JPS60107233A - ガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS60107233A JPS60107233A JP58214719A JP21471983A JPS60107233A JP S60107233 A JPS60107233 A JP S60107233A JP 58214719 A JP58214719 A JP 58214719A JP 21471983 A JP21471983 A JP 21471983A JP S60107233 A JPS60107233 A JP S60107233A
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- JP
- Japan
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- gas discharge
- small holes
- substrate
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- glass
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
この発明は、ガス放電パネルの製造方法に係り、特に放
電間隙を設定するスペーサの新しい設置方法に関するも
のである。
電間隙を設定するスペーサの新しい設置方法に関するも
のである。
ｔｂ＞ 従来技術と問題点
一般にガス放電パネルでは、対向配置した一対の絶縁基
板の間にスペーサを複数個点在させてガス放電空間を設
定している。従来、このスペーサの設置方法として、実
公昭５８−２３１６６号に提示されている如きスペーサ
を水ガラスによって電極絶縁用の誘電体層上に接着固定
したものが知られている。しかし、この方法ではスペー
サ１個ずつを人手で配置し固定しなければならず、その
ため多大の工数と時間を要して製造コストが高くなり、
またスペーサ配置ズレなどの作業ミスが生じ易くてパネ
ル品質面において不都合であった。これに加えて、スペ
ーサに比較的大きい形状のもの、例えば０．５１１ｍ角
の大きさのスペーサを使用する必要上、電極の配列ピン
チ（例えば、０．３鰭以上）と同等かそれ以上となって
これが水ガラスの使用と相俟って多くの不良放電点を生
じるという欠点もあった。
板の間にスペーサを複数個点在させてガス放電空間を設
定している。従来、このスペーサの設置方法として、実
公昭５８−２３１６６号に提示されている如きスペーサ
を水ガラスによって電極絶縁用の誘電体層上に接着固定
したものが知られている。しかし、この方法ではスペー
サ１個ずつを人手で配置し固定しなければならず、その
ため多大の工数と時間を要して製造コストが高くなり、
またスペーサ配置ズレなどの作業ミスが生じ易くてパネ
ル品質面において不都合であった。これに加えて、スペ
ーサに比較的大きい形状のもの、例えば０．５１１ｍ角
の大きさのスペーサを使用する必要上、電極の配列ピン
チ（例えば、０．３鰭以上）と同等かそれ以上となって
これが水ガラスの使用と相俟って多くの不良放電点を生
じるという欠点もあった。
（ｅ） 発明の目的
この発明は、以上のような従来の状況から不良、放電点
を生じることなく簡易で効率的にスペーサの設置を可能
とした新しいガス放電パネルの製造方法の提供を目的と
するものである。
を生じることなく簡易で効率的にスペーサの設置を可能
とした新しいガス放電パネルの製造方法の提供を目的と
するものである。
（ｄｌ 発明の構成
簡単に述べるとこの発明に係るガス放電パネルの製造方
法は、対向配置される一対の基板の内の一方の基板表面
に電極形成箇所を避けて所定の配列ピンチで多数の小穴
を形成し、この基板表面にガス放電空間の間隙を定める
スペーサを複数個転動するようにして通過させることに
より当該面上の小穴群に該スペーサを捕捉させ、このス
ペーサを保持した基板上に他方の前記基板を対向配置し
てからその周辺部を封止するようにしたことを特徴とす
るものである。
法は、対向配置される一対の基板の内の一方の基板表面
に電極形成箇所を避けて所定の配列ピンチで多数の小穴
を形成し、この基板表面にガス放電空間の間隙を定める
スペーサを複数個転動するようにして通過させることに
より当該面上の小穴群に該スペーサを捕捉させ、このス
ペーサを保持した基板上に他方の前記基板を対向配置し
てからその周辺部を封止するようにしたことを特徴とす
るものである。
（ｅ）発明の実施例
以下、この発明を、電極表面を誘電体層で被覆されたＡ
Ｃ型のガス放電パネルに適用した実施例につき図面を参
照して詳細に説明する。
Ｃ型のガス放電パネルに適用した実施例につき図面を参
照して詳細に説明する。
第１図はかかるガス放電パネルの一方のガラス基板を示
す斜視図で、この基板１の表面にはあらかじめフォトリ
ソ技術により３０μｍφの小穴Ｈがｌ ｃｍピッチで形
成されている。そして、この小穴Ｈを避けて当該基板表
面に０．５鶴ピツチで一方の線状電極２が厚膜技法、あ
るいは薄膜技法により形成される。この後、例えば１０
μｍの誘電体層と０．３μｍのＭｇＯ保護層が蒸着等の
薄膜技法、あるいは厚膜技法で順次形成される。第２図
のパネルの縦断面図において、３はそのような誘電体層
とＭｇＯ保護層の積層絶縁層を示し、その表面には前記
基板１上の小穴Ｈに対応した小穴１１ｏが形成されてい
る。次にこのような基板１の周辺部にガス放電空間を封
止するフリットガラス（図示せず）を印刷して仮焼成す
る。この後、当該ガラス基板１上の積層絶縁層表面に放
電間隙設定用の１２０μｍの球状ガラス小片４を複数個
、転がすようにして通過させる。これによると、転勤さ
れた球状ガラス小片群４は前記積層絶縁層３上の約９８
％の小穴群ｔｌｏに捕捉きれることが実験的に明らかで
ある。
す斜視図で、この基板１の表面にはあらかじめフォトリ
ソ技術により３０μｍφの小穴Ｈがｌ ｃｍピッチで形
成されている。そして、この小穴Ｈを避けて当該基板表
面に０．５鶴ピツチで一方の線状電極２が厚膜技法、あ
るいは薄膜技法により形成される。この後、例えば１０
μｍの誘電体層と０．３μｍのＭｇＯ保護層が蒸着等の
薄膜技法、あるいは厚膜技法で順次形成される。第２図
のパネルの縦断面図において、３はそのような誘電体層
とＭｇＯ保護層の積層絶縁層を示し、その表面には前記
基板１上の小穴Ｈに対応した小穴１１ｏが形成されてい
る。次にこのような基板１の周辺部にガス放電空間を封
止するフリットガラス（図示せず）を印刷して仮焼成す
る。この後、当該ガラス基板１上の積層絶縁層表面に放
電間隙設定用の１２０μｍの球状ガラス小片４を複数個
、転がすようにして通過させる。これによると、転勤さ
れた球状ガラス小片群４は前記積層絶縁層３上の約９８
％の小穴群ｔｌｏに捕捉きれることが実験的に明らかで
ある。
次に、このようにして所定ピンチで球状ガラス小片群４
を保持した一方の電極基板構体Ａに対して第２図に示す
ように、もう一方の電極基板構体Ｂを重ねて配置する。
を保持した一方の電極基板構体Ａに対して第２図に示す
ように、もう一方の電極基板構体Ｂを重ねて配置する。
なお、この他方の電極基板構体Ｂには、ガラス基板５上
に前記小穴群１１ｏを除いて線状電極群６と積層絶縁層
７が前記一方の電極基板構体Ａと同様な製法で形成され
ている。従って、両電極基板構体を対向配置する際には
、他方の電極基板構体Ｂ上の線状電極群６が一方の電極
基板構体Ａ上の球状ガラス小片群４と重複しないように
重ねられる。この後、そのように対向配置された両電極
基板構体ＡとＢを加熱炉内で加熱し、前記フリットガラ
スを溶融することにより一体化する。この焼成中に、球
状ガラス小片群４は前記積層絶縁Ｎ７により溶着固定さ
れる。この結果、両電極基板構体Ａ、！＝Ｂ間にはＱ、
ｌ龍の放電間隙８がパネル全面に均一に形成される。こ
の後、その放電間隙（空間）を清浄して放電用ガスを封
入し、所望のガス放電パネルを完成する。
に前記小穴群１１ｏを除いて線状電極群６と積層絶縁層
７が前記一方の電極基板構体Ａと同様な製法で形成され
ている。従って、両電極基板構体を対向配置する際には
、他方の電極基板構体Ｂ上の線状電極群６が一方の電極
基板構体Ａ上の球状ガラス小片群４と重複しないように
重ねられる。この後、そのように対向配置された両電極
基板構体ＡとＢを加熱炉内で加熱し、前記フリットガラ
スを溶融することにより一体化する。この焼成中に、球
状ガラス小片群４は前記積層絶縁Ｎ７により溶着固定さ
れる。この結果、両電極基板構体Ａ、！＝Ｂ間にはＱ、
ｌ龍の放電間隙８がパネル全面に均一に形成される。こ
の後、その放電間隙（空間）を清浄して放電用ガスを封
入し、所望のガス放電パネルを完成する。
以上この発明の一実施例について説明したが、本発明で
はこれに限らず次のような変形と応用が可能である。す
なわち変形例として、放電間隙設定用スペーサには前記
小球形状の他、円板形状および角形状のものが使用でき
、その場合ガラス基板上の小穴についても使用スペーサ
の形と同じ形状に形成されることになる。また応用例と
して、電極表面を誘電体層で被覆しないＤＣ型のガス放
電パネルへの適用が可能であり、その場合にはスペーサ
はガラス基板」二の小穴に直接設置されることになる。
はこれに限らず次のような変形と応用が可能である。す
なわち変形例として、放電間隙設定用スペーサには前記
小球形状の他、円板形状および角形状のものが使用でき
、その場合ガラス基板上の小穴についても使用スペーサ
の形と同じ形状に形成されることになる。また応用例と
して、電極表面を誘電体層で被覆しないＤＣ型のガス放
電パネルへの適用が可能であり、その場合にはスペーサ
はガラス基板」二の小穴に直接設置されることになる。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、ガ
ス放電空間を設定するためのスペーサ群が非富に簡易に
一方の基板上に設置でき、しかもそれらに電極の配列ビ
ソヂよりも大幅に小型のものを使用できるために当該ス
ペーサによって不良放電点を生じることが皆無となり、
高品質のガス放電パネルを提供できる。
ス放電空間を設定するためのスペーサ群が非富に簡易に
一方の基板上に設置でき、しかもそれらに電極の配列ビ
ソヂよりも大幅に小型のものを使用できるために当該ス
ペーサによって不良放電点を生じることが皆無となり、
高品質のガス放電パネルを提供できる。
図面ばこの発明の一実施例を説明するためのもので、第
１図は小穴群を形成した片側の基板の斜視図、第２図は
ガス放電パネルの要部縦断面図を示す。 １および５ニ一対のガラス基板、２および６：線条電穫
、３および７：誘電体層とＭｇＯ保護層の積層絶縁層、
４ニスペ一サ用球状ガラス小片、８：ガス放電空間、Ｈ
およびｌｌｏ：小穴。 第１図 第 ２ ＩＡ ち
１図は小穴群を形成した片側の基板の斜視図、第２図は
ガス放電パネルの要部縦断面図を示す。 １および５ニ一対のガラス基板、２および６：線条電穫
、３および７：誘電体層とＭｇＯ保護層の積層絶縁層、
４ニスペ一サ用球状ガラス小片、８：ガス放電空間、Ｈ
およびｌｌｏ：小穴。 第１図 第 ２ ＩＡ ち
Claims (2)
- （１） 一対の基板をガス放電空間を隔てて対向配置し
たガス放電パネルにおいて、一方の前記基板表面に電極
形成箇所を避けて所定の配列ピッチで多数の小穴を形成
し、この基板表面に前記ガス放電空間の間隙を定めるス
ペーサを複数個転動するようにして通過させることによ
り当該面上の小穴群に該スペーサを捕捉させ、このスペ
ーサを保持した基板上に他方の前記基板を対向配置して
からその周辺部を封止するようにしたことを特徴とする
ガス放電パネルの製造方法。 - （２）前記一方の基板上には電極表面を被覆する絶縁層
が薄膜技法あるいは薄膜技法で形成され、該絶縁層表面
における前記基板上の小穴群に対応した小穴群に対し前
記スペーサが保持されるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第（１１項に記載のガス放電パネルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214719A JPS60107233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214719A JPS60107233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107233A true JPS60107233A (ja) | 1985-06-12 |
Family
ID=16660486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214719A Pending JPS60107233A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107233A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056651U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 岡谷電機産業株式会社 | 表示パネル |
| US5448111A (en) * | 1993-09-20 | 1995-09-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR19990068996A (ko) * | 1998-02-03 | 1999-09-06 | 손욱 | 전계효과 표시소자의 스페이서 제조방법 |
| KR20000009236A (ko) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | 손욱 | 전계 방출 표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2001029863A1 (fr) * | 1999-10-19 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau a plasma et son procede de fabrication |
| US7235928B2 (en) | 2001-06-01 | 2007-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel and manufacturing method for the same |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58214719A patent/JPS60107233A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056651U (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-29 | 岡谷電機産業株式会社 | 表示パネル |
| US5448111A (en) * | 1993-09-20 | 1995-09-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US5691237A (en) * | 1993-09-20 | 1997-11-25 | Fujitsu Limited | Method for fabricating semiconductor device |
| KR19990068996A (ko) * | 1998-02-03 | 1999-09-06 | 손욱 | 전계효과 표시소자의 스페이서 제조방법 |
| KR20000009236A (ko) * | 1998-07-22 | 2000-02-15 | 손욱 | 전계 방출 표시소자 및 그 제조방법 |
| WO2001029863A1 (fr) * | 1999-10-19 | 2001-04-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau a plasma et son procede de fabrication |
| EP1150322A1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel and method for manufacturing gas discharge panel |
| US6692325B1 (en) | 1999-10-19 | 2004-02-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel and method for manufacturing gas discharge panel |
| US7023136B2 (en) | 1999-10-19 | 2006-04-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel and method of production of a gas discharge panel |
| EP1150322A4 (en) * | 1999-10-19 | 2008-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PLASMA PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US7235928B2 (en) | 2001-06-01 | 2007-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gas discharge panel and manufacturing method for the same |
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