JPS60114576A - 堆積膜の製造方法 - Google Patents
堆積膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60114576A JPS60114576A JP58221992A JP22199283A JPS60114576A JP S60114576 A JPS60114576 A JP S60114576A JP 58221992 A JP58221992 A JP 58221992A JP 22199283 A JP22199283 A JP 22199283A JP S60114576 A JPS60114576 A JP S60114576A
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- JP
- Japan
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- film
- electrode
- deposited film
- thin film
- manufactured
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電膜、半導体膜、無機絶縁膜。
何機ｈ’ｉｉ脂１１かをプラズマ気相化学反応法により
製造する方法に関するものである。
製造する方法に関するものである。
プラズマ気相１ヒ学反応法により、堆積室内に導入され
た１！ｉ！料気体を、活性化２分解または反応させ−Ｃ
Ｃ気気体たは生成気体から、単一元素または化合物の膜
を基体上に堆積させる方法についてはすでに知られてい
る。
た１！ｉ！料気体を、活性化２分解または反応させ−Ｃ
Ｃ気気体たは生成気体から、単一元素または化合物の膜
を基体上に堆積させる方法についてはすでに知られてい
る。
プラズマ気相化学反応法による堆積膜の製造力ｌＪミと
し−Ｃは、大別して誘導結合型装置を用いる方法と容量
結合型装置を用いる方法とがある。
し−Ｃは、大別して誘導結合型装置を用いる方法と容量
結合型装置を用いる方法とがある。
前者は、基体を取り囲むようにしてコイルを配置し、該
コイルに高周波電力をフィードし、電磁エネルギーで原
料ガス（気体）をプラズマ化し、前記基体上に膜を形成
するものである。
コイルに高周波電力をフィードし、電磁エネルギーで原
料ガス（気体）をプラズマ化し、前記基体上に膜を形成
するものである。
一方、後者は堆積室を取り囲むようにして外部電極を配
置し、堆積室内の内部に内部電極および基体または内部
電極を兼ねる基体を配置し、両電極間にガスを流しなが
ら、両電極間に直流若しくは交流の電界を印加し、この
際のグロー放電によってガスプラズマを形成させ、堆積
膜を基体上に形成させるものである。
置し、堆積室内の内部に内部電極および基体または内部
電極を兼ねる基体を配置し、両電極間にガスを流しなが
ら、両電極間に直流若しくは交流の電界を印加し、この
際のグロー放電によってガスプラズマを形成させ、堆積
膜を基体上に形成させるものである。
前述の装置を用いて堆積膜を製造するに際しては、析出
する薄膜状の生成物に対し、その純度を向上すること、
その物性の良好な再現性を得ること等の目的で、堆積膜
の形成前に、堆積室内部を洗浄、払拭、噴気吸気、また
はエツチング等によって清掃する。しかし、これらの方
法で好ましくない不純物元素を完全に除去すること、常
に同一量を除去することは困難である。また、清掃後僅
かでも外気に触れることがあると、外気中の０．５μｍ
以］この塵埃が付４する。このような残留不純物元素や
゛塵埃は、堆積膜の膜質の低下、不均一性。
する薄膜状の生成物に対し、その純度を向上すること、
その物性の良好な再現性を得ること等の目的で、堆積膜
の形成前に、堆積室内部を洗浄、払拭、噴気吸気、また
はエツチング等によって清掃する。しかし、これらの方
法で好ましくない不純物元素を完全に除去すること、常
に同一量を除去することは困難である。また、清掃後僅
かでも外気に触れることがあると、外気中の０．５μｍ
以］この塵埃が付４する。このような残留不純物元素や
゛塵埃は、堆積膜の膜質の低下、不均一性。
出現性の低下前の１Ｓｒ４因となる。
本発明の目的は、残留不純物元素や微少塵埃による堆ｆ
ａ膜の膜′ｎの低下、不均一性、１１ｆ現性の低−１・
を防雨し得る堆積膜の製造ｌｊ法をｌｊ供することにあ
る。
ａ膜の膜′ｎの低下、不均一性、１１ｆ現性の低−１・
を防雨し得る堆積膜の製造ｌｊ法をｌｊ供することにあ
る。
本発明音らは、この目的を達成するために種々の検π・
士をイラなった結果、残留不純物元素や微少塵埃なより
除去するのではなく、これらの不純物をプラズマ気相反
応中においても基体χ１向電極に付層したままであるよ
うにしておくことが有効であることを知った。
士をイラなった結果、残留不純物元素や微少塵埃なより
除去するのではなく、これらの不純物をプラズマ気相反
応中においても基体χ１向電極に付層したままであるよ
うにしておくことが有効であることを知った。
すなわち、本発明の目的は、次の方法によって構成され
る。
る。
プラズマ気相化学反応法により堆積室内に設置されたス
（体に元素または化合物の堆端膜を製造する方法におい
て、該堆積１１分の製造に先立ち、基体とχ・１向する
電極表面に該堆積膜と同ａの薄膜な形成することを特徴
とする堆積膜の製造方法。
（体に元素または化合物の堆端膜を製造する方法におい
て、該堆積１１分の製造に先立ち、基体とχ・１向する
電極表面に該堆積膜と同ａの薄膜な形成することを特徴
とする堆積膜の製造方法。
基体の対向電極表面に形成する薄膜の膜厚は０．１〜１
０μｍが望ましい。０．１μｍ未満では、電極に付着し
た不純物を付着した状態に保つことが困難であり、１０
μ７Ｌを越える厚さでは、形成した薄膜が電極からはが
れやすくなり効果が低下する。
０μｍが望ましい。０．１μｍ未満では、電極に付着し
た不純物を付着した状態に保つことが困難であり、１０
μ７Ｌを越える厚さでは、形成した薄膜が電極からはが
れやすくなり効果が低下する。
従来のように堆積室内部を清掃した後、該堆積膜の製造
条件と同条件で基体の対向電極表面に薄膜を形成する。
条件と同条件で基体の対向電極表面に薄膜を形成する。
本発明によれば、薄膜形成前の堆積室内の清掃に用いる
清掃媒体の種類と純度の許容範囲を拡大することができ
る」二、清掃を簡素化することができる。
清掃媒体の種類と純度の許容範囲を拡大することができ
る」二、清掃を簡素化することができる。
基体の対向電極に形成した薄膜は、電極の表面で陰極ス
パッタリングがおこるのを防Ｉ」二する効果も有する。
パッタリングがおこるのを防Ｉ」二する効果も有する。
本発明は、例えば容量結合型プラズマＣＶＤ装置で内部
電極が基体を兼ねる装置において、直流の電界を印加し
堆積膜を製造する場合、基体の代わりに、基体と同じ材
質からなる同じ形状の仮電極を設け、外部電極との間の
印加電圧極性を反転し、入（体上に堆積膜を製造するの
と同じ条件で反応を１い、外部電極上に薄膜を形成させ
る。
電極が基体を兼ねる装置において、直流の電界を印加し
堆積膜を製造する場合、基体の代わりに、基体と同じ材
質からなる同じ形状の仮電極を設け、外部電極との間の
印加電圧極性を反転し、入（体上に堆積膜を製造するの
と同じ条件で反応を１い、外部電極上に薄膜を形成させ
る。
また、例えば前述の装置と同様な装置において、交流の
電界を印加し、外部電極、内部電極の両方の表面に堆積
膜が形成される場合には、前記仮電極と外部′電極との
間に通常の′吊用を印加し、基体トに１イ１債膜を製造
する′のと同じ条件で反応を行い、外部電極トに薄膜を
形成させる。
電界を印加し、外部電極、内部電極の両方の表面に堆積
膜が形成される場合には、前記仮電極と外部′電極との
間に通常の′吊用を印加し、基体トに１イ１債膜を製造
する′のと同じ条件で反応を行い、外部電極トに薄膜を
形成させる。
本発明は４０°に′電子写真用感光体としてのアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｉ）膜の製造方法として特にＪ１
２！ｌシている。なお、１！１１才１ガスとしては、ア
モルノアスンリコン成１１カ月料としての７ラン（Ｓ＋
Ｈ４。
ァスシリコン（ａ−３ｉ）膜の製造方法として特にＪ１
２！ｌシている。なお、１！１１才１ガスとしては、ア
モルノアスンリコン成１１カ月料としての７ラン（Ｓ＋
Ｈ４。
Ｓ １２Ｈ６１Ｓ １３Ｈｇ ＋ Ｓ ＋４Ｈ１ｏ等）
の他、ベースガスとしてのＮ２、希ガス、フッ素導入用
のＳｉＦ４、ｐまたはｎ伝導の制？＋１１用のＢ、、Ｈ
，、ＰＨ３、Ａ ｓ Ｎ３、窒素不含有用のＮ２、ＮＵ
３、酸素含有ズ用のＮ２０．Ｎｏ、炭素含イＪ文相の炭
化水素例えばＣＨ，、、Ｃ２Ｈ４等をはじめその他のプ
ラズマＣＶＤによって含有於※久可饋なものどして知ら
れている各種ガスを、マスフローコントローラー等を用
いて所定の比率で混合したものを使用することができる
。
の他、ベースガスとしてのＮ２、希ガス、フッ素導入用
のＳｉＦ４、ｐまたはｎ伝導の制？＋１１用のＢ、、Ｈ
，、ＰＨ３、Ａ ｓ Ｎ３、窒素不含有用のＮ２、ＮＵ
３、酸素含有ズ用のＮ２０．Ｎｏ、炭素含イＪ文相の炭
化水素例えばＣＨ，、、Ｃ２Ｈ４等をはじめその他のプ
ラズマＣＶＤによって含有於※久可饋なものどして知ら
れている各種ガスを、マスフローコントローラー等を用
いて所定の比率で混合したものを使用することができる
。
また、Ｓｉ３Ｎ４ 、 ＳｉＣ、５ｉ０２ 、 ＳｉＯ
等の絶縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の良好な膜
を得ることができる。
等の絶縁性膜の製造にも適用でき、絶縁特性の良好な膜
を得ることができる。
更に具体的に本発明を説明するために、以下に実施例を
示す。
示す。
実施例
第１図に示した装置は、外部電極（カソード電極）７向
部電極（アノード電極）の両方の表面に堆積膜が形成さ
れるものである。第１図中、１は堆積室を構成している
円筒状のカソード電極、２は該堆積室の中心軸の周りに
回転するようにこれと同心に配置された対向電極たるア
ノード′電極を構成している円筒状の基体、６は前記堆
積室の」−下の壁体、４は該壁体を前記カソード電極か
ら絶縁するためのドーナツ形の絶縁がイン、５は高周波
電源、６は原料、！ｆス供給パイプ、７は排気系、８は
ヒーター、９は」１記の円筒状の基体を回転させる回転
機構、１０はアース、１１は原料ガス放小穴を示す。
部電極（アノード電極）の両方の表面に堆積膜が形成さ
れるものである。第１図中、１は堆積室を構成している
円筒状のカソード電極、２は該堆積室の中心軸の周りに
回転するようにこれと同心に配置された対向電極たるア
ノード′電極を構成している円筒状の基体、６は前記堆
積室の」−下の壁体、４は該壁体を前記カソード電極か
ら絶縁するためのドーナツ形の絶縁がイン、５は高周波
電源、６は原料、！ｆス供給パイプ、７は排気系、８は
ヒーター、９は」１記の円筒状の基体を回転させる回転
機構、１０はアース、１１は原料ガス放小穴を示す。
この装置において、電子写真用感光体のａ−８ｉ膜を製
造した。
造した。
まずアノード電極２に同質同形状のアルミの仮Ｔ（）極
を設置し、仮電極２全予め２５０℃に加熱しておき、原
料ガスをガス圧０．５ Ｔｏｒｒ 、ガス（！ｌＹ、匿
７５０ＳＣＣＭで原Ｆｌ ｉｆスス放出穴１から放出し
、堆積室内にガスが安定して供給されている状態での面
周θ夕電源５によりカソード電極ａ極１に周波数１．３
．５６ＭＨｚ 、 １００ Ｗの高周波電力を印加し、
アース接地された仮電極２との間でグロー放電を発生さ
せ、）Ｊソード屯１ｆｌノ、 ｉの内壁に１μｍ厚のａ
−８ｉ膜を形成した。イル′電極を取りはずし、アノー
ド電極を構成するアルミ基体２を設置した。前記条件で
基体上にａ−３ｉｌ模を製造した。
を設置し、仮電極２全予め２５０℃に加熱しておき、原
料ガスをガス圧０．５ Ｔｏｒｒ 、ガス（！ｌＹ、匿
７５０ＳＣＣＭで原Ｆｌ ｉｆスス放出穴１から放出し
、堆積室内にガスが安定して供給されている状態での面
周θ夕電源５によりカソード電極ａ極１に周波数１．３
．５６ＭＨｚ 、 １００ Ｗの高周波電力を印加し、
アース接地された仮電極２との間でグロー放電を発生さ
せ、）Ｊソード屯１ｆｌノ、 ｉの内壁に１μｍ厚のａ
−８ｉ膜を形成した。イル′電極を取りはずし、アノー
ド電極を構成するアルミ基体２を設置した。前記条件で
基体上にａ−３ｉｌ模を製造した。
比較のために仮電極な設置して、カソード電極Ｉ−にｒ
めａ−８ｉ膜を形成することなく、基体」二にａ−８ｉ
膜を製造した。
めａ−８ｉ膜を形成することなく、基体」二にａ−８ｉ
膜を製造した。
製造したａ−８ｉ膜は、比較のために製造したａ−３ｉ
膜に比べ、電「−写真特性において画像欠陥の個数密度
は低く、ロット違いの表面電位の振れ幅も小さかった。
膜に比べ、電「−写真特性において画像欠陥の個数密度
は低く、ロット違いの表面電位の振れ幅も小さかった。
第１図は、ａ−Ｓｉ膜製造用のプラズマＣＶＤ装置の模
式図である。 １・・・・カソード電極 ２・・・・アノード電極（基体若しくは仮電極）６・・
・堆積室−に下の壁体 ４・・・・絶縁ガイシ ５・・・・高周波電源 ６・・・・原料ガス供給パイプ ７・・・・排気系 ８・・・・ヒーター ９・・・・基体を回転させる回転機構 １０・・・・アース １１・・・・原料ガス放出穴
式図である。 １・・・・カソード電極 ２・・・・アノード電極（基体若しくは仮電極）６・・
・堆積室−に下の壁体 ４・・・・絶縁ガイシ ５・・・・高周波電源 ６・・・・原料ガス供給パイプ ７・・・・排気系 ８・・・・ヒーター ９・・・・基体を回転させる回転機構 １０・・・・アース １１・・・・原料ガス放出穴
Claims (1)
- プラズマ気相化学反応法により堆積室内に設置されたＪ
４１体に元素または化合物の堆積膜を製造する方法にお
いて、該堆積膜の製造に先立ち、基体と対向する電極表
面に該堆積膜と同質の薄膜を形成することを特徴とする
堆積膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221992A JPS60114576A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 堆積膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221992A JPS60114576A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 堆積膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114576A true JPS60114576A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16775383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221992A Pending JPS60114576A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 堆積膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60114576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206471A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法および装置 |
| US5344908A (en) * | 1993-05-04 | 1994-09-06 | General Electric Company | Process for the manufacture of polycarbonate-oligomers without solvent |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58221992A patent/JPS60114576A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206471A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Hitachi Ltd | 炭素皮膜形成方法および装置 |
| US5344908A (en) * | 1993-05-04 | 1994-09-06 | General Electric Company | Process for the manufacture of polycarbonate-oligomers without solvent |
| US5461121A (en) * | 1993-05-04 | 1995-10-24 | General Electric Co. | Process for the manufacture of polycarbonate-oligomers without solvent |
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