JPS60110112A - 磁性薄膜 - Google Patents
磁性薄膜Info
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- JPS60110112A JPS60110112A JP21780183A JP21780183A JPS60110112A JP S60110112 A JPS60110112 A JP S60110112A JP 21780183 A JP21780183 A JP 21780183A JP 21780183 A JP21780183 A JP 21780183A JP S60110112 A JPS60110112 A JP S60110112A
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- magnetic
- magnetic thin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な方法によって得られる磁性薄膜に係り、
更に具体的には高保磁力を有する磁気記録媒体用磁性薄
膜、薄膜ヘッドに使用される軟磁性薄膜などに関する。
更に具体的には高保磁力を有する磁気記録媒体用磁性薄
膜、薄膜ヘッドに使用される軟磁性薄膜などに関する。
従来技術
従来、磁性薄膜の製造方法としては、真空蒸着法やスパ
ッタ法が主として用いられている。しかし、真空蒸着法
やスパッタ法の場合には、一旦、作成しようと思う磁性
薄膜と同一組成の母体を作成しなければならない。この
ため、磁性薄膜の組成を変更しようと思うと、まず母体
から作成しなおさなければならないというめんどうが生
じ、生産コストも割高になるという欠点がある。また、
これらの方法においては母体から飛翔した原子または粒
子が基体上に付着する割合は低く、特に真空蒸着では大
部分が基体近傍の壁面などに付着しむだに使われている
。
ッタ法が主として用いられている。しかし、真空蒸着法
やスパッタ法の場合には、一旦、作成しようと思う磁性
薄膜と同一組成の母体を作成しなければならない。この
ため、磁性薄膜の組成を変更しようと思うと、まず母体
から作成しなおさなければならないというめんどうが生
じ、生産コストも割高になるという欠点がある。また、
これらの方法においては母体から飛翔した原子または粒
子が基体上に付着する割合は低く、特に真空蒸着では大
部分が基体近傍の壁面などに付着しむだに使われている
。
発明の目的
本発明は組成が容易に調整できる新規な磁性薄膜製造方
法により製造される磁性薄膜に関する。
法により製造される磁性薄膜に関する。
発明の概要
本発明は減圧された真空容器内に磁性金属元素を含む化
合物気体と還元性気体とを含む反応ガスを導入し、プラ
ズマ励起を利用して基体上に気相成長させる方法によっ
て製造された磁性薄膜である。
合物気体と還元性気体とを含む反応ガスを導入し、プラ
ズマ励起を利用して基体上に気相成長させる方法によっ
て製造された磁性薄膜である。
上記の方法で得られた磁性薄膜は原料化合物気体の調整
により所望の合金組成を有することができる。また原料
である磁性金属元素を含む化合物の５０〜８０％を有効
に磁性薄膜化できる。
により所望の合金組成を有することができる。また原料
である磁性金属元素を含む化合物の５０〜８０％を有効
に磁性薄膜化できる。
この磁性薄膜は基体温度により異った特性を有し、基体
温度が室温近くの低い温度では非晶質状態であり軟磁性
材料例えば磁気ヘッドに使用できる。基体温度が１００
℃以上の場合には結晶質になり、磁気記録媒体として使
用できる。本発明は上記の方法で得られた非晶質金属磁
性薄膜をさらに熱処理する方法及びそうして得られた磁
性薄膜を含む。また上記の方法で得られた磁性薄膜が結
晶彌の場合でもこれが不十分な場合には同様に熱処理し
うる。
温度が室温近くの低い温度では非晶質状態であり軟磁性
材料例えば磁気ヘッドに使用できる。基体温度が１００
℃以上の場合には結晶質になり、磁気記録媒体として使
用できる。本発明は上記の方法で得られた非晶質金属磁
性薄膜をさらに熱処理する方法及びそうして得られた磁
性薄膜を含む。また上記の方法で得られた磁性薄膜が結
晶彌の場合でもこれが不十分な場合には同様に熱処理し
うる。
得られた磁性薄膜は結晶質であり、大きい保磁力を有す
るから、磁気記録媒体の用途に適する。
るから、磁気記録媒体の用途に適する。
詳細な説明
本発明において、真空容器内に導入されてプラズマ励起
される原料ガスは、磁性金属元素を含む化合物であって
、 Ｆｅ％Ｃｏ、Ｎｉ のカルボニル化合物、ハロゲン
化物、アセチルアセトン塩、ビスシフ四ペンタジェニル
化合物、アルコラード等が用いられる。このうち、低温
で気化可能なＦｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ （ＣＯ） Ｎ１（
Ｃｏ）４ などの金属カルボニルは気２日−％ 体状態で真空容器内へ導入することが容易なので最も有
効に使用できる。
される原料ガスは、磁性金属元素を含む化合物であって
、 Ｆｅ％Ｃｏ、Ｎｉ のカルボニル化合物、ハロゲン
化物、アセチルアセトン塩、ビスシフ四ペンタジェニル
化合物、アルコラード等が用いられる。このうち、低温
で気化可能なＦｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ （ＣＯ） Ｎ１（
Ｃｏ）４ などの金属カルボニルは気２日−％ 体状態で真空容器内へ導入することが容易なので最も有
効に使用できる。
本発明における還元性気体はＮ２、ＣＱ、アルコールガ
スなど、或いはこれらのガスとＡｒ、Ｎ２、Ｈｅ 、
Ｃ０２などのガスとの混合ガスが利用できるが、そのう
ちＮ２はプラズマの発生が容易でしかも取扱いが簡単な
ので最も有効に使用できる。
スなど、或いはこれらのガスとＡｒ、Ｎ２、Ｈｅ 、
Ｃ０２などのガスとの混合ガスが利用できるが、そのう
ちＮ２はプラズマの発生が容易でしかも取扱いが簡単な
ので最も有効に使用できる。
本発明においては、反応ガス中に磁性金属元素を含む化
合物気体を含むことはもちろんであるが、還元性気体を
含むことが特に重要となる。すなわち、本発明者が鋭意
検討した結果、 （ａ）磁性金属元素を含む化合物気体のみでは磁性薄膜
は生成しない。
合物気体を含むことはもちろんであるが、還元性気体を
含むことが特に重要となる。すなわち、本発明者が鋭意
検討した結果、 （ａ）磁性金属元素を含む化合物気体のみでは磁性薄膜
は生成しない。
ｌｂｌ磁性金属元素を含む化合物気体と０２ のような
酸化性気体の場合は、粉状の生成物が多く本発明の目的
に適さない。
酸化性気体の場合は、粉状の生成物が多く本発明の目的
に適さない。
（ｃｌ磁性金属元素を含む化合物気体とＮ２のような不
活性気体の場合は、磁性薄膜が生成しない。
活性気体の場合は、磁性薄膜が生成しない。
（ｄｌ磁性金属元素を含む化合物気体とＮ２のような還
元性気体の場合は、磁性薄膜が生成する。
元性気体の場合は、磁性薄膜が生成する。
ことが明らかとなり本発明をなすに至ったものである。
減圧された真空容器内に磁性金属元素を含む化合物気体
と還元性気体とを含む反応ガスを導入し、プラズマ励起
を利用して基体上に金属ｆＷ膜を気相成長して得られる
膜は非晶質状態であり、保磁力は小さい。この磁性薄膜
は磁気ヘッドなどの軟磁性材として使用できる。しかし
このものはこのままでは磁気記録媒体として利用できな
い。
と還元性気体とを含む反応ガスを導入し、プラズマ励起
を利用して基体上に金属ｆＷ膜を気相成長して得られる
膜は非晶質状態であり、保磁力は小さい。この磁性薄膜
は磁気ヘッドなどの軟磁性材として使用できる。しかし
このものはこのままでは磁気記録媒体として利用できな
い。
そこで、得られた金属磁性薄膜を熱処理することを検討
した結果、２００℃以上で熱処理することにより金属磁
性薄膜は結晶化し、保磁力も向上することが明らかとな
った。この時の雰囲気を酸化性雰囲気とすると、金属薄
膜は酸化物薄膜として結晶化するが、磁束密度の低下を
招くため好ましくなく、非酸化性雰囲気で熱処理するこ
とが望ましい。また、還元性雰囲気のプラズマ中での熱
処理はさらに有効に利用できる。すなわちプラズマ中で
の熱処理においては、加える熱は低くてすみ、１００℃
以上に加熱すれば充分に目的が達せられる。
した結果、２００℃以上で熱処理することにより金属磁
性薄膜は結晶化し、保磁力も向上することが明らかとな
った。この時の雰囲気を酸化性雰囲気とすると、金属薄
膜は酸化物薄膜として結晶化するが、磁束密度の低下を
招くため好ましくなく、非酸化性雰囲気で熱処理するこ
とが望ましい。また、還元性雰囲気のプラズマ中での熱
処理はさらに有効に利用できる。すなわちプラズマ中で
の熱処理においては、加える熱は低くてすみ、１００℃
以上に加熱すれば充分に目的が達せられる。
以下に、本発明の磁性薄膜の製造方法を詳しく述べる。
第１図は、本発明で使用されるプラズマ装置の一例であ
る。基体１を、真空容器２内の電極３上に配置する。電
極３をヒーター４により適当な温度に加熱することによ
り基体加熱が行なわれる。
る。基体１を、真空容器２内の電極３上に配置する。電
極３をヒーター４により適当な温度に加熱することによ
り基体加熱が行なわれる。
基体１上に気相成長が行なわれるに先だち、真空容器２
は排気装置１２により排気される。このとき、基体１上
に金属膜を成長させるためには真空容器２内をＩ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒ 以下の高真空に排気するのが望まし
い。次にボンベ５から■（２などの還元性気体を、また
ボンベ６及び７からは金属カルボニルなどの原料ガスを
ミキサー８を介して真空容器２内に導入する。原料ガス
は、電極９に設けられた穴１０より、基体１上に吹出さ
れる。次いで、真空容器２内を０．０１〜１０ ’ｆｏ
ｒｒ の真空度に制御し、ＲＦ電源１１により電極３及
び電極９の間に１５．５６ ＭＩｚの高周波を印加して
プラズマ放電を生じさせ、基体１上に磁性薄膜を形成す
る。
は排気装置１２により排気される。このとき、基体１上
に金属膜を成長させるためには真空容器２内をＩ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒ 以下の高真空に排気するのが望まし
い。次にボンベ５から■（２などの還元性気体を、また
ボンベ６及び７からは金属カルボニルなどの原料ガスを
ミキサー８を介して真空容器２内に導入する。原料ガス
は、電極９に設けられた穴１０より、基体１上に吹出さ
れる。次いで、真空容器２内を０．０１〜１０ ’ｆｏ
ｒｒ の真空度に制御し、ＲＦ電源１１により電極３及
び電極９の間に１５．５６ ＭＩｚの高周波を印加して
プラズマ放電を生じさせ、基体１上に磁性薄膜を形成す
る。
上記の方法により形成した磁性薄膜は、基体温度が１０
０℃以上の場合、結晶質で保磁力も数百Ｏｅ の硬質磁
性薄膜となり、磁気記録媒体などとして使用できる。ま
た、基体温度が室温程度の低い温度で形成した場合には
、非晶質で保磁力もほとんど零の軟質磁性薄膜となり、
ヘッド材料などとして使用できる。
０℃以上の場合、結晶質で保磁力も数百Ｏｅ の硬質磁
性薄膜となり、磁気記録媒体などとして使用できる。ま
た、基体温度が室温程度の低い温度で形成した場合には
、非晶質で保磁力もほとんど零の軟質磁性薄膜となり、
ヘッド材料などとして使用できる。
上記の方法により形成した磁性薄膜は先に述べたように
基体温度によっては非晶質状態であるためあるいは結晶
化が不十分なため高保磁力を要する場合にはこれを熱処
理する必要がある。熱処理を施すには、磁性薄膜を電極
３上に配置したままボンベ５よりｌ−Ｉ２、Ｎ２などの
非酸化性気体を流し、ヒーター４により２００℃以上に
加熱する。またプラズマ中で熱処理する場合には、同様
にボンベ５よりＩＴ２、Ｎ２などの非酸化性気体を流し
ながら真空容器２内を０．０１〜１０ Ｔｏｒｒ に制
御し、ＩＬＦｆｆｌ力を印加してプラズマを発生させ、
さらにヒーター４により１００℃以上に加熱する。
基体温度によっては非晶質状態であるためあるいは結晶
化が不十分なため高保磁力を要する場合にはこれを熱処
理する必要がある。熱処理を施すには、磁性薄膜を電極
３上に配置したままボンベ５よりｌ−Ｉ２、Ｎ２などの
非酸化性気体を流し、ヒーター４により２００℃以上に
加熱する。またプラズマ中で熱処理する場合には、同様
にボンベ５よりＩＴ２、Ｎ２などの非酸化性気体を流し
ながら真空容器２内を０．０１〜１０ Ｔｏｒｒ に制
御し、ＩＬＦｆｆｌ力を印加してプラズマを発生させ、
さらにヒーター４により１００℃以上に加熱する。
このようにして熱処理された磁性薄膜は結晶質と１．「
す、保磁力も数百Ｏｅ となり磁気記録媒体として良好
な特性を有するようになる。
す、保磁力も数百Ｏｅ となり磁気記録媒体として良好
な特性を有するようになる。
以下、実施例に基づき、本発明を更に具体的に説明する
。
。
実施例１
第１図に示したプラズマ装置において、基体１として厚
さ５０μｍのポリイミドフィルムを用い、電極３の上に
配置した。これをヒーター４により２００℃に加熱しな
がら、真空容器２内を７×１０−”ｆｏｒｒ まで排気
した。次いで、ボンベ５からＮ２ガスを毎分５ｏ♂ 、
またボンベ６及び７からはコバルトカルボニルＣｏ２（
ＣＯ）８及ヒニツケルカルボニルＮｉ （ＣＯ） ４を
それぞれ毎分２００ （Ｍ！と毎分５０ ｃＷＬ’ の
割合で真空容器２内に導入した。
さ５０μｍのポリイミドフィルムを用い、電極３の上に
配置した。これをヒーター４により２００℃に加熱しな
がら、真空容器２内を７×１０−”ｆｏｒｒ まで排気
した。次いで、ボンベ５からＮ２ガスを毎分５ｏ♂ 、
またボンベ６及び７からはコバルトカルボニルＣｏ２（
ＣＯ）８及ヒニツケルカルボニルＮｉ （ＣＯ） ４を
それぞれ毎分２００ （Ｍ！と毎分５０ ｃＷＬ’ の
割合で真空容器２内に導入した。
次に真空容器２内を０、Ｉ Ｔｏｒｒ の真空度に制御
し、ＲＦ電源１１１Ｃより１５．５６ ＭＬＩｚの高周
波を３５０Ｗ印加し、膜形成を３０分行なった。このと
き、原料ガスの７０％が基体上の膜形成に有効に使用さ
れ、残りは基体近傍の表面に析出した。
し、ＲＦ電源１１１Ｃより１５．５６ ＭＬＩｚの高周
波を３５０Ｗ印加し、膜形成を３０分行なった。このと
き、原料ガスの７０％が基体上の膜形成に有効に使用さ
れ、残りは基体近傍の表面に析出した。
との呵うにして作製された膜は、膜厚５０００人、膜組
成Ｃｏ ７０ Ｎ ｌ ｓ ｏ で、磁気特性は最大磁
束密度Ｐｊｍ＝ ９０００ Ｇ、保磁力ｌ−１ｃ ＝
４２００６ であった。
成Ｃｏ ７０ Ｎ ｌ ｓ ｏ で、磁気特性は最大磁
束密度Ｐｊｍ＝ ９０００ Ｇ、保磁力ｌ−１ｃ ＝
４２００６ であった。
比較例１
実施例１と同じ方法において、ボンベ５のＮ２ガスをＮ
２ガスに変更した。その他の条件は実施例１と同一で、
膜形成を３０分行なったが、基体上に磁性膜は形成され
なかった。
２ガスに変更した。その他の条件は実施例１と同一で、
膜形成を３０分行なったが、基体上に磁性膜は形成され
なかった。
実施例２
実施例１と同じ方法において、条件を次のようにして膜
形成を行なった。
形成を行なった。
基体温度 室温
ボンベ５Ｉ（２５ｏｃｗＬ３／分
ボンへ６Ｆｅ（ｃｏ）２ｏｃｒＩＬ５７分ボンベ７ Ｎ
ｉ （Ｃｏ） １０ｏｒｙｒｔ３／分電源 １５．５６
Ｍｌ−１ｚ ２０ Ｗ他の条件は実施例１と同一である
。こうして得られた膜は、膜組成Ｆｅ２２”７８、最大
磁束密度ｆ３ｍ ＝ ７５００ Ｇ、保磁力Ｈｃ ＝ロ
、０１Ｑｅ、最大透磁率μｍ＝１５０，０００であり、
磁気ヘッド用材料として良好な性質を有している。
ｉ （Ｃｏ） １０ｏｒｙｒｔ３／分電源 １５．５６
Ｍｌ−１ｚ ２０ Ｗ他の条件は実施例１と同一である
。こうして得られた膜は、膜組成Ｆｅ２２”７８、最大
磁束密度ｆ３ｍ ＝ ７５００ Ｇ、保磁力Ｈｃ ＝ロ
、０１Ｑｅ、最大透磁率μｍ＝１５０，０００であり、
磁気ヘッド用材料として良好な性質を有している。
実施例３
第１図に示したプラズマ装置において、基体１として厚
さ５０μｍｎのポリイミドフィルムを用い、電接３の上
に配置し、真空容器２内を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
まで排気した。次いでボンベ５からＮ２ガスを毎分５０
（−１ｒＬ３、またボンベ６及び７からはコバルトカル
ボニルＣ０２（ＣＯ） Ｂ 及びニッケルカルボニルＮ
ｔ （ＣＯ） ４をそれぞれ毎分２００♂ と毎分５
０α３ の割合で真空容器２内に導入した。次に真空容
器２内を０．１ ’ｌ’ｏｒｒ の真空度に制御し、Ｒ
Ｆｉ源１１により１ ′！に、５６ ＮＢＩｚの高周波
を３５０Ｗ印加し、膜形成を３０分行なった。
さ５０μｍｎのポリイミドフィルムを用い、電接３の上
に配置し、真空容器２内を７ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ
まで排気した。次いでボンベ５からＮ２ガスを毎分５０
（−１ｒＬ３、またボンベ６及び７からはコバルトカル
ボニルＣ０２（ＣＯ） Ｂ 及びニッケルカルボニルＮ
ｔ （ＣＯ） ４をそれぞれ毎分２００♂ と毎分５
０α３ の割合で真空容器２内に導入した。次に真空容
器２内を０．１ ’ｌ’ｏｒｒ の真空度に制御し、Ｒ
Ｆｉ源１１により１ ′！に、５６ ＮＢＩｚの高周波
を３５０Ｗ印加し、膜形成を３０分行なった。
このようにして作製さｈた膜は膜厚５０００人、膜組成
Ｃ０７０”３０ で磁気特性は、最大磁束密度Ｂｍ ＝
９０ ［］ ＯＧ、保磁力１００ｅ であった。この紛
を各種条件により熱処理を行なった。結果を表１に示す
。
Ｃ０７０”３０ で磁気特性は、最大磁束密度Ｂｍ ＝
９０ ［］ ＯＧ、保磁力１００ｅ であった。この紛
を各種条件により熱処理を行なった。結果を表１に示す
。
計
表１より、非酸化性雰囲気中または非酸化性雰囲気プラ
ズマ中で熱処理を行なえば、種々の保磁力の磁性薄膜が
得られ各種用途に応用できる。また保磁力Ｈｃが４ｏｏ
ｏｅを超えるものも可能であり、磁気記録媒体として良
好な性質を有するようになることが理解できる。
ズマ中で熱処理を行なえば、種々の保磁力の磁性薄膜が
得られ各種用途に応用できる。また保磁力Ｈｃが４ｏｏ
ｏｅを超えるものも可能であり、磁気記録媒体として良
好な性質を有するようになることが理解できる。
比較例２
実施例１と同じ方法にお（・て、ボンベ５のＮ２ガスを
Ｎ２ガスに変更した。その他の条件は実施例１と同一で
、膜形成を３０分行なったが、基体上に磁性膜は形成さ
れなかった。
Ｎ２ガスに変更した。その他の条件は実施例１と同一で
、膜形成を３０分行なったが、基体上に磁性膜は形成さ
れなかった。
以上のよ５Ｋ、本発明は磁性金属元素を含む化合物気体
と遣元性気体を含む反応ガスを導入し、プラズマ励起を
利用して所望の保磁力を有する磁性薄膜を提供でき、さ
らに熱処理条件を調整することにより保磁力を大きくす
ることができ、各種用途への応用を期待できる。
と遣元性気体を含む反応ガスを導入し、プラズマ励起を
利用して所望の保磁力を有する磁性薄膜を提供でき、さ
らに熱処理条件を調整することにより保磁力を大きくす
ることができ、各種用途への応用を期待できる。
実施例４
実施例１と同じ方法において、コバルトカルボニルｃｏ
、（ｃｏ）、とニッケルカルボニルＮ１（Ｃｏ）。
、（ｃｏ）、とニッケルカルボニルＮ１（Ｃｏ）。
の流量を表２に示したように変更した。それ以外の条件
は実施例１と同一で、膜形成を行なった。得られた膜の
組成、最大磁束密度Ｂｍ ％保磁力Ｈｅを表２に示す。
は実施例１と同一で、膜形成を行なった。得られた膜の
組成、最大磁束密度Ｂｍ ％保磁力Ｈｅを表２に示す。
第１図は本発明の磁性薄膜の製造装置を示す。
図中主な部分は次の通りである。
１：基体
２：真空容器
５：電極
４：ヒーター
５：還元性気体用ボンベ
６．７：磁性金属元素を含む化合物用ボンベ８：ミキサ
ー ９：電極 １０：穴 １１：プラズマ励起用ＲＦ電源 １２：排気装置 手続袖正占 昭和５９年１月２３日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和５８年 特願第２１７８０１、発明の
名称 砒性薄膜 補ｊ１＝をする者 °１１件との関係 特許出願人 名 称 （！１０（Ｓ ）ティーディーケイ株式会社代
理人 〒１０３ １窪１町ｉで１− 補正の対象 一願番（ホ）圃者咄願六剃」− 明細書の明ｆＩ＠＠国持許情求の範囲一発明の詳細な説
明の欄補正の内容 別紙の通り 明Ｍｌｌ書を次の通り補正す葛。 ｔ 第１４頁第２行〜第１２行に「比較例２・・・・・
化、用を期待できる。」とあるを削除する。 ２ 第１５頁に［以上から、膜組成を任意に・・・・・
残留磁束密度や保磁力を広く制御することができること
が分る。」とあるを削除する。 ３ 第１６頁第１行の前に次の文を加入する。 「 以上のように、本発明は磁性金属元素を含む化合物
気体と還元性忽体を含む反応ガスをｆ゛人し、プラズマ
励起を利用して所望の保磁力を有する磁ｉ／４：薄膜を
彷供でき、さらに熱り１理条件をと啓することにより保
磁力を大きくすることができ、各種用途への沁用を期待
できる。」 図面を次の辿り補正する。 第１図を別紙のものと差しかえる。 第１図 １ つ ｂｌ
ー ９：電極 １０：穴 １１：プラズマ励起用ＲＦ電源 １２：排気装置 手続袖正占 昭和５９年１月２３日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和５８年 特願第２１７８０１、発明の
名称 砒性薄膜 補ｊ１＝をする者 °１１件との関係 特許出願人 名 称 （！１０（Ｓ ）ティーディーケイ株式会社代
理人 〒１０３ １窪１町ｉで１− 補正の対象 一願番（ホ）圃者咄願六剃」− 明細書の明ｆＩ＠＠国持許情求の範囲一発明の詳細な説
明の欄補正の内容 別紙の通り 明Ｍｌｌ書を次の通り補正す葛。 ｔ 第１４頁第２行〜第１２行に「比較例２・・・・・
化、用を期待できる。」とあるを削除する。 ２ 第１５頁に［以上から、膜組成を任意に・・・・・
残留磁束密度や保磁力を広く制御することができること
が分る。」とあるを削除する。 ３ 第１６頁第１行の前に次の文を加入する。 「 以上のように、本発明は磁性金属元素を含む化合物
気体と還元性忽体を含む反応ガスをｆ゛人し、プラズマ
励起を利用して所望の保磁力を有する磁ｉ／４：薄膜を
彷供でき、さらに熱り１理条件をと啓することにより保
磁力を大きくすることができ、各種用途への沁用を期待
できる。」 図面を次の辿り補正する。 第１図を別紙のものと差しかえる。 第１図 １ つ ｂｌ
Claims (1)
- １． 減圧された真空容器内に、磁性金属元素を含む化
合物気体と還元性気体を含む反応ガスを導入し、プラズ
マ励起を利用して基体上に気相成長された磁性薄膜。 ２、磁性金属元素を含む化合物が金属カルボニルである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁性薄膜
。 ３、 −７を光性気体が水素であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の磁性薄膜。 ４、気相成長中に基体が１００℃以上に加熱されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項の
いずれかに記載の磁性薄膜。 ５、 減圧された真空容器内に磁性金属元素を含む化合
物気体と還元性気体とを含む反応ガスな導入し、プラズ
マ励起を利用して基体上に金属薄膜を気相成長させ、し
かる後肢金属薄膜に熱処理を施して得られる磁性薄膜。 ６ 磁性金属元素を含む化合物が金属カルボニルである
ことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の磁性薄膜
。 ｌ 還元性気体が水素であることを特徴とする特許請求
の範囲第５項または第６項記載の磁性薄膜。 ８、 熱処理の温度が２００℃以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第５項ないし第７項のいずれかに記
載の磁性薄膜。 ９ 熱処理の雰囲気が非酸化性雰囲気であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項ないし第８項のいずれかに
記載の磁性薄膜。 １０、熱処理を非酸化性雰囲気のプラズマ中で行なうこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項ないし第７項のい
ずれかに記載の磁性薄膜。 １ｔ 熱処理の温度が１００℃以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第１０項記載の磁性薄膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21780183A JPS60110112A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁性薄膜 |
| US06/673,987 US4618542A (en) | 1983-11-21 | 1984-11-21 | Magnetic thin film |
| DE19843442645 DE3442645A1 (de) | 1983-11-21 | 1984-11-22 | Magnetischer duennfilm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21780183A JPS60110112A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110112A true JPS60110112A (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16709944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21780183A Pending JPS60110112A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110112A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01197777A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-09 | Ricoh Co Ltd | 画像濃度制御方法 |
| JPH01230778A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-09-14 | Nok Corp | 鉄系プラズマ重合膜の形成方法およびそれを用いたガス検出素子 |
| US5155630A (en) * | 1989-12-08 | 1992-10-13 | Minolta Camera Co., Ltd. | Zoom lens system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130238A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP21780183A patent/JPS60110112A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130238A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230778A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-09-14 | Nok Corp | 鉄系プラズマ重合膜の形成方法およびそれを用いたガス検出素子 |
| JPH01197777A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-09 | Ricoh Co Ltd | 画像濃度制御方法 |
| US5155630A (en) * | 1989-12-08 | 1992-10-13 | Minolta Camera Co., Ltd. | Zoom lens system |
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