JPS61296718A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS61296718A JPS61296718A JP60141046A JP14104685A JPS61296718A JP S61296718 A JPS61296718 A JP S61296718A JP 60141046 A JP60141046 A JP 60141046A JP 14104685 A JP14104685 A JP 14104685A JP S61296718 A JPS61296718 A JP S61296718A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor substrate
- pattern
- exposed
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体素子の製造工程において、シリコン等
の半導体基板上にネガレジストによりパターン形成を行
なう技術に関係する。
の半導体基板上にネガレジストによりパターン形成を行
なう技術に関係する。
従来、半導体素子を形成する半導体基板上にパターン形
成するためにレジストを用いている。レジストには、ポ
ジレジストとネガレジストがあり、ポジレジストは、微
細加工にむいているが値段が高く、また感度も悪いため
、長時間露光の必要がある。一方ネガレシストは、価格
が安く、高感度であるが、微細パターンにはむかず、細
い線幅のパターンには用いにくいという欠点があった。
成するためにレジストを用いている。レジストには、ポ
ジレジストとネガレジストがあり、ポジレジストは、微
細加工にむいているが値段が高く、また感度も悪いため
、長時間露光の必要がある。一方ネガレシストは、価格
が安く、高感度であるが、微細パターンにはむかず、細
い線幅のパターンには用いにくいという欠点があった。
本発明は、かかる点にかんがみてなされたものでその目
的とするところは、価格のやすいネガレジストを用い、
半導体素子形成に適した微細パターンを半導体基板上に
形成することである。
的とするところは、価格のやすいネガレジストを用い、
半導体素子形成に適した微細パターンを半導体基板上に
形成することである。
本発明の一旨とするところは、ネガレジストを半導体基
板上にコートし、一回で焼付る露光時間より短い露光時
間でパターンをレジスト上に焼きつけた後、現像を行い
パターンを現出させたのち、再び該半導体基板を十分な
量の露光時間にさらし、そののちベーキングにより、レ
ジストを硬化させるパターン形成法である。
板上にコートし、一回で焼付る露光時間より短い露光時
間でパターンをレジスト上に焼きつけた後、現像を行い
パターンを現出させたのち、再び該半導体基板を十分な
量の露光時間にさらし、そののちベーキングにより、レ
ジストを硬化させるパターン形成法である。
本発明の詳細な説明する。
■ シリコン等の半導体基板上に、ネガレジストをスピ
ンコードし、８０００〜１００００人程度の膜厚にする
。そののち８０℃〜９０℃でベーキングする。
ンコードし、８０００〜１００００人程度の膜厚にする
。そののち８０℃〜９０℃でベーキングする。
■ フォトマスクをセントしマスクアライナ−において
、一回で焼付ける場合の露光時間の１７３〜１／２の時
間で、露光する。
、一回で焼付ける場合の露光時間の１７３〜１／２の時
間で、露光する。
■ 正規の現像時間で現像する。
■ 乾燥後、■のマスクアライナ−用い、フォトマスク
を用いないで、正規の露光時間全・面露光する。
を用いないで、正規の露光時間全・面露光する。
■ そののち上記■の半導体基板を１５０℃前後でベー
キングする。
キングする。
以下、上記各工程の必要性について詳述する。
まず、工程■の露光時間の設定について説明する。ネガ
レジストの場合、露光時間が長いと、２０００人〜３０
００人と波長の長い紫外線がパターン外よりまわりこん
で、細いパターン内を感光させ、パターンがきれなくな
ることがわかった。そこで露光時間を一回で焼付る場合
の１７３〜１／２の時間としたのである。しかし、露光
時間が短いと、紫外線による感光が十分でないところも
生じ、レジストが十分感光（硬化）せず、現像すると、
現像液に流されてかなりの量が膜減りする。これに対す
る対策は次のように考えた。図面に示すように、紫外線
Ａはレジスト（１）表面から入射し、レジスト（１１内
を通過後、シリコン基板（２）表面で反射し、再びレジ
スト面内にもどる。そしてシリコン基板の表面で反射す
る。紫外線と入ってくる紫外線の相互干渉によって定在
波ができる。よってシリコン基板に近いレジストは、感
光割合も、表面のレジストよりは大きく、現像で膜ベリ
しても、ある程度でとまる０発明者らの実験によると、
膜厚１μｍのネガレジストを１秒露光で幅２μｍのパタ
ーンを切り現像すると、残る膜厚は、約５０００人にな
ることがわかった。よって、この膜減り分を考慮して■
の工程におけるレジストの膜厚をきめる必要がある。
レジストの場合、露光時間が長いと、２０００人〜３０
００人と波長の長い紫外線がパターン外よりまわりこん
で、細いパターン内を感光させ、パターンがきれなくな
ることがわかった。そこで露光時間を一回で焼付る場合
の１７３〜１／２の時間としたのである。しかし、露光
時間が短いと、紫外線による感光が十分でないところも
生じ、レジストが十分感光（硬化）せず、現像すると、
現像液に流されてかなりの量が膜減りする。これに対す
る対策は次のように考えた。図面に示すように、紫外線
Ａはレジスト（１）表面から入射し、レジスト（１１内
を通過後、シリコン基板（２）表面で反射し、再びレジ
スト面内にもどる。そしてシリコン基板の表面で反射す
る。紫外線と入ってくる紫外線の相互干渉によって定在
波ができる。よってシリコン基板に近いレジストは、感
光割合も、表面のレジストよりは大きく、現像で膜ベリ
しても、ある程度でとまる０発明者らの実験によると、
膜厚１μｍのネガレジストを１秒露光で幅２μｍのパタ
ーンを切り現像すると、残る膜厚は、約５０００人にな
ることがわかった。よって、この膜減り分を考慮して■
の工程におけるレジストの膜厚をきめる必要がある。
しかるにこのままの状態で、工程■のハードベークを行
ない、酸化膜等のエツチングを行なうと場合によって、
焼付不十分等の理由によりレジストがはがれることがあ
った。よって、工程■の再露光工程を入れたところ、レ
ジストの硬化性が完全におこなえ、エツチング時のレジ
スト剥離もなくなった。
ない、酸化膜等のエツチングを行なうと場合によって、
焼付不十分等の理由によりレジストがはがれることがあ
った。よって、工程■の再露光工程を入れたところ、レ
ジストの硬化性が完全におこなえ、エツチング時のレジ
スト剥離もなくなった。
尚、レジストとしてＯＭＲ（登録商標）を使用すると結
果は良好であった。
果は良好であった。
以上のようにこの発明のパターン形成法を使用すれば、
ネガレジストレジストを用いてもレジストの膜厚を薄く
して短時間露光による細い溝切りが可能であり、微細な
パターンを形成することができ、フォートレジスト工程
のコストダウンを実現できその効果は大きい。
ネガレジストレジストを用いてもレジストの膜厚を薄く
して短時間露光による細い溝切りが可能であり、微細な
パターンを形成することができ、フォートレジスト工程
のコストダウンを実現できその効果は大きい。
図面に示すのはこの発明を説明する断面図である。
ｉｌ＋・・・レジスト、（２）・・・シリコン基板、Ａ
・・・紫外線。 手続補正書Ｇ力 昭和６０年１０月 １日 特許庁長官 殿
しも１．１１牛の耘 法６０年特許願 第１４１０４６号 ２、発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 １略牛との瞑■系 上目ヤ仕■几入住所 □腎席
慎１０４８観 名 称（５８３）松下電工株式会社 イ薇者 藤井貞夫 ４、代理人 住所 □腎啼慎１０４８観 昭和 ６０年 ９月 ２４日 ６、補正の対象 図面 １ ：
・・・紫外線。 手続補正書Ｇ力 昭和６０年１０月 １日 特許庁長官 殿
しも１．１１牛の耘 法６０年特許願 第１４１０４６号 ２、発明の名称 パターン形成法 ３、補正をする者 １略牛との瞑■系 上目ヤ仕■几入住所 □腎席
慎１０４８観 名 称（５８３）松下電工株式会社 イ薇者 藤井貞夫 ４、代理人 住所 □腎啼慎１０４８観 昭和 ６０年 ９月 ２４日 ６、補正の対象 図面 １ ：
Claims (1)
- （１）ネガレジストを半導体基板上にコートし、一回で
焼付ける露光時間より短い露光時間でパターンをレジス
ト上に焼付けた後、現像を行ないパターンを現出させた
のち、再び該半導体基板を十分な量の露光時間にさらし
、そののちベーキングにより、レジストを硬化させるパ
ターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141046A JPS61296718A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141046A JPS61296718A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | パタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296718A true JPS61296718A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15282988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60141046A Pending JPS61296718A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296718A (ja) |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP60141046A patent/JPS61296718A/ja active Pending
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