JPS60113402A - 直線抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
直線抵抗体及びその製造方法Info
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- JPS60113402A JPS60113402A JP58219379A JP21937983A JPS60113402A JP S60113402 A JPS60113402 A JP S60113402A JP 58219379 A JP58219379 A JP 58219379A JP 21937983 A JP21937983 A JP 21937983A JP S60113402 A JPS60113402 A JP S60113402A
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- resistance
- linear resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、特に遮断器などの開閉サージ吸収に好適な抵
抗体で、酸化亜鉛を主成分とし、副成分に他の酸化物を
添加含有させた焼結体を用いた直線抵抗体及びその製造
方法に関する。
抗体で、酸化亜鉛を主成分とし、副成分に他の酸化物を
添加含有させた焼結体を用いた直線抵抗体及びその製造
方法に関する。
従来、遮断器用直線抵抗体に関しては、酸化アルミニウ
ムー粘土−炭素系の組成物が知られており、抵抗値が約
４０００・口で、遮断器の開閉サージ耐量が２００ジユ
ール／ｃＣ（以下、：ｒ／ｃｒ：、と略記する）、抵抗
温度係数が一９×１０−２／ ℃（２０〜２５０℃）、
使用温度２００℃の特性が得られている。
ムー粘土−炭素系の組成物が知られており、抵抗値が約
４０００・口で、遮断器の開閉サージ耐量が２００ジユ
ール／ｃＣ（以下、：ｒ／ｃｒ：、と略記する）、抵抗
温度係数が一９×１０−２／ ℃（２０〜２５０℃）、
使用温度２００℃の特性が得られている。
最近、送電々圧の高圧化に伴い遮断器用直線抵抗体に対
して小型、軽量化が強く要望されていることから、抵抗
体としては（１）開閉サージ耐量を大きくすること。（
２）開閉サージを注入すれば温度上昇するが、高い温度
にさらしても抵抗値に変動が小さいこと。（３）抵抗温
度係数の小さいことなどの材料が要求されている。しか
し、従来の抵抗体は酸化アルミニウムー粘土系に炭素を
添加し、不活性ガス雰囲気中で焼結して抵抗値を炭素の
含有量で制御しているため、（１）焼結体の密度が低く
開閉サージ耐食が小さいこと、（２）高い温度にさらす
と抵抗値を制御している炭素が酸化され、抵抗値の変動
が大きいこと、（３）かつ、抵抗温度係数が大きいなど
の欠点があった。
して小型、軽量化が強く要望されていることから、抵抗
体としては（１）開閉サージ耐量を大きくすること。（
２）開閉サージを注入すれば温度上昇するが、高い温度
にさらしても抵抗値に変動が小さいこと。（３）抵抗温
度係数の小さいことなどの材料が要求されている。しか
し、従来の抵抗体は酸化アルミニウムー粘土系に炭素を
添加し、不活性ガス雰囲気中で焼結して抵抗値を炭素の
含有量で制御しているため、（１）焼結体の密度が低く
開閉サージ耐食が小さいこと、（２）高い温度にさらす
と抵抗値を制御している炭素が酸化され、抵抗値の変動
が大きいこと、（３）かつ、抵抗温度係数が大きいなど
の欠点があった。
本発明は上記従来技術を改良するだめになされたもので
あシ、その目的は、抵抗が４０〜１０００Ω・副の値を
有し、かつ遮断器の開閉サージ耐量が大きく、５ｏｏ℃
以上の高温にさらしても抵抗値に変動が々＜、シかも抵
抗温度係数の小さい特性を有する直線抵抗体及びその製
造方法を提供することにある。
あシ、その目的は、抵抗が４０〜１０００Ω・副の値を
有し、かつ遮断器の開閉サージ耐量が大きく、５ｏｏ℃
以上の高温にさらしても抵抗値に変動が々＜、シかも抵
抗温度係数の小さい特性を有する直線抵抗体及びその製
造方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は直線抵抗体
に関する発明であって、酸化亜鉛を主成分とする焼結体
を用いた直線抵抗体において、該焼結体の原料が、酸化
亜鉛（２ｎ０ ）を主成分とし、副成分として酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）、酸化アンチモン（Ｓｂ２０３）、酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ（Ｅｌｎ０２ ）
及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３） よりなる群から選択した
酸化物の少なくとも１種を、全体の０．２〜５０モルチ
で含有したものであることを特徴とする。
に関する発明であって、酸化亜鉛を主成分とする焼結体
を用いた直線抵抗体において、該焼結体の原料が、酸化
亜鉛（２ｎ０ ）を主成分とし、副成分として酸化チタ
ン（ＴｉＯ２）、酸化アンチモン（Ｓｂ２０３）、酸化
マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ（Ｅｌｎ０２ ）
及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３） よりなる群から選択した
酸化物の少なくとも１種を、全体の０．２〜５０モルチ
で含有したものであることを特徴とする。
また、本発明の第２の発明は上記第１の発明の直線抵抗
体を製造する方法に関する発明であって、酸化亜鉛を主
成分とする焼結体を用いた直線抵抗体を製造する方法に
おいて、酸化亜鉛（ｚｎＯ）を主成分とし、それに酸化
チタン（Ｔ１０２）、酸化アンチ％ ン（５ｂ２０３
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ（５ｎ０２
） 及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）よシなる群から選択
した酸化物の少なくとも１種を全体の０．２〜５０モル
係量で有口して成る圧粉成形体を、酸化性雰囲気中にお
いて１０００〜１５００’Ｃの範囲内の温度で焼結させ
る工程、及び得られた焼結体の両端面に電極を形成する
工程の各工程を包含することを特徴とする。
体を製造する方法に関する発明であって、酸化亜鉛を主
成分とする焼結体を用いた直線抵抗体を製造する方法に
おいて、酸化亜鉛（ｚｎＯ）を主成分とし、それに酸化
チタン（Ｔ１０２）、酸化アンチ％ ン（５ｂ２０３
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ（５ｎ０２
） 及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）よシなる群から選択
した酸化物の少なくとも１種を全体の０．２〜５０モル
係量で有口して成る圧粉成形体を、酸化性雰囲気中にお
いて１０００〜１５００’Ｃの範囲内の温度で焼結させ
る工程、及び得られた焼結体の両端面に電極を形成する
工程の各工程を包含することを特徴とする。
本発明者等は遮断器用直線抵抗体の小型、軽量化につい
て種々検討した結果、（１）用いる抵抗体は抵抗値が４
０〜１０００Ω・ｍで、がっ開閉サージ耐量が４００Ｊ
／ＣＣ以上、抵抗の温度係数が±４ Ｘ １ ｏ−３／
℃（０〜５ｏｏ℃）以下及び５００℃以上の高温にさら
した後でも抵抗値の変化が±１０係以内であること、（
２）抵抗体の開閉サージ耐量は第１図に示すように、抵
抗体の比重に影響されることを見出した。すなわち第１
図は抵抗体の比重（ｒ／ｃｃ）（横軸）と開閉サージ耐
量（Ｊ／ＣＣ）（縦軸）との関係を示すグラフである。
て種々検討した結果、（１）用いる抵抗体は抵抗値が４
０〜１０００Ω・ｍで、がっ開閉サージ耐量が４００Ｊ
／ＣＣ以上、抵抗の温度係数が±４ Ｘ １ ｏ−３／
℃（０〜５ｏｏ℃）以下及び５００℃以上の高温にさら
した後でも抵抗値の変化が±１０係以内であること、（
２）抵抗体の開閉サージ耐量は第１図に示すように、抵
抗体の比重に影響されることを見出した。すなわち第１
図は抵抗体の比重（ｒ／ｃｃ）（横軸）と開閉サージ耐
量（Ｊ／ＣＣ）（縦軸）との関係を示すグラフである。
したがって、抵抗体に用いる主原料には焼結がしやすく
、かつ比重の大きいことなどが考えられ、酸化亜鉛を主
成分とした焼結体とし、その抵抗体特性を調べた。その
結果、（１）開閉サージ耐量が７００．７／ＣＣで従来
品の約３５倍と著しく高くなること、（２）酸化亜鉛に
添加する副成分の酸化チタン、酸化アンチモン、酸化マ
グネシウム、酸化スズ、酸化ホウ素などの添加物の種類
及び含有量によって抵抗値が変化し、かつその抵抗温度
係数も改善されることを発見した。
、かつ比重の大きいことなどが考えられ、酸化亜鉛を主
成分とした焼結体とし、その抵抗体特性を調べた。その
結果、（１）開閉サージ耐量が７００．７／ＣＣで従来
品の約３５倍と著しく高くなること、（２）酸化亜鉛に
添加する副成分の酸化チタン、酸化アンチモン、酸化マ
グネシウム、酸化スズ、酸化ホウ素などの添加物の種類
及び含有量によって抵抗値が変化し、かつその抵抗温度
係数も改善されることを発見した。
本発明の酸化亜鉛系直線抵抗体の望ましい組成としては
、主成分の酸化亜鉛（Ｚｎｏ）に対して副成分の酸化チ
タン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム及び酸化スズ
を各々ＴｉＯ２、Ｓｂ７＋Ｏｓ、ＭｇＯＸ５ｎ０２の酸
化物として少なくとも１つ以上を０．２〜５０モル係添
加するのが良い。上記の組成範囲よりも多いとｓｂ、ｏ
３の場合には抵抗値がｌＸ１０３Ω・鍔より高く、かつ
上記組成範囲よυも少ないと抵抗温度係数が±４ Ｘ
１０−”７℃（０〜５００℃）よシ大きくなシ遮断器用
直線抵抗体として不適当になる。
、主成分の酸化亜鉛（Ｚｎｏ）に対して副成分の酸化チ
タン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム及び酸化スズ
を各々ＴｉＯ２、Ｓｂ７＋Ｏｓ、ＭｇＯＸ５ｎ０２の酸
化物として少なくとも１つ以上を０．２〜５０モル係添
加するのが良い。上記の組成範囲よりも多いとｓｂ、ｏ
３の場合には抵抗値がｌＸ１０３Ω・鍔より高く、かつ
上記組成範囲よυも少ないと抵抗温度係数が±４ Ｘ
１０−”７℃（０〜５００℃）よシ大きくなシ遮断器用
直線抵抗体として不適当になる。
この原因は、ＺｎＯと５ｂ２０３ を焼結するとスピネ
ル型のＺｎ７Ｓｂ２０＋ｚ 結晶が生成し、その結晶の
生成量に起因しているものと推定される。また、副成分
子ｉＯ□ の場合は上記の組成範囲よυ、多くても、又
は少なくても抵抗の温度変化が大きくなって遮断器用直
線抵抗体として不適当になる。この原因はＺｎＯとＴｌ
Ｏ２とを焼結するとルチル型のＺｎ２ＴｉＯ４々る結晶
を生成し、この結晶の生成量に起因するものと推定され
る。更に、副成分が８ｎ０２及びＭｇＯの場合には上記
の組成範囲よりも多いと、遮断器の開閉サージ耐量が低
くなり、上記の組成範囲よシ少ないと副成分ｓ ｂ２ｏ
ｚ及びＴｉｅ、と同様に抵抗の温度変化が大きくなって
遮断器用直線抵抗体として不適当になる。ここで、副成
分５ｎ０２及びＭｇＯの添加量が多い場合の開閉サージ
耐量の低下原因は次のように推定される。す々わち、前
者の５ｎ０２ の場合には分解温度が１１３０℃と高く
焼結し難いこと、後者のＭｇＯの場合には融点が１８０
０℃と高いため焼結し難く、焼結体の密度低下が生じる
。他方、副成分のＢ２Ｏ２の添加は得られる焼結体の密
度を向上させ、かつ高い温度にさらしても抵抗値の変動
を小さくするのに有効であり、その添加量は０〜５モル
係が良い。
ル型のＺｎ７Ｓｂ２０＋ｚ 結晶が生成し、その結晶の
生成量に起因しているものと推定される。また、副成分
子ｉＯ□ の場合は上記の組成範囲よυ、多くても、又
は少なくても抵抗の温度変化が大きくなって遮断器用直
線抵抗体として不適当になる。この原因はＺｎＯとＴｌ
Ｏ２とを焼結するとルチル型のＺｎ２ＴｉＯ４々る結晶
を生成し、この結晶の生成量に起因するものと推定され
る。更に、副成分が８ｎ０２及びＭｇＯの場合には上記
の組成範囲よりも多いと、遮断器の開閉サージ耐量が低
くなり、上記の組成範囲よシ少ないと副成分ｓ ｂ２ｏ
ｚ及びＴｉｅ、と同様に抵抗の温度変化が大きくなって
遮断器用直線抵抗体として不適当になる。ここで、副成
分５ｎ０２及びＭｇＯの添加量が多い場合の開閉サージ
耐量の低下原因は次のように推定される。す々わち、前
者の５ｎ０２ の場合には分解温度が１１３０℃と高く
焼結し難いこと、後者のＭｇＯの場合には融点が１８０
０℃と高いため焼結し難く、焼結体の密度低下が生じる
。他方、副成分のＢ２Ｏ２の添加は得られる焼結体の密
度を向上させ、かつ高い温度にさらしても抵抗値の変動
を小さくするのに有効であり、その添加量は０〜５モル
係が良い。
したがって、本発明の直線抵抗体の特に望ましい組成は
、主成分ＺｎＯに対し、副成分として［１５≦５ｂ２０
３≦３０モル％、１≦Ｔｉｅ２≦５０モルチ、０．５≦
ＭｇＯ≦３０％ル％及び１≦５ｎ０２≦５０モル係を各
々添加し、かっＢ２ ｏ３を０≦Ｂ２Ｏ３≦５モル係加
えることである。
、主成分ＺｎＯに対し、副成分として［１５≦５ｂ２０
３≦３０モル％、１≦Ｔｉｅ２≦５０モルチ、０．５≦
ＭｇＯ≦３０％ル％及び１≦５ｎ０２≦５０モル係を各
々添加し、かっＢ２ ｏ３を０≦Ｂ２Ｏ３≦５モル係加
えることである。
本発明の酸化亜鉛系直線抵抗体の構造の一例を第２図及
び第３図に示す。すなわち第２図及び第３図は本発明の
直線抵抗体の一例の断面概略図である。第２図において
符号１１は焼結体、１２は電極、１３は結晶化ガラス又
は絶縁性セラミックス材を意味する。第３図において２
１は焼結体、２２は電極を意味する。この直線抵抗体の
製造法は一般に知られているセラミックス焼結技術で製
造される。その概要はＺｎＯ粉末を主成分として、これ
にＴｌＯ２，５ｂ２０３、ＭｇＯ１Ｓｎ０２及びＢ、
ｏ３から選ばれた１≦分以上を全体の０．２〜５０モル
係量加有口分に混合し、これに水及びポリビニルアルコ
ールなどの適当なバインダを加えて造粒し、金型を用い
て成形する。
び第３図に示す。すなわち第２図及び第３図は本発明の
直線抵抗体の一例の断面概略図である。第２図において
符号１１は焼結体、１２は電極、１３は結晶化ガラス又
は絶縁性セラミックス材を意味する。第３図において２
１は焼結体、２２は電極を意味する。この直線抵抗体の
製造法は一般に知られているセラミックス焼結技術で製
造される。その概要はＺｎＯ粉末を主成分として、これ
にＴｌＯ２，５ｂ２０３、ＭｇＯ１Ｓｎ０２及びＢ、
ｏ３から選ばれた１≦分以上を全体の０．２〜５０モル
係量加有口分に混合し、これに水及びポリビニルアルコ
ールなどの適当なバインダを加えて造粒し、金型を用い
て成形する。
成形体は電気炉を用い大気中で１０００〜１５００℃の
温度で焼成する。焼成した焼結体は電極を形成する両端
面を研磨調整し、溶射又は焼付は法によって電極を形成
して直線抵抗体とする。
温度で焼成する。焼成した焼結体は電極を形成する両端
面を研磨調整し、溶射又は焼付は法によって電極を形成
して直線抵抗体とする。
また、得られた抵抗体は使用中の沿面放電を防止するた
め抵抗体側面に高抵抗セラミックス層や結晶化ガラス層
（第２図参照）を設けても良い。更に、第３図に示すよ
うに直線抵抗体の中心部付近に穴を設けても良いことは
いうまでもない。
め抵抗体側面に高抵抗セラミックス層や結晶化ガラス層
（第２図参照）を設けても良い。更に、第３図に示すよ
うに直線抵抗体の中心部付近に穴を設けても良いことは
いうまでもない。
本発明において焼結温度は、１０００℃未満では従来品
に比べ抵抗値が高く、かつ本発明者等が目標としたｌＸ
１０” Ω・（７）よシも高く、１５００℃超では開閉
サージ及び抵抗温度係数が従来品よシ劣るので、１００
０〜１５００℃であることが必要である。
に比べ抵抗値が高く、かつ本発明者等が目標としたｌＸ
１０” Ω・（７）よシも高く、１５００℃超では開閉
サージ及び抵抗温度係数が従来品よシ劣るので、１００
０〜１５００℃であることが必要である。
以下本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されない。
発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
主成分としてＺｎＯ５３０？に対し、副成分としてＴｉ
ｅ、２４０ ｆ 、 Ｍｇ０２０ ｆを正確に秤量し、
ボールミルで１５時時間式で混合する。混合粉は乾燥し
た後５チボリビニルアルコール水溶液を乾燥原料粉に対
して１０重量係混入して造粒する。造粒粉は金型を用い
成形圧力フ００ｋｇ／ｃ＋＋＋”で２５咽φＸ５ｍｍに
成形する。成形体は大気中で１３５０℃、３時間保持し
て焼成した。
ｅ、２４０ ｆ 、 Ｍｇ０２０ ｆを正確に秤量し、
ボールミルで１５時時間式で混合する。混合粉は乾燥し
た後５チボリビニルアルコール水溶液を乾燥原料粉に対
して１０重量係混入して造粒する。造粒粉は金型を用い
成形圧力フ００ｋｇ／ｃ＋＋＋”で２５咽φＸ５ｍｍに
成形する。成形体は大気中で１３５０℃、３時間保持し
て焼成した。
別に低融点結晶化ガラスで、旭硝子社製ＡＳＦ−１４０
０ガラス（ＺｎＯ−ｓｌｏ、−Ｂ２Ｏ３系）粉をエチル
セルロース拳ブチルカルピトール溶液に懸濁しておき、
これを焼成した焼結体の側面に厚さ５０〜３００μｍに
なるように筆で塗布した。これを大気中７５０℃で３０
分間熱処理してガラスを焼付けた。ガラスを被覆した焼
結体はその両端面をラップマスタで約０．５ ｍｎずつ
研磨し、トリクロロエチレンで洗浄した。洗浄した焼結
体はＡｔ溶射電極を形成して直線抵抗体とした。この本
発明品と従来品（酸化アルミニウムー粘土−炭素系）と
の開閉サージ耐量、抵抗温度係数及び大気中５００℃熱
処理後の抵抗値変化率を比較すると第１表となる。
０ガラス（ＺｎＯ−ｓｌｏ、−Ｂ２Ｏ３系）粉をエチル
セルロース拳ブチルカルピトール溶液に懸濁しておき、
これを焼成した焼結体の側面に厚さ５０〜３００μｍに
なるように筆で塗布した。これを大気中７５０℃で３０
分間熱処理してガラスを焼付けた。ガラスを被覆した焼
結体はその両端面をラップマスタで約０．５ ｍｎずつ
研磨し、トリクロロエチレンで洗浄した。洗浄した焼結
体はＡｔ溶射電極を形成して直線抵抗体とした。この本
発明品と従来品（酸化アルミニウムー粘土−炭素系）と
の開閉サージ耐量、抵抗温度係数及び大気中５００℃熱
処理後の抵抗値変化率を比較すると第１表となる。
第１表
本発明品は従来品よシも開閉サージ耐量が極めて大きく
、かつ抵抗温度係数及び５００℃熱処理後の抵抗値温度
変化も小さく優れていることがわかる。
、かつ抵抗温度係数及び５００℃熱処理後の抵抗値温度
変化も小さく優れていることがわかる。
実施例２
主成分ＺｎＯに対して、副成分を１種ずつ使用し、５ｂ
２０３を０．２〜５０モル係、ＴｉＯ２を０．５〜６０
モル％、ＭｇＯをα１〜５０モル％、５ｎ０２を０．５
〜５０モル係、各々正確に秤量し、実施例１と同様に大
気中１３００〜１５００℃の温度で３時間保持して焼成
した。得られた焼結体の密度は各々理論密度の８５〜９
６係であった。
２０３を０．２〜５０モル係、ＴｉＯ２を０．５〜６０
モル％、ＭｇＯをα１〜５０モル％、５ｎ０２を０．５
〜５０モル係、各々正確に秤量し、実施例１と同様に大
気中１３００〜１５００℃の温度で３時間保持して焼成
した。得られた焼結体の密度は各々理論密度の８５〜９
６係であった。
焼成した焼結体は両端面をラップマスタで約０．５＋ｍ
ずつ研磨し、トリクロロエチレンで超音波洗浄した。洗
浄した焼結体はデュポン社製の＋６４２５銀ペーストを
塗布して７５０℃で焼付けて電極を形成して直線抵抗体
とした。得られた直線抵抗体の抵抗値、開閉サージ耐量
、抵抗の温度係数を第２表に示す。
ずつ研磨し、トリクロロエチレンで超音波洗浄した。洗
浄した焼結体はデュポン社製の＋６４２５銀ペーストを
塗布して７５０℃で焼付けて電極を形成して直線抵抗体
とした。得られた直線抵抗体の抵抗値、開閉サージ耐量
、抵抗の温度係数を第２表に示す。
第２表から、主成分のＺｎＯに各々の副成分ｓ Ｂ２Ｏ
３、Ｔｉｅ２、ＭｇＯ及びＢｎ０２を添加した抵抗体特
性は組成番号２〜６．１０〜１３．１９〜２３及び２７
〜３０が抵抗値４０〜１０００Ω・百となり、かつ開閉
サージ耐量３３０〜７１０：ｒ／ｃｒ、、抵抗温度係数
±４Ｘ１０−３／’Ｃ以下で直線抵抗体として優れてい
ることがわかる。
３、Ｔｉｅ２、ＭｇＯ及びＢｎ０２を添加した抵抗体特
性は組成番号２〜６．１０〜１３．１９〜２３及び２７
〜３０が抵抗値４０〜１０００Ω・百となり、かつ開閉
サージ耐量３３０〜７１０：ｒ／ｃｒ、、抵抗温度係数
±４Ｘ１０−３／’Ｃ以下で直線抵抗体として優れてい
ることがわかる。
他方第２表から、副成分ｓ ｂ、０３の添加は添加量を
増量するに従って、抵抗値が他の副成分よシ急激に増加
する傾向にあることがわかる。また、副成分のＴｌＯ２
は添加量を増量するに従って開閉サージ耐量が良く寿る
傾向にあるが、増量し過ぎると抵抗温度係数が悪くなる
傾向を示し、組成番号１７では一２Ｘ１０−”７℃で従
来品の−９Ｘ １０−”よシも大きく、副成分ＭｇＯ１
８ｎ０２ の添加は添加量を増加するに従って開閉サー
ジ耐量が低下する傾向を示し、組成番号２５及び３２で
は１７０Ｊ／ｃｃ以下となシ従来品の２００Ｊ／ＣＣよ
シも小さくなることがわかる。これらのことから遮断器
用直線抵抗体として特に望ましい組成は主成分のＺｎＯ
に加える副成分のｓ Ｂ２Ｏ３、Ｔｉｅ、、Ｍｇｏ及び
５ｎ０２の各々の添加量が０．５〜３０モル係、１〜５
０モルチモル、５〜３０モル係、１〜３０モル係が良い
。
増量するに従って、抵抗値が他の副成分よシ急激に増加
する傾向にあることがわかる。また、副成分のＴｌＯ２
は添加量を増量するに従って開閉サージ耐量が良く寿る
傾向にあるが、増量し過ぎると抵抗温度係数が悪くなる
傾向を示し、組成番号１７では一２Ｘ１０−”７℃で従
来品の−９Ｘ １０−”よシも大きく、副成分ＭｇＯ１
８ｎ０２ の添加は添加量を増加するに従って開閉サー
ジ耐量が低下する傾向を示し、組成番号２５及び３２で
は１７０Ｊ／ｃｃ以下となシ従来品の２００Ｊ／ＣＣよ
シも小さくなることがわかる。これらのことから遮断器
用直線抵抗体として特に望ましい組成は主成分のＺｎＯ
に加える副成分のｓ Ｂ２Ｏ３、Ｔｉｅ、、Ｍｇｏ及び
５ｎ０２の各々の添加量が０．５〜３０モル係、１〜５
０モルチモル、５〜３０モル係、１〜３０モル係が良い
。
実施例３
主成分ＺｎＯ７５モル係に副成分子１０２ を２０モモ
ル係びＭｇＯを５モル係添加したものに対し、Ｂ２Ｏ３
を０．５モル係、１モル係、３モル係、５モル係、７モ
ル係及び１５モル係係止正確秤量し、実施例２と同様に
１３００℃で３時間保持して直線抵抗体を作製した。こ
の本発明品と従来品とを比較すると第６表となる。
ル係びＭｇＯを５モル係添加したものに対し、Ｂ２Ｏ３
を０．５モル係、１モル係、３モル係、５モル係、７モ
ル係及び１５モル係係止正確秤量し、実施例２と同様に
１３００℃で３時間保持して直線抵抗体を作製した。こ
の本発明品と従来品とを比較すると第６表となる。
第３表から本発明品は従来品に比べ抵抗値は目標の４０
〜１０００Ω・αを満足し、開閉サージ耐量、抵抗温度
係数及び大気中５００℃熱処理後の抵抗値変化率が小さ
く優れていることがわかる。他方、本発明者等の検討結
果による５００℃熱処理後の抵抗値変化率は±１０ｑｂ
が良いことがわかる。これによれば、５００℃熱処理後
の抵抗値の変化率はＢ２Ｏ３添加量によって変化し、最
適添加量はα５〜５モル係が良いことがわかる。
〜１０００Ω・αを満足し、開閉サージ耐量、抵抗温度
係数及び大気中５００℃熱処理後の抵抗値変化率が小さ
く優れていることがわかる。他方、本発明者等の検討結
果による５００℃熱処理後の抵抗値変化率は±１０ｑｂ
が良いことがわかる。これによれば、５００℃熱処理後
の抵抗値の変化率はＢ２Ｏ３添加量によって変化し、最
適添加量はα５〜５モル係が良いことがわかる。
実施例４
主成分ＺｎＯの６１１ｆに対し、副成分としてＴｌＯ２
の１３６ｆＸＭｇＯの２０ ｆ、Ｂ、０３の２１１を正
確に秤量し、実施例３と同様にして２５■φ×５−の成
形体を得た。成形体は大気中で温度の保持時間を５時間
一定とし、温度を１０００℃〜１６００℃に変えて焼成
した。焼成した焼結体は両端面をラップラスタで約０．
’Ｓ ｔｍずつ研磨し、トリクロロエチレンで超音波
洗浄した。
の１３６ｆＸＭｇＯの２０ ｆ、Ｂ、０３の２１１を正
確に秤量し、実施例３と同様にして２５■φ×５−の成
形体を得た。成形体は大気中で温度の保持時間を５時間
一定とし、温度を１０００℃〜１６００℃に変えて焼成
した。焼成した焼結体は両端面をラップラスタで約０．
’Ｓ ｔｍずつ研磨し、トリクロロエチレンで超音波
洗浄した。
洗浄した焼結体にはデュポン社製の”６４２５銀ペース
トを塗布して７６０℃で焼付けて電極を形成して抵抗体
とした。焼成温度を変えて得た本発明品と従来品とを比
較すると第４表となる。
トを塗布して７６０℃で焼付けて電極を形成して抵抗体
とした。焼成温度を変えて得た本発明品と従来品とを比
較すると第４表となる。
本発明品は従来品に比べ、１０００℃焼成品の抵抗値は
２Ｘ１０３Ω・鋼と従来品より高く、かつ本発明者等が
目標値とした１×１ｏ３Ω・ｍよシも高いが、開閉サー
ジ耐量、抵抗温度係数及び大気中５００℃で熱処理後の
抵抗値変化の小さいことがわかる。他方、本発明品の項
の１６００℃焼成品は抵抗値、大気中５００℃熱処理後
の抵抗値変化率は満足するが、開閉サージ耐量及び抵抗
温度係数が従来品と同等か、それよシも悪くなることが
わかる。したがって、本発明品の最適焼成温度は１００
０〜１５００℃が良い。
２Ｘ１０３Ω・鋼と従来品より高く、かつ本発明者等が
目標値とした１×１ｏ３Ω・ｍよシも高いが、開閉サー
ジ耐量、抵抗温度係数及び大気中５００℃で熱処理後の
抵抗値変化の小さいことがわかる。他方、本発明品の項
の１６００℃焼成品は抵抗値、大気中５００℃熱処理後
の抵抗値変化率は満足するが、開閉サージ耐量及び抵抗
温度係数が従来品と同等か、それよシも悪くなることが
わかる。したがって、本発明品の最適焼成温度は１００
０〜１５００℃が良い。
以上説明したように、本発明の直線抵抗体は、従来のも
のよシ、開閉サージ耐量が極めて大きく、かつ抵抗温度
係数及び５００℃熱処理後の抵抗温度変化が小さいとい
う顕著な効果を奏するものである。
のよシ、開閉サージ耐量が極めて大きく、かつ抵抗温度
係数及び５００℃熱処理後の抵抗温度変化が小さいとい
う顕著な効果を奏するものである。
第１図は直線抵抗体の比重と遮断器の開閉ササージ耐量
との関係を示すグラフ、第２図及び第３図は本発明の直
線抵抗体の一例を示す断面概略図である。 １１．１２：焼結体、１２．２２：電極、１３：結晶化
ガラス又は絶縁性セラミックス材。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代理人 中 本 宏 第１図
との関係を示すグラフ、第２図及び第３図は本発明の直
線抵抗体の一例を示す断面概略図である。 １１．１２：焼結体、１２．２２：電極、１３：結晶化
ガラス又は絶縁性セラミックス材。 特許出願人 株式会社 日立製作所 代理人 中 本 宏 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 酸化亜鉛を主成分とする焼結体を用いた直線抵抗
体において、酸化亜鉛（ｚｎＯ）を主成分とし、副成分
として酸化チタン（Ｔ１０２）、酸化アンチモン（５ｂ
２ｏ３ ） 、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ
（Ｓｎ０２）及び酸化ホウ素（Ｂｔｕｓ ）よ）なる群
から選択した酸化物の少なくとも１種を、全体の１２〜
５０モルチ量で含有したものであることを特徴とする直
線抵抗体。 ２ 酸化亜鉛を主成分とする焼結体を用いた直線抵抗体
を製造する方法において、酸化亜鉛（２ｎ０ ）を主成
分とし、それに酸化チタン（Ｔｉｅ、）、酸化アンチモ
ン（５ｂ２ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化
スズ（５ｎ０２ ）及び酸化ホウ素（ＢｚＯｓ）よりな
る群から選択した酸化物の少なくとも１種を全体のα２
〜５０モル係量で含有口て成る圧粉成形体を、酸化性雰
囲気中において１０００〜１５００℃の範囲内の温度で
焼結させる工程、及び得られた焼結体の両端面に電極を
形成する工程の各工程を包含することを特徴とする直線
抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219379A JPS60113402A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 直線抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219379A JPS60113402A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 直線抵抗体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113402A true JPS60113402A (ja) | 1985-06-19 |
| JPH0522361B2 JPH0522361B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=16734492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219379A Granted JPS60113402A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | 直線抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113402A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109887694A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-14 | 扬州发运电气有限公司 | 一种中压高能氧化锌电阻片制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106497A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-07 | Toshiba Corp | Manufacturing of resistors |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58219379A patent/JPS60113402A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106497A (en) * | 1976-03-02 | 1977-09-07 | Toshiba Corp | Manufacturing of resistors |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109887694A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-14 | 扬州发运电气有限公司 | 一种中压高能氧化锌电阻片制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522361B2 (ja) | 1993-03-29 |
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