JPH06105589B2 - ガス放電パネル用電極基板の製造方法 - Google Patents
ガス放電パネル用電極基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH06105589B2 JPH06105589B2 JP61043406A JP4340686A JPH06105589B2 JP H06105589 B2 JPH06105589 B2 JP H06105589B2 JP 61043406 A JP61043406 A JP 61043406A JP 4340686 A JP4340686 A JP 4340686A JP H06105589 B2 JPH06105589 B2 JP H06105589B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell layer
- gas discharge
- cell
- layer
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は各種表示装置に用いられるニューメリック、ア
ルファニューメリックタイプ等のガス放電パネルを構成
するセル層を有する電極基板において、該セル層をAl2O
3を主成分とした厚膜材料により形成すると、その表面
が多孔面となって水分や不純物ガス等を吸着し、表示セ
ルの放電電圧を高めたり、また充填放電ガスを劣化させ
ることを解消するため、該誘電体層上に表示セルを画定
するセル層を塗着した後、該セル層を前記誘電体層表面
が溶融する温度で焼成してセル層表面を溶融した誘電体
層の一部で被覆して、緻密化することにより、水分や不
純物ガス等の吸着を防止したものである。
ルファニューメリックタイプ等のガス放電パネルを構成
するセル層を有する電極基板において、該セル層をAl2O
3を主成分とした厚膜材料により形成すると、その表面
が多孔面となって水分や不純物ガス等を吸着し、表示セ
ルの放電電圧を高めたり、また充填放電ガスを劣化させ
ることを解消するため、該誘電体層上に表示セルを画定
するセル層を塗着した後、該セル層を前記誘電体層表面
が溶融する温度で焼成してセル層表面を溶融した誘電体
層の一部で被覆して、緻密化することにより、水分や不
純物ガス等の吸着を防止したものである。
本発明は各種表示装置に用いられるガス放電パネルを構
成する電極基板の製造方法に係り、特に表示セルを画定
するセル層を有するガス放電パネル用電極基板の製造方
法の改良に関するものである。
成する電極基板の製造方法に係り、特に表示セルを画定
するセル層を有するガス放電パネル用電極基板の製造方
法の改良に関するものである。
プラズマディスプレイパネルの名称で知られるガス放電
パネルの一種として表示セルを画定するセル層を有する
ドット表示形式のマトリックス形パネルを初めとし、特
殊な電極パターンを用いた数字表示形のニューメリック
パネルや文字表示形のアルファニューメリックパネル
等、種々のタイプのものが提案されている。
パネルの一種として表示セルを画定するセル層を有する
ドット表示形式のマトリックス形パネルを初めとし、特
殊な電極パターンを用いた数字表示形のニューメリック
パネルや文字表示形のアルファニューメリックパネル
等、種々のタイプのものが提案されている。
このようなタイプのガス放電パネルにおいては、所定表
示セルでの放電が隣接する表示セルに広がって結合する
ことを防止し、良好な放電表示品質を得るために、セル
層により表示セルを画定した構成が用いられているが、
上記セル層としては低γな特性を有し、しかも水分や炭
酸ガス等の不純物ガスを吸着しないものが要求される。
示セルでの放電が隣接する表示セルに広がって結合する
ことを防止し、良好な放電表示品質を得るために、セル
層により表示セルを画定した構成が用いられているが、
上記セル層としては低γな特性を有し、しかも水分や炭
酸ガス等の不純物ガスを吸着しないものが要求される。
従来の例えばガス放電領域を画定するセル層を有する数
字表示形のニューメリックタイプのガス放電パネルは、
第３図の要部電極構成図及び第４図の要部断面図に示す
ように、対向する一対の例えばガラス基板1,2の内面に
はそれぞれ低融点ガラス等からなる誘電体層5,6で被覆
された複数の透明桁電極３及び金属膜からなる複数のセ
グメント電極４が設けられている。
字表示形のニューメリックタイプのガス放電パネルは、
第３図の要部電極構成図及び第４図の要部断面図に示す
ように、対向する一対の例えばガラス基板1,2の内面に
はそれぞれ低融点ガラス等からなる誘電体層5,6で被覆
された複数の透明桁電極３及び金属膜からなる複数のセ
グメント電極４が設けられている。
また、前記１対のガラス基板1,2の内の、例えば表示面
側のガラス基板１の誘電体層５上には、例えば低γ材料
のAl2O3等を主成分とし、これと結晶性低融点ガラスと
を混合した材料を用いて表示放電領域を画定するための
セル層７が設けられており、更に、これら各基板1,2の
誘電体層5,6上にはガス放電時におけるイオン衝撃によ
り該各誘電体層5,6が劣化する現象の防止と、放電電圧
を低下させるために、二次電子放射防止用の高γ材料で
ある酸化マグネシュウム（MgO）からなる保護膜8,9が被
覆されている。
側のガラス基板１の誘電体層５上には、例えば低γ材料
のAl2O3等を主成分とし、これと結晶性低融点ガラスと
を混合した材料を用いて表示放電領域を画定するための
セル層７が設けられており、更に、これら各基板1,2の
誘電体層5,6上にはガス放電時におけるイオン衝撃によ
り該各誘電体層5,6が劣化する現象の防止と、放電電圧
を低下させるために、二次電子放射防止用の高γ材料で
ある酸化マグネシュウム（MgO）からなる保護膜8,9が被
覆されている。
そして、かかる構成の上記各基板1,2は図示しないスペ
ーサを介在することにより、規定される所定ガス放電空
間を挟んで対向配置した構成がとられている。
ーサを介在することにより、規定される所定ガス放電空
間を挟んで対向配置した構成がとられている。
ところで上記した従来構成のガス放電パネルにおける表
示面側のガラス基板１に設けられているセル層７は、低
γ材料のAl2O3等を主成分とした部材によって形成され
ているため、該セル層７の表面が多孔面となり、水分や
炭酸ガス等の不純物ガスの吸着が顕著になり、この吸着
された不純物ガスは当該ガス放電パネルの製造工程にお
いても完全に除去することができず、製品化された後に
も残留する。
示面側のガラス基板１に設けられているセル層７は、低
γ材料のAl2O3等を主成分とした部材によって形成され
ているため、該セル層７の表面が多孔面となり、水分や
炭酸ガス等の不純物ガスの吸着が顕著になり、この吸着
された不純物ガスは当該ガス放電パネルの製造工程にお
いても完全に除去することができず、製品化された後に
も残留する。
従って、これに起因して表示セルの放電電圧が高くなっ
たり、パネルのガス放電空間に充填した放電ガスを劣化
させる欠点があった。
たり、パネルのガス放電空間に充填した放電ガスを劣化
させる欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、セル層の形成工
程を増加することなく、その焼成処理方法の簡単な改良
によりセル層表面を緻密面に形成し、水分や炭酸ガス等
の不純物ガスの吸着を防止した新規なガス放電パネル用
電極基板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
程を増加することなく、その焼成処理方法の簡単な改良
によりセル層表面を緻密面に形成し、水分や炭酸ガス等
の不純物ガスの吸着を防止した新規なガス放電パネル用
電極基板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
本発明は上記目的を達成するため、第１図に示すよう
に、セル層を有するガス放電パネルを構成するための一
方のガラス基板21上に複数の電極22を形成し、その各電
極22上の所定領域に誘電体層23を形成する。
に、セル層を有するガス放電パネルを構成するための一
方のガラス基板21上に複数の電極22を形成し、その各電
極22上の所定領域に誘電体層23を形成する。
次に該誘電体層23上に表示セルを画定するセル層24を、
低γ材料のAl2O3等を主成分とし、これと結晶性低融点
ガラスとを混合した材料を用いて塗着した後、該セル層
24を前記誘電体層23表面が溶融する従来のセル層焼成温
度より高い処理温度で焼成する。
低γ材料のAl2O3等を主成分とし、これと結晶性低融点
ガラスとを混合した材料を用いて塗着した後、該セル層
24を前記誘電体層23表面が溶融する従来のセル層焼成温
度より高い処理温度で焼成する。
これによりセル層24表面に溶融した誘電体層23の一部が
一種の毛細管現象によって吸い上げられて溶け込む結
果、当該セル層24はガラス膜25により被包された状態と
なる。
一種の毛細管現象によって吸い上げられて溶け込む結
果、当該セル層24はガラス膜25により被包された状態と
なる。
その後、該セル層24を含む前記誘電体層23上にMgOから
なる保護膜26を被着して電極基板を完成させる。
なる保護膜26を被着して電極基板を完成させる。
このように本発明の製造方法によって形成された電極基
板における前記セル層24の表面は、溶融した誘電体層23
の一部が溶け込んだガラス膜25で被包されて緻密化され
ているため、水分や炭酸ガス等の不純物ガスの吸着が防
止され、表示セルの放電電圧の上昇やパネルのガス放電
空間に充填した放電ガスを劣化させることが解消され
る。
板における前記セル層24の表面は、溶融した誘電体層23
の一部が溶け込んだガラス膜25で被包されて緻密化され
ているため、水分や炭酸ガス等の不純物ガスの吸着が防
止され、表示セルの放電電圧の上昇やパネルのガス放電
空間に充填した放電ガスを劣化させることが解消され
る。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図及び第２図は本発明に係るガス放電パネルを構成
するセル層を有する電極基板の製造方法の一実施例を示
す要部断面図である。
するセル層を有する電極基板の製造方法の一実施例を示
す要部断面図である。
先ず第１図に示すように、セル層を有するガス放電パネ
ルを構成するための表示面側のガラス基板21上に、例え
ば酸化錫（SnO2）を含む酸化インジウム（In2O3）膜か
らなる引出し配線パターンに連なる複数の透明電極22を
形成し、その各透明電極22上の所定領域に例えば硼珪酸
ガラス等からなる誘電体層23を塗着・焼成して形成す
る。
ルを構成するための表示面側のガラス基板21上に、例え
ば酸化錫（SnO2）を含む酸化インジウム（In2O3）膜か
らなる引出し配線パターンに連なる複数の透明電極22を
形成し、その各透明電極22上の所定領域に例えば硼珪酸
ガラス等からなる誘電体層23を塗着・焼成して形成す
る。
次に該誘電体層23上に低γ材料のAl2O3等と結晶性低融
点ガラスと、放電表示コントラストを上げるための例え
ば三酸化コバルト（Co2O3）からなる着色剤とを混合し
た材料を用いて表示セル、即ちガス放電領域を画定する
セル層24を、焼成後の厚さがガス放電空間の間隙寸法の
1/2〜2/3となるように塗着する。
点ガラスと、放電表示コントラストを上げるための例え
ば三酸化コバルト（Co2O3）からなる着色剤とを混合し
た材料を用いて表示セル、即ちガス放電領域を画定する
セル層24を、焼成後の厚さがガス放電空間の間隙寸法の
1/2〜2/3となるように塗着する。
しかる後、このセル層24を前記誘電体層23表面が溶融す
る程度のセル層24の焼成温度より高い処理温度、例えば
通常のセル層の焼成温度が440℃、誘電体層（23）の焼
成温度が570℃である場合、510℃程度で焼成する。
る程度のセル層24の焼成温度より高い処理温度、例えば
通常のセル層の焼成温度が440℃、誘電体層（23）の焼
成温度が570℃である場合、510℃程度で焼成する。
次に、第２図に示すように該セル層24を含む前記誘電体
層23上に二次電子放射防止用のMgOからなる保護膜26を
被着してセル層24を有する電極基板を完成させる。
層23上に二次電子放射防止用のMgOからなる保護膜26を
被着してセル層24を有する電極基板を完成させる。
このようにして得られた電極基板においては、前記セル
層24の表面全体が溶融した誘電体層23の一部の溶け込み
によりガラス膜25で被包されて緻密化された状態となる
ため、水分や炭酸ガス等の不純物ガスを吸着する問題が
解消する。
層24の表面全体が溶融した誘電体層23の一部の溶け込み
によりガラス膜25で被包されて緻密化された状態となる
ため、水分や炭酸ガス等の不純物ガスを吸着する問題が
解消する。
尚、以上の実施例では表示面側の基板にセル層を設けた
場合の例について説明したが、本発明はこの例に限定さ
れるものではなく、該表示面側の基板と対向配置させる
背面側の基板にセル層を設けたタイプのものにも適用で
きることは言うまでもない。
場合の例について説明したが、本発明はこの例に限定さ
れるものではなく、該表示面側の基板と対向配置させる
背面側の基板にセル層を設けたタイプのものにも適用で
きることは言うまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明に係るガス放電
パネル用電極基板の製造方法によれば、製造工程を増加
させることなく、セル層の焼成温度を変更することによ
り、表示セルを画定するセル層表面を容易に緻密化する
ことが可能となり、表示セルの放電電圧の上昇やパネル
に充填されている放電ガスを劣化させる等の問題が解消
する優れた効果を奏する。
パネル用電極基板の製造方法によれば、製造工程を増加
させることなく、セル層の焼成温度を変更することによ
り、表示セルを画定するセル層表面を容易に緻密化する
ことが可能となり、表示セルの放電電圧の上昇やパネル
に充填されている放電ガスを劣化させる等の問題が解消
する優れた効果を奏する。
従って、表示セルを画定するセル層を有するドット表示
形式のマトリックスタイプ、或いは特殊な電極パターン
を用いたニューメリック、アルファニューメリックタイ
プ等の各種ガス放電パネルの製造方法に適用して極めて
有利である。
形式のマトリックスタイプ、或いは特殊な電極パターン
を用いたニューメリック、アルファニューメリックタイ
プ等の各種ガス放電パネルの製造方法に適用して極めて
有利である。
第１図及び第２図は本発明に係るガス放電パネル用電極
基板の製造方法の一実施例を示す要部断面図、 第３図はセル層を有するニューメリックタイプのガス放
電パネルを説明するための要部電極構成図、 第４図は従来のセル層を有するガス放電パネルをニュー
メリックタイプのガス放電パネルを例にして説明するた
めの要部断面図である。 第１図及び第２図において、 21はガラス基板、22は透明電極、23は誘電体層、24はセ
ル層、25はガラス膜、26は保護層をそれぞれ示す。
基板の製造方法の一実施例を示す要部断面図、 第３図はセル層を有するニューメリックタイプのガス放
電パネルを説明するための要部電極構成図、 第４図は従来のセル層を有するガス放電パネルをニュー
メリックタイプのガス放電パネルを例にして説明するた
めの要部断面図である。 第１図及び第２図において、 21はガラス基板、22は透明電極、23は誘電体層、24はセ
ル層、25はガラス膜、26は保護層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の電極（22）が配設された基板（21）
に誘電体層（23）を形成し、該誘電体層（23）上にガス
放電領域を画定するセル層（24）を塗着した後、該セル
層（24）を前記誘電体層（23）表面が溶融するセル層焼
成温度よりも高い温度で焼成処理することにより、セル
層（24）表面を溶融した誘電体層（23）の一部（25）で
被覆することを特徴とするガス放電パネル用電極基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043406A JPH06105589B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | ガス放電パネル用電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61043406A JPH06105589B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | ガス放電パネル用電極基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200633A JPS62200633A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH06105589B2 true JPH06105589B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=12662873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61043406A Expired - Lifetime JPH06105589B2 (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | ガス放電パネル用電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105589B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3145279B2 (ja) * | 1995-08-28 | 2001-03-12 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| WO2019188613A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 日本碍子株式会社 | ガスセンサ素子 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61043406A patent/JPH06105589B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62200633A (ja) | 1987-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2705530B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| US6614184B2 (en) | Display panel and display panel production method | |
| KR100371257B1 (ko) | 플라즈마어드레스표시장치및그제조방법 | |
| CN1101005C (zh) | 彩色等离子体显示盘中的挡板及其制造方法 | |
| JPS5787048A (en) | Gas discharge panel | |
| JPH06105589B2 (ja) | ガス放電パネル用電極基板の製造方法 | |
| JPS6445035A (en) | Gas discharge display panel and its manufacture | |
| JP3275427B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| WO2009081471A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
| JPS62237635A (ja) | ガス放電パネルのセル層形成法 | |
| JP3260797B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| JPS57147847A (en) | Gas discharge display panel | |
| JPH04264328A (ja) | ガス放電表示パネルの製造方法 | |
| JPH02273439A (ja) | ガス放電表示パネル | |
| JPS62200634A (ja) | ガス放電パネル用電極基板の製造方法 | |
| JP3430666B2 (ja) | プラズマアドレス表示装置及びその製造方法 | |
| JP2003505333A (ja) | ディスプレイパネル | |
| JPH04301879A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
| JPS61110936A (ja) | 外部電極型放電表示板 | |
| KR100400162B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 판넬의 격벽 제조방법 | |
| JPS61240528A (ja) | ガス放電パネルの製造方法 | |
| JPH0217896B2 (ja) | ||
| JPH07230090A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS5743341A (en) | Face discharge type gas discharge panel | |
| JPS61243638A (ja) | ガス放電パネル |