JPS60103648A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60103648A
JPS60103648A JP58211544A JP21154483A JPS60103648A JP S60103648 A JPS60103648 A JP S60103648A JP 58211544 A JP58211544 A JP 58211544A JP 21154483 A JP21154483 A JP 21154483A JP S60103648 A JPS60103648 A JP S60103648A
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JP
Japan
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projection
cap
stem
groove
welding
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JP58211544A
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English (en)
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Fukashi Kibune
木船　深志
Seiji Matsuda
松田　聖司
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はキャップとステムからなる容器内部に半導体素
体などを収容し、キャップとステムを溶接により結合し
て封止する半導体装置の製造方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
　１− 金属製のキャップとステムからなる容器内−こ半導体素
体などを封入するには、第１図に示すようにステム上ｌ
の上に半導体素体２を固着し、ステム１を絶縁されて貫
通するリード端子３と半導体素体２の電極きを導線４に
より接続したのち周辺部に環状突起５を有するキャップ
６をかぶせ、キャップ６とステム１の間に突起５を介し
て電流を流してグロジエクション溶接することによりス
テム１をキャップと結合する。この場合突起５は融解し
て第２図に示すようにナゲツト７を形成するが、この際
スパッタ８が飛散して半導体素体２゜リード３．導線４
の各部分に付着する。これによって半導体装置の特性が
損なわれることがあり、またキャップなどｔこ付着した
スパッタが衝撃などにより容器内で移動して使用中に半
導体装置の機能に障害を与えることがある。これらを防
止するために半導体素体の表面を被覆したり、あるいは
溶接用突起の形状や溶接条件を検討することによってス
パッタを少なくすることにより対策していた。しかしス
パッタを少なくすることはできても　２− 溶接する以上皆無にすることは不可前であり、付着した
スパッタの状態を個々の装置についてチェックすること
も困難である。また表面被覆も、特に圧力センサのよう
な半導体装置では使用中の温度上昇により蒸気の発生す
る有機物を用いることができないので実施上問題がある
。
〔発明の目的〕
本発明はキャップとステムのｆｉＮｉＦの際ノスバッタ
によって初期あるいは使用中の特性が損なわれることの
ない信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
〔発明の要点〕
本発明は、ステム上ｌこ半導体素体を固着し、キャップ
をその上にかぶせてキャップの周辺部とステムとを溶接
してなる半導体装置の製造に際し、キャップとして周辺
部のステム１ｌ１１に二重の環状突起を備えたものを、
またステムとしてキャップの内側の環状突起に対向しそ
の突起の高さおよび幅よりやや大きい深さおよび幅を有
する断面Ｖ形の環状溝を備えたものを用い、外側の環状
突起をステム面に接触させてグロジエクション溶接ヲ行
うととζこより上記の目的を達成する。
〔発明の実施例〕　− 第３図および第４図は本発明の実施例を順に示し、第１
．第２図と共通の部分ζこは同一の符号が付されている
。この場合キャップ６の周辺部ｃこはプロジェクション
溶接のための環状突起５のほかに内側Ｊｃ同心ｌこ別の
環状突起９が併設されており、ステム１にはキャップの
内側の環状突起９に対応する位置にＶ溝１０が形成され
ている。■溝１゜の形成はプレスによっても切削加工ζ
こよってもよいが、突起９の高さセよび幅より若干大き
い深さおよび幅をもつ必要がある。なぜなら第４図に示
すように外側の環状突起５とステム１と接触させて通電
しプロジェクション溶接する際、突起９とＶ溝１０の間
に空隙１１が生じこの部分に電流が流れないようｌこす
るためである。この場合も突起５が融解しナゲツト７を
形成すると同時にスパッタ８も発生するが、内側の環状
突起１０とＶ溝８の間の狭い空８１こよりそれより内ｆ
ａｔこ入るこ♂がない。従って半導体素体２、導線４あ
るいはリード端子３にスパッタの付着することが防止さ
れる。
第５図はプレス加工でキャップ６の二つの環状突起５お
よび９ｆｉ−成形した実施例を示す。外イ目ム突起５の
高さＡと内側突起の高さＢは必ずしも等しい必要はなく
、図のように異なっていてもよい。
また二つの突起の間隔Ｃも任意に選定できる。
〔発明の効果〕
本発明により製造される半導体装置はプロジェクション
溶接さ′Ｉ′１．６キヤツプとステムの溶接部の内側に
狭い空隙を介して対向する突起と溝とを有するもので、
このためｌと溶接時のスパッタがもたらす装置の特性へ
の障害もしくは信頼性の低下が除去さね、特にスパッタ
より保護するための被覆の形成が困難な半導体圧力セン
サなどの製造に極めて有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来のキャップとステムとのプロジェ
クション溶接の工程を順次示す要部断面図、第３図、第
４図は本発明の一実施例における　５− プロジェクション溶接の工程を順次示す要部断面図、第
５図は別の実施例のキャップの要部断面図である。 １：ステム、２：半導体素体、５．９：環状突起、７：
ナゲツト、１０：Ｖ溝。 　６− 第１図 只 第２図 第３図 第４図 止「ゴ レ　−ＩＮＮ１３−一 １Ｍ　第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）ステム上に半導体素体を固着し、その上にキャップ
    をかぶせてキャップの周辺部とステムきを溶接してなる
    半導体装置を製造するに際し、キャップとして周辺部の
    ステム側に二重に環状突起を備えたものを、またステム
    としてキャップの内側の環状突起に対向し該突起の高さ
    および幅よりやや大きい深さおよび幅を有する断面Ｖ形
    の環状溝を備えたものを用い、外側の前記環状突起をス
    テム面に接触させてプロジエクシ目ン溶接ヲ行つことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP58211544A 1983-11-10 1983-11-10 半導体装置の製造方法 Pending JPS60103648A (ja)

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