在が判明できた。
ろ、ＯＢＮ （１１１）及びＷＢＮ （００２）と固定
できるピークが確認でき、その存在が判明できた。
上述の実施例から明らかなように、本発明による高硬度
ＢＮ膜の製造方法によれば、 Ｎ含有ガスから電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを効率よく発生させると共に、
このプラズマからイオンビームを基板へ照射し、且つこ
の基板へ向けてＢ含有ガスを噴出させたため、非常１こ
良質なＣＢＮ１１ＷＢＮ膜が基板上に形成できた。
ＢＮ膜の製造方法によれば、 Ｎ含有ガスから電子サイ
クロトロン共鳴プラズマを効率よく発生させると共に、
このプラズマからイオンビームを基板へ照射し、且つこ
の基板へ向けてＢ含有ガスを噴出させたため、非常１こ
良質なＣＢＮ１１ＷＢＮ膜が基板上に形成できた。
更に、イオンビーム照射により基板が加熱されたため、
基板を加熱するだめの熱源が不要となつたばかりか、フ
ィラメントなどプラズマ発生用の熱源も使用しないため
、かかる熱源の′不良によって高硬質ＢＮ膜の形成が阻
害されず、安定した製造が維持できるという利点も有し
、その結果、量産型に相応しく、且つ信頼性の高い高硬
度ＢＮ膜の製造方法が提供できた。
基板を加熱するだめの熱源が不要となつたばかりか、フ
ィラメントなどプラズマ発生用の熱源も使用しないため
、かかる熱源の′不良によって高硬質ＢＮ膜の形成が阻
害されず、安定した製造が維持できるという利点も有し
、その結果、量産型に相応しく、且つ信頼性の高い高硬
度ＢＮ膜の製造方法が提供できた。
図は立方晶窒化ホウ素及び六方最密充填窒化ホウ素を形
成するだめの電子サイクロトロン共鳴型放電装置の概略
図である。 （１）・・反応室、（２）・・・電磁石用コイル、（３
１・・・導波管、（４）・・・第１導入管、（５１・・
・析出室、（７）・・・基板、（８）・・・第２導入管
、（９）・・・イオン加速ｗＬ極。 特許出願人 京セ ラ株式会社 昭和５９年２月１＋日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １６ 事件の表示 昭和詔年特許願第２２４９８６号２
、発明の名称 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法３、補正
をする者 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲の欄」、［発明の詳細な説明
の欄」及び「図面の簡単な説明の欄」 ６、 補正の内容 （１） 明細豊中特許請求の範囲を次の通り補正する。 ［窒素原子含有ガスを反応室に導入すると共に、該反応
室内部に電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させ、
次いで、イオン加速電圧の印加に伴′つて該プラズマか
らイオンビームを形成して該反応室から析出室内の基体
上に照射すると同時に、該析出室にホウ素原子含有ガス
を導入し、この基体上に窒化ホウ素を気相成長させるこ
とを特徴とする高硬度窒化ホウ素膜の製造方法。」（２
）明細豊中第２頁第１４行目、第２頁第１５行目、第３
頁第２行目、第３頁第１４行目、第３頁第１５行目、第
４頁第１１行目、第４頁第１５行目、第５頁第１３行目
、第２頁第１５行目、第６頁第５行目、第６頁第１０行
目、ｆｓ６頁第１２行目、第６頁第１３行目、ｆＥ７頁
第８行目、第７負１Ｊ１１行目、第７頁第１２行目、第
８頁ｆＪ６行目、第８貰第７行目、第９頁第３行目、第
９頁第８行目、第９頁第１６行目、第９頁第１８行目、
第９頁第１９行目、第９頁第２０行目、第１０頁第１２
行目に「基板」とあるを「基体」と補正するう 以上
成するだめの電子サイクロトロン共鳴型放電装置の概略
図である。 （１）・・反応室、（２）・・・電磁石用コイル、（３
１・・・導波管、（４）・・・第１導入管、（５１・・
・析出室、（７）・・・基板、（８）・・・第２導入管
、（９）・・・イオン加速ｗＬ極。 特許出願人 京セ ラ株式会社 昭和５９年２月１＋日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １６ 事件の表示 昭和詔年特許願第２２４９８６号２
、発明の名称 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法３、補正
をする者 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲の欄」、［発明の詳細な説明
の欄」及び「図面の簡単な説明の欄」 ６、 補正の内容 （１） 明細豊中特許請求の範囲を次の通り補正する。 ［窒素原子含有ガスを反応室に導入すると共に、該反応
室内部に電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させ、
次いで、イオン加速電圧の印加に伴′つて該プラズマか
らイオンビームを形成して該反応室から析出室内の基体
上に照射すると同時に、該析出室にホウ素原子含有ガス
を導入し、この基体上に窒化ホウ素を気相成長させるこ
とを特徴とする高硬度窒化ホウ素膜の製造方法。」（２
）明細豊中第２頁第１４行目、第２頁第１５行目、第３
頁第２行目、第３頁第１４行目、第３頁第１５行目、第
４頁第１１行目、第４頁第１５行目、第５頁第１３行目
、第２頁第１５行目、第６頁第５行目、第６頁第１０行
目、ｆｓ６頁第１２行目、第６頁第１３行目、ｆＥ７頁
第８行目、第７負１Ｊ１１行目、第７頁第１２行目、第
８頁ｆＪ６行目、第８貰第７行目、第９頁第３行目、第
９頁第８行目、第９頁第１６行目、第９頁第１８行目、
第９頁第１９行目、第９頁第２０行目、第１０頁第１２
行目に「基板」とあるを「基体」と補正するう 以上
Claims (1)
- 窒素原子含有ガスを反応室に導入すると共ｌこ、該反応
室内部多こ電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させ
、次いで、イオン加速電圧の印加に伴って該デフズマか
らイオンビームを形成して該反応室から析出室内の基板
上に照射すると同時に、該析出室にホウ素原子含有ガス
を導入し、この基板上に窒化ホウ素を気相成長させるこ
とを特徴とする高硬度窒化ホウ素膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22498683A JPS60116781A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22498683A JPS60116781A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116781A true JPS60116781A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0524992B2 JPH0524992B2 (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=16822303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22498683A Granted JPS60116781A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238962A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜形成装置 |
| EP0226898A2 (de) * | 1985-12-24 | 1987-07-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbundpulverteilchen, Verbundkörper und Verfahren zu deren Herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS57133636A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma at low temperature |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP22498683A patent/JPS60116781A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
| JPS57133636A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma at low temperature |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238962A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 膜形成装置 |
| EP0226898A2 (de) * | 1985-12-24 | 1987-07-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Verbundpulverteilchen, Verbundkörper und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5672382A (en) * | 1985-12-24 | 1997-09-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite powder particle, composite body and method of preparation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524992B2 (ja) | 1993-04-09 |
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