JPS60106972A - メツキ方法 - Google Patents
メツキ方法Info
- Publication number
- JPS60106972A JPS60106972A JP21295583A JP21295583A JPS60106972A JP S60106972 A JPS60106972 A JP S60106972A JP 21295583 A JP21295583 A JP 21295583A JP 21295583 A JP21295583 A JP 21295583A JP S60106972 A JPS60106972 A JP S60106972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- soln
- tank
- oxidation
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1682—Control of atmosphere
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
錫や錫合金メッキを行なう場合、メッキ液のＳｎ がＳ
ｎ に変化し、陰イオンと反応して沈殿を作り、錫が無
駄になる。錫が７価に変化することを防ぐために、フェ
ノールスルフォン酸系ヤ、クレゾールスルフォン酸系の
還元剤をメッキ液に添加して錫の酸化を防止することが
行なわれているが、これら還元剤の添加による効果は充
分でなく、有効寿命も短かいため、還元剤の添加を続け
なければならない。このためメッキ液中に還元剤の分解
物が蓄積し、メッキそのものにも悪影響を与える。
ｎ に変化し、陰イオンと反応して沈殿を作り、錫が無
駄になる。錫が７価に変化することを防ぐために、フェ
ノールスルフォン酸系ヤ、クレゾールスルフォン酸系の
還元剤をメッキ液に添加して錫の酸化を防止することが
行なわれているが、これら還元剤の添加による効果は充
分でなく、有効寿命も短かいため、還元剤の添加を続け
なければならない。このためメッキ液中に還元剤の分解
物が蓄積し、メッキそのものにも悪影響を与える。
本発明は、この問題を解決したメッキ方法を供ぜんとす
るものである。
るものである。
本発明はこの目的を達成するため、メッキ槽や、これに
イＪ随するサービス槽、メッキ液の補充槽のメッキ液面
上を窒素ガスなどの不活性ガスで覆いメッキするように
したものである。
イＪ随するサービス槽、メッキ液の補充槽のメッキ液面
上を窒素ガスなどの不活性ガスで覆いメッキするように
したものである。
使用する不活性ガスとして、アルゴンガス、キセノンガ
ス、炭酸ガスを用いても同じ効果を期待できるが、窒素
ガスが最も安価で実用的である。
ス、炭酸ガスを用いても同じ効果を期待できるが、窒素
ガスが最も安価で実用的である。
またメッキ液面上を不活性ガスで覆うためのガス供給方
法としては、パイプあるいはノズルで液面上にガスを供
給してもよいし、液面下からガスを供給してもよい。
法としては、パイプあるいはノズルで液面上にガスを供
給してもよいし、液面下からガスを供給してもよい。
ｉ、ｓ％ＨＳｏ 溶液にＳｎ Ｓｏ を溶解し、Ｓｎ２
＋濃度、：ｚ、ｏｇ７ｔの溶液を三角フラスコ中に入れ
、■溶液中にＮ ガスをバブリングせしめた場合、■液
面上にＮ ガスをパージした場合、■大気中に放置した
場合、■大気中で攪拌機により溶液を攪拌した場合につ
いて、溶液中のＳｎ 濃度の経時変化を調へた結果を第
１図に示す。第１図に示すように溶液表面を１４ ガス
で覆うとＳｎ の溶液中における濃度が減少せずほぼ一
定に保たれることが判る。
＋濃度、：ｚ、ｏｇ７ｔの溶液を三角フラスコ中に入れ
、■溶液中にＮ ガスをバブリングせしめた場合、■液
面上にＮ ガスをパージした場合、■大気中に放置した
場合、■大気中で攪拌機により溶液を攪拌した場合につ
いて、溶液中のＳｎ 濃度の経時変化を調へた結果を第
１図に示す。第１図に示すように溶液表面を１４ ガス
で覆うとＳｎ の溶液中における濃度が減少せずほぼ一
定に保たれることが判る。
次に、上記の液にＣｕ Ｓｏ・５ＨＯを加え％ Ｏｕ２
濃度を／ｑ、乙ｇ／ｌとしたメッキ液を用い、炭素鋼線
のＣｕ−Ｓｎ合金１ａ換メッキを行なった。メッキ槽及
びサービス槽のメッキ液表面に、Ｎ ガスをパージして
、メッキ液表面をＮ ガスで覆った場合と、そうしなか
った場合のメッキ液及びメッキ析出物中の銅比の経時変
化を第２図に示す。
濃度を／ｑ、乙ｇ／ｌとしたメッキ液を用い、炭素鋼線
のＣｕ−Ｓｎ合金１ａ換メッキを行なった。メッキ槽及
びサービス槽のメッキ液表面に、Ｎ ガスをパージして
、メッキ液表面をＮ ガスで覆った場合と、そうしなか
った場合のメッキ液及びメッキ析出物中の銅比の経時変
化を第２図に示す。
図中で、イはＮ パージを行なった場合のメッキ液中の
錫化の経時変化曲線を示し、口はＮ パージを行なった
場合のメッキ析出物中の錫化の経時変化、ハはＮ パー
ジをしなかった場合のメッキ液中の錫化、二はＮ パー
ジをしなかった場合のメッキ析出物中の銅比の経時変化
を夫々示す。
錫化の経時変化曲線を示し、口はＮ パージを行なった
場合のメッキ析出物中の錫化の経時変化、ハはＮ パー
ジをしなかった場合のメッキ液中の錫化、二はＮ パー
ジをしなかった場合のメッキ析出物中の銅比の経時変化
を夫々示す。
このように本発明方法によれば、酸化の激しい析出用金
属イオンの酸化によるメッキ液中濃度の低下を減少でき
るので、高価な硫酸第一錫などの原料費を節約でき、還
元剤などの酸化防止剤の添加が不要となり、還元剤の添
加によるメッキ液の汚れがなくなるので析出金属の質が
向上し ｎ Ｄメッキの場合、合金組成比率を安定化で
きる。
属イオンの酸化によるメッキ液中濃度の低下を減少でき
るので、高価な硫酸第一錫などの原料費を節約でき、還
元剤などの酸化防止剤の添加が不要となり、還元剤の添
加によるメッキ液の汚れがなくなるので析出金属の質が
向上し ｎ Ｄメッキの場合、合金組成比率を安定化で
きる。
第１図は硫酸第一錫溶液中のＳｎ のフラスコ中での濃
度の経時変化を示す図、第２図は硫酸第一錫と硫酸銅と
の混合液を用いて炭素鋼線にＯｕ −Ｓｎ合金を置換メ
ッキしたときの液中のＳｎ の経時変化を示した図であ
る。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中利勝成
度の経時変化を示す図、第２図は硫酸第一錫と硫酸銅と
の混合液を用いて炭素鋼線にＯｕ −Ｓｎ合金を置換メ
ッキしたときの液中のＳｎ の経時変化を示した図であ
る。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中利勝成
Claims (1)
- （１） メッキ金属を酸化され易い金属イオンの状態で
含イｊ゛するメッキ液を用いてメッキする際、メッキ槽
および、またはメッキ槽に付随するサービス槽や補充槽
の液面上を、不活性ガスで覆いメッキを行なうことを特
徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21295583A JPS60106972A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21295583A JPS60106972A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106972A true JPS60106972A (ja) | 1985-06-12 |
Family
ID=16631059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21295583A Pending JPS60106972A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106972A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003039827A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Ngk Insulators,Ltd. | Corps structural en nids d'abeille formant bague et procede de fabrication de ladite bague |
| US10774425B2 (en) * | 2017-05-30 | 2020-09-15 | Macdermid Enthone Inc. | Elimination of H2S in immersion tin plating solution |
| CN112647066A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 用于执行浸锡处理或铜镀覆处理的方法和设备 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21295583A patent/JPS60106972A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003039827A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Ngk Insulators,Ltd. | Corps structural en nids d'abeille formant bague et procede de fabrication de ladite bague |
| US7132124B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-11-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
| US7670644B2 (en) | 2001-11-05 | 2010-03-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
| US8226400B2 (en) | 2001-11-05 | 2012-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
| US10774425B2 (en) * | 2017-05-30 | 2020-09-15 | Macdermid Enthone Inc. | Elimination of H2S in immersion tin plating solution |
| CN112647066A (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-13 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 用于执行浸锡处理或铜镀覆处理的方法和设备 |
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