JPS60115260A - 固体撮像装置とその使用方法 - Google Patents
固体撮像装置とその使用方法Info
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- JPS60115260A JPS60115260A JP58223706A JP22370683A JPS60115260A JP S60115260 A JPS60115260 A JP S60115260A JP 58223706 A JP58223706 A JP 58223706A JP 22370683 A JP22370683 A JP 22370683A JP S60115260 A JPS60115260 A JP S60115260A
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換部、信号読出し部、信号転送部、周辺
回路を有する固体撮像装置とその使用方法に関する。
回路を有する固体撮像装置とその使用方法に関する。
固体撮像装置は、軽量低消費電力高信頼性を柱に急速に
発展し、現在使用されている撮像管にとって変わるグと
している。固体撮像装置には、電荷転送装置を用いたも
のや、ＭＱＳ型撮型鉄像装置シ、電荷転送装置を用いた
ものにはインターライン転送方式とフレーム転送方式が
あるが、いずれにしても、光電変換部、信号読出し及び
転送部、周辺回路部から成っている。
発展し、現在使用されている撮像管にとって変わるグと
している。固体撮像装置には、電荷転送装置を用いたも
のや、ＭＱＳ型撮型鉄像装置シ、電荷転送装置を用いた
ものにはインターライン転送方式とフレーム転送方式が
あるが、いずれにしても、光電変換部、信号読出し及び
転送部、周辺回路部から成っている。
こうした固体撮像装置は、撮像管に比べて雑音残像、焼
付き等では優れているが、ブルーミング、スミアといっ
た固体撮像装置特有の欠点があシ、これをいかに抑圧あ
るいは除去するかが重要な問題となっている。
付き等では優れているが、ブルーミング、スミアといっ
た固体撮像装置特有の欠点があシ、これをいかに抑圧あ
るいは除去するかが重要な問題となっている。
プルーミング、スミアの対策としては、例えばｎ型（又
はｐ型）基板の表面にｐ ｆｊＪｉ （又は１１型）領
域を形成する方法がある。これを図面を用いて説明する
。
はｐ型）基板の表面にｐ ｆｊＪｉ （又は１１型）領
域を形成する方法がある。これを図面を用いて説明する
。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来の電荷転送装置を用いた
インターラづノ転送方式の固体撮像装置の一例の要部の
平面図及びＩ−Ｉ’−断面図である。
インターラづノ転送方式の固体撮像装置の一例の要部の
平面図及びＩ−Ｉ’−断面図である。
第１図（ａＬ （ｂ）において、Ａは光電変換部、Ｂは
信号読出し及び信号転送部、Ｃは周辺回路部でおる。ま
た１はｎ型半導体基板、２及び２′はＰ型領域３． ４
． ５． ６はｎ型領域であシ、光電変換部Ａにおいて
、ｎ型領域３とＰ型領域２はフォトダイオードを形成し
ている。光電変換部Ａに入射した光は、光量に応じて電
荷を発生蓄積し、蓄積された電荷は、トランスファゲー
ト７を介して、ｎ型領域４とｐｍ領域２で形成したシフ
トレジスタの埋込チャンネルに読出される。このような
電荷転送装置においては、光電変換部人に強い光が入射
した場合、トランスファゲート７に加わる電圧がオフの
状態にもかかわらず、光電変換部からシフトレジスタに
電荷があふれ出すブルーミング現象や光電変換部Ａで発
生した電荷がｎ型領域３とＰ型領域２′で形成されるフ
ォトダイオード以外の例えばシフトレジスタ又は隣接し
たフォトダイオードに漏れ込むスミア現象を抑制するこ
とができる。
信号読出し及び信号転送部、Ｃは周辺回路部でおる。ま
た１はｎ型半導体基板、２及び２′はＰ型領域３． ４
． ５． ６はｎ型領域であシ、光電変換部Ａにおいて
、ｎ型領域３とＰ型領域２はフォトダイオードを形成し
ている。光電変換部Ａに入射した光は、光量に応じて電
荷を発生蓄積し、蓄積された電荷は、トランスファゲー
ト７を介して、ｎ型領域４とｐｍ領域２で形成したシフ
トレジスタの埋込チャンネルに読出される。このような
電荷転送装置においては、光電変換部人に強い光が入射
した場合、トランスファゲート７に加わる電圧がオフの
状態にもかかわらず、光電変換部からシフトレジスタに
電荷があふれ出すブルーミング現象や光電変換部Ａで発
生した電荷がｎ型領域３とＰ型領域２′で形成されるフ
ォトダイオード以外の例えばシフトレジスタ又は隣接し
たフォトダイオードに漏れ込むスミア現象を抑制するこ
とができる。
第２図（ａ）、 （ｂ）は第１図（ｂ）に示す固体撮像
装置のト」′線及びＩ−１’線に沿う電位の分布曲線図
である。
装置のト」′線及びＩ−１’線に沿う電位の分布曲線図
である。
今、ｎ型半導体基板１とｎ型領域２との間に逆バイアス
をかけると、Ｉ−Ｉ’線上の電位分布は第２図（ａ）の
曲線２１のようになる。光電変換部人に光を入射させる
と、光量に応じて信号電荷は蓄積され、電位分布は変動
し、ついには曲線２２に示されるような電位分布を示す
ようになる。さらに光量が増すと、発生した信号電荷は
、半導体基板１に掃出されるためプルーミング現象は抑
制される。また、光電変換部ｈｏｐ型領域２′、信号読
出し及び信号転送部ＴＪｏｐ型領域２が形成されている
ため、光電変換部人の深部（ｎ型領域２又はｎ型半導体
基板１）で発生した電荷が、ｎ型領域２とｎ型領域３で
形成されるフォトダイオード以外のｎ型領域４とｎ型領
域２で形成される埋込みチャンネルや隣接している他の
フォトダイオードに漏れ込みにくくなるのでスミア現象
は、大幅に低減できる。この時、当然、基板１とｎ型領
域２のバイアス電圧、ｎ型領域２及び２′の不純物濃度
及び幅を適切に設定し、埋込みチャンネル４とｎ型領域
２及びｎ型領域２−と基板１が順方向にならないように
しなければならない。
をかけると、Ｉ−Ｉ’線上の電位分布は第２図（ａ）の
曲線２１のようになる。光電変換部人に光を入射させる
と、光量に応じて信号電荷は蓄積され、電位分布は変動
し、ついには曲線２２に示されるような電位分布を示す
ようになる。さらに光量が増すと、発生した信号電荷は
、半導体基板１に掃出されるためプルーミング現象は抑
制される。また、光電変換部ｈｏｐ型領域２′、信号読
出し及び信号転送部ＴＪｏｐ型領域２が形成されている
ため、光電変換部人の深部（ｎ型領域２又はｎ型半導体
基板１）で発生した電荷が、ｎ型領域２とｎ型領域３で
形成されるフォトダイオード以外のｎ型領域４とｎ型領
域２で形成される埋込みチャンネルや隣接している他の
フォトダイオードに漏れ込みにくくなるのでスミア現象
は、大幅に低減できる。この時、当然、基板１とｎ型領
域２のバイアス電圧、ｎ型領域２及び２′の不純物濃度
及び幅を適切に設定し、埋込みチャンネル４とｎ型領域
２及びｎ型領域２−と基板１が順方向にならないように
しなければならない。
ところが、こうして調整したｎ型領域２上に周辺ＭＯ８
）ランジスタを形成した時、トランジスタのドレインと
なるｎ型領域５に加わる電圧によっては、第２図（ｂ）
の電位分布曲線２３に示すように、ｎ型領域２が完全に
空乏化してしまう。こうした状態では、ドレイン電圧が
多少シフトすると基板１とｎ型領域（ドレイン）５０間
にパンチスルー電流が流れてしまう。また、ｐ減領域形
成の製造上のバラツキのため、曲線２４のような電位分
布を示し、常に基板１とｎ型領域（ドレイン）５の間に
電流が流れる場合もあシうる。このため周辺回路のトラ
ンジスタのドレイン部に加わる電圧には大きな制約があ
るという欠点があった。
）ランジスタを形成した時、トランジスタのドレインと
なるｎ型領域５に加わる電圧によっては、第２図（ｂ）
の電位分布曲線２３に示すように、ｎ型領域２が完全に
空乏化してしまう。こうした状態では、ドレイン電圧が
多少シフトすると基板１とｎ型領域（ドレイン）５０間
にパンチスルー電流が流れてしまう。また、ｐ減領域形
成の製造上のバラツキのため、曲線２４のような電位分
布を示し、常に基板１とｎ型領域（ドレイン）５の間に
電流が流れる場合もあシうる。このため周辺回路のトラ
ンジスタのドレイン部に加わる電圧には大きな制約があ
るという欠点があった。
本発明は、上記欠点を除去し、周辺回路部のＭＯＳ）ラ
ンジスタのドレインに加わる電圧によシ半導体基板とド
レインの間にノくンチスルー電流が流れるということが
なく、シかもブルーミング、スミア現衆を低減した固体
撮像装置とその使用方法を提供するものである。
ンジスタのドレインに加わる電圧によシ半導体基板とド
レインの間にノくンチスルー電流が流れるということが
なく、シかもブルーミング、スミア現衆を低減した固体
撮像装置とその使用方法を提供するものである。
本発明の固体撮像装置は、−導電型半導体基板の表面層
に該半導体基板の一導電型領域によυ電気的に分離され
た反対導電型の第１領域と第２領域とを設け、前記第１
領域に光電変換部、信号読出し部及び信号転送部を設け
、前記第２領域に＠記第１領域に形成した各部以外の周
辺回路部を設けることによシ構成される。
に該半導体基板の一導電型領域によυ電気的に分離され
た反対導電型の第１領域と第２領域とを設け、前記第１
領域に光電変換部、信号読出し部及び信号転送部を設け
、前記第２領域に＠記第１領域に形成した各部以外の周
辺回路部を設けることによシ構成される。
本発明の固体撮像装置の使用方法は、−導電型半導体基
板の表面層に該半導体基板の−導電型領域にＪニジ電気
的に分離された反対導電型の第１領域と第２領域とを設
け、前記第１領域に光電変換部、信号読出し部及び信号
転送部を設け、前記第２領域に前記第１領域に形成した
各部以外の周辺回路部を設けた固体撮像装置の前記第１
領域と前記半導体基板との間に印加する逆バイアス電圧
と、前記第２領域と前記半導体基板との間に印加する逆
バイアス電圧とを異ならしめることにょシ構成される。
板の表面層に該半導体基板の−導電型領域にＪニジ電気
的に分離された反対導電型の第１領域と第２領域とを設
け、前記第１領域に光電変換部、信号読出し部及び信号
転送部を設け、前記第２領域に前記第１領域に形成した
各部以外の周辺回路部を設けた固体撮像装置の前記第１
領域と前記半導体基板との間に印加する逆バイアス電圧
と、前記第２領域と前記半導体基板との間に印加する逆
バイアス電圧とを異ならしめることにょシ構成される。
−
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第３図は本発明の固体撮像装置の一実施例の断面図であ
る。
る。
この実施例は、−導電型としてｎ型を選んである。ｎ型
半導体基板１の表面層にこの半導体基板のｎ型領域１ａ
によシミ気的に分離されたｐ型の第１領域２ａと第２領
域２ｂとを設け、第１領域２ａに光電変換部Ａ、信号読
出し部及び信号転送部Ｂを設け、第２領域２ｂＫ第１領
域２ａに形成した各部以外の周辺回路部Ｃを設けること
にょシ構成される。それ以外は第１図（ａ）、 （ｂ）
に示した従来例と同じである。
半導体基板１の表面層にこの半導体基板のｎ型領域１ａ
によシミ気的に分離されたｐ型の第１領域２ａと第２領
域２ｂとを設け、第１領域２ａに光電変換部Ａ、信号読
出し部及び信号転送部Ｂを設け、第２領域２ｂＫ第１領
域２ａに形成した各部以外の周辺回路部Ｃを設けること
にょシ構成される。それ以外は第１図（ａ）、 （ｂ）
に示した従来例と同じである。
この実施例の固体撮像装置は次のようにして製造される
。
。
第４図（ａ）、 （ｂ）は第３図に示す一実施例の製造
方法を説明するための工程順に示した断面図である。
方法を説明するための工程順に示した断面図である。
まず、第４図（ａ）に示すように、ｎ型半導体１０表面
にマスクを設けてｐ型不純物をイオン注入するイオン注
入法を２回行って半導体基板のＮ型、領域１ａによって
電気的に分離された二つのＰ型領域２ａ、２ｂを形成す
る。このとき、ｎ型領域１ａが半導体基板表面に露出す
るようにする。
にマスクを設けてｐ型不純物をイオン注入するイオン注
入法を２回行って半導体基板のＮ型、領域１ａによって
電気的に分離された二つのＰ型領域２ａ、２ｂを形成す
る。このとき、ｎ型領域１ａが半導体基板表面に露出す
るようにする。
次に、第４図（ｂ）に示すように、表面に窒化膜１７を
設け、ホトレジストのマスク１８を形成し、窒化膜１７
を選択除去する。そしてホウ素をイオン注入してｐ型チ
ャンネルストップ１４を形成する。
設け、ホトレジストのマスク１８を形成し、窒化膜１７
を選択除去する。そしてホウ素をイオン注入してｐ型チ
ャンネルストップ１４を形成する。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、マスク１８を除去し
、窒化膜１７を耐酸化性マスクとして酸化してフィール
ド酸化膜１５を形成し、窒化膜を除去する。以下、通常
の方法によシ第３図に示す構造を製造することができる
。
、窒化膜１７を耐酸化性マスクとして酸化してフィール
ド酸化膜１５を形成し、窒化膜を除去する。以下、通常
の方法によシ第３図に示す構造を製造することができる
。
次に、本発明の固体撮像装置の使用方法について説明す
る。
る。
第３図に示した実施例において、第１領域２ａと半導体
基板１との間に印加する逆バイアス電圧と、第２領域２
ｂと半導本基板ｌとの間に印加する逆バイアス電圧とを
異ならしめる。これが本発明の固体撮像装置の使用方法
である。
基板１との間に印加する逆バイアス電圧と、第２領域２
ｂと半導本基板ｌとの間に印加する逆バイアス電圧とを
異ならしめる。これが本発明の固体撮像装置の使用方法
である。
第１′ｍｌ域２ａと半導体基板１との間の逆バイアス電
圧は、第１図（ｂ）及び第２図（ａｂ （ｂｌを用いて
説明した原理に基づいて、プルーミングやスミア現象が
大幅に低減されるように印加する。即ち、光電変換部Ａ
の深部で発生した’ｆＬ イｌｕｒがｎ型領域４とｐ型
領域２で形成される埋込みチャンネルや隣接している他
のフォトダイオードに漏れ込みにくくなるように印加す
る。これによシブルーミングやスミア現象を大幅に低紙
できる。
圧は、第１図（ｂ）及び第２図（ａｂ （ｂｌを用いて
説明した原理に基づいて、プルーミングやスミア現象が
大幅に低減されるように印加する。即ち、光電変換部Ａ
の深部で発生した’ｆＬ イｌｕｒがｎ型領域４とｐ型
領域２で形成される埋込みチャンネルや隣接している他
のフォトダイオードに漏れ込みにくくなるように印加す
る。これによシブルーミングやスミア現象を大幅に低紙
できる。
一力、周辺回路部ＣＯｐ型領域２ｂは半導体基板のｎ型
領域１ａによって分離されているので、ｐ型領域２ｂの
電位は、周辺回路部Ｃの拡散層に加わる電圧に応じてバ
ンチスルーしないように適当に選ぶことができる。さら
に、周辺回路部ＣのＰ領域域２ｂの不純物濃度はｐ型領
域２′ａ及び加の不純物濃度と異なるように選ぶことも
可能で、そうすれば、周辺回路部ＣＯｐ型領域２ｂに加
えるバイアス電圧を調整することによシ周辺回路の設計
の自由度は増大する。
領域１ａによって分離されているので、ｐ型領域２ｂの
電位は、周辺回路部Ｃの拡散層に加わる電圧に応じてバ
ンチスルーしないように適当に選ぶことができる。さら
に、周辺回路部ＣのＰ領域域２ｂの不純物濃度はｐ型領
域２′ａ及び加の不純物濃度と異なるように選ぶことも
可能で、そうすれば、周辺回路部ＣＯｐ型領域２ｂに加
えるバイアス電圧を調整することによシ周辺回路の設計
の自由度は増大する。
上記実施例の説明は、電荷転送装置を用いた固体撮像装
置の周辺回路部のうちの出力増幅部について行なったが
、本発明は、他の周辺回路例えば、入力保護回路、クロ
ックドライバー回路、シフトレジスター回路に対しても
適用できるものである。
置の周辺回路部のうちの出力増幅部について行なったが
、本発明は、他の周辺回路例えば、入力保護回路、クロ
ックドライバー回路、シフトレジスター回路に対しても
適用できるものである。
また、実施例ではｎチャンネル型半導体装置について説
明したが、各領域の導電型を反対にすることでｐチャン
ネル型半導体装置に適用できるととは言うまでもない。
明したが、各領域の導電型を反対にすることでｐチャン
ネル型半導体装置に適用できるととは言うまでもない。
以上詳細に説明したように、本発明は、光電変換部、信
号読出し部、信号転送部の反対導電型領域と周辺回路部
の反対導電型領域を半導体基板の一導電型領域で電気的
に分離し、半導体基板との間の逆バイアス電圧を異なら
しめることができるようにしたので、周辺回路部のＭＯ
Ｓトランジスタのパンチスルーをなくシ、シかもブルー
ミング、スミア現象を低減することができる。
号読出し部、信号転送部の反対導電型領域と周辺回路部
の反対導電型領域を半導体基板の一導電型領域で電気的
に分離し、半導体基板との間の逆バイアス電圧を異なら
しめることができるようにしたので、周辺回路部のＭＯ
Ｓトランジスタのパンチスルーをなくシ、シかもブルー
ミング、スミア現象を低減することができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は従来の電荷転送装置を用いた
インターライン転送方式の固体撮像装置の一例の要−１
部の平面図及び断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は第１
図（ｂ）に示す固体撮像装置のト」′線及びＩ−１’線
に沿う電荷の分布曲線図、第３図は本発明の固体撮像装
置の一実施例の断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は第３図
に示す一実施例の製造方法を説明するための工程順に示
した断面図である。 １・・・・・・ｎ型半導体基板、１ａ・・・・・・ｎ型
領域、２゜２’、２ａ、２’ａ、２ｂ・・・・−・１）
型領域、３． ４． ５゜６・・・・・・ｎ型領域、７
，８・・・・・・ゲート、１４・・・・・・チャンネル
ストッパ、１５・・・・・・フィールド酸化膜、１６・
・・・・・酸化膜、１７・・・・・・窒化膜、１８・・
・・・・マスク、Ａ・・・・・・光電変換部、Ｂ・・・
・・・信号読出し及び信号転送部、Ｃ・・・・・・周辺
回路部。 第 １図 第４図 手続補正書（方式） １ 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第２２３７０６
号２、発明の名称 固体撮像装置とその使用方法３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ｉ、補正の対象 図面 補正の内容 第１図を別紙の通シ補正する。
インターライン転送方式の固体撮像装置の一例の要−１
部の平面図及び断面図、第２図（ａ）、 （ｂ）は第１
図（ｂ）に示す固体撮像装置のト」′線及びＩ−１’線
に沿う電荷の分布曲線図、第３図は本発明の固体撮像装
置の一実施例の断面図、第４図（ａ）〜（Ｃ）は第３図
に示す一実施例の製造方法を説明するための工程順に示
した断面図である。 １・・・・・・ｎ型半導体基板、１ａ・・・・・・ｎ型
領域、２゜２’、２ａ、２’ａ、２ｂ・・・・−・１）
型領域、３． ４． ５゜６・・・・・・ｎ型領域、７
，８・・・・・・ゲート、１４・・・・・・チャンネル
ストッパ、１５・・・・・・フィールド酸化膜、１６・
・・・・・酸化膜、１７・・・・・・窒化膜、１８・・
・・・・マスク、Ａ・・・・・・光電変換部、Ｂ・・・
・・・信号読出し及び信号転送部、Ｃ・・・・・・周辺
回路部。 第 １図 第４図 手続補正書（方式） １ 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第２２３７０６
号２、発明の名称 固体撮像装置とその使用方法３、補
正をする者 事件との関係 出 願 人 東京都港区芝五丁目３３番１号 ４、代理人 ｉ、補正の対象 図面 補正の内容 第１図を別紙の通シ補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、−導電型半導体基板の表面層に該半導体基板の一導
電型領域により電気的に分離された反対導電型の第１領
域と第２領域とを設け、前記第１領域に光電変換部、信
号読出し部及び信号転送部を設け、前記第２領域に的記
第１領域に形成した各部以外の周辺回路部を設けたこと
を特徴とする固体撮像装置。 ２、−導電型半導体基板の表面層に該半導体基板の一導
電型領域に−より電気的に分離された反対導電型の第１
領域と第２領域とを設け、前記第１領域に光電変換部、
信号読出し部及び信号転送部を設け、鉤記第２領域に岐
記第１領域に形成した各部以外の周辺回路部を設けた固
体撮像装置の前記第１領域と前記半導体基板との間に印
加する逆バイアス電圧と、岐記第２領域と前記半導体基
板との間に印加する逆バイアス電圧とを異ならしめるこ
とを特徴とする固体撮像装置の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223706A JPS60115260A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 固体撮像装置とその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223706A JPS60115260A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 固体撮像装置とその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115260A true JPS60115260A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16802381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223706A Pending JPS60115260A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 固体撮像装置とその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115260A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144563A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Toshiba Corp | インライン型マルチチップリニアイメージセンサ用チップ |
| JPH0465874A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US6778213B1 (en) | 1998-04-03 | 2004-08-17 | Nec Electronics Corp. | Active X-Y addressable type solid-state image sensor and method of operating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5427311A (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Solid state pickup element |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58223706A patent/JPS60115260A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5427311A (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Solid state pickup element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144563A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-16 | Toshiba Corp | インライン型マルチチップリニアイメージセンサ用チップ |
| JPH0436583B2 (ja) * | 1986-12-09 | 1992-06-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0465874A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US6778213B1 (en) | 1998-04-03 | 2004-08-17 | Nec Electronics Corp. | Active X-Y addressable type solid-state image sensor and method of operating the same |
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