JPS60116193A - コネクタ - Google Patents
コネクタInfo
- Publication number
- JPS60116193A JPS60116193A JP22463283A JP22463283A JPS60116193A JP S60116193 A JPS60116193 A JP S60116193A JP 22463283 A JP22463283 A JP 22463283A JP 22463283 A JP22463283 A JP 22463283A JP S60116193 A JPS60116193 A JP S60116193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- melting point
- male
- low melting
- connector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は極めて多数の端子数を備えたコネクタの構成に
関する。
関する。
（ｂ） 技術の背景
電算機の高速化および大容量化は目覚しく、これを実現
するためＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子は小形化大容量
化されると共にこれら半導体素子の実装法も改良さ九つ
＼ある。すなわち論理回路や記憶回路′（ｉｌ−構成す
る単位素子は益々小形化し、またこの単位素子を結ぶ導
体バター幅も微細化して１〔μｍ〕以下の所請るサブミ
クロンパターンカ実現されつ＼ある。また半導体素子の
実装法として現在はハーメチックシール構造のパッケー
ジを多層構造をとるプリント配線基板のスルーホール孔
に挿入しハンダ付けする方法がとられている。然し将来
の実装法として例えば第１図に示すようにチップ状の半
導体素子１を多層配ＩＭ構造をとる配線基板２上に数多
く波層しこの全体をハーメチックシール外装する構造が
考えられている。この場合配線基板２は下側に数多くの
ピン状の雄コンタクト３があり、この雄コンタクト３は
配線基板２に設けられている。スルーホール又ハパイア
ホールを通じて半導体素子１の端子に接続されている。
するためＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子は小形化大容量
化されると共にこれら半導体素子の実装法も改良さ九つ
＼ある。すなわち論理回路や記憶回路′（ｉｌ−構成す
る単位素子は益々小形化し、またこの単位素子を結ぶ導
体バター幅も微細化して１〔μｍ〕以下の所請るサブミ
クロンパターンカ実現されつ＼ある。また半導体素子の
実装法として現在はハーメチックシール構造のパッケー
ジを多層構造をとるプリント配線基板のスルーホール孔
に挿入しハンダ付けする方法がとられている。然し将来
の実装法として例えば第１図に示すようにチップ状の半
導体素子１を多層配ＩＭ構造をとる配線基板２上に数多
く波層しこの全体をハーメチックシール外装する構造が
考えられている。この場合配線基板２は下側に数多くの
ピン状の雄コンタクト３があり、この雄コンタクト３は
配線基板２に設けられている。スルーホール又ハパイア
ホールを通じて半導体素子１の端子に接続されている。
捷た雄コンタクト３が嵌合する雌コンタクト４はリード
端子６によりプリント配線基板７のスルーホール孔に装
着きれる構成をとる。こ＼で多数のピン状の雌コンタク
ト４を備えたコネクタ基板５をプリント配線基板上に複
数個配列することによυ高密度実装が可能となる。
端子６によりプリント配線基板７のスルーホール孔に装
着きれる構成をとる。こ＼で多数のピン状の雌コンタク
ト４を備えたコネクタ基板５をプリント配線基板上に複
数個配列することによυ高密度実装が可能となる。
本発明はこのような未来形コネクタの構造に関するもの
である。
である。
（ｃ）従来技術と問題点
従来のコイ・フタは力Ｌコンタクトとこれが挿入される
雌コンタクトとが機械的に接触する構造をとシ、確実な
接触が保たれるように片持ば逆形、ベローズ形、フォー
ク形、ブチンチ形などのばねを持って構成きれ、他端Ｖ
ｔｌはリード綴を結線するだめのラッピング用端子が或
はプリント４醜基板のスルーホールにハンダ伺けできる
端子を備えて構成されている。
雌コンタクトとが機械的に接触する構造をとシ、確実な
接触が保たれるように片持ば逆形、ベローズ形、フォー
ク形、ブチンチ形などのばねを持って構成きれ、他端Ｖ
ｔｌはリード綴を結線するだめのラッピング用端子が或
はプリント４醜基板のスルーホールにハンダ伺けできる
端子を備えて構成されている。
か＼る構造のコネクタは雄コンタクトの数が数１０〔本
〕程度のものに対しては問題はないが本発明に係るコネ
クタのように１ｏ（ｃｍ３）角のコネクタに１０００ビ
ン以上の雄コンタクトが配列するようなものに対しては
一定の挿抜力が必要な構造では実際に使用することがで
きない。例えば従来構造のコネクタで必要とする１ビン
当シの挿抜力から計算するとこの例の場合では挿入及び
抜去に約ｉｏｏ （にｇ〕の荷Ｎを安することになシ実
用的でなくなる。それ故本光明の目的に叶ふコネクタは
雄コンタクトの挿抜に従来のような刀を要するものであ
ってはならず、従って機械的な接触構造とは違うもので
なければならない。
〕程度のものに対しては問題はないが本発明に係るコネ
クタのように１ｏ（ｃｍ３）角のコネクタに１０００ビ
ン以上の雄コンタクトが配列するようなものに対しては
一定の挿抜力が必要な構造では実際に使用することがで
きない。例えば従来構造のコネクタで必要とする１ビン
当シの挿抜力から計算するとこの例の場合では挿入及び
抜去に約ｉｏｏ （にｇ〕の荷Ｎを安することになシ実
用的でなくなる。それ故本光明の目的に叶ふコネクタは
雄コンタクトの挿抜に従来のような刀を要するものであ
ってはならず、従って機械的な接触構造とは違うもので
なければならない。
第２図は本発明に保るコネクタの断面構造であるが、発
明者等は既にこれと類似の構造のコネクタ基体イて提案
をしている。
明者等は既にこれと類似の構造のコネクタ基体イて提案
をしている。
こ＼で第２図は数多くある雄コンタクトと雌コンタクト
との組与合わせの内の１ｍの構成を示すもので、同図（
３）はノ准コンタクトをもつ上側部また同図（１３）は
雌コンタクトをもつ下側部の断面図である０ こ＼で雄コンタクト３は配線基板例えばセラミック多層
基板８の導体パターンを通じてＬＳＩの端子に通じてい
る。また雌コンタクト４は例えばコネクタ基体９に細長
いカップ状の四部を設けこの底部にリード端子６を装着
して設けられている。
との組与合わせの内の１ｍの構成を示すもので、同図（
３）はノ准コンタクトをもつ上側部また同図（１３）は
雌コンタクトをもつ下側部の断面図である０ こ＼で雄コンタクト３は配線基板例えばセラミック多層
基板８の導体パターンを通じてＬＳＩの端子に通じてい
る。また雌コンタクト４は例えばコネクタ基体９に細長
いカップ状の四部を設けこの底部にリード端子６を装着
して設けられている。
こ＼でカップ状の四部の底には低ｔＡＩｔ点合金１０例
えば錫−インジウム合金（Ｓｎ −Ｉｎ） １０が入れ
られている。そして接続を行う場合にはコネクタ基体９
を低融点合金１０の融点以上に寸で加熱して低融点合金
１０を溶融せしめた後ｊ４（：コンタクト３の挿入を行
いその後コネクタ基体９の温即を下げることにより低融
点合金１０を凝固させ児全な接触を得る構造である。
えば錫−インジウム合金（Ｓｎ −Ｉｎ） １０が入れ
られている。そして接続を行う場合にはコネクタ基体９
を低融点合金１０の融点以上に寸で加熱して低融点合金
１０を溶融せしめた後ｊ４（：コンタクト３の挿入を行
いその後コネクタ基体９の温即を下げることにより低融
点合金１０を凝固させ児全な接触を得る構造である。
また雄コンタクト３の抜去妹同トＪ、！にコネクタ基体
９を加熱し低融点合金１０を溶融させた状態にして行う
。このような構成をとることによｐ不実施例の場合雄コ
ンタクトの叡が約１０００と卯る多いにも拘わらず僅か
の力で（「１１人および抜去がｌ’Ｊｈじである。
９を加熱し低融点合金１０を溶融させた状態にして行う
。このような構成をとることによｐ不実施例の場合雄コ
ンタクトの叡が約１０００と卯る多いにも拘わらず僅か
の力で（「１１人および抜去がｌ’Ｊｈじである。
然しカップ状の四部に入れられている低融点金属は錫（
Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）など加熱により酸化し易い
金属であるために酸化皮膜が表面に形成され易く、挿抜
金繰り返すと酸化皮膜が原因して接触不良を起したｐま
た低融点金属の組成が変シ、そのため使用寿命が知いと
云う問題を生じた。
Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）など加熱により酸化し易い
金属であるために酸化皮膜が表面に形成され易く、挿抜
金繰り返すと酸化皮膜が原因して接触不良を起したｐま
た低融点金属の組成が変シ、そのため使用寿命が知いと
云う問題を生じた。
（ｄ） 発明の目的
本発明は極めて多数の端子数をもつにも拘わらず僅かの
挿抜力で回路接続が可能で且つ長寿命なコネクタ構造を
提供することを目的とする。
挿抜力で回路接続が可能で且つ長寿命なコネクタ構造を
提供することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の目的は対向する絶縁基板上に複数個の雄コンタ
クトと雌コンタクトとが正しく位置決めされて設けられ
ており、該Ｍ！３縁基板基板合して雄コンタクトを雌コ
ンタクトに挿入することにより回路接続を行うコネクタ
において、ピン状の雄コンタクトが挿入される雌コンタ
クトが絶縁基体内に細長いカップ状の凹部をなして形成
されていると共に内部に低閣点苔属とその上に熱り塑性
の有機絶縁物を内臓して形成されており、該雌コンタク
Ｉｆ備えた基体を前記内臓物の融点以上まで加温した状
態で雄コンタクト金偏えた基板を接合して該雄コンタク
トを低融点金属内に挿入したる後冷却し該低融点金属を
凝固せしめて１０１路４号幌を行う構造をとることによ
り達成することができる。
クトと雌コンタクトとが正しく位置決めされて設けられ
ており、該Ｍ！３縁基板基板合して雄コンタクトを雌コ
ンタクトに挿入することにより回路接続を行うコネクタ
において、ピン状の雄コンタクトが挿入される雌コンタ
クトが絶縁基体内に細長いカップ状の凹部をなして形成
されていると共に内部に低閣点苔属とその上に熱り塑性
の有機絶縁物を内臓して形成されており、該雌コンタク
Ｉｆ備えた基体を前記内臓物の融点以上まで加温した状
態で雄コンタクト金偏えた基板を接合して該雄コンタク
トを低融点金属内に挿入したる後冷却し該低融点金属を
凝固せしめて１０１路４号幌を行う構造をとることによ
り達成することができる。
（ｆ） 発明の実施例
本発明Ｉ′ｉ熱可塑性の有機絶縁物例えば尚融点ワック
スが化学的に安定であって熱サイクルヲ繰返しても劣化
しないのを利用するものであり、この有機絶縁物（ｉｌ
−低融点合金の上に置くことＶＣＸ、シ低融点合金の融
解時に液状となって六面全覆い、低融点合金と大気との
接触ｆ 、ｊ番断せしめる。そのため低融点合金の鹸化
は抑市１１ざｉＬ１代ら・Ｕ点合金の組成変動や接触不
良との現象が起らぬようＶＣしたものである。
スが化学的に安定であって熱サイクルヲ繰返しても劣化
しないのを利用するものであり、この有機絶縁物（ｉｌ
−低融点合金の上に置くことＶＣＸ、シ低融点合金の融
解時に液状となって六面全覆い、低融点合金と大気との
接触ｆ 、ｊ番断せしめる。そのため低融点合金の鹸化
は抑市１１ざｉＬ１代ら・Ｕ点合金の組成変動や接触不
良との現象が起らぬようＶＣしたものである。
以下実施例により本発明を油、ツ１する。
給２図は本発明に係るハトコンタクトと峠、コンタクト
との構造であってＪｉｌ−コンタクト３はセラミック多
層基板８の下向に設けられてあり、これが対向する雌コ
ンタクト４はコネクタ基体９ＶＣ細↓（いカップ状の凹
部を形成し、この底部にリード端子６が固定されており
、この上に錫（Ｓｎ）４８（％）、インジウム（Ｉｎ）
５２〔％］からなる低融点合金１０が入れられており、
更にこの上には高融点ワックスであるワックス１１（三
井石油化学工業製商品名ハイワックス、軟化点ｎｏ〔”
ｃ：））が入れられている。
との構造であってＪｉｌ−コンタクト３はセラミック多
層基板８の下向に設けられてあり、これが対向する雌コ
ンタクト４はコネクタ基体９ＶＣ細↓（いカップ状の凹
部を形成し、この底部にリード端子６が固定されており
、この上に錫（Ｓｎ）４８（％）、インジウム（Ｉｎ）
５２〔％］からなる低融点合金１０が入れられており、
更にこの上には高融点ワックスであるワックス１１（三
井石油化学工業製商品名ハイワックス、軟化点ｎｏ〔”
ｃ：））が入れられている。
こ＼で雄コンタクト３の雌コンタクト４への挿入子１１
１ＩＡとしてはコネクタ基体９全体を熱風などにより加
熱すると約１１０Ｃ℃）でまずワックスが融解して低融
点合金１０の表面１４い、更に温度が上列して１１７′
″Ｃ℃）となると低融点合金ｌＯが溶ｈす；するので約
ｚ４ｏ［’ｃ）の温度で雄コンタクト３を挿入して後加
熱を止める。そうす、ると低融点合金１０．ワックス１
１の順に凝固して先金接触が行わｉＬる。また雄コンタ
クト３の抜去の時も同様に１４０Ｃ℃）に丑でコネクタ
基体９全加熱して抜去が行われる。
１ＩＡとしてはコネクタ基体９全体を熱風などにより加
熱すると約１１０Ｃ℃）でまずワックスが融解して低融
点合金１０の表面１４い、更に温度が上列して１１７′
″Ｃ℃）となると低融点合金ｌＯが溶ｈす；するので約
ｚ４ｏ［’ｃ）の温度で雄コンタクト３を挿入して後加
熱を止める。そうす、ると低融点合金１０．ワックス１
１の順に凝固して先金接触が行わｉＬる。また雄コンタ
クト３の抜去の時も同様に１４０Ｃ℃）に丑でコネクタ
基体９全加熱して抜去が行われる。
（ｇ） 発明の効果
本発明は面積が１０（６７＋ｔ）角の基板に約１０００
ピンもの多数のコンタクトをもつコネクタ構造におｈて
は従来のように雄コンタクトと雌コンタクトとが接触す
る構造をと九ないためになされたもので、本発明の構造
をとることにより僅かの刀で挿抜が可能であると共に信
頼性の優れたコネクタ第１図は本発明に係る実装形態を
説明する斜視図、また第２図は本発明に係るコネクタの
イ；４造で（Ａ）は雄コンタク）、（Ｂ）は雌コンタク
トの断面図である。
ピンもの多数のコンタクトをもつコネクタ構造におｈて
は従来のように雄コンタクトと雌コンタクトとが接触す
る構造をと九ないためになされたもので、本発明の構造
をとることにより僅かの刀で挿抜が可能であると共に信
頼性の優れたコネクタ第１図は本発明に係る実装形態を
説明する斜視図、また第２図は本発明に係るコネクタの
イ；４造で（Ａ）は雄コンタク）、（Ｂ）は雌コンタク
トの断面図である。
図において、１は半導体素子、２／′ｆ：多層セラミッ
ク回路基板、３は雄コンタクト、４は雌コンタクト、５
１−１：コネクタ基体、６はリード端子、８ ｆｌ−ｊ
セラミック多層基板、９はコネクタ基体、１ｏは低融点
合金、１１はワックス。
ク回路基板、３は雄コンタクト、４は雌コンタクト、５
１−１：コネクタ基体、６はリード端子、８ ｆｌ−ｊ
セラミック多層基板、９はコネクタ基体、１ｏは低融点
合金、１１はワックス。
Claims (1)
- 対向する絶縁基板上に複数個の雄コンタクトと雌コンタ
クトとが正しく位置決めされて設けられており、該絶縁
基板を接合して雄コンタクトを雌コンタクトに挿入する
ことにより回路接続全行うコネクタにおいて、ビン状の
雄コンタクトが挿入される雌コンタクトが絶縁基体内に
細長いカップ状の凹部をなして形成されていると共に内
部に低融点金属とその上に熱可塑性の有機絶縁物を内臓
して形成されており、該雌コンタクＨ−備えた基体を前
記内臓物の融点以上まで力１１温した状態で雄コンタク
トを備えた基イＭを接合して該雄コンタクト金低融点金
属内に挿入したる後冷却し該低融点金属を凝固せしめて
回路接続を行うことを特徴とするコネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22463283A JPS60116193A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22463283A JPS60116193A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | コネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116193A true JPS60116193A (ja) | 1985-06-22 |
| JPH0318742B2 JPH0318742B2 (ja) | 1991-03-13 |
Family
ID=16816751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22463283A Granted JPS60116193A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | コネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116193A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5610371A (en) * | 1994-03-15 | 1997-03-11 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| US8448658B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-28 | Beijing Tianqing Chemicals Co, Ltd. | Rescue device for leakage of dangerous chemicals |
| JP2019015676A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 通電試験用ソケット及び通電試験方法 |
| CN109339261A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-15 | 三筑工科技有限公司 | 新型保温连接件、夹芯保温叠合剪力墙板及安装方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5563162U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP22463283A patent/JPS60116193A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5563162U (ja) * | 1978-10-20 | 1980-04-30 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746927A (en) * | 1993-10-14 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| US5610371A (en) * | 1994-03-15 | 1997-03-11 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| US8448658B2 (en) | 2008-07-07 | 2013-05-28 | Beijing Tianqing Chemicals Co, Ltd. | Rescue device for leakage of dangerous chemicals |
| JP2019015676A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 通電試験用ソケット及び通電試験方法 |
| CN109339261A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-15 | 三筑工科技有限公司 | 新型保温连接件、夹芯保温叠合剪力墙板及安装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318742B2 (ja) | 1991-03-13 |
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