JPS60108852A - フォトリソグラフィ−における露光用マスク - Google Patents
フォトリソグラフィ−における露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS60108852A JPS60108852A JP58217589A JP21758983A JPS60108852A JP S60108852 A JPS60108852 A JP S60108852A JP 58217589 A JP58217589 A JP 58217589A JP 21758983 A JP21758983 A JP 21758983A JP S60108852 A JPS60108852 A JP S60108852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- transmission part
- area
- resist layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォトリソグラフィーにおける露光用マス
クに関する。
クに関する。
従来から、隼積回路等を製造するための基本的技術とし
てフォトリソグラフィーまたはフォトエツチングと呼ば
れるものがある。上記フォトリソグラフィーは以下に述
べる工程よりなる。すな４つち、第１図＜ａ）に示すよ
うな、金属よりなる被加工層２を被着されたセラミック
基板１の被加工＃２上の全面に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、感光性の高い高分子材料よりなるレジスト層３を
塗布する。
てフォトリソグラフィーまたはフォトエツチングと呼ば
れるものがある。上記フォトリソグラフィーは以下に述
べる工程よりなる。すな４つち、第１図＜ａ）に示すよ
うな、金属よりなる被加工層２を被着されたセラミック
基板１の被加工＃２上の全面に、第１図（ｂ）に示すよ
うに、感光性の高い高分子材料よりなるレジスト層３を
塗布する。
乾燥後第４図（Ｃ）に示すように、露光用マスク４と基
板１とを相互に位置合せした後、レジスト層３ 。
板１とを相互に位置合せした後、レジスト層３ 。
に対して紫外線５を照射する。この露光用マスク４は、
紫外線に対する不透過部４ａと透過部４ｂとによって所
定のパターンを形成している。次にレジスト層３を現像
すると、紫外線の照射を受けない部分は現像液に溶解さ
れないが、紫外線で照射された部分は現像液に溶解され
て、第１図（ｄ）に示すように除去される（ポジ壓レジ
ストの場合）。
紫外線に対する不透過部４ａと透過部４ｂとによって所
定のパターンを形成している。次にレジスト層３を現像
すると、紫外線の照射を受けない部分は現像液に溶解さ
れないが、紫外線で照射された部分は現像液に溶解され
て、第１図（ｄ）に示すように除去される（ポジ壓レジ
ストの場合）。
次にベーキングした後に被加工層２をエツチングすると
、第４図（ｅ）に示すように、レジスト層３で覆われた
部分の被加工層２のみが残り、露光用マスク４のパター
ンが被加工層２のパターンとして転写されたことになる
。次ｌこ第１図（ｆ）に示すように、レジスト層３を除
去して、基板１上に所定のパターンを有する被加工層２
を得るものである。
、第４図（ｅ）に示すように、レジスト層３で覆われた
部分の被加工層２のみが残り、露光用マスク４のパター
ンが被加工層２のパターンとして転写されたことになる
。次ｌこ第１図（ｆ）に示すように、レジスト層３を除
去して、基板１上に所定のパターンを有する被加工層２
を得るものである。
ところで、上記第１図（ｂ）におけるレジスト層３の塗
布は、一般にスピンナ・コートマタハロール・コートに
よって行われるが、何れの方法を用いる場合でも、セラ
ミック基板１０表面の凹凸をカバーするために、レジス
ト層３を厚く塗布する必要がある。厚く塗布する事と基
板が正方形成いは長方形の形状のため、第２図（ｂＪに
示すように、基板工の端部においては、レジスト層３に
厚く盛り上った部分３′を生じることになる。したがっ
て第２図（Ｃ）において適正露光を施した場合、厚いレ
ジスト層部分３′の被加工層２に近接する領域才で感光
されず、このため第２図（ｄ）に示すように、現像後に
おいて厚いレジスト層部分３′が完全に溶去されずに残
存することになり、このため、第２図（ｅ）のエツチン
グ工程において基板１周辺部の被加工層２′がエツチン
グされずに残存するという問題があった。
布は、一般にスピンナ・コートマタハロール・コートに
よって行われるが、何れの方法を用いる場合でも、セラ
ミック基板１０表面の凹凸をカバーするために、レジス
ト層３を厚く塗布する必要がある。厚く塗布する事と基
板が正方形成いは長方形の形状のため、第２図（ｂＪに
示すように、基板工の端部においては、レジスト層３に
厚く盛り上った部分３′を生じることになる。したがっ
て第２図（Ｃ）において適正露光を施した場合、厚いレ
ジスト層部分３′の被加工層２に近接する領域才で感光
されず、このため第２図（ｄ）に示すように、現像後に
おいて厚いレジスト層部分３′が完全に溶去されずに残
存することになり、このため、第２図（ｅ）のエツチン
グ工程において基板１周辺部の被加工層２′がエツチン
グされずに残存するという問題があった。
そこで従来よりこの問題を解法すべく種々の試みがなさ
れており、その解決策の１つとして、厚いレジスト層３
′が充分に感光するように過度の、露光を施すことが行
われているが、過渡の露光を行えばパターン部の寸法変
化等で精度が低下し、製品の品質を劣化させる欠点があ
った。また他の解決策としては、第２図（ｆＪに示す状
態におい’Ｑ（第２図（ｅ））の如き周辺の不要レジス
トのみを感光するような〕レジスト層を塗布し、次に別
の露光用マスク（図示せず）を用いて基板１の周辺部の
みを再度露光し、次いで現像エツチング工程を経て第１
図（ｆＪの状態を得るものがある。この場合は精度の低
下は生じないが、２度のフォトリソグラフィーを行うこ
とになり、したがって２枚のマスクおよび約２倍の工数
を要するという欠点があった。
れており、その解決策の１つとして、厚いレジスト層３
′が充分に感光するように過度の、露光を施すことが行
われているが、過渡の露光を行えばパターン部の寸法変
化等で精度が低下し、製品の品質を劣化させる欠点があ
った。また他の解決策としては、第２図（ｆＪに示す状
態におい’Ｑ（第２図（ｅ））の如き周辺の不要レジス
トのみを感光するような〕レジスト層を塗布し、次に別
の露光用マスク（図示せず）を用いて基板１の周辺部の
みを再度露光し、次いで現像エツチング工程を経て第１
図（ｆＪの状態を得るものがある。この場合は精度の低
下は生じないが、２度のフォトリソグラフィーを行うこ
とになり、したがって２枚のマスクおよび約２倍の工数
を要するという欠点があった。
この発明は、品質の劣化を生じることなくかつ工数の増
加を伴なうことなしに基板周辺部の被加工層を除去しう
る露光用マスクを提供することを目的さする。
加を伴なうことなしに基板周辺部の被加工層を除去しう
る露光用マスクを提供することを目的さする。
し発明の構成〕
この発明においては、照射光に対する不透過部と、この
不透過部とともに所定のパターンを形成する第１の透過
度を有する第１の透過部と、この第１の透過部の周縁部
に形成されかつ前記第１の透過度より大きいＭ２の透過
度を有する第２の透過部とを備えた露光用マスクにより
上記目的を達成している。
不透過部とともに所定のパターンを形成する第１の透過
度を有する第１の透過部と、この第１の透過部の周縁部
に形成されかつ前記第１の透過度より大きいＭ２の透過
度を有する第２の透過部とを備えた露光用マスクにより
上記目的を達成している。
以下本発明による露光用マスクの実施例について詳細に
説明する。
説明する。
第３図は基板１の一例を示す平面図で、被加工層２を所
一定のパターンに残すべき領域Ａと、パターン領域であ
る領域Ｂと、パターンのない領域Ｃと、レジスト層３が
厚く形成される領域りに区分される。このような基板１
に対し、本発明による露光用マスク４は、上記領域Ａに
対応する不透過部１１と、上記領域ＢおよびＣのための
半透過部１２と、上記領域りのための透過部１３とより
構成されている。
一定のパターンに残すべき領域Ａと、パターン領域であ
る領域Ｂと、パターンのない領域Ｃと、レジスト層３が
厚く形成される領域りに区分される。このような基板１
に対し、本発明による露光用マスク４は、上記領域Ａに
対応する不透過部１１と、上記領域ＢおよびＣのための
半透過部１２と、上記領域りのための透過部１３とより
構成されている。
基板ｌの領域りにおけるレジスト層３′の膜厚は、レジ
スト層３の塗布方法および塗布条件によりて異るが、経
験的には他の領域Ａ、１３．Ｃにおける膜厚の約２倍に
なることが確認されている。
スト層３の塗布方法および塗布条件によりて異るが、経
験的には他の領域Ａ、１３．Ｃにおける膜厚の約２倍に
なることが確認されている。
したがって、領域りのレジスト層３′を感光させるため
の露光量は、理論的には領域Ｂに対する露光量の２倍で
よいが、安全係数および基板１端部のテーパ一部の有効
光束を考慮して３倍とした。
の露光量は、理論的には領域Ｂに対する露光量の２倍で
よいが、安全係数および基板１端部のテーパ一部の有効
光束を考慮して３倍とした。
すなわち、半透過部１２の透過度を透過部１３の透過度
の１／３にすればよいことになる。一般にポジ型レジス
トに対する紫外線の有効輝線スペクトル波長４０４．７
ｎｍおよび４３５．８でのパイレックスガラスまたは
ソーダガラスの透過率は９０〜９２俤 であるから、半
透過部１２の光学濃度りは０．４〜０．６（透過率１／
２．５〜１／４）程度に選べばよい。不透過部１１の光
学濃度りは３以上とした。このような露光用マスク４を
用いて、半透過部１２を通じて適正露光が得られるよう
にＮ光量を決定すれば、透過部１３を通じた領域りへの
露光量は通常の３倍となり、したがって膜厚の厚いレジ
スト層３′を完全に感光させることができ、現像によっ
てこのレジスト層３′を除去できた。
の１／３にすればよいことになる。一般にポジ型レジス
トに対する紫外線の有効輝線スペクトル波長４０４．７
ｎｍおよび４３５．８でのパイレックスガラスまたは
ソーダガラスの透過率は９０〜９２俤 であるから、半
透過部１２の光学濃度りは０．４〜０．６（透過率１／
２．５〜１／４）程度に選べばよい。不透過部１１の光
学濃度りは３以上とした。このような露光用マスク４を
用いて、半透過部１２を通じて適正露光が得られるよう
にＮ光量を決定すれば、透過部１３を通じた領域りへの
露光量は通常の３倍となり、したがって膜厚の厚いレジ
スト層３′を完全に感光させることができ、現像によっ
てこのレジスト層３′を除去できた。
次に本発明の露光用マスクの製作方法についてさらに説
明する。
明する。
製作方法 １
マスク抽画装置（キセノンランプを光源としてフラッシ
ュ露光により全パターンを順次焼付ける装置）の光量レ
ベル調整によって半透過部１２を作成した。この場合の
露光量は使用した乾板そのもののγおよび現像性によっ
て異るｒに依存する。
ュ露光により全パターンを順次焼付ける装置）の光量レ
ベル調整によって半透過部１２を作成した。この場合の
露光量は使用した乾板そのもののγおよび現像性によっ
て異るｒに依存する。
コダック）Ｉ Ｔｔ Ｐを用いた２分現像では、約１／
８〜１／１０の露光量で Ｄ＝０．５を得た。
８〜１／１０の露光量で Ｄ＝０．５を得た。
製作方法 ２
不透過部１１のみを露光現像した後（現像時間５分）、
半透過部１２を露光した。この場合のキセノンランプの
光量は、不透過部１１の作製時と同一である。半透過部
１２の現像処理時間は１０〜２０秒とし、リンス−水洗
−乾燥工程を経てＤ ＝ ０．５を得た。
半透過部１２を露光した。この場合のキセノンランプの
光量は、不透過部１１の作製時と同一である。半透過部
１２の現像処理時間は１０〜２０秒とし、リンス−水洗
−乾燥工程を経てＤ ＝ ０．５を得た。
製作方法 ３
談ず半透過部１２のみを露光した後、湿度８０〜１００
チの雰囲気中に１０時間放置して潜像を退化させ Ｄ
＝ ０．５を得た。その後に不透過部１１の露光−現像
−リンス−水洗−乾燥を行った。
チの雰囲気中に１０時間放置して潜像を退化させ Ｄ
＝ ０．５を得た。その後に不透過部１１の露光−現像
−リンス−水洗−乾燥を行った。
以上の説明で明らかなように、本発明による露光用マス
クを用いれば、ただ１度のみの露光によっても製品の精
度低下を伴うことなしに基板端部の厚いレジスト層を完
全に感光させることができ、基板端部におけるレジスト
の残留および被加工層の残留を防止することができる。
クを用いれば、ただ１度のみの露光によっても製品の精
度低下を伴うことなしに基板端部の厚いレジスト層を完
全に感光させることができ、基板端部におけるレジスト
の残留および被加工層の残留を防止することができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）および第２図（ａＪ〜（ｆ）はフ
ォトリソグラフィーにおける順次の工程を示す概略的断
面図、第３図は基板の平面図、第４図は本発明による露
光用マスクの平面図である。 １・・−セラミック基板、２・・・被加工層、３ レジ
スト層、４・・露光用マスク、５・・紫外線、１１不透
過部、１２・・・半透過部、１３・透過部。 第１図 ２ 第２図 （ｅ′）ヒエ〒エビ 特許庁長官 殿 １．小作の表示 昭和５８年特Ｗ１願第２１７５８９号 ２、発明の名称 フＡトリソゲラフイーにＪｊ４ノる露光用マスク３、補
正をづる者 事イ′１どの関係 特轟′１出願人 富士げロツクス株式会社 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀沙２丁目１１番２号銀座大
作ビル６階 電話０３−５４５−３５０８ （代表）５
、補正命令の日イリ 明細「！シの発明のｉｆａな説明のＩＩＩ ａ３よび函
１り簡網な説明の欄および図面 ７、補正の内容 （１）本願の明細ｍ第４ページ第９行のｒ（＋３’）」
をｒ（ａ）Ｊに訂正する。 （２） ＩＴ’、Ｊ 、第８ページ第１５行の［第２図
（ａ ）〜（「〉」を「第２図（ａ ）〜（ｇ）」に訂
正りる。 （３）本願の図面、第２図を別紙の通り訂正りる。。 第２ ｔＴＪ ｌ−、−− ト１ Ｉ
ォトリソグラフィーにおける順次の工程を示す概略的断
面図、第３図は基板の平面図、第４図は本発明による露
光用マスクの平面図である。 １・・−セラミック基板、２・・・被加工層、３ レジ
スト層、４・・露光用マスク、５・・紫外線、１１不透
過部、１２・・・半透過部、１３・透過部。 第１図 ２ 第２図 （ｅ′）ヒエ〒エビ 特許庁長官 殿 １．小作の表示 昭和５８年特Ｗ１願第２１７５８９号 ２、発明の名称 フＡトリソゲラフイーにＪｊ４ノる露光用マスク３、補
正をづる者 事イ′１どの関係 特轟′１出願人 富士げロツクス株式会社 ４、代理人 （〒１０４）東京都中央区銀沙２丁目１１番２号銀座大
作ビル６階 電話０３−５４５−３５０８ （代表）５
、補正命令の日イリ 明細「！シの発明のｉｆａな説明のＩＩＩ ａ３よび函
１り簡網な説明の欄および図面 ７、補正の内容 （１）本願の明細ｍ第４ページ第９行のｒ（＋３’）」
をｒ（ａ）Ｊに訂正する。 （２） ＩＴ’、Ｊ 、第８ページ第１５行の［第２図
（ａ ）〜（「〉」を「第２図（ａ ）〜（ｇ）」に訂
正りる。 （３）本願の図面、第２図を別紙の通り訂正りる。。 第２ ｔＴＪ ｌ−、−− ト１ Ｉ
Claims (1)
- 所定のパターンを有しかつ照射光の透過を阻止する不透
過部と、前記照射光に対し第１の透過度を有しかつ前記
不透過部とともに前記所定のパターンを形成する第１の
透過部と、該第１の透過部の周縁部に形成されかつ前記
第１の透過度より大きい第２の透過度を有する第２の透
過部とを備えていることを特徴とするフォトリソグラフ
ィーにおりる露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217589A JPS60108852A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | フォトリソグラフィ−における露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217589A JPS60108852A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | フォトリソグラフィ−における露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108852A true JPS60108852A (ja) | 1985-06-14 |
Family
ID=16706654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217589A Pending JPS60108852A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | フォトリソグラフィ−における露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108852A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117385A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Nec Corp | Exposure mask for patterning |
| JPS57122439A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nec Corp | Optical mask |
| JPS57130421A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Nec Corp | Photo mask |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58217589A patent/JPS60108852A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53117385A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Nec Corp | Exposure mask for patterning |
| JPS57122439A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Nec Corp | Optical mask |
| JPS57130421A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Nec Corp | Photo mask |
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